「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The electric wire inspection device 1 is constituted by installing rollers 3 that can roll on a feeder L on a frame body 2 secured at the upper end of an insulated operating rod P, and installing CCD cameras 4 through a rocking mechanism 5.例文帳に追加

絶縁操作棒Ｐの上端部に固定する枠体２に電線Ｌ上を転動可能なローラ３を設けると共に、揺動機構５を介してＣＣＤカメラ４を取り付けて電線検査装置１を構成する。 - 特許庁

In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加

ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁

This prefilled syringe comprises a first barrel 1, a first gasket 2 which is attached by being inserted into the first barrel 1 so as to define a solution chamber 13, and a communication member 3 and a plunger-like vessel P, which are attached by being inserted into the first barrel 1.例文帳に追加

プレフィルドシリンジは、第１バレル１と、この第１バレル１に挿着されて溶解液室１３を画設する第１ガスケット２と、第１バレル１に挿着された連通部材３とプランジャ状容器Ｐを含んでなる。 - 特許庁

Further, the manufacturing method of the hollow double-walled structure A comprises the process of closing a split mold 3, the process of fusion-bonding a parison P, the process of setting back a slide core, and the process of introducing a pressurized fluid.例文帳に追加

また、分割金型３を閉じる工程と、パリソンＰを融着させる工程と、スライドコアを後退させる工程と、加圧流体を導入する工程と、を備える中空二重壁構造体の製造方法。 - 特許庁

An n-type first cladding layer 3, a first guide layer 4, a first enhancing layer 5, an active layer 6, a second enhancing layer 7, a second guide layer 8, and a p-type second cladding layer 9 are sequentially stacked on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型の第１クラッド層３、第１ガイド層４、第１エンハンス層５、活性層６、第２エンハンス層７、第２ガイド層８、ｐ型の第２クラッド層９が順次積層されている。 - 特許庁

A dispenser head 18, in addition to a suction head 17, is supported by a head unit 4 which is arranged to be movable between a substrate P conveyed at a work position by a conveyer 3 and a part supply means 5.例文帳に追加

搬送手段３により作業位置に搬送されてきた基板Ｐと部品供給手段５との間を移動可能に配設されたヘッドユニット４に対し、吸着ヘッド１７に加えディスペンサヘッド１８を支持させる。 - 特許庁

The shrink pack wrapping apparatus 1 comprises a transfer means 2 for transferring rectangular, bag-shaped thermally shrinkable films F in each of which the article P is wrapped up, and a heating means 3 for heating each thermally shrinkable film F.例文帳に追加

シュリンクパック包装装置１は、被包装物Ｐを内包した矩形の袋状の熱収縮性フィルムＦを搬送する搬送手段２と、熱収縮性フィルムＦを加熱する加熱手段３とを備える。 - 特許庁

Then, a reception storing part 3 receives and stores character information L or image information G designated by the information designation page P, and each time the image information is received, a print data preparing part 5 prepares a print data file D.例文帳に追加

そして、受信格納部３が、情報指定ページＰで指定された文字情報Ｌや画像情報Ｇを受信して格納し、当該受信の都度、印刷データ作成部５が、印刷データファイルＤを作成する。 - 特許庁

For reading, hologram diffracted light 4 obtained by irradiation with readout light 3 is separated into a p-polarized component and an s-polarized component and light intensities thereof are detected respectively to separate and read the 1st data and 2nd data.例文帳に追加

読取時には、読出光３の照射によって得られたホログラム回折光４をｐ偏光成分とｓ偏光成分に分離し、それぞれの光強度を検出して、第１のデータと第２のデータを分離して読み取る。 - 特許庁

The peripheral edge part of a substrate P made of a resin is clamped between a fixed mold 3 and a movable mold 4 to form a cavity which is, in turn, filled with a resin to seal the mounting part on the surface of the substrate with the resin.例文帳に追加

固定側金型３と可動側金型４の間に樹脂製基板Ｐの周縁部をクランプした後、形成されたキャビティ内に樹脂を充填して基板表面の実装部品を樹脂封止する。 - 特許庁

Consequently, resist can be left in an arbitrary shape and an arbitrary size, and pattern regions P which are hatched in Fig. 3 and coated with the resist and the non-pattern region NP between them which is not applied with the resist can be formed.例文帳に追加

これにより任意の形状・大きさでレジストを残すことができ、図３にハッチングで示すようにレジストを塗布されたパターン領域Ｐと、その間のレジストを塗布されない非パターン領域ＮＰとを形成できる。 - 特許庁

In the digital camera, when it goes into a photographic mode, a lens movement control section 40 of a lens position control unit 35 moves a photographing lens 3, from a storing position S to a photographing position P and stores it by means of a lens-moving mechanism 30.例文帳に追加

デジタルカメラでは、撮影モードになると、レンズ位置制御部３５のレンズ移動制御部４０は、レンズ移動機構３０によって撮影レンズ３を収納位置Ｓから撮影位置Ｐに移動して停止する。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode(LD) 1, an n-type clad layer 3, an optical guide layer 4, an active layer 5, an optical guide layer 6, a p-type clad layer 7, and a contact layer 8 are sequentially formed on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザダイオード(ＬＤ)１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、光ガイド層４、活性層５、光ガイド層６、ｐ型クラッド層７、及びコンタクト層８が順次形成され構成されている。 - 特許庁

The semiconductor element includes an undoped GaN layer 3, an Si film 31, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 laminated in this order on an AlN buffer layer 2 formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

Assuming that θ1 is a rotor magnetic pole open angle and θ2 is a protrusion part open angle centering around a magnetic pole center P, the protrusion part 31 is formed so as to satisfy (4/9)θ1<θ2<(2/3)θ1 in electrical degrees.例文帳に追加

凸部３１は、磁極中心Ｐを中心としてそれぞれ回転子磁極開角をθ１、凸部開角をθ２とすると、電気角で（４/９）θ１＜θ２＜（２/３）θ１を満たすように形成される。 - 特許庁

A data receiving apparatus 50 is provided with a PLL circuit 1, a first phase-compensation circuit 2, a second phase-compensation circuit 3, an S/P converter circuit 4, a receiver RC, a receiver RC1, a receiver RC2, and a receiver RCn.例文帳に追加

データ受信装置５０には、ＰＬＬ回路１、第１の位相補整回路２、第２の位相補整回路３、Ｓ／Ｐ変換回路４、レシーバＲＣ、レシーバＲＣ１、レシーバＲＣ２、及びレシーバＲＣｎが設けられる。 - 特許庁

Also, an upper DBR mirror 4, a p-AlAs layer 6, an Al oxide layer 10 and a GaInNAs, a contact layer 5 consisting of a GaInNAs, and a mesa post consisting of an electrode 8 are formed on the upper surface of the layer 3.例文帳に追加

また、量子井戸活性層３の上面には、上部ＤＢＲミラー４、ｐ−ＡｌＡｓ層６、Ａｌ酸化層１０、ＧａＩｎＮＡｓからなるコンタクト層５および電極８からなるメサポストを形成する。 - 特許庁

A total station 10 measures the position (xi, yi, zi) of a prism 2 in the inclining ball prism 3 at three or more points and determines the position (x0, y0, z0) of the measuring point P based on measurements related to the position of these prisms 2.例文帳に追加

トータルステーション１０で、傾動しているポールプリズム３のプリズム２の位置（ｘｉ，ｙｉ，ｚｉ）を３点以上測定し、これらのプリズム２の位置に関する測定値に基づいて、測点Ｐの位置（ｘ０，ｙ０，ｚ０）を求める。 - 特許庁

When creating a silicon oxide film 24 on a silicon oxide film 21 being a mask for forming a type-p base region 3 and etching it back, the films 24 remain with the same width on both of the side surface of the film 21.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成用マスクとなるシリコン酸化膜２１の上にシリコン酸化膜２４を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜２１の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜２４が残る。 - 特許庁

An n-type GaN contact layer 2, a MQW active layer 3, and a p-type AlGaN clad layer 4 are sequentially formed on a GaN substrate 1 and an n-electrode 8 is also formed at the rear surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上にｎ型ＧａＮコンタクト層２、ＭＱＷ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４が順に形成されており、ＧａＮ基板１の裏面にはｎ電極８が形成される。 - 特許庁

A semiconductor optical amplifier (optical semiconductor element) 1 includes a substrate 2, a semiconductor laminate portion 3, a p-side electrode 5, an n-side electrode 6, and a pair of antireflective films (equivalent to dielectric films in the claim) 7 and 8.例文帳に追加

半導体光増幅器（光半導体素子）１は、基板２と、半導体積層部３と、ｐ側電極５と、ｎ側電極６と、一対の反射防止膜（請求項の誘電体膜に相当）７、８とを備えている。 - 特許庁

A p-InGaAs clad layer 2, an AlInGaP-MQW active layer 3, a n-InGaAs clad layer 4 and an InGaP adhesion layer 5 are sequentially crystal-grown on a GaAs substrate 1 of a growth substrate.例文帳に追加

成長基板のＧａＡｓ基板１上にｐ−ＩｎＧａＡｓクラッド層２、ＡｌＩｎＧａＰ−ＭＱＷ活性層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓクラッド層４及びＩｎＧａＰ接着層５を順次結晶成長させる。 - 特許庁

In a second region adjacent to the first region, a floating gate 10 insulated from the n+ type drain layer 3, the p-type semiconductor layer 4 and the n+ type source layer 5, and formed on the embedded oxidized layer 2 is formed.例文帳に追加

第１領域に隣接する第２領域には、ｎ＋型ドレイン層３、ｐ型半導体層４及びｎ＋型ソース層５と絶縁分離され、埋め込み酸化層２の上に形成されるフローティングゲート１０が形成される。 - 特許庁

A color laser printer 1 is constituted so that a plurality of photo conductors 3 are arranged opposite to a paper conveyance belt 6 constituted so as to be able to displace and a plurality of toner images are sequentially transferred using paper P as a transferred member.例文帳に追加

カラーレーザプリンタ１は、複数の感光体３が、変位可能に構成された用紙搬送ベルト６と対向して配設され、用紙Ｐを被転写部材として、複数のトナー像を順次転写するよう構成されている。 - 特許庁

A ribbed restriction part 43 is integrally formed on the bottom face of a paper discharge stacked 4 arranged almost right over a paper feed cassette 3, in proximity to the inside of the side wall portion of the paper feed cassette and in the direction of feeding paper P.例文帳に追加

給紙カセット３の概直上に配置される排紙スタッカ４の底面には給紙カセットの側壁部の内側近傍でかつ用紙Ｐの供給方向にリブ状の規制部４３が一体成形されている。 - 特許庁

A regulating body 26 capable of being flexibly deformed is set in a form of hanging down in a position above the tray T when a size of photographic paper P delivered from the conveying mechanism 3 to the tray T exceeds a set value.例文帳に追加

搬送機構３からトレイＴに排出される印画紙Ｐのサイズが設定された値を超える場合には、トレイＴの上方位置に垂れ下がる形態で、柔軟に変形し得る規制体２６をセットする。 - 特許庁

A diode element of an inversely beveled structure is formed by providing a sloping side surface 7 to a semiconductor base material 4 comprising a p^+-type semiconductor region 1, an n^--type semiconductor region 2, and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ^＋型半導体領域１とＮ^−型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とから成る半導体基体４に傾斜側面７を設け、逆方向ベベル構造のダイオード素子を形成する。 - 特許庁

A p-type electrode 8 is provided on the translucent conductive layer 7 and an n-side electrode 9 is provided while being electrically connected with the n-type layer 3 exposed by etching a part of the semiconductor laminate portion 6.例文帳に追加

透光性導電層６上にはｐ側電極８が設けられ、半導体積層部６の一部をエッチングして露出するｎ形層３に電気的に接続してｎ側電極９が設けられている。 - 特許庁

This sandbag packaged body P includes a sandbag S in which water absorptive resin material 2 is contained in a water permeable bag 3 instead of soil, and a sealed packaged body 1 storing a plurality of sandbags S.例文帳に追加

土嚢包装体Ｐは、土の代わりに吸水性樹脂材２を通水性袋３に内在した土嚢Ｓと、この土嚢Ｓを複数収納すると共に、密閉された包装体１とを備えているものである。 - 特許庁

In this np tandem type dye-sensitized solar cell 1, an anode substrate 21, a dye-sensitized n-type semiconductor layer 22, an electrolyte layer 3, a dye-sensitized p-type semiconductor layer 42 and a cathode substrate 41 are arranged, in this order.例文帳に追加

ｎｐタンデム型の色素増感太陽電池１では、アノード基板２１、色素増感ｎ型半導体層２２、電解質層３、色素増感ｐ型半導体層４２、カソード基板４１がこの順に配置されている。 - 特許庁

A print P with the image recorded thereon with the codes C1-C3 embedded therein is imaged by an image pickup part 31 of a cellular phone 3 with a camera to obtain picked-up image data S2, and distortion of the image is corrected to obtain corrected image data S3.例文帳に追加

カメラ付き携帯電話３の撮像部３１によりコードＣ１〜Ｃ３を埋め込んだ画像を記録したプリントＰを撮像して撮像画像データＳ２を得、像の歪みを補正して補正画像データＳ３を得る。 - 特許庁

When a flow of a contrast medium administered to the subject P is tracked and imaged, the angiography device enables the C arm 3 to move into a direction E.例文帳に追加

そして、このアンギオ装置によれば、前記被検体Ｐに対し投与された造影剤の流れを追跡する撮影を実施する際に、前記Ｃアーム３を例えば図中Ｅ方向に関し、随意に移動することが可能である。 - 特許庁

Since the rolled sheet P is projected at an angle of 90° from the first paper discharge port 3 (refer to arrow G), the slip of paper when the rolled sheet is cut is worsened but an effect of easily setting the rolled sheet is demonstrated.例文帳に追加

第１排紙口３からはロール紙Ｐは９０度の角度で突出されるため（矢印Ｇ参照）、ロール紙切断時の紙切れは悪くなるものの、ロール紙のセッティングは容易であるという効果を奏する。 - 特許庁

A paper sheet P having an image formed thereon by an image forming part 2 is ejected to a sheet piling-up part 5 provided in a space 3 between the image forming part 2 and an image read part 1 provided above the image forming part 2.例文帳に追加

画像形成部２により画像が形成されたシートＰを、画像形成部２及び画像形成部２の上方に設けられた画像読取部１との間の空間３に設けられたシート積載部５に排出する。 - 特許庁

Since deviation of crystal orientation in the surface of the metal substrate 1 is within 5 degrees, deviation of crystal orientation of the n-type polycrystalline Si thin film 3 and the p-type polycrystalline Si thin film 4 is also extremely small.例文帳に追加

金属基板１の表面における結晶方位のずれが５度以内であるため、ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４の結晶方位のずれも極めて小さくなる。 - 特許庁

In an N well 2 of the semiconductor circuit device, active regions Rtp for PMIS are formed as surrounded by the trench isolation Ris, while in a P well 3, active regions Rtn for NMIS are formed, also being surrounded by the trench isolation Ris.例文帳に追加

半導体回路装置のＮウェル２には、ＰＭＩＳ用活性領域Ｒｔｐが、Ｐウェル３には、ＮＭＩＳ用活性領域Ｒｔｎがそれぞれトレンチ分離Ｒｉｓで囲まれて設けられている。 - 特許庁

Semiconductor thin films having their main different orientations are individually formed on an insulation substrate 3 in such a manner that each film may be appropriately oriented in a channel area 4 of an n-type thin-film transistor and a channel area 5 of a p-type thin film transistor.例文帳に追加

絶縁性基板３上に、主たる配向が異なる半導体薄膜を、Ｎ型薄膜トランジスタのチャネル領域４、Ｐ型薄膜トランジスタのチャネル領域５で最適な配向をとるように作り分ける。 - 特許庁

The pn-junctions of the n-regions 3 and the p-well region 2 function as optical sensors, and an effective light receiving region 14 is moved by combining the n-regions 3a-3e by an electric signal, so that the aligning displacement can be corrected.例文帳に追加

ｎ領域３とｐウエル領域２のｐｎ接合が光センサの働きし、ｎ領域３ａ〜３ｅを電気信号で組み合わせることで、受光有効領域１４を移動させ、合わせ位置ずれを補正する。 - 特許庁

As a semiconductor layer brought into contact with the transparent conductive film 7, a p-type AlGaAs layer 6 having a zinc concentration of 1×10^19 cm^-3 is formed as a transparent conductive film exfoliation prevention layer.例文帳に追加

透明導電膜７が接する半導体層として、少なくともアルミニウムを含み、亜鉛濃度１×１０^１９ｃｍ^−３のｐ型ＡｌＧａＡｓ層６を透明導電膜剥離防止層として設けた。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The load sensing control device further includes a fixed orifice 25 between a connection point connecting the pilot flow path 4 for discharge pressure and the pump P and a connection point connecting the pilot flow path 5 for negative pressure and the actuator 3.例文帳に追加

そして、上記吐出圧用パイロット流路４とポンプＰとを接続する接続ポイントと、負荷圧用パイロット流路５とアクチュエータ３とを接続する接続する接続ポイントとの間に、固定オリフィス２５を設けている。 - 特許庁

The ultraviolet semiconductor light emitting element having a luminescent wavelength in an ultraviolet region of 200 to 300 nm includes a light emitting layer 4 between an n-type nitride semiconductor layer 3 and a p-type nitride semiconductor layer 5.例文帳に追加

２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外域に発光波長を有する紫外半導体発光素子であって、ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有する。 - 特許庁

An n^- type semiconductor substrate 1 which has a first principal surface 1a and a second principal surface 1b opposed to each other and on the first principal surface 1a side of which a p^+ type semiconductor region 3 is formed is prepared.例文帳に追加

互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ^−型半導体基板１を準備する。 - 特許庁

The maximum value of gate voltage applied between a well terminal Vb and a gate terminal Vg of the MOS type varactor element 3 is set lower than that applied to the N-channel transistor 1 and the P-channel transistor 2.例文帳に追加

また、ＭＯＳ型バラクタ素子３のウエル端子Ｖｂとゲート端子Ｖｇとの間に印加するゲート電圧の最大値を、Ｎチャネルトランジスタ１及びＰチャネルトランジスタ２に印加するゲート電圧の最大値よりも低くする。 - 特許庁

The S-P conversion part 2 has the number of conversion bits fixed and is configured to be able to change conversion speed by an operation clock and uses a clock signal CLK outputted from the clock selection part 3 as the operation clock.例文帳に追加

また、Ｓ／Ｐ変換部２は、変換ビット数が固定されつつ、変換速度が動作クロックにより変更可能に構成され、クロック選択部３から出力されるクロック信号CLKを動作クロックとして用いる。 - 特許庁