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p 3の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4096件



例文

The torchon lace cloth 1 is obtained by knitting the pattern part 2 and the margin part 3 in parallel, inserting the rubber yarn 4 into the margin part 3 along the knitting direction, interknitting 5' the rubber yarn 4 or another rubber yarn 5 with the patterned part 2 for every right place so as to turn down 5" the rubber yarn at the top P to return to the original position.例文帳に追加

本願トーションレース地1は、模様部2と縫代部3とを並走させて編成し、縫代部3に編成方向に沿ってム糸4を挿入し、該ゴム糸4又は他のゴム糸5を適所毎に模様部2に編み込み5′し、頂点Pで折り返し5″して元の位置に戻るようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure wherein a silicon oxide film 3 is embedded within a first groove 2 as an element isolation region in a p-type silicon substrate 1, and an n-type polycrystalline silicon resistor 6 is embedded within a second groove 5 further formed in that silicon oxide film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、p型シリコン基板1に、素子分離領域となる第1の溝2の内部にシリコン酸化膜3が埋め込まれ、さらにその内部に形成された第2の溝5の内部にn型多結晶シリコン抵抗体6が埋め込まれた構造となっている。 - 特許庁

This pinch roller P is provided with a roller shaft 1, a cylindrical slide bearing 2 fitted to the roller shaft 1, and a roller main body 5 having a metal sleeve 3 fitted through the slide bearing 2 around the roller shaft 1, and a cylindrical rubber elastic body 4 fixed to the outer peripheral surface of the sleeve 3.例文帳に追加

ピンチローラPは、ローラ軸1と、ローラ軸1に嵌挿される円筒状の滑り軸受2と、ローラ軸1に滑り軸受2を介して外嵌される金属製スリーブ3を有すると共にスリーブ3の外周面に固着される円筒状のゴム弾性体4を有するローラ本体5とからなる。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

MOSキャパシタは、P型シリコン基板1の上面部に形成されたN型拡散領域2を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜3を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜3の上に形成されたゲート電極4を上部電極としている。 - 特許庁

例文

Therefore, power is supplied to the drive circuit 3 at the high electrical potential side, without the transistor Tr2 at the low electrical potential side switched on for preventing malfunction of the driving circuit 3, thus it is possible to prevent short circuiting between the bus-bar P and the bus-bar N of the transistors Tr1 and Tr2.例文帳に追加

これにより、低電位側のトランジスタTr2をONにすることなく高電位側の駆動回路3に電力が供給されて該駆動回路3の誤動作を防止でき、これらトランジスタTr1、Tr2で母線P−母線N間が短絡するのを防止できる。 - 特許庁


例文

The notice hanger is so constituted that a horizontally long rail member 3 on the bottom of which a hook part 7 is formed is nearly horizontally attached to a wall surface 2, and a cover member 8 having a paper clip part 12 which pinches the upper end of the paper P and hangs the paper is freely attachably and detachably attached to the front face of the rail member 3.例文帳に追加

下端部にフック部7が形成された横長のレール部材3を壁面2にほぼ水平に取付け、該レール部材3の前面に、ペーパーPの上端部をクリップして垂下させるペーパークリップ部12を備えたカバー部材8を着脱自在に取付ける。 - 特許庁

A set of insertion pieces 2 and 3 is rotatably supported by a pivot 1 around their one end portions 2a and 3a, the insertion pieces 2 and 3 form bending portions 2b and 3b symmetrically to the center from the end portions, and another end portions 2c and 3c form pins P to serve as an insertion unit.例文帳に追加

1組の差込片2,3を、その一端部2a,3a近傍でそれぞれ回転可能にピボット1に軸支させ、各差込片2,3は一端部から中央寄りで対称的に曲り部2b,3bを形成し、他端部2c,3cは差込部となるようにピンPを形成する。 - 特許庁

The upper pestle 3 or the lower pestle 4 where at least one of the mold surface 32 of the upper pestle 3 and the mold surface 42 of the lower pestle 4 has a recess and at least parts of the circumferential edges 32a, 42a of the mold surfaces 32, 42 include plane parts P with a width of 1.5 mm or less is used.例文帳に追加

上杵3の成形面32及び下杵4の成形面42のうちの少なくとも一方が凹部を有し、その成形面32,42の周縁部32a,42aの少なくとも一部が、1.5mm以下の幅の平面部Pを含んでいる上杵3又は下杵4を使用する。 - 特許庁

The processing device 1 comprises a developing means 2 provided with a developing member 3 (3A) having a hydrophilicity, and positioned to have a gap to an attached surface P1 of the support P where the specimen S is attached, and a displacement means 4 to displace the developing member 3 (3A) along the attached surface P1.例文帳に追加

この処理装置1は、支持体Pの被処理物Sの付着面P1との間に隙間が存在するように位置する親水性を有した展開部材3(3A)と、この展開部材3(3A)を付着面P1に沿って変位させる変位手段4とを備える展開手段2を有している。 - 特許庁

例文

The starting point sides of the conveying apparatuses 3 and 3 in the two rows are moved and adjusted right and left with the end point sides of the pair of the right and left conveying belts 2 and 2 as rotary fulcrums P so that the interval between reaping and conveying rows are adjusted to provide the objective row crop apparatus for a general combine harvester.例文帳に追加

前記2条の搬送装置3、3は、左右一対の搬送ベルト2、2の終端部側を回動支点Pとして、始端部側を左右に移動調節して刈取搬送条の間隔を調節可能に構成した汎用コンバインのロ−クロップ装置としている。 - 特許庁

例文

A front stage compression element 30 formed that rollers 3 and 43 are eccentrically rotationally moved in cylinders 31 and 41 and vanes 3 and 45 make contact with the rollers 33 and 43 to partition an intake chamber V and a compression chamber P from each other and a rear stage compression element 40 are intercoupled through a coupling pipe.例文帳に追加

シリンダ31,41内をローラ33,43が偏芯回転運動し、当該ローラ33,43にベーン35,45が当接して吸気室V及び圧縮室Pが区画されてなる前段圧縮要素30及び後段圧縮要素40を連結管により連結する。 - 特許庁

The processing device 1 comprises an agitating means 2 provided with an agitating member 3 (3A) having a hydrophilicity, and positioned to have a gap to an attached surface P1 of the support P where the specimen S is attached, and a displacement means 4 to displace the agitating member 3 (3A) along the attached surface P1.例文帳に追加

この処理装置1は、支持体Pの被処理物Sの付着面P1との間に隙間が存在するように位置する親水性を有した撹拌部材3(3A)と、この撹拌部材3(3A)を付着面P1に沿って変位させる変位手段4とを備える撹拌手段2を有している。 - 特許庁

The power module 1-1 has DC terminals 2, 3 and an AC output terminal 6 on one end side and P and N terminals 4, 5 on the other end side and disposed in a housing 18 such that the DC terminals 2, 3 and the AC output terminal 6 are located on one end side of the housing 18.例文帳に追加

パワーモジュール1−1は、一端側に直流端子2,3及び交流出力端子6を有すると共に他端側にP端子4,N端子5を有し、筐体18の一端側に直流端子2,3及び交流出力端子6が位置するように筐体18内に配置される。 - 特許庁

P=E×L×t3÷h3 (1) (wherein, E indicates a bending elastic modulus (Pa), L indicates a length (m) of the cylindrical shock absorbing structure, t indicates the wall thickness (m) of the cylindrical shock absorbing structure, and h indicates a height of the cylindrical shock absorbing structure.).例文帳に追加

P=E×L×t^3 ÷h^3 (1)^ ^(式中、Eは該熱可塑性樹脂の曲げ弾性率(Pa)を表し、Lは該筒状の衝撃吸収構造体の長さ(m)を表し、tは該筒状の衝撃吸収構造体の肉厚(m)を表し、hは該筒状の衝撃吸収構造体の高さ(m)を表す。) - 特許庁

A first paper discharge port 3 is formed in a space between the printer body 7 and a lid member 8, and a second paper discharge port 4 is formed in the lid member 8, allowing the roll paper P to be discharged from either paper discharge port 3 or 4 to be manually cut at the edge part of the paper discharge ports.例文帳に追加

プリンタ装置本体7と蓋部材8との間隙に第1排紙口3を形成し、蓋部材8に第2排紙口4を形成しておいて、どちらの排紙口3,4からもロール紙Pを排出でき、その排紙口3,4の縁部にてロール紙を手動切断できるように構成しておく。 - 特許庁

The solar cell is provided with a translucent substrate 1, a transparent conductive film 7, a light absorbing layer 3, a buffer layer 4 and another transparent conductive film 5 while a p-type semiconductor or a translucent metallic thin film is interposed between the transparent conductive film 7 and the light absorbing layer 3.例文帳に追加

透光性基板1、透明導電膜7、光吸収層3、バッファ層4および透明導電膜5を有し、透明導電膜7と光吸収層3との間に、p型半導体、または、透光性の金属薄膜を中間層4として介在させる。 - 特許庁

A base region 3 consisting of a p-type region is formed in an n-type semiconductor layer 2 which is epitaxially grown on an n+-type semiconductor substrate 1 e.g. made into a collector region, and an emitter region 4 consisting of an n-type region is formed in the base region 3.例文帳に追加

コレクタ領域とするたとえばn^+形半導体基板1上にエピタキシャル成長されたn形半導体層2にp形領域からなるベース領域3が設けられ、そのベース領域3内にn形領域からなるエミッタ領域4が形成されている。 - 特許庁

A part overlapped with the internal electrodes 4A, 4B in the lamination body 2 is an active part P at which the piezoelectric body 3 is displaced when a voltage is applied between the internal electrodes 4A, 4B, and a part not overlapped with the internal electrodes 4A, 4B is an inactive part Q at which no piezoelectric body 3 is displaced.例文帳に追加

積層体2において、内部電極4A,4Bが重なり合う部分は、内部電極4A,4B間に電圧を印加した時に圧電体3が変位する活性部Pであり、内部電極4A,4Bが重なり合わない部分は、圧電体3が変位しない不活性部Qである。 - 特許庁

Substrates 3, 4 formed in a ring shape are arranged at the inside and the outside at intervals opposingly and a plurality of P- and N-type thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) are provided in a ring circumferential direction at intervals between the inner and outer substrates 3, 4 each.例文帳に追加

リング状に形成された基板3,4を互いに間隔を介して内側と外側に配置して対向させ、これらの内側基板3と外側基板4の間にはP型とN型の熱電変換素子5(5a,5b)を互いにリング周方向に間隔を介して複数配設する。 - 特許庁

After crushed stone-mat or matured blast-furnace stag mat 2 is laid on a sandy ground 1, a prematured blast-furnace slag pile 3 is formed in the sandy ground 1 to compact the sandy ground 1 by the slag pile 3 and dissipate an excessive pore water pressure P in an earthquake.例文帳に追加

砂質地盤1上に砕石マットまたは熟成鉄鋼スラグマット2を敷設の後、砂質地盤1中に熟成前の鉄鋼スラグ杭3を造成して、鉄鋼スラグ杭3により砂質地盤1の締固めと、地震時の過剰間隙水圧Pの消散を行なう。 - 特許庁

The supporter 1 for the stringed instrument is mounted on the floor surface F and has an end pin receiving member 3 that the tip of the end pin P constituting the stringed instrument C abuts against and a pressure-contact pin 7 which is arranged below the end pin receiving member 3 and has its lower end pressed against the floor surface F.例文帳に追加

床面Fに載置される弦楽器用支持具1であって、弦楽器Cを構成するエンドピンPの先端が当接するエンドピン受け部材3と、このエンドピン受け部材3の下方に配置され下端は上記床面Fに圧接してなる圧接ピン7と、を備えてなる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 and an n-type semiconductor layer 3 are laminated with a silicon oxide film 2 between, while a p-type semiconductor layer 9 and an n+layer semiconductor layer 11 are formed on the surface of the n-type semiconductor layer 3 with a source electrode 13 and a drain electrode 14 provided, respectively.例文帳に追加

半導体基板1とn−型半導体層3とをシリコン酸化膜2を挟んで積層すると共に、当該n−型半導体層3の表面に、p型半導体層9やn+型半導体層11を形成して、それぞれにソース電極13、ドレイン電極14を設ける。 - 特許庁

The lamination member 1 comprises the surface protecting layer 3 which is attached to the surface of an article to be protected P and forms a lamination LM to cover and protect the surface and a heat resistant base material which supports this surface protective layer 3, and the surface protective layer contains needle-like particles 4.例文帳に追加

ラミネート用部材1は、被保護物Pの表面に接着されて、当該表面を被覆して保護するためのラミネートLMとなる表面保護層3と、この表面保護層3を支持する耐熱性基材2とを有すると共に、表面保護層3が針状粒子4を含有する。 - 特許庁

By forming the above structure; holes are implanted through two paths of a first path which is directly implanted from the upper face of the InGaAsP active layer 3, and a second path which is implanted from the side face of the InGaAsP active layer 3 through the InGaAsP intermediate layer 7 from the first p-InP clad layer 4.例文帳に追加

上記構造とすることにより、正孔は、InGaAsP活性層3の上面から直接注入される第1経路と、第1p−InPクラッド層4からInGaAsP中間層7を介してInGaAsP活性層3の側面から注入される第2経路との2つの経路を経由して注入される。 - 特許庁

This supporting device is composed of a frame 1 and a plurality of wires 3, and has a face element 4 having two faces (X, Y faces) freely variable to support an object to be inspected P, and a wire driving unit 2 for driving a plurality of wires 3 within the two faces of the face element 4.例文帳に追加

支持装置はフレーム1と、複数本のワイヤ3で構成される、被検査物Pを支持するための自在に変化する2つの面(X、Y面)を有する面状要素4と、この面状要素4の2つの面内でそれぞれ複数本のワイヤ3を駆動するワイヤ駆動系2とを備える。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板2とAlGaInP系化合物半導体から成る発光機能層3と電流拡散層5aとを有する半導体発光素子において、発光機能層3と電流拡散層5aとの間にGa_xIn_(1-x)P(x=0.7〜0.9)から成るバッファ層11を形成する。 - 特許庁

Both ends of the covered electric wire 3 inserted freely with a bellows tube 2 are fixed to a support frame 4 with the wire kept at a nearly horizontal attitude, and vibrations in the axial directions P and Q are applied to the covered electric wire 3 for testing by a vibrator 5 in this state by this abrasion testing method of the covered electric wire.例文帳に追加

この被覆電線の摩耗試験方法は、蛇腹チューブ2が遊挿された被覆電線3を略水平姿勢に保った状態でその両端を支持架台4に固定し、その状態で振動機5により被覆電線3に線軸方向P,Qの振動を付与して試験するものである。 - 特許庁

The appliance is provided with a suction roller 7 and a roller 9 with blades 14 combined to separate single paper strips 3 from a continuous belt of material 4 in a predetermined frequency, and the papers 3 for attaching filter are cut from the continuous belt 4 running the predetermined feeding path P.例文帳に追加

予め定められた頻度で材料の連続帯4から単一の紙3を分離するように組み合わされる吸引ローラ7とブレード14付きローラ9とを具備した装置によって、フィルタ取り付け用紙3が予め定められた供給路Pを進行する連続帯4から切断される。 - 特許庁

This resin is produced by radiation treatment of an aliphatic polyester copolymer having a weight-average molecular weight of 30,000 or above, composed of a repeating-unit (P) shown by -(-CO-R^1-COO-R^2-O-)- and the repeating unit (Q) shown by -(-CO-R^3-O-)-.例文帳に追加

−(−CO−R^1−COO−R^2−O−)−で表される繰り返し単位(P)、及び−(−CO−R^3−O−)−で表される繰り返し単位(Q)から構成される重量平均分子量30,000以上の脂肪族ポリエステル共重合体が放射線照射処理される。 - 特許庁

To provide a vibration isolating mount device 3 with a roll restricting mechanism 41 arranged in a saved space while giving no ill effects to the vertical springing performance of the vibration isolating mount device 3 when providing the roll restricting mechanism 41 for restricting the rocking of a power plant P in the rolling direction.例文帳に追加

防振マウント装置3に、パワープラントPのロール方向の揺動を規制するロール規制機構41を設ける場合に、防振マウント装置3の上下方向のバネ性に悪影響を及ぼさないようにしつつ、省スペースでロール規制機構41を配設できるようにする。 - 特許庁

P. Immediate appeal based on Article 872 of the Companies Act as applied mutatis mutandis pursuant to Articles 84(2), 139-9(8), 139-10(2), 141(3), 144, 149-3(4). 149-8(4). 149-13(4), 150 and 163 例文帳に追加

タ.投信法第84条第2項、第139条の9第8項、第139条の10第2項、第141条第3項、第144条、第149条の3第4項、第149条の8第4項、第149条の13第4項、第150条及び第163条において準用する会社法第872条の規定に基づく即時抗告 - 金融庁

The photocatalyst-dispersed material contains photocatalyst particles having ≤1,000 nm average particle size, an aqueous solvent, benzoic acid and/or alkyl p-hydroxybenzoate (wherein an alkyl group has 1-3 carbon atoms) and has the pH of 3-6.例文帳に追加

本発明の光触媒分散体は、平均粒子径1000nm以下の光触媒粒子および水系溶媒を含む分散体であって、安息香酸および/またはp−ヒドロキシ安息香酸アルキルエステル(但し、アルキル基は、炭素数1〜3のアルキル基である)を含有し、pHが3〜6である。 - 特許庁

On each surface side of the plurality of p-type body regions 2, an n-type diffusion region is formed, which is to be a source region 3, and a channel region 8 is formed between the source region 3 and drain region 1, forming a transistor cell.例文帳に追加

そして、複数個のp形ボディ領域2のそれぞれの表面側にn形の拡散領域が形成されてソース領域3とされ、そのソース領域3とドレイン領域1により挟まれた部分にチャネル領域8が形成されることにより、トランジスタセルが形成されている。 - 特許庁

This keyboard platform 1 is provided with a base part 2 on which a keyboard K, etc., can be placed and an intervention member 3 that is provided between the base part 2 and the body Pa of the user P can flexibly be deformed along the body Pa, and the member 3 is provided on the rear face 22 side of the base part 2.例文帳に追加

キーボード台1を、キーボードK等を載せられる基台部2と、その基台部2と使用者Pの体Paとの間に介在してその体Paに沿って可撓変形可能な介在部材3とを具備するものとして、介在部材3を基台部2の裏面22側に設けた構成とした。 - 特許庁

When all electronic the components to be mounted to a printed board P are housed in a first component supply device 3, 3 for supply, a second component supply device 4, 4 is not used and only the first component supply device is used, in a state where a chute 30 is still lowered by a cylinder 51.例文帳に追加

プリント基板Pに装着すべき電子部品が全て第1部品供給装置3、3に収納されて供給できる場合には、第2部品供給装置4、4を使用しないため、シリンダ51によりシュート30を下降させた状態にして第1部品供給装置のみ使用する。 - 特許庁

The optical power generation element has a substrate 2 made of p-type silicon, a plurality of substantially vertical grooves 3 arranged in slits on a surface of a light receiving surface 2a of the substrate 2, a non-groove-formation part 4 where the grooves 3 are not formed, and a metal film 5 formed on the opposite surface from the light receiving surface.例文帳に追加

光発電素子は、p型シリコンからなる基板2と、基板2の受光面2aの表面にスリット状に配置された実質的に垂直な複数の溝3と、該溝3が形成されていない非溝形成部4と、受光面の反対面に形成された金属膜5を有する。 - 特許庁

In a mask pattern 7 of a mask for forming a P type gate layer 4, a central section 7a (near a central section 3a of an N type emitter layer 3) of the mask pattern 7 is formed expanded more than an end section 7b (near an end section 3b of the N type emitter layer 3) of the mask pattern 7.例文帳に追加

P型ゲート層4形成用マスクのマスクパターン部7において、そのマスクパターン部7の中央部7a(N型エミッタ層3の中央部3a付近)と比較して、マスクパターン部7の端部7b(N型エミッタ層3の端部3b付近)は拡大して形成される。 - 特許庁

A trench non-existing part 9 where the trench part 10 does not exist is formed in at least one part of the periphery of each p type semiconductor layer 3, and sites 4c corresponding to the adjacent semiconductor layers 3 of the channel stopper layer 4 are continuously formed through each trench non-existing part 9.例文帳に追加

各p型半導体層3の周囲の少なくとも一個所には、トレンチ部10が存在しないトレンチ非存在部9が形成されており、これら各トレンチ非存在部9を介して、チャンネルストッパ層4の互いに隣り合う半導体層3に対応する部位4c同士が連続している。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をi層として用いたpin接合を含む薄膜太陽電池における基板側のpまたはn型導電層とi層との界面における酸素原子濃度を5×10^20atoms/cm^3以下に抑制する。 - 特許庁

A sodium-sulfur battery (NAS battery) 3 is connected between the DC output buses P, N of a converter 2 and power generated from an AC motor 5 is recovered by an inverter 5 in order to charge the NAS battery 3.例文帳に追加

本発明の特徴とするところは、順変換装置2の直流出力母線P、N間にナトリウム硫黄電池(NAS電池)3を接続し、交流電動機5の発生電力を逆変換装置5により回生する電力をNAS電池3に充電させるようにしたことにある。 - 特許庁

The device is constituted of an ND filter 1, a rotary plate 2 on which the ND filter 1 is fixed, a holding plate 3 for holding the rotary plate 2 so that the plate 2 may be rotated around a rotary shaft P, a 1st positioning pin 6a and a 2nd positioning pins 6b fixed on the holding plate 3, and a torsion coil spring 4.例文帳に追加

NDフィルター1と、NDフィルター1を固定した回転プレート2と、回転プレート2を回転軸Pで回転可能に保持する保持プレート3と、保持プレート3に固定した第1の位置決めピン6aと第2の位置決めピン6bと、ねじりコイルバネ4とで構成する。 - 特許庁

This cover structure is provided with a cover 1 in which an opened section 5 is formed for arranging a label 2, an arranging plate 3 which is put in the opened section 5 of the cover 1 and attached to the cover 1, and the label 2 which is stuck to the plate 3 and on which characters, numerals, and symbols P are written.例文帳に追加

ラベル配置用開放部5が形成された外装カバー1と、この外装カバー1の開放部5に配置されて外装カバー1に取付けられた配置板3と、この配置板3に接着された文字、数字および記号Pが記載されたラベル2とを具備している。 - 特許庁

A lower rib 12a is installed at the bottom of the partitioning plate 3, in which the rib 12a and the partitioning plate 3 are located apart from the bottom surface 4 of the accommodation part 2, and the side face of the drink container P accommodated in smaller accommodation parts 10a and 10b is supported by the lower rib 12a.例文帳に追加

仕切板3の下端部に下リブ12aを設けると共に、これら仕切板3と下リブ12aとを収納部2の底面4から離間して設け、小収納部10a,10bに収納された飲料容器Pの側面を下リブ12aによって支持するようにした。 - 特許庁

When feeding of sheets P is started, a feeding roller 1 and a hopper cam 3 rotate clockwise, contact of the hopper cam 3 and a cam follower 4 is once released, consequently, a hopper 9 is displaced to a feeding position, and a sheet returning lever 7 revolves counterclockwise and is displaced to a feeding position on this device.例文帳に追加

用紙Pの給送が開始されると、給紙ローラ1とホッパカム3が時計方向に回転し、ホッパカム3とカムフォロア4との当接が一旦解除され、これにより、ホッパ9は給紙位置に変位し、用紙戻しレバー7は反時計方向に回動して給送位置に変位する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 2, an epitaxial layer 3 formed on the principal plane of the substrate 2, an n-type semiconductor layer 4a and a p-type semiconductor layer 5 formed on the layer 3, and a pn composition plane 6 formed between the layer 4a and the layer 5.例文帳に追加

半導体基板2と、半導体基板2の主面上に形成されたエピタキシャル層3と、エピタキシャル層3に形成されたN型の半導体層4aおよびP型の半導体層5と、半導体層4aと半導体層5との間に形成されたPN接合面6とを有する。 - 特許庁

A CPU 86 controls each motor 33-1 to 33-3 so that each conveying roller 32-1 to 32-3 can convey paper P fed from a paper feeding mechanism part 3 at paper conveying speed corresponding to the highest printing speed of the side of the stencil printer 100 irrespective of the printing speed of the side of the stencil printer 100.例文帳に追加

CPU86は、孔版印刷装置100側の印刷速度の如何に関わらず、孔版印刷装置100側の最高印刷速度に対応した用紙搬送速度で、各搬送ローラ32−1〜32−3が給紙機構部3から給送されてきた用紙Pを搬送するように各モータ33−1〜33−3を制御する。 - 特許庁

After an element separation area 2 is formed on a silicon board 1, a P well layer 3 is formed, after ion injection for threshold voltage Vth regulation is performed thereon, mixture gas or the like containing disilane is made a raw material, and epitaxial growth of the silicon layer 6 of low impurity concentration of impurity concentration 1E14 [}cm-3] less is selectively performed.例文帳に追加

シリコン基板1上に素子分離領域2を形成した後、Pウェル層3を形成し、これにしきい値電圧Vth調整用のイオン注入を行った後、ジシランを含む混合気体等を原料として、アクティブ領域のみに、選択的に不純物濃度1E14〔cm^-3〕以下の低不純物濃度シリコン層6のエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

The drive unit 1 further comprises a control means 5 electrically connected to a coil 13 of the electromagnet M2 and the piezoelectric element 3, applies a pulse voltage P to the piezoelectric element 3 by the control means 5, and controls a current flowing to the coil 13, thus advancing or retreating the operation member 9 in the expansion and contraction direction of the piezoelectric element 3.例文帳に追加

そして、駆動装置1は、電磁石M2のコイル13及び圧電素子3に電気的に接続された制御手段5を更に備えており、制御手段5によって、圧電素子3にパルス電圧Pを印加すると共に、コイル13に流れる電流を制御することで、作動部材9を圧電素子3の伸縮方向に前進又は後退させる。 - 特許庁

The opening on the lower part of a recess 3 on a clamp metal fitting 2 on at least one side of a scaffold board body 1 is to have enough area so that the scaffold board body 1 can be drawn out from the standard horizontal member P with the scaffold board body 1 tilted.例文帳に追加

足場板本体1の少なくとも一方側のクランプ金具2の凹部3の下部開口は足場板本体1を傾斜させた状態で建枠横架材Pから抜き出し可能な広さとする。 - 特許庁

例文

The imaging module 3 is configured such that a rectangular prism P is arranged nearest to an object side of an imaging optical system, and has a cutout surface Pd obtained by cutting out an included angle part between a reflection surface Pb and an emitting surface Pc.例文帳に追加

本発明の撮像モジュール3は、直角プリズムPが、撮像光学系の最も物体側に配置されており、反射面Pbと出射面Pcとの挟角部が切り取られた切り取り面Pdを有している。 - 特許庁




  
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