p 3の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4096件
The detergent composition contains p-menthane-3, 6-diol as a pest insect repelling agent and a detergent component, and the sheet is obtained by impregnating the detergent composition in the sheet base material.例文帳に追加
害虫忌避成分としてのp−メンタン−3,8−ジオールと、洗浄成分と、を含有することを特徴とする洗浄剤組成物、及び該洗浄剤組成物をシート基材に含浸させてなる洗浄シートである。 - 特許庁
The explosion proof pressure sensor P adds a configuration of pressure sensitive element 9, connecting to the one end 3 of operative shaft 5, rising or falling of the moving force of the operative shaft 5, in proportion to the pressure to the explosion proof transmitter G.例文帳に追加
防爆型圧力センサPは、作動軸5の一端3に接続され圧力に比例して作動軸5を進退させる力を増減する感圧エレメント9の構成を、防爆型発信機Gに加えたものである。 - 特許庁
In a method for manufacturing an insulated gate field effect transistor, two source-drain regions 10 are formed in a P well 3 by performing impurity ion implantation and activation annealing while using a gate stack 7 and a spacer of a sidewall insulating film 9 having a predetermined width as a mask.例文帳に追加
ゲートスタック7と側壁絶縁膜9からなる所定の幅のスペーサをマスクとする不純物のイオン注入と活性化アニールにより、2つのソース・ドレイン領域10をPウェル3に形成する。 - 特許庁
The p-GaP substrate 10 which has light transparency to the light-emitting from the AlInGaP-MQW active layer 3 is made to be opposed so as to face the GaAs substrate 1, so that the groove-like concave part 6 may intervene between them.例文帳に追加
GaAs基板1と向い合う様にAlInGaP−MQW活性層3からの発光に対し透光性を持つp−GaP基板10を溝状の凹部6が間に介在するように対向させる。 - 特許庁
A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, of which composition is expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加
サファイア基板1上に、組成が(Al_x Ga_1-x )_y In_1-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)で表されるp型InGaAlN層2,InGaAlN活性層3及びn型InGaAlN層4を形成する。 - 特許庁
In this photodiode, plural barrier layers 3 accompanied by a P-N junction are formed, and carriers generated in the barrier layers are quickly transmitted to an N-type region, so that responsiveness is improved, and an operation becomes high speed.例文帳に追加
このフォトダイオードでは、PN接合に伴う空乏層3が多く形成されるとともに空乏層3に発生するキャリアが早くN型領域へ到達するので、応答性がよくなり、動作が高速となる。 - 特許庁
The carrier sub-mechanism 3 is provided with a first roller 30 rotated by contacting an endless belt 11 of the conveyer 1, and a second roller 31 carrying the carrying object P by being rotated by contacting the first roller 30.例文帳に追加
また、サブ搬送機構3は、コンベア1の無端ベルト11に接触して回転される第1ローラー30と、この第1ローラー30に接触して回転されて被搬送物Pを搬送する第2ローラー31とを備える。 - 特許庁
The air flowing from the air suction part 10 is heated by the air heating means (heater) 4 and blown from the outlet 11 of the air spray means 3 to the sheet P in the condition of keeping it at a preset humidity.例文帳に追加
エアー吸入部10から流入したエアーは、エアー加熱手段(ヒータ)4により加熱され、所定の湿度が保たれた状態にてエアー吹き付け手段3の吹出口11からシートPに対して吹き出される。 - 特許庁
Deferriferrichrysin highly productive variant 3129-7 strain (FERM P-20961) is provided, which belongs to Aspergillus oryzae and has mutation on a chromosome so that deferriferrichrysin production is ≥3 times compared with that of mother stock thereof.例文帳に追加
アスペルギルス・オリゼに属し、染色体上に変異を有することにより親株に比べてデフェリフェリクリシン生産量が3倍以上になったデフェリフェリクリシン高生産変異株3129−7株(FERM P-20961))。 - 特許庁
Then, a p-side electrode wiring 3-k is so formed as to extend from the upper part of an LED light-emitting part 2-k to the upper part of the electrode stage part 5 via the separating groove 7 filled with the insulating flattening layer.例文帳に追加
次に、絶縁性平坦化層により埋め込まれた分離溝7上を経由してLED発光部2−k上から電極台座部5上に至るようにp側電極配線3−kを形成する。 - 特許庁
The maintaining of the storing state of the second hook body 3 by the second maintaining means 11 is released when the planar body P is butted against a side part 21 of the first hook body 2 at the projecting position.例文帳に追加
突出位置にある第一フック体2の側部21に板状体Pが突き当てられることを契機として第二維持手段11による第二フック体3の収納状態の維持が解除されるようにしてある。 - 特許庁
The sliding plate 16 is ascended during filling of the raw material powder P, after filling, the raw material powder P1 leaked out from an opening hole 3 is held by descending the sliding plate and collected following retreat of the feeder body 15.例文帳に追加
摺動板16は原料粉末Pの充填時には上昇しており、充填後、降下させることによって開口穴3から漏れ出た原料粉末P1を保持し、フィーダー本体15の後退するのに伴い回収する。 - 特許庁
Vertical marks 4 for determining a vertical position of a nailing position P are provided in positions away from an edge of a vertical end 3 by a distance equal to/longer than the total of a working length L1 of roofing and a minimum overlap margin L2, at both horizontal ends 2, respectively.例文帳に追加
両横端部2には釘打位置Pの縦位置を決定するための縦マーク4が、縦端部3の端縁から葺き足長さL1と最小重ね代L2の合計分以上離れた位置に設けられている。 - 特許庁
A p-type InGaAlN layer 2, an InGaAlN active layer 3 and an n-type InGaAlN layer 4, in which composition is represented by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN(0≤x≤1 and 0≤y≤1), are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加
サファイア基板1上に、組成が(Al_x Ga_1-x )_y In_1-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)で表されるp型InGaAlN層2,InGaAlN活性層3及びn型InGaAlN層4を形成する。 - 特許庁
On the other hand, p^+ diffusion regions P1, P2 are formed on two places of regions interposing the gate electrode 3 on the surface of the n-well NW1 in a plan view, while they are connected to a ground potential wiring GND commonly.例文帳に追加
また、平面視でNウエルNW1の表面におけるゲート電極3を挟む2ヶ所の領域に、夫々p^+拡散領域P1及びP2を形成し、これを接地電位配線GNDに共通接続する。 - 特許庁
The heading face 3b of the thermal head 3 is laid upstream of the discharging face 2a of the ink-jet head 2 in regard to the relative moving direction of paper P with respect to the recording head 1 and arranged adjacent to the discharging face 2a.例文帳に追加
サーマルヘッド3の加熱面3bは、記録ヘッド1に対する用紙Pの相対移動方向に関して、インクジェットヘッド2の吐出面2aよりも上流であって吐出面2aに隣接配置されている。 - 特許庁
The conveying conveyer includes endless conveyer chains 4 separately stretched between right and left drive sprockets 2 and driven sprockets 3, a deck unit 5 to be attached between the right and left conveyer chains 4 with a pitch P, and rails 6 supporting the conveyer chains.例文帳に追加
左右の駆動スプロケット2と従動スプロケット3間に個別に掛け渡される無端のコンベヤチェーン4と、その左右のコンベヤチェーン4間にピッチPで取り付けるデッキユニット5と、コンベヤチェーンを支持するレール6を有する。 - 特許庁
A personal computer 5 finds the number P of each of parts on a first table 1 in accordance with detection output of a first load sensor 3 and alarms to promote supplement of each of the parts on the table when the number P decreases down to the average using number Peave within constant time, and accordingly, it is possible to exactly alarm in accordance with a using state of the parts.例文帳に追加
パーソナルコンピュータ5は、第1荷重センサ3の検出出力に基づいて、第1テーブル1上の各部品の個数Pを求め、個数Pが一定時間内の平均使用個数Pcaveまで減少したときに、テーブル上の各部品の補充を促す旨を報知するので、部品の使用状況に応じて、適確な報知を行うことができる。 - 特許庁
When the traffic facility information providing center 2 receives weather forecast information from a weather forecast station 3, the probability of delay or suspension of the routes is estimated from data of the relation of weathers and operations and the weather forecast information, the related registered persons P are selected when the probability is more than a threshold, and alarm information is transmitted to the registered persons P.例文帳に追加
交通機関情報提供センター2は、天気予報局3から天気予報情報を受信すると、気象と運行の関係のデータと天気予報情報から路線の遅延または運休の確率を推定し、確率が閾値以上であれば、関連する登録者Pを選択し、これらの登録者Pに警告情報を送信する。 - 特許庁
In the linking portion 3 of different two kinds of wire nettings 2, 2' composed of meshes a, a' combined by zigzag liens 1, 1' a bending portion 1" of both zigzag liens 1, 1' having different pitches P, p is combined respectively into the association line 4, and the bending portion 1" of both zigzag lines 1, 1' has a combined portion respectively.例文帳に追加
ジグザグ線1,1’を組合せてなる網目a,a’の大小異なる2種の金網2,2’の連結部3において、ピッチP,pの異なる双方のジグザグ線1,1’の屈曲部1”がそれぞれ1条の連結線4に組合され、かつ双方の上記ジグザグ線1,1’の屈曲部1”相互が組合された部分5を有するものである。 - 特許庁
In this bearing provided with the plurality of split bearing members 3 on an inner peripheral face of the metallic shell 2, contact side faces 3d, 3c of the last two split bearing members 3b, 3a are inclined to the bus direction P-P of the bearing 1, and a female screw part S engaged with a demounting bolt 31 is mounted on an upper edge face U.例文帳に追加
金属シェル2の内周面に複数の割型軸受材3を取付けた軸受において、最後及びその1つ前に取付ける割型軸受材3b,3aの接触側面3d,3cを軸受1の母線方向P−Pに対して傾斜させ、前記上端面Uに抜取りボルト31を螺合するための雌ネジ部Sを設ける。 - 特許庁
The p-type clad layer 4 and the p-type semiconductor layer 2, which is in contact with the layer 4 are respectively made of materials, having band gaps which form hetero-barrier constricting (HBB) structure for working voltage and the contact layer 3 is made of a material having an intermediate band gap and formed thinly.例文帳に追加
そして、p形クラッド層4とそのp形クラッド層4と接するp形半導体層2とが、それぞれ動作電圧に対してヘテロバリア狭窄(HBB)構造を形成するバンドギャップを有する材料からなっており、ストライプ状のコンタクト層3がその中間のバンドギャップを有する材料からなると共に、薄く形成されている。 - 特許庁
The plasma processing device guides the microwaves M transmited inside a wave guide 3 from first and second slot antennas provided to a magnetic field surface H, forms a surface wave S, produces surface wave excitated plasma P by exciting process gas inside a chamber 4 by the surface wave S and processes a processing object by the plasma P.例文帳に追加
プラズマ処理装置は、導波管2内を伝播するマイクロ波Mを磁界面Hに設けられた第1および第2のスロットアンテナからマイクロ波導入窓3に導き、表面波Sを形成し、表面波Sによってチャンバー4内のプロセスガスを励起して表面波励起プラズマPを生成し、このプラズマPにより被処理物を処理する。 - 特許庁
The method and the apparatus for continuous pressing and welding execute a pressing step, where a long steel blank 2 fed at a predetermined interval P is pressed, and a welding step, where a component 3 is welded to the pressed portion of the blank 2, at the interval equal to the predetermined interval P.例文帳に追加
長尺な素材鋼板2を所定の送給間隔Pで連続的に送給し、素材鋼板2にプレス加工をするプレス工程と、プレス加工が施された箇所に部品3を溶接する溶接工程とを、素材鋼板2に対して所定の送給間隔Pに等しい工程間隔で実行するプレスと溶接の連続加工方法およびその装置である。 - 特許庁
The sealing connector 1 is integrally formed of: an annular sealing packing 2 enclosing the reverse side 13c opposite the sound emitting side 13a of the miniature acoustic element 13, and held between the miniature acoustic element 13 and the print-circuit board P; and an elastic connector 3 electrically connecting the miniature acoustic element and the substrate electric pole P1 of the print-circuit board P.例文帳に追加
本発明のシーリングコネクタ1は、小型音響素子13の放音面13aとは反対側の裏面13cを囲う状態で小型音響素子13とプリント回路基板Pとの間に狭持させる環状のシーリングパッキン2と、小型音響素子13とプリント回路基板Pの基板電極P1を導通接続する弾性コネクタ部3とを一体形成した。 - 特許庁
A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加
そして、熱処理によってトレンチ8内部から半導体基板のpベース2表面にまで延在するようにゲート絶縁膜4を形成するとともに、pベース2の表層およびトレンチ8底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域3およびウェル領域10を同時に形成するものである。 - 特許庁
The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.例文帳に追加
第1レーザ構造部3は、n型AlGaAsクラッド層32、MQW活性層33およびp型AlGaAsクラッド層34の積層構造を有し、第2レーザ構造部4は、n型InGaAlPクラッド層42、MQW活性層43およびp型InGaAlPクラッド層44の積層構造を有している。 - 特許庁
In formula (1), R^1 represents a 1-12C non-hydrolyzable organic group, X represents a hydrolyzable group and p is 0 to 3.例文帳に追加
(A)下記一般式(1)で表される加水分解性シラン化合物、その加水分解物およびその縮合物からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物 R^1pSi(X)4−p (1) (R^1は炭素数1〜12の非加水分解性の有機基、Xは加水分解性基、pは0〜3である)ならびに(B)消泡剤を含有することを特徴とする光導波路形成用硬化性組成物。 - 特許庁
The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加
素子構造は、サファイアC面基板1、低温成長されたGaNバッファ層11、無添加のGaN層12、Si添加のn-GaNコンタクト層21、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造(MQW)の発光層3、Mg添加のp-AlGaNクラッド層22、Mg添加のp-GaNコンタクト層23からなる。 - 特許庁
A plasma generating apparatus 1 comprises a torch body 2, a gas feed pipe 3 to feed working gas of plasma P to the torch body 2, and an electric field application means to apply the electric field to the working gas fed to the torch body 2, and further comprises magnets 4n and 4s to apply the magnetic field to the plasma P generated from the torch body 2.例文帳に追加
本発明に係るプラズマ発生装置1は、トーチ本体2と、トーチ本体2にプラズマPの作動ガスを供給するガス供給管3と、トーチ本体2に供給された作動ガスに対して電界を印加する電界印加手段とを備え、トーチ本体2から発生したプラズマPに磁界を印加する磁石4n,4sが設けられている。 - 特許庁
The animal carcass B charged from a carcass charging port 3 is shredded into flesh and bone pieces P by a shredding means 4 and the flesh and bone pieces P fallen from the shredding means 4 are housed in a treatment basket 5 set so as to be accessible to the sterilization tank 11 of a sterilization device body 1 and sterilized along with the treatment basket 5 in the sterilization tank 11.例文帳に追加
死骸投入口3から投入された動物死骸Bが、細断手段4で骨肉片Pに細断され、細断手段4から落下した骨肉片Pが、滅菌装置本体1の滅菌槽11内に出し入れ可能にセットされた処理篭5内に収容され、滅菌槽11内で処理篭5ごと滅菌処理される。 - 特許庁
The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加
導電性Si基板2の上に比抵抗の小さなZnOバッファ層3を成長させ、ZnOバッファ層3の上に順次n型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子1を形成する。 - 特許庁
A printer 1 includes an inkjet head 2 fixed to the printer 1, and an inkjet head 3 which can be selectively moved to either a first position where a nozzle 11 is opposed to the upper surface of a recording paper P or a second position where the nozzle 11 is opposed to the lower surface of the recording paper P by rotating a reversing mechanism 10.例文帳に追加
プリンタ1は、プリンタ1に対して固定されたインクジェットヘッド2と、反転機構10を回動させることで、ノズル11が記録用紙Pの上面に対向する第1位置、及び、ノズル11が記録用紙Pの下面に対向する第2位置のいずれかの位置に選択的に移動させることが可能なインクジェットヘッド3とを備えている。 - 特許庁
In formula (I), R^1 is a 10-18C linear or branched alkyl group; R^2 is a 2-3C linear or branched alkylene group; M is an alkaline metal or an alkaline earth metal; m is an integer of 1-20; n is 1 or 2; p is 1 or 2; and p+n is 3.例文帳に追加
<chemistry num="1"> </chemistry>(一般式(I)において、R^1 は炭素数10〜18の直鎖または分岐アルキル基を示し、R^2 は炭素数2または3の直鎖あるいは分岐アルキレン基を示し、Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属を示し、mは1〜20の整数であり、nは1または2であり、pは1または2であり、p+nは3である。) - 特許庁
A nitride semiconductor 1 containing In that is an active layer is stored in a reaction vessel 10, the nitride semiconductor is held at temperature for preventing the crystal quality from deteriorating, the precursor and p-type dopant of the grown p-type nitride semiconductor 2 are supplied into the reaction vessel, and pulse laser beams 3 are applied to the surface of the nitride semiconductor 1.例文帳に追加
活性層であるInを含む窒化物半導体1を反応容器10内に収容し、窒化物半導体をその結晶品質が低下しない温度に保持しながら、成長させるp型窒化物半導体2の前駆体とp型ドーパントを反応容器内に供給し、同時に窒化物半導体1の表面にパルスレーザ3を照射する。 - 特許庁
The pusher 3 has a pusher roll 3a contacted with the steel pipe P on the rolling surface 1a of the inclined skid 1 and giving rotation force around the pipe axis to the steel pipe P; an actuator 3b for moving the pusher roll 3a along the rolling surface 1a of the inclined skid 1; and a drive mechanism 3c for forcedly rotating the pusher roll 3a.例文帳に追加
プッシャー3は、傾斜スキッド1の転動面1a上の鋼管Pと接触し、鋼管Pに管軸周りの回転力を与えるプッシャーロール3aと、このプッシャーロール3aを傾斜スキッド1の転動面1aに沿って移動させるアクチュエータ3bと、プッシャーロール3aを強制的に回転させる駆動機構3cを有するものである。 - 特許庁
Preferably, the matrix for mass analysis is the one obtained by preparing 3-aminoquinoline and p-coumaric acid by being mixed at molar ratio of 5:1-20:1, p-coumaric acid which should be mixed has purity of 99% or higher, ammonium phosphate is used as an additive agent, and is used for measurement of glycopeptide or glycoprotein containing acidic sugar.例文帳に追加
好ましくは、3−アミノキノリンとp−クマル酸とを5:1〜20:1のモル比で混合して調製したものであり、混合されるべきp−クマル酸が99%以上の純度を有するものであり、リン酸アンモニウムを添加剤として用いるものであり、酸性糖を含む糖ペプチド又は糖タンパク質の測定のために用いられるものである。 - 特許庁
To prevent a trouble itself that change from a parking range P to other shift ranges can not be done like in conventional examples by disabling establishment of the parking range P in a situation that parking load gets excessive in a range changeover device 20 selecting a shift range according to needs in an automatic transmission 3 for a vehicle 1.例文帳に追加
車両1用の自動変速機3におけるシフトレンジを必要に応じて選択するレンジ切替装置20において、パーキング荷重が過大になるような状況ではパーキングレンジPを成立不可能にして、従来例のようにパーキングレンジPから他のシフトレンジに変更できなくなるという不具合そのものを発生させないようにする。 - 特許庁
In the heat sensitive recording body having a heat sensitive recording layer including a leuco dye and a colorant, an N-p-toluenesulfonyl-N '-3-(p-toluenesulfonyloxy)phenylurea is employed as the colorant and, in addition, at least one kind selected from benzotriazole-based compounds having a melting point of 100 to 160°C is employed in the heat sensitive recording layer.例文帳に追加
支持体上に、ロイコ染料と呈色剤を含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、呈色剤としてN−p−トルエンスルホニル−N’−3−(p−トルエンスルホニルオキシ)フェニルウレアを用い、さらに融点が100〜160℃のベンゾトリアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を感熱記録層に用いるものである。 - 特許庁
Recording paper P in recording paper cassettes 3, 4 is extracted from either of front and rear ends, after an image recording section records an image on the recording paper, a pushing member 41 pushes recorded paper P' on the catch tray 7 in front of the apparatus body into the taking-in means 42.例文帳に追加
記録紙カセット3,4内の記録紙Pをその前後のいずれかの端部から取り出し、その記録紙に画像の記録を画像記録部にて行った後に、記録済みの記録紙を装置本体の前面側の排紙トレイ上に排出する排紙トレイ7上の記録済みの記録紙P’を、前記取込手段42側に押込部材41にて押しこむ。 - 特許庁
A disk medium or the like is read in the forward direction in the unit of GOP consisting of I, P, B pictures, each of read picture data is decoded forward by using a decoding circuit 3, an IDC circuit 4, and a motion compensation circuit 6 and a frame memory 7 receives frame data of I picture and/or P picture from the decoded data via a switch 8.例文帳に追加
ディスク媒体等をI、P、BピクチャからなるGOP単位に順方向に読み出し、読み出された各ピクチャデータを、復号化回路3、IDC回路4、動き補償回路6を用いて順方向に復号していき、復号されたデータからスイッチ8を介してIピクチャ及び/又はPピクチャのフレームデータをフレームメモリ7に取り込む。 - 特許庁
This extracorporeal circuit 1 is provided with a circuit body 9 having tubes 91 and 94, a feed bag 6 that feeds the priming solution P, a reservoir 3 in which a liquid is temporarily stored, a tube 10 that branches out from the middle of the first tube 91, and a collection bag 7 which communicates with the tube 10 and into which the priming solution P is collected through the tube 10.例文帳に追加
体外循環回路1は、チューブ91および94を有する回路本体9と、プライミング液Pを供給する供給バッグ6と、液体を一時的に貯留するリザーバ3と、チューブ91の途中から分岐したチューブ10と、チューブ10と連通し、チューブ10を介してプライミング液Pを回収する回収バッグ7とを備えている。 - 特許庁
This SRAM is provided with a P-channel MOS transistor which is provided corresponding to each row and connected between one end of a memory cell power supply wiring MVL of the corresponding row and the power supply potential VDD' to have a comparatively higher continuity resistance value and a program circuit 2 which makes non-conductive the P-channel MOS transistor 1 when a fuse 3 blows.例文帳に追加
このSRAMは、各行に対応して設けられて対応の行のメモリセル電源配線MVLの一方端と電源電位VDD′のラインとの間に接続され、比較的高い導通抵抗値を有するPチャネルMOSトランジスタ1と、ヒューズ3が切断された場合にPチャネルMOSトランジスタ1を非導通にするプログラム回路2とを備える。 - 特許庁
Accordingly, the image forming means 13 disposed at the waiting position P' can be easily and efficiently replaced with the image forming means 13 at the prescribed position P where the image may be shifted by the image forming means moving mechanism 18 before the images projected in the image display part 3 are shifted by the effect of heat inside the casing 2, etc.例文帳に追加
したがって、筐体2内部の熱の影響等によって画像表示部3に投影される画像にずれが生じる前に、結像手段移動機構18によって、待機位置P’にある結像手段13と画像ずれを生じさせる可能性がある規定位置Pの結像手段13とを容易且つ効率的に交換することができる。 - 特許庁
A weight checker 3, the weight inspection device for conveying each commodity P, conveyed from the upstream side to a prescribed direction and simultaneously weighing it, is equipped with a plurality of first to third conveyance parts 13a-13c for conveying the commodity P; and a control part 20 for controlling conveyance by the first to third conveyance parts 13a-13c.例文帳に追加
重量チェッカ3は、上流側から搬送されてきた商品Pを所定の方向へ搬送しながら計量を行う重量検査装置であって、商品Pを搬送する複数の第1〜第3搬送部13a〜13cと、これら第1〜第3搬送部13a〜13cの搬送制御を行う制御部20と、を備えている。 - 特許庁
Where a person facilitates or assists an infringement of copyrights by setting up a link to a website infringing another person's copyrights, some publications refer to the infringement of copyrights (see p.36- of "Internet Law Version 4 ("dai-4-ban, internet hou" in Japanese)" by Haruyasu Uchida and Tsunemichi Yokoyama and p.243- of "Information, Order, Network, Hokkaido University Library III ("Joho, Chitsujo, Network, Hokkaido Daigaku Library 3" in Japanese)" by Yoshiyuki Tamura). 例文帳に追加
一方、著作権侵害が行われているウェブサイトにリンクを張って著作権侵害を助長したような場合について、著作権侵害の問題を指摘する見解がある(内田晴康、横山経通編「第 4版、インターネット法」 36頁以下、田村善之編「情報・秩序・ネットワーク、北海道大学法学部ライブラリー3」243頁以下)。 - 経済産業省
If the applicant wishes to include facility leases as cost eligible for the subsidy, in principle the project implementation period (until the end of March, 2014) described in P.4 of Application Guidelines will be the period subject to subsidy. (See P.2 (Note 3) of Application Guidelines) III). Therefore, in such cases, enter 03/31/2014 here. 例文帳に追加
施設賃借料を補助対象経費として申請する場合は、原則として、公募要領Ⅳ(p.5)に記載する事業実施期間(平成26年3月末)が補助対象期間となります(公募要領Ⅲの(注3)(p.2)参照)ので、当該期日(平成26年3月31日)を事業完了予定日として記載してください。 - 経済産業省
Due to the establishment of various subsidy programs to assist full-scale reconstruction funded primarily by the third fiscal 2011 supplementary budget, temporary plants, stores, and other such facilities will be developed and made available to businesses that need them due to restricted access to areas affected by the Fukushima nuclear disaster or restrictions on land use that prevent full-scale reconstruction. (Continuation) (See p. 190.) 例文帳に追加
23年度3次補正予算等により本格復興に向けた各種の補助制度等が整備されたため、原子力事故の影響により立入制限がある場合や、土地の用途制限があるため本格復興ができない地域等、仮設施設整備によらざるを得ない案件を対象に事業を実施する。(継続)(p.191参照) - 経済産業省
Awareness and use of the new document presenting guidelines for SME accounting (“Chusho Kaikei Yoryo”) will be promoted in accordance with the “Report of the Small and Medium Enterprise Accounting Study Team,” published in March 2012, in order to help clarify the management situations of SMEs, improve proprietors’ own accountability for their operations, and enhance fund-raising capabilities. (Continuation) (See p. 196.) 例文帳に追加
中小企業の経営状況の明確化、経営者自身による事業の説明能力の向上、資金調達力の強化を促す観点から、平成24 年3 月に取りまとめた「中小企業の会計に関する検討会報告書」に基づき、「中小企業の会計に関する基本要領」の普及・活用を推進する。(継続)(p.199参照) - 経済産業省
The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加
ショットキー電極3とカソード電極4との電位差が変化することにより、ショットキー電極3とカソード電極4との間に電流を流す状態と、p型半導体層5a,5bに囲まれるn^-半導体層2を空乏層化させてショットキー電極3とカソード電極4との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁
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