「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

In the anti-vibration device, a whirl stop part 8 is projected at a circumferential edge part of a seat surface 3a of a fastening seat part 3 of metal to be screwed to the fastening object P, with a sharp top 13 facing ahead in the simultaneous rotation direction.例文帳に追加

被締結体Ｐにねじ止めされる金属製の締結座部３の座面３ａの周縁部に、共回り方向の前方に臨む尖った頂部１３を有する回り止め部８を突設する。 - 特許庁

This bamboo pillow P is constituted of side members 1 which are arranged at a required interval, connecting members 2 which fix the interval by connecting them, and a bamboo screen 3 which is provided by bridging respective side members 1.例文帳に追加

竹枕Ｐは、所要間隔で配してある側部材１、それらを連結して間隔を固定する連結部材２、及び各側部材１間に架け渡して設けてある竹簀３により構成されている。 - 特許庁

In the lights passing through a second lens 3, only the light of a P polarizing component is received by the image pick-up element 7 through the polarizing beam splitter 5 and a polarizer area 6b of the area dividing filter 6.例文帳に追加

第２のレンズ３を透過した光は偏光ビームスプリッタ５と領域分割フィルタ６の偏光子領域６ｂを介してＰ偏光成分の光だけが撮像素子７で受光される。 - 特許庁

The recording medium truing-up device 1 trues up the paper P by controlling a truing-up member 2 rotatably attached to a base bracket 10 by a drive source 3 (a solenoid 31 and a coil spring 32).例文帳に追加

記録媒体幅寄せ装置１は、ベースブランケット１０に回動自在に取り付けられた幅寄せ部材２を駆動源３（ソレノイド３１及びコイルバネ３２）により制御して、用紙Ｐの幅寄せを行う。 - 特許庁

A transfer unit 2 is attached to a housing 1 so that the unit 2 can be open/closed, and a carrying path for passing the paper P through the photoreceptor 3 and a transfer roller 84 is formed between the housing 1 and the transfer unit 2.例文帳に追加

ハウジング１に転写ユニット２を開閉可能に取り付け、ハウジング１と転写ユニット２との間に、感光体３と転写ローラ８４との間に用紙Ｐを通過させるための搬送路を形成する。 - 特許庁

In a photodiode array 1, a plurality of p type semiconductor layers 3 are arranged on a surface 2s of an n- type semiconductor substrate 2, and light to be detected is made incident from a back face 2u side of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

ホトダイオードアレイ１は、ｎ−型半導体基板２の表面２ｓにｐ型の半導体層３を複数有し、半導体基板２の裏面２ｕ側から被検出光を入射させるものである。 - 特許庁

A pulse laser beam is radiated on a predetermined line 5 for cutting on the surface 3 of the machining object 1 under the condition of causing multiple photon absorbtion, and making a condensing point P agree with the inside of the machining object 1.例文帳に追加

多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光を加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射している。 - 特許庁

In the digital camera, when it goes into photographic mode, the lens transfer controller 40 of a lens position controller 35 moves and freezes a photographing lens 3 from a storing source position S to a photographic source position P by a lens transfer mechanism 30.例文帳に追加

デジタルカメラでは、撮影モードになると、レンズ位置制御部３５のレンズ移動制御部４０は、レンズ移動機構３０によって撮影レンズ３を収納位置Ｓから撮影位置Ｐに移動して停止する。 - 特許庁

The second emission surface 122 takes on a shape, which makes the emission light reach the second emission surface 122 emitted from the origin P to be refracted at its reaching point and reach the illuminated surface 3.例文帳に追加

第２出射面１２２は、基点Ｐから放射されて第２出射面１２２に到達する放射光をその到達点で屈折させて被照射面３に到達させる形状を有している。 - 特許庁

In a standard cell A, the drain region of a P channel MOS transistor 3 and the drain region of an N channel MOS transistor 5 are connected by metal wiring 8 through contact 6 and 5, respectively.例文帳に追加

スタンダードセルＡ内において、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３のドレイン領域とＮチャネルＭＯＳトランジスタ５のドレイン領域とが各々コンタクト６、５を介してメタル配線８により接続される。 - 特許庁

The conductive molded body P can be manufactured by coating one side of the base material 1 and further coating the coated base material 1 with a fiber dispersed coating solution containing the ultrafine conductive fibers 3.例文帳に追加

このような導電性成形体Ｐは、基材１の片面に樹脂塗液を塗布し、さらに極細導電繊維３を含んだ繊維分散塗液を塗布することで製造することができる。 - 特許庁

The mach-zehnder optical modulators 2 and 3 each includes an undoped layer 20 which includes an active layer 12, an n-type InP clad layer 11 and a p-type InP clad layer 14 which include the undoped layer 20 therebetween.例文帳に追加

マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。 - 特許庁

A compound (III) is obtained by reacting a compound having p-nitrophenoxymethyl group at the 3-position of the pyrazoloazole compound with a primary or secondary amine in a compound having two or more etheric oxygen.例文帳に追加

ピラゾロアゾール化合物の３位に、ｐ−ニトロフェノキシメチル基を有する化合物と、１級又は２級アミンを、エーテル系酸素を２個以上有する化合物中で反応して化合物（ＩＩＩ）を得る。 - 特許庁

A resistance 7 having a resistance value larger than that of a transmission gate is serially connected to the transmission gate consisting of P-channel type MOSFET 3 and N-channel type MOSFET 4.例文帳に追加

Ｐチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ３及びＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴ４から成るトランスミッションゲートに対し、トランスミッションゲートの抵抗値より大きい抵抗値を有する抵抗７を直列接続する。 - 特許庁

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。 - 特許庁

A paste material for the solar battery is a paste material used when a p^+-layer 4, a counter electrode 3 or a photodetective surface electrode 5 are formed on one surface side of a silicon (Si) substrate 1.例文帳に追加

本発明の１つの太陽電池用ペースト材は、シリコン（Ｓｉ）基板１の一方の表面側にｐ^＋層４、対向電極３、又は受光面電極５を形成する際に用いるペースト材料である。 - 特許庁

P and the balance Cu with inevitable impurities and satisfies that the orientation density of the brass-orientation: {0 1 1}<2 -1 1> orientation, is ≤3.例文帳に追加

質量％で、Ｓｎ：２．５〜１１．０％、Ｐ：０．０３〜０．３５％、残部がＣｕおよび不可避不純物からなり、Ｂｒａｓｓ方位：｛０ １ １｝＜２ −１ １＞方位の方位密度が３以下を満たす銅合金板条。 - 特許庁

Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.例文帳に追加

また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor substrate 1 is prepared, having a first main face 1a and a second main face 1b which face each other, and with a P^+ type semiconductor region 3 formed on the first main face 1a.例文帳に追加

互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されたｎ^−型半導体基板１を準備する。 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed at a specified depth under the surface of an epitaxial layer 2, at the center part of the n-type epitaxial layer 2 formed on an n-type semiconductor board 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１上に形成されたｎ型のエピタキシャル層２の中央部には、エピタキシャル層２の表面から一定の深さにかけてｐ型のベース層３が形成されている。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

Consequently, extraction of word information WI and conversion of a Japanese representation J are performed, according to the word W inputted from the keyboard 3, and the pronunciation representation P representing accurate pronunciation is outputted.例文帳に追加

これにより、キーボード３から入力された単語Ｗに応じて、単語情報ＷＩの抽出及び日本語表記Ｊの変換が行われ、発音を正確に示す発音表記Ｐが出力される。 - 特許庁

Erasing action is carried out by sequentially impressing a forward bias to the p-type well region 2 and the n-type impurity region 3 to generate hot carriers, and by injecting them into the insulating layer 7 for charge storage.例文帳に追加

ｐ型ウエル領域２とｎ型不純物領域３とに順バイアスを印加することによりホットキャリアを生成して電荷蓄積用絶縁層７に注入することで消去動作が行なわれる。 - 特許庁

In the binding mechanism 3, the pressure-sensitive adhesive tape 31 binds the object P from the outer direction of the U-shaped open portion of the descending bucket 24 of the conveying mechanism 2 in a packaging manner.例文帳に追加

結束機構３は、粘着テープ３１が搬送機構２の降下するバケット２４のＵ字形の開放部分の外側方向から結束対象物Ｐを包込むように束ねるものとなっている。 - 特許庁

A print station 3 includes an boundary layer removing mechanism 20 disposed above a cleaning tank 15c in a process tank unit developing an image formed on a print surface of a print paper P.例文帳に追加

プリントステーション３では、印画紙Ｐのプリント面に形成された画像の現像処理を行う処理槽ユニット１５のうち洗浄処理槽１５ｃの上部に、境界層除去機構２０を配置している。 - 特許庁

By this setup, without lessening the J-FET part 6 located between the P-type base regions 3 in width, a silicon carbide semiconductor device of this constitution can be prevented from increasing in ON-state resistance due to a resistance increase in the J-FET.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の間に位置するＪ−ＦＥＴ部６の幅を縮めることがなく、Ｊ−ＦＥＴ抵抗上昇によるオン抵抗の上昇を防止することができる。 - 特許庁

The p-type dopant concentration of a region in the ROM region 1 where the channel of a MOS transistor 1t is formed, and that of a region in the SRAM region 3 where a channel of an access transistor 4 is formed, are nearly identical with each other.例文帳に追加

ＲＯＭ領域１のＭＯＳトランジスタ１ｔおよびＳＲＡＭ領域３のアクセストランジスタ４のチャネルが形成される領域のｐ型不純物濃度はほぼ等しくなっている。 - 特許庁

At least the region opposing the P^+ type semiconductor region 3 of the second main face 1a of the n^- type semiconductor substrate 1 is irradiated with pulsed laser light, and irregular recesses and protrusions 10 are formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。 - 特許庁

On the other hand, data of an I or P picture decoded by the VLC 13 are decoded via an SW 15 and given to a quantizer 4 via a subtractor circuit 1 and a DCT device 3.例文帳に追加

一方、ＶＬＤ器１３で復号されたＩ又はＰピクチャのデータは、ＳＷ１５を経由して復号され、更に減算回路１、ＤＣＴ器３を介して量子化器４に入力される。 - 特許庁

At a part of the semiconductor layer 30, an ohmic electrode 9 is formed on a surface of the n-type semiconductor layer 3 exposed by removing the p-type semiconductor layer 5 and active layer 4 by etching etc.例文帳に追加

半導体層３０の一部には、ｐ型半導体層５及び活性層４をエッチングなどにより除去して露出したｎ型半導体層３の表面にオーミック電極９を形成してある。 - 特許庁

The vertical JFET 1 comprises an n^+-type drain semiconductor 2, a drift semiconductor 3, a channel semiconductor 41, p^+-type gate semiconductors 51, 52, and an n^+-type source semiconductor 61.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１は、ｎ^+型ドレイン半導体部２と、ドリフト半導体部３と、チャネル半導体部４１と、ｐ^+型ゲート半導体部５１，５２と、ｎ^+型ソース半導体部６１とを備える。 - 特許庁

An electrode pad 2, composed of Al is formed on a P-type semiconductor substrate 1, and a MOS transistor 4 is formed on the semiconductor substrate 1 directly below the electrode pad 2 via an interlayer insulating film 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上にＡｌから成る電極パッド２が形成され、電極パッド２の直下の半導体基板１上に層間絶縁膜３を介してＭＯＳトランジスタ４が形成されている。 - 特許庁

Consequently, the quantity of a P-type dopant can be made uniform around the opening 4 of the electrode 3 and the diffusion of an external base layer covering the peripheral section of the emitter layer through heat treatment becomes uniform.例文帳に追加

この構成により、Ｐ型ドーパント量を引き出し電極３の開口部４を中心に同量にすることができ、熱処理によるエミッタ層周辺部を覆う外部ベース層の拡散が均一になる。 - 特許庁

Though the phase difference of the phase plate 3 has wavelength dependence, the wavelength characteristic of output intensities of S polarized light and P polarized light can be uniformed approximately to the same degree, by properly determining the wavelength dependence.例文帳に追加

位相板３の位相差は波長依存性を有するが、この波長依存性を適切に定めることによりＳ偏光及びＰ偏光の出力強度の波長特性を同程度に揃える。 - 特許庁

In this ion implanter, an ion beam 11 from an ion source 1 is passed through a mass spectrometry part 3 and an As ion beam 4 and a P ion beam 5 are extracted to radiate on a semiconductor substrate 10 for performing the impurity ion-implantation.例文帳に追加

イオン源１からのイオンビーム１１を質量分析部３を経由させてＡｓイオンビーム４及びＰイオンビーム５を取出して半導体基板１０に照射し、不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

It is found that 1,3-dimethoxy-5-methylbenzene (DMMB) and methyl 2-pentyl-3-oxocyclopent-1-yl acetate (Hedione) effectively inhibit the increase of blood substance P to exhibit an antipruritic effect.例文帳に追加

１，３−ジメトキシ−５−メチルベンゼン（ＤＭＭＢ）及びメチル２−ペンチル−３−オキソシクロペント−１−イルアセテート（ヘジオン）が血中サブスタンスＰの増加を効果的に抑制し、鎮痒効果を発揮することが見出された。 - 特許庁

By introducing a gas G into the discharge spaces 3 and by applying a voltage between the electrodes 1, 1 facing each other, plasma P is generated in the discharge spaces 1, 1 under pressure close to the atmospheric pressure.例文帳に追加

放電空間３内にガスＧを導入すると共に対向する電極１、１間に電圧を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で放電空間１、１内にプラズマＰを生成する。 - 特許庁

This plasma address display device has a flat-panel structure in which a display cell with signal electrodes in columns and a plasma cell P with discharge electrodes 6 in rows are superposed via an intermediate sheet 3.例文帳に追加

プラズマアドレス表示装置は、列状の信号電極を備えた表示セルと、行状の放電電極６を備えたプラズマセルＰとを中間シート３を介して互いに重ねたフラットパネル構造を有する。 - 特許庁

The lumen-maintenance of a red light emitting phosphor of Y(P, V)O4: Eu3+ is improved by doping phosphor with at least one kind of ions selected from among trivalent rare earth ions excluding Eu and bivalent metal ions.例文帳に追加

Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_4：Ｅｕ^3+赤色発光性蛍光体にＥｕを除く三価の希土類イオンおよび二価の金属イオンの少なくとも１種をドープしてその蛍光体のルーメン維持を改善する。 - 特許庁

This article sorting facility 1 is provided with a carrying conveyer 2 for carrying carrying pans P placed with articles A, and a return conveyer 3 connecting a start end to a terminal end of the carrying conveyer 2.例文帳に追加

物品選別設備１は、物品Ａが載置された搬送用パンＰを搬送する搬送コンベヤライン２と、この搬送コンベヤライン２の始端と終端との間をつなぐ戻しコンベヤライン３とを備える。 - 特許庁

A vibrating force computing part 61 computes vibrating force p by using acceleration α_1 of a surface plate 3 and acceleration α_2 of the floor 2 to find a position x_2 of the floor 2 with two-step integration of the acceleration α_2.例文帳に追加

加振力演算部６１は、定盤３の加速度α_１及び床２の加速度α_２を用いて加振力ｐを演算し、加速度α_２の２階積分により床２の位置ｘ_２を求める。 - 特許庁

When a spread-out operation command is inputted, it is detected by the detection signals from proximity sensors on the mobile racks 3 to 7 that a spread-out passage P is formed between the mobile racks 5 and 6.例文帳に追加

散開動作指令が入力されると、このときの各移動棚３〜７の接近センサからの検出信号により移動棚５と６との間に開放通路Ｐが形成されていることが検知される。 - 特許庁

When the inserted pipe P moves in the detaching direction, an outward-narrowing tapered pressure face 19 applying the contracting force to the lock ring 3 is formed in the internal circumferential face of the outer cylinder body 6.例文帳に追加

外筒体６の内周面には、差し込まれた管Ｐが抜け出し方向に移動したときにロックリング３に縮径方向の力を作用させる外窄まりテ−パ状の押圧面１９が形成される。 - 特許庁

When the concentration of arsenic as the impurities of the silicon substrate 1, and that of the impurities of the p-type epitaxial film 23 are set to be "α" and "β", respectively, α≤3×10^19In(β)-1×10^21 is met.例文帳に追加

シリコン基板１の不純物としての砒素の濃度を「α」、ｐ型エピタキシャル膜２３の不純物濃度を「β」としたとき、α≦３×１０^１９・Ｉｎ（β）−１×１０^２１を満足させる。 - 特許庁

A groove 10 is formed in such a manner that it penetrates the surface of an n+-type source area 4, the n+-type source area 4, a p-type well area 3 to the midway of an n-type silicon epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域４の表面から該ｎ^+形ソース領域４およびｐ形ウェル領域３を貫通してｎ形シリコンエピタキシャル層２の途中まで溝１０が形成されている。 - 特許庁