「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

The moving mechanism 3 of the first raking mechanism 10P moves the first raking plate 2A along the bottom (a) of the reservoir, and the second raking plate 2B along the water surface (b), each from an end portion P to the central part C.例文帳に追加

第１の掻き寄せ機構１０Ｐの移動機構３は、第１の掻き寄せ板２Ａを池底ａに沿って、第２の掻き寄せ板２Ｂを水面ｂに沿って、それぞれ端部Ｐから中央部Ｃへ移動させる。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 3 so as to be separated form each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

This wiring body 1, in contrast to prior art, comprises an electric insulating layer 3 provided with a through-hole 31 for ensuring spatial insulation distance in a both side exposed region 89A, and a conductive layer 2 for P pole.例文帳に追加

配線体１は、従来例に対し、両面露出領域８９Ａに空間絶縁距離を確保するための貫通孔３１が形成された電気絶縁層３と、Ｐ極用の導電層２を用いる。 - 特許庁

The pixel pattern 15 is divided into a plurality of areas 1, 2, and 3 in a planar direction on the backside of the transparent material 11, and array pitches p, q, and r of pixels 14 in respective areas change in adjacent areas.例文帳に追加

画素パターン１５は透明素材１１の裏面において平面方向に複数の領域１，２，３に区分けされ、各領域における画素１４の配列ピッチｐ、ｑ、ｒが隣り合う領域同士で変化する。 - 特許庁

In a winding and bending of the magnesium alloy pipe P, the bending is intermittently progressed by alternately combining a small-angle bending step in which the bending angle is ≤10° and an idle step of 3-120 s after that.例文帳に追加

マグネシウム合金管Ｐの巻き付け曲げ加工において、曲げ角度１０°以下の小角度曲げ加工工程と、その後の３〜１２０秒の休止工程とを交互に組み合わせ、間歇的に曲げ加工を進行させる。 - 特許庁

(m) represents an integer 1 or more, L represents an organic group of (m) value to be bonded by P atoms and carbon atoms, and (n) represents an integer of 1-3, X represents anions of (n) value and X can be connected with L.例文帳に追加

ｍは１以上の整数を表し、ＬはＰ原子と炭素原子で結合するｍ価の有機基を表し、ｎは、１乃至３の整数を表し、Ｘはｎ価の陰イオンを表し、ＸとＬとは連結してもよい。 - 特許庁

In the formula (2), R^1 represents a 4-10C hydrocarbon group; R^2 represents a 1-6C alkyl group; p represents an integer of 0 to 3; and R^2 may be the same or different.例文帳に追加

（但し、上記式（２）においてＲ^１は炭素数４〜１０の炭化水素基を表わし、Ｒ^２は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｐは０〜３の整数を表わし、Ｒ^２は互いに同一であっても異なっていてもよい。） - 特許庁

A p-type semiconductor layer 3 corresponding to the SOI layer of an SOI substrate 10 comprises a plurality of planar semiconductor islands 5 which are isolated from each other by a groove 4 and a groove 8 formed as trenches.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０のＳＯＩ層に相当するｐ型の半導体層３は、トレンチとして形成された溝４及び溝８によって互いに分離された多数の平面視帯状の半導体島５を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of a ceramic multilayer wiring board 10, four first holes 2 surrounding an arbitrary point P are respectively provided to six ceramic green sheets 1A and 1B, which are packed with conductive paste 3.例文帳に追加

本発明のセラミック多層配線板１０の製造方法は、６枚のセラミックグリーンシート１Ａ、１Ｂに対して任意の点Ｐを囲繞する４個の第１の孔２をそれぞれ設けて導電ペースト３を充填する。 - 特許庁

When a P-type semiconductor layer is epitaxilally grown, a first gas flow F1 flowing from a first gas flow port 11 via the zinc crucible 3 and sequential containers to a second gas flow port 12 is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体層をエピタキシャル成長させるときには、第１気体流通口１１から、亜鉛壺３および処理容器１群を順に通って第２気体流通口１２に至る第１気流Ｆ１が形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a nitride semiconductor stacked layer structure 5 in which an n^+-type GaN substrate 1, n^--type GaN layer 2, p-type GaN layer 3, and n^+-type GaN layer 4 are stacked in this order.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ^+型ＧａＮ基板１と、ｎ^-型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ^+型ＧａＮ層４が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部５とを備えている。 - 特許庁

The phosphor bronze bar excellent in deep drawing is composed of 3-9 mass % Sn, 0.03-0.35 mass % P, 30-200 mass ppm Ag, and the balance Cu with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｓｎを３〜９質量％、Ｐを０．０３〜０．３５質量％及びＡｇを３０〜２００質量ｐｐｍ含有し、残部が銅及びその不可避的不純物からなることを特徴とする、深絞り性に優れたりん青銅条。 - 特許庁

The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B.例文帳に追加

ｐ形半導体層３と上記活性層とｎ形半導体層２とで発光部Ｂを構成し、発光部Ｂの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。 - 特許庁

Then, compressed moving image data (I picture) of the face detection region R3 compressed by the compression section 13 is transmitted from a transmission section 15 via the transmission path 3, together with compressed moving image data (P pictures) of other regions R2-R5.例文帳に追加

そして、圧縮部13で圧縮された顔検出領域R3の圧縮動画データ(Ｉピクチャ)が、その他の領域R2〜R5の圧縮動画データ(Ｐピクチャ)とともに伝送部15から伝送路３を介して伝送される。 - 特許庁

The extrusion rate controlling mechanism 3 is constructed of an encoder 11 attached to transfer rollers 10a, 10b loaded with the extruded dough P and rotated by frictional rotation, a pulse transducer 12, and an inverter 13 connected to the driving motor 5.例文帳に追加

押出速度制御機構３は、押し出た生地Ｐが載って摩擦回転する搬送ローラ１０ａ，１０ｂに取り付けたエンコーダ１１と、パルストランスデューサ１２と、駆動モータ５に接続したインバータ１３とによって構成する。 - 特許庁

In the roll shop management system 1, the roll shop P into which a plurality of rolls 100 which are assembled in the prescribed assembling position of a ZM rolling mill 2 in a prescribed assembling order are introduced is controlled by a control server 3.例文帳に追加

ロールショップ管理システム１は、ＺＭ圧延機２における所定の組込位置に所定の組込順序で組み込まれる複数のロール１００が導入されるロールショップＰを管理サーバ３によって管理する。 - 特許庁

In the digital camera, a lens movement control section 40 of a lens position control section 35 allows a lens movement mechanism 30 to move the photographing lens 3 from a storage position S to a photographing position P for stopping when it shifts to a photographing mode.例文帳に追加

デジタルカメラでは、撮影モードになると、レンズ位置制御部３５のレンズ移動制御部４０は、レンズ移動機構３０によって撮影レンズ３を収納位置Ｓから撮影位置Ｐに移動して停止する。 - 特許庁

A comparator 3 compares the feedback voltage Vb with the reference voltage Vref and controls the voltage applied to the gate terminal of the P-type MOS transistor P1 so that the feedback voltage Vb matches the reference voltage Vref.例文帳に追加

比較器３は、帰還電圧Ｖｂを基準電圧Ｖｒｅｆと比較して、帰還電圧Ｖｂが基準電圧Ｖｒｅｆと一致するようＰ型ＭＯＳトランジスタＰ１のゲート端子へ印加する電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a device or the like for efficiently performing ellipsis addition performed in ellipsis scalar multiple operation of a point P(X_1, Y_1, 1) on an ultra-unique elliptical curve E(F_3^m) on a projective coordinate defined on a finite field F_3^m of a reference number 3.例文帳に追加

標数３の有限体Ｆ_３＾ｍ上定義されたｐｒｏｊｅｃｔｉｖｅ座標上の超特異楕円曲線Ｅ（Ｆ_３＾ｍ）上の点Ｐ（Ｘ_１，Ｙ_１，１）の楕円スカラー倍演算において行われる楕円加算を効率良く行う。 - 特許庁

When static surge (ESD) enters from the back electrode 7, the ESD current flows into the first p-type region 3 only from a region not covered with the depletion layer DL in the joint J23.例文帳に追加

裏面電極７から静電気サージ（ＥＳＤ）が侵入した際に、ＥＳＤ電流が、接合部Ｊ２３のうち空乏層ＤＬによって覆われていない領域からのみ第１のＰ型領域３に流れ込む。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。 - 特許庁

The powder for a lower layer of the coating type magnetic recording medium consists of the powder of acicular particles formed by adhering a phosphorus compound to the surface of iron oxyhydroxide particles so that the powder has 0. 01-3 wt.% P content.例文帳に追加

Ｐ含有量が０.０１〜３重量％となるようにオキシ水酸化鉄粒子の表面にリン化合物が被着した針状粒子の粉体からなる塗布型磁気記録媒体の下層用粉末である。 - 特許庁

The powdery material is produced by mixing 9-15 wt.% Ni-based alloy powder having a particle diameter of 5-40 μm and containing ≥0.001% Co or P to 100 wt.% bamboo charcoal powder having a particle diameter of 3-15 μm.例文帳に追加

粒径が３〜１５μｍの竹炭粉末１００重量％に対して、Ｃｏ又はＰが０．００１％以上含有された粒径５〜４０μｍのＮｉ基合金粉末を９〜１５重量％混合する。 - 特許庁

Surrounding air warmed by a fixing device 1 is passed through a duct 3 by a fan 4 and blown from an exhaust hole 5 provided in a paper feeder 2 toward bunched paper P to bring paper handling effects.例文帳に追加

定着装置１によって温められた周囲の空気が、ファン４によってダクト３内を通過し、用紙給送装置２内に設けられた排気孔５から用紙束Ｐに向かって吹付けられ、用紙捌き効果をもたらす。 - 特許庁

To provide a paper feeding device of simple structure capable of selecting operation for rimmed recording and rimless recording relative to a pair of paper sheets P housed in parallel with each other in a paper feeding tray 3 and capable of quickly performing the recording operation.例文帳に追加

簡単な構成で、給紙トレイ３に並列状に収容された一対の用紙Ｐに縁有り記録と縁無し記録動作とに選択でき且つ記録動作を迅速にできる給紙装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device has a P^+ common source semiconductor layer 2 of power supply level extended in an X axis direction and an N^+ common source semiconductor layer 3 of ground level extended in the X axis direction.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、Ｘ軸方向に延設された、電源レベルのＰ^＋共通ソース半導体層２と、Ｘ軸方向に延設された、接地レベルのＮ^＋共通ソース半導体層３とを備えている。 - 特許庁

When the stopper piece P is provided at the opening bottom side of the coin storage part 5, the opening of the drawer 3 can be stopped at a half-opened position, where only the coin storage part 5 is exposed from the drawer casing 1a.例文帳に追加

これにより、ストッパ片Ｐを硬貨収納部５の開放方向奥側に設けると、硬貨収納部５のみをドロワ筐体１ａから露出させた半開位置で引出し３の開放を停止させることができる。 - 特許庁

Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.例文帳に追加

更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P type semiconductor substrate 3 so as to be separated from each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

A low-voltage CMOS region 3 comprising a PchMOS7 and an NchMOS9 as well as a high-voltage CMOS region 5 comprising an NchLDMOS11 and a PchLDMOS13 are formed on a P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１上に、ＰchＭＯＳ７及びＮchＭＯＳ９からなる低電圧用ＣＭＯＳ領域３、並びにＮchＬＤＭＯＳ１１及びＰchＬＤＭＯＳ１３からなる高電圧用ＣＭＯＳ領域５が形成されている。 - 特許庁

It is preferable that the sprayed coating of the corrosion prevention layer contains at least one of Ti, Co, Ni and P with the content of each being more than 0.001 mass% to less than 3 mass%.例文帳に追加

防食層の溶射被膜が、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐのうち少なくともいずれか一つを含んで、その含有量は、各々が、０．００１質量％を超えかつ３質量％未満であることが好適である。 - 特許庁

Here, the intermediate connecting part 26 is fastened with the eyelet 22 by the insertion of the cap assembly 23, and the S-terminal 17 and the M-connector 19 as well as the P-coil 2 and the H-coil 3 are electrically connected.例文帳に追加

この時、キャップアセンブリ２３を挿入することで、アイレット２２により中間接続部品２６が締め付けられ、Ｓ端子１７およびＭコネクタ１９とＰコイル２及びＨコイル３とが電気的に接続される。 - 特許庁

The radial dimension of the torus 3 is longer than the axial dimension thereof, and a major axis tl is tilted with respect to a straight line P perpendicular to a rotary shaft so as to approach an engine side as going to an outer peripheral side.例文帳に追加

トーラス３は、半径方向寸法が軸方向寸法より長い形状であり、長軸ｔ１が、外周側にいくに従ってエンジン側に近付くように回転軸に垂直な直線Ｐに対して傾いている。 - 特許庁

The inverter 1 having CMOS constitution comprises P-channel MOS transistors 2 and 3, and an N-channel MOS transistor 4, which are connected in series between the source voltage VCC and a reference potential VSS.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構成からなるインバータ１は、ＰチャネルＭＯＳのトランジスタ２，３、およびＮチャネルＭＯＳのトランジスタ４からなり、これら電源電圧ＶＣＣと基準電位ＶＳＳとの間に直列接続されている。 - 特許庁

A P-type drift layer 10 expands in an N-type epitaxial layer 3 under an N-type body layer under a source layer 17 through a lower part of an element isolation insulating film 9 from a lower part of a drain layer 18.例文帳に追加

ドレイン層１８の下方から、素子分離絶縁膜９の下方を経由して、ソース層１７の下部のＮ型ボディ層の下方のＮ型エピタキシャル層３中に拡がったＰ型ドリフト層１０が形成されている。 - 特許庁

Selection means 1b selects sides 2a to 2d crossing a line 3 passing an object point P as the determination object of a positional relation between itself and a polygon 2 defined on the earth from among the sides of the polygon 2.例文帳に追加

選択手段１ｂは、地球上に定義された多角形２の辺のうち、多角形２との間の位置関係の判定対象である対象点Ｐを通る線３と交差する辺２ａ〜２ｄを選択する。 - 特許庁

Furthermore, above the XY-axial table 3, a suction punching means 8 composed so as to stick the tape material 4t to the punched product P while sucking the tape piece tr on which the cutting lines for punching are applied is arranged.例文帳に追加

さらに、ＸＹ軸テーブル３上方には、打ち抜くための切断条が付与されたテープ片ｔｒを吸着しつつ、テープ材４ｔを打ち抜き製品Ｐに貼り付けるようにした吸着打抜加工手段８を配設する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 14 of the light emitting diode semiconductor region 2 is connected to the substrate 1, and the n-type semiconductor layer 19 of the protective diode semiconductor region 3 is connected to the substrate 1 through the intermediary of a connecting conductor 8.例文帳に追加

発光ダイオード半導体領域２のｐ型半導体層１４を基板１に接続し、保護ダイオード半導体領域３のｎ型半導体層１９を接続導体８を介して基板１に接続する。 - 特許庁

Within the first and second Si layers 2 and 3, an n-type base region 4 is formed and within the base region 4, a p-type emitter region 5 is formed having an impurity concentration higher than that of the first Si layer 2.例文帳に追加

第１Ｓｉ層２及び第２Ｓｉ層３内には、ｎ型のベース領域４が形成され、ベース領域４内には、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が高いｐ型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

A body of this device for supporting a display panel comprises: a wall-fixed member 1 fixed to a wall surface W; a panel fixation part 2 for fixing the display panel P thereto; and a connection member 3 for connecting the wall-fixed member 1 to the panel fixation part 2.例文帳に追加

壁面Ｗに固定される壁固定部材１と、表示パネルＰが固定されるパネル固定部２と、壁固定部材１とパネル固定部２とを連結する連結部材３と、で主体が構成される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the endless belt, by a dedicated working apparatus, the first wide surface 2 of a belt material is polished except for non-polished parts 3 and 4 of both ends to form a polished part P of a predetermined polishing amount.例文帳に追加

無端スチールベルトの製造においては、専用の加工施設で、ベルト材料１の第１の広がり面２を、両端の非研磨部３、４を除いて研磨し、所定の研磨量の研磨部Ｐを形成する。 - 特許庁

An insertion guide ring 4 is incorporated in the joint main body 1 to be moved toward an inner depth of the pipe inserting clearance 15 between the elastic seal ring 2 and the retaining ring 3 while being pressed by one end portion of the connection pipe P.例文帳に追加

継手本体１内には挿入ガイドリング４が接続管Ｐの一端部で押されるまま弾性シールリング２と抜止めリング３の間を管差込み間隙１５の内奥へ向けて移動するよう組み込まれる。 - 特許庁

In addition, a main transporter 11 which transports the wafer W from an extension device 36 to a PEB device 33 in a treatment station 3 is made to stand by at anther standby position P from which the transporter 11 can immediately access to the extension device 36.例文帳に追加

また，処理ステーション３内でエクステンション装置３６からＰＥＢ装置３３までの搬送を行う主搬送装置１１を，エクステンション装置３６に直ちにアクセス可能な待機位置Ｐで待機させる。 - 特許庁

A solid-state imaging element 3 of the electronic camera has an effective area 31 which is disposed in the center of a light reception surface P and optical black areas 33a and 33b which are disposed on both sides of the effective area 31.例文帳に追加

電子カメラの固体撮像素子３は、受光面Ｐの中央部に実効領域３１が配置されており、実効領域３１の両側にはオプチカルブラック領域３３ａ、３３ｂが配置されている。 - 特許庁

The vacuum type stopper mechanism 3 comprises a plurality of holes 32 simultaneously sucking a plurality of electronic components P in the vicinity of a terminal of a conveying path 15 and a vacuum groove 31 constituted by binding up the plurality of holes 32.例文帳に追加

このバキュ−ム式ストッパ機構３は、搬送経路１５終端近傍の複数の電子部品Ｐを同時に吸引する複数の孔３２と、この複数の孔３２を束ねるバキュ−ム溝３１とで構成されている。 - 特許庁