「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Driving of an operation rod 9 by an toggle operation mechanism 3 makes the following operations performable: an identifying means 21 in an arrangement part 20 judges a placed component P as identifiable and caulking is simultaneously performed by a caulking tool 17; and on the other hand the identifying means 21 judges the placed component P as unidentifiable and caulking is simultaneously blocked.例文帳に追加

トグル作動機構３により作動棒９を駆動させることで、段取部２０における判別手段２１により載置された部品Ｐを判別可能とすると同時に、かしめ具１７によりかしめ作用を可能とする一方、前記部品Ｐを判別不能とすると同時に、かしめ作用を阻止する構成とする。 - 特許庁

This cutting tool 1 is formed by fitting a cutting blade 3 to the tip of a bar-like member 2, and a removably mounting part 4 for removably mounting a weight body 5 is provided in a part positioned in the direction except the cutting direction P in the bar-like member 2 and in the direction Q orthogonal to the cutting direction P.例文帳に追加

この切削工具１は、バー状部材２の先端に切削刃３を取付けたものであって、バー状部材２における切削方向Ｐ、およびこの切削方向Ｐと直交する方向Ｑを除く方向に位置する部分に、重量体５を着脱自在に取付ける着脱部４を設けている。 - 特許庁

A movable member 3 is provided which functions as a handle accelerating the movement of the notebook type personal computer P at a falling position A and as a stand capable of holding the notebook type personal computer P at a raising position B, and the angle of a support base main body 14 can be changed in a plural stages at the raising position B.例文帳に追加

横臥位置Ａにおいてノート型パソコンＰの移動を促すハンドルとしての機能と、ノート型パソコンＰを起立位置Ｂに保持し得るスタンドとしての機能を有する可動部材３を設け、さらに起立位置Ｂにおいて支持台本体１４の角度を複数段階に変更し得るように構成している。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、ＺｒＢ_2基板１の表面上に形成された窒化物系半導体層（バッファ層２、ｎ型クラッド層３、発光層４、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６）と、ＺｒＢ_2基板１の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜９とを備えている。 - 特許庁

In the outer circumferential area of a semiconductor substrate 5, a trench 13 is formed to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2 and to separate the n^+-type and the p^+-type layers around a cell, and an n^--type layer 14 is formed on the inner wall surface of the trench 13.例文帳に追加

半導体基板５のうちの外周部領域には、Ｎ^＋型層４およびＰ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達し、かつ、セル部を囲むようにＮ^＋型層４およびＰ^＋型層３を分断するトレンチ１３が形成され、トレンチ１３の内壁面には、Ｎ^−型層１４が形成されるようにする。 - 特許庁

When the pipe P is not inserted to the normal depth, a detecting piece 8 is collided with a flange 3 of the pipe P, or a pipe retainer 14 in an enlarged state interferes with an inner part of the detecting part 35, which restricts the axial advancing of the detecting part 35, and disables the locking on the locking projection 11.例文帳に追加

パイプＰが正規深さまで挿入されていない場合には、検知片８がパイプＰのフランジ３に突き当たったり、パイプリテーナ１５が拡開状態のままとなって検知部３５内と干渉したりして検知部３５の軸方向に沿った前進が規制され、係止突起１１への係止が不能となっている。 - 特許庁

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁

This light-colored phenolic resin composition is produced by blending a phenolic compound (P) and an aldehyde compound (F) so that the mol ratio (P/F) becomes 1 to 3, reacting using barium hydroxide as a catalyst, and after completion of the reaction, neutralizing with sulfuric acid for pH to be 6.0 to 8.0, and adding a phosphite ester compound.例文帳に追加

フェノール化合物（Ｐ）とアルデヒド化合物（Ｆ）とをモル比（Ｐ／Ｆ）が１〜３となるように配合し、触媒として水酸化バリウムを用いて反応させ、反応終了後に硫酸にてｐＨが６．０〜８．０中和した後、亜リン酸エステル化合物を配合したことを特徴とする淡色化フェノール樹脂組成物。 - 特許庁

Prior to cutting the hard foamed polyurethane P, the end part edge of the undersurface material 2 positioned above is coated with and fixed by a kraft tape 5 along its longitudinal direction at the superposed place of the upper and under surface materials 2 and 3 in the vicinity of the end part in the upper surface width direction of the hard foamed polyurethane P to manufacture the hard foamed polyrethane slab.例文帳に追加

硬質発泡ポリウレタンＰを切断するに先立って、硬質発泡ポリウレタンの上面幅方向端部近傍での上下面材２，３の重ね合わせ箇所で、上方に位置する下面材２の端部縁をその長手方向に沿ってクラフトテープ５により被覆し固着する硬質発泡ポリウレタンスラブの製造方法。 - 特許庁

The polyester film includes a polyester layer (layer P) containing a polyester resin (A) and a polyester resin (B), wherein the polyester resin (B) is dispersed in the polyester resin (A) as a dispersion with a flantness of at least 3 in the polyester layer (layer P) and satisfies at least one, the following requirement (I) or (II).例文帳に追加

ポリエステル樹脂（Ａ）とポリエステル樹脂（Ｂ）を含有するポリエステル層（Ｐ層）を有するポリエステルフィルムであって、該ポリエステル層（Ｐ層）において、ポリエステル樹脂（Ｂ）がポリエステル樹脂（Ａ）中に扁平度３以上の分散体として分散しており、かつ次の条件（Ｉ）または（ＩＩ）の少なくとも一方を満たすポリエステルフィルム。 - 特許庁

In a circuit board for mounting a semiconductor where a semiconductor device is flip-chip mounted, (1) an inner layer pattern 61 is provided for even connection between a bump 5 and a surface pattern P at an inner layer below the surface pattern P of a circuit board 3 connected with the bump 5 formed at flip chip 1.例文帳に追加

半導体デバイスをフリップチップ実装する半導体実装用回路基板において、 フリップチップ１に形成されたバンプ５が接続する回路基板３の表面パターンＰ下の内層に、該バンプと該表面パターンとを均一に接続させるための内層パターン６１を設けた半導体実装用回路基板。 - 特許庁

In this method, the oxidation-reduction potential of the mixture liquid is detected by an oxidation-reduction potential detector 17 at a reference position P in the circulating water passage 3, and the amount of aeration from an aeration and agitation device 5 is controlled from the detected value so that the oxidation-reduction potential at the reference position P becomes a prescribed potential.例文帳に追加

この方法では、循環水路３内の基準位置Ｐにおいて酸化還元電位検出器１７により混合液の酸化還元電位を検出し、検出値に基づいて、基準位置Ｐにおける酸化還元電位が所定電位になるように、曝気攪拌装置５からの曝気量を制御する。 - 特許庁

The label paper has a cohesive failure layer 2 having a porous structure provided on one side of a transparent substrate 1 and has characters P or the like printed on the surface of the layer 2 and has an adhesive layer 3 provided on the surface of them, and the printed characters P or the like are viewed from the other side of the substrate 1.例文帳に追加

透明な基材１の一面に多孔質構造を有する凝集破壊層２を設け、該破壊層２の表面に文字等Ｐの印刷を施しその表面に粘着剤層３を設けたラベル用紙において、印刷された文字等Ｐを前記基材１の他面側から観るようにしたこと。 - 特許庁

The terminals 2 and 3 can be constituted as contact structures between a metallic wiring layer and the N- and P-type well regions and, in addition, as stack VIA structures between many metallic wiring layers and the N- and P-type well regions in accordance with the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device that realizes the basic cell 1.例文帳に追加

メタル配線層とＮ型及びＰ型ウェル領域とのコンタクト構造として構成することができるほか、基本セル１を実現する半導体集積回路装置の製造プロセスに応じて多層のメタル配線層とＮ型及びＰ型ウェル領域とのスタックＶＩＡ構造として構成することもできる。 - 特許庁

The thin optoelectronic transducer unit 3 includes a p-type silicon layer 3p formed on the transparent conductive oxide layer 2, an i-type thin optoelectronic transducer layer 3i consisting substantially of the p-type silicon layer 3p, and an n-type silicon layer 3n made of the thin optoelectronic transducer layer 3i.例文帳に追加

光電変換ユニット（３）は、透明導電性酸化物層（２）の上に形成されたｐ型シリコン層（３ｐ）と、ｐ型シリコン層（３ｐ）の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるｉ型光電変換層（３ｉ）と、光電変換層（３ｉ）の上に形成されたｎ型シリコン層（３ｎ）とを含む。 - 特許庁

A photoresist is removed from a nitride film at a position where the gate electrode of an HV-MOS is formed, and boron ions are implanted into the surface layer of a P well region 2 at a part 9 which serves as a second P well region penetrating through both a nitride film 4 and an oxide film 3, using the residual photoresist 8 as a mask.例文帳に追加

工程Ｄにおいて、ＨＶ−ＭＯＳのゲート電極を形成する箇所の窒化膜上のフォトレジストを除去し、それ以外のフォトレジスト８をマスクに、第２ｐウエル領域となる箇所９に、窒化膜４と酸化膜３を貫通し、ｐウエル領域２の表面層にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

In one element region which is insulatingly isolated from other element region, a P+-base region 9, an N+-emitter region 11, an N+-collector region 12 and a P+ region 10 for removing excessive carriers for removing excessive carriers in the region 9 are formed into an N- layer 3, and a bipolar transistor is formed in the one element region.例文帳に追加

他の素子領域と絶縁分離された１つの素子領域において、Ｎ^- 層３に、Ｐ^+ ベース領域９、Ｎ^+ エミッタ領域１１、Ｎ^+ コレクタ領域１２と、Ｐ^^+ ベース領域９の過剰キャリアを除去するＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０が形成されて、バイポーラトランジスタを形成されている。 - 特許庁

A P-type thermoelectric conversion semiconductor 1 and an N-type thermoelectric conversion semiconductor 2 are connected to each other through a conductor 3 by interposing an insulator 4 between them, the insulator 4 such as air is filled between the P-type thermoelectric conversion semiconductor 1 and the N-type thermoelectric conversion semiconductor 2, and all of them are housed in an insulating container 7.例文帳に追加

Ｐ型熱電変換半導体１とＮ型熱電変換半導体２とを間に絶縁物４を介在させて導電体３により接続し、かつ、Ｐ型熱電変換半導体１とＮ型熱電変換半導体２との間に空気などの絶縁物４を充填して、これらを断熱容器７に収納した。 - 特許庁

By arranging a carrier sub-mechanism 3 carrying a carrying object P carried by the conveyer 1 on the upstream side to the conveyer 2 on the downstream side in a connection part between the conveyer 1 on the upstream side and the conveyer 2 on the downstream side, stagnation of the carrying object P in the connection part between the conveyers 1 and 2 adjacent to each other is prevented.例文帳に追加

上流側のコンベア１で搬送されてきた被搬送物Ｐを下流側のコンベア２に搬送するサブ搬送機構３を、上流側のコンベア１と下流側のコンベア２との連絡部に配置することにより、隣接するコンベア１、２の連絡部での被搬送物Ｐの停滞を防止する。 - 特許庁

In the formula, R1 is 1-12C non-hydrolyzable organic solvent; X is a hydrolyzable group and P is an integer from 0 to 3.例文帳に追加

（Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物およびその縮合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物 （Ｒ^1)_PＳｉ（Ｘ)_4-P （１） ［一般式（１）中、Ｒ^1は、炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。 - 特許庁

The heat dissipation member 1 has: the heat sink 5 that can be placed on the electronic component P packaged on the printed wiring board PWB; and a frame 3 that is a member to be soldered to the printed wiring board PWB and holds the heat sink 5 at a holding position (see (a) in the selected figure) separated from the electronic component P in solder junction.例文帳に追加

放熱部材１は、プリント配線板ＰＷＢ上に実装された電子部品Ｐに装着可能なヒートシンク５と、プリント配線板ＰＷＢにはんだ接合される部材であり、はんだ接合の際には、ヒートシンク５を電子部品Ｐから離れた保持位置（選択図中（ａ）参照）に保持するフレーム３とを備えている。 - 特許庁

The fixture body 6 has a storage space 6a to store the first and second engaging members 8, 9, a first hole 6b into which the connecting shaft member 3 is inserted toward a first direction P and a second hole 6c through which the operating shaft member 7 passes toward a second direction Q orthogonal with the first direction P.例文帳に追加

固定具本体６は、第１および第２係合部材８、９を収容する収容空間６ａと、連結軸部材３が第１方向Ｐを向いて挿入される第１孔６ｂと、操作軸部材７が第１方向Ｐに直交する第２方向Ｑを向いて通る第２孔６ｃとを有する。 - 特許庁

The packaging bag P formed to reach a pair of the second heat seal parts 6, 6 is provided with a dividing heat seal part 7 for dividing the bag P into a liquid filling chamber 4 and the enclosing chamber 3 of an object of the action M of liquid L filled in the chamber 4 positioned at the first heat seal part 5 side.例文帳に追加

一対の第二のヒートシール部６、６間に亘るように形成されて包装袋体Ｐを、流体充填室４と、第一のヒートシール部５側にあってこの流体充填室４に充填された流体Ｌの作用対象Ｍの封入室３とに区分する区分ヒートシール部７を備えている。 - 特許庁

On the substrate of a semiconductor on insulator having a dielectric layer 2 formed on a support substrate 1 and an active layer 3 formed on the dielectric layer 2, a P-type well region 4 is formed by the implantation of impurity ions, and at least one NMOS transistor 20 is formed in the P-type well region 4.例文帳に追加

本発明は、支持基板１上に形成される誘電体層２と、誘電体層２上に形成される活性層３とを有するＳＯＩ基板上に、不純物イオンの注入によりｐ型ウェル領域４を形成したものであり、ｐ型ウェル領域４には、少なくとも一つのNMOSトランジスタ２０が形成される。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 3, modified regions 20 are formed by focusing a condensing point F at a prescribed position between a backside 3b and a first p-type semiconductor region 5a and by applying laser beams La, and no modified regions 20 are formed between the backside 3b and the second p-type semiconductor region 5b.例文帳に追加

半導体基板３には、裏面３ｂと第１のｐ型半導体領域５ａとの間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって、改質領域２０が形成されており、裏面３ｂと第２のｐ型半導体領域５ｂとの間には改質領域２０が形成されていない。 - 特許庁

The frequency processing characteristic (high frequency gain) in the scanning direction θ (intermediate arrow θ direction in Fig. 3) of measuring light L1 in the tomographic image P is set lower than the frequency processing characteristic (high frequency gain) in the optical axis direction z of the measuring light L1 in the tomographic image P, and spatial frequency processing is performed.例文帳に追加

断層画像Ｐにおける測定光Ｌ１の走査方向θ（図３中矢印θ方向）への周波数処理特性（高周波ゲイン）を断層画像Ｐにおける測定光Ｌ１の光軸方向ｚへの周波数処理特性（高周波ゲイン）よりも低く設定し空間周波数処理を施す。 - 特許庁

A body movement detection sensor 3 is arranged within a height region capable of detecting the body movement when an optical axis 9 to collect an infrared ray irradiated from the body of the testee P comes to be roughly in parallel with a flat surface of the bedding 2 and the testee turns over in sleep is arranged on a head part Ph side of the testee P lying in the bedding 2.例文帳に追加

寝具２に横たわっている被験者Ｐの頭部Ｐｈ側において、被験者Ｐの体から放射される赤外線を集光する光軸９が寝具２の平面と略平行になり、かつ被験者Ｐが寝返りをうつときの体動を検出できる高さ範囲内に体動検知センサ３が配置される。 - 特許庁

The push-pull amplifier has a differential amplifier 1, a differential amplifier 2, an output amplification section 15 composed of a P type MOS transistor 3 and an N type MOS transistor 4, and an offset control section 17.例文帳に追加

この発明は、差動増幅器１と、差動増幅器２と、Ｐ型のＭＯＳトランジスタ３およびＮ型のＭＯＳトランジスタ４からなる出力増幅部１５と、オフセット制御部１７とを備えている。 - 特許庁

Pseudo foreign matter P is formed out of projection parts 2 made of a high melting point metal formed on an upper face of the wafer 1 and a coating film 3 formed on the whole of the upper face of the wafer 1 including the projection part 2.例文帳に追加

ウェハ１の上面に形成された高融点金属からなる凸部２と、この凸部２を含むウェハ１の上面全体に形成された被覆膜３とで、疑似異物Ｐを形成する。 - 特許庁

The products P separated by a working machine 3 are carried out onto a positioning table 35 one by one, and positioned at the predetermined positions by positioning means 39 and 51.例文帳に追加

加工機３により切断されて切り離された製品Ｐは１個づつ位置決めテーブル３５に搬出され、位置決めテーブル３５において位置決め手段３９、５１により所定の位置に位置決めされる。 - 特許庁

As shown in Fig.4(E), even under the condition that the medium P is being conveyed, an impact form 5 becomes a nearly perfect circle which is favorable, as the tailing 3 is cut off immediately after the impact of the droplet 2.例文帳に追加

また図４（Ｅ）に示すように、媒体Ｐが搬送されている状態でも、液滴２の着弾直後に尾引き３が切断されるので、着弾形状５は正円に近い良好なものとなる - 特許庁

The protection diode 10 is formed of a low concentration n-type conductive layer 2 and a high concentration p-type conductive layers 3, 4 which are joined by the pn-joining with the n-type conductive layer 2 on a semi-insulated semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性半導体基板１に低濃度ｎ型導電体層２と、ｎ型導電層２とｐｎ接合する高濃度ｐ型導電層３，４とから保護ダイオード１０を構成する。 - 特許庁

The exposure system 1 is provided with an illuminating device IL, a mask stage 3 to support a mask M, an illuminating field stop position changing unit 30, a projection optical unit 40, and a plate stage 4 to support a plate P.例文帳に追加

露光装置１は、照明装置ＩＬと、マスクＭを支持するマスクステージ３と、照明視野絞り位置変更ユニット３０と、投影光学ユニット４０と、プレートＰを支持するプレートステージ４とを備える。 - 特許庁

P-type InGaAlN layer 2, InGaAlN active layer 3, and n-type InGaAlN layer 4 where compositions are expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1) are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。 - 特許庁

The scanner 3 reads the print pattern printed on the print form P and transmits it to the computer device 1 as printing pattern data, and a data-restoring means 200 restores it into an image file F1.例文帳に追加

スキャナ３は、印刷用紙Ｐに印刷された印刷パターンを読み取り、これを印刷パターンデータとしてコンピュータ装置１へ送信し、データ復元手段２００はこれを画像ファイルＦ_１に復元する。 - 特許庁

The n-side electrode 20 of one light-emitting portion 1 and the p-side electrode 19 of the other light-emitting portion 1 connected in parallel are connected by the interconnection film 3 provided in a dummy region not contributive to the light-emitting region.例文帳に追加

並列接続した発光部１の一方のｎ側電極２０と他方のｐ側電極１９とを、発光領域には寄与しないダミー領域に設けた配線膜３で接続する。 - 特許庁

Radial movement X-X of the electric fuel pump P in the fuel chamber 3 is supported by the suction side support 1 and a fuel chamber body 4 as well as the discharge side support 2 and a closing member 5.例文帳に追加

電動燃料ポンプＰの燃料室３内における径方向移動Ｘ−Ｘは、吸入側支持体１と燃料室本体４及び吐出側支持体２と閉塞部材５とによって支持される。 - 特許庁

A paper feed unit 1 is provide with the hopper 6 rotating around a rotation shaft 6a, and conducts separation and press-contact operation to a paper feed roller 3 by accumulating and holding a paper P on the hopper 6 and rotating.例文帳に追加

給紙ユニット１は回動軸６ａを中心に回動するホッパ６を備え、該ホッパ６上に用紙Ｐを堆積保持し、回動することにより、給紙ローラ３に対して離間及び圧接動作を行う。 - 特許庁

In the division device for performing S array division by using a divisor D=SQ-P which is not less than 3, a dividend N0 is stored in a remainder register 11, and a commercial register 12 is cleared.例文帳に追加

３以上の除数Ｄ＝Ｓ^Q−Ｐを用いるＳ進数の除算を行う除算装置において、最初に、剰余用レジスタ１１に被除数Ｎ_0が記憶され、商用レジスタ１２がクリアされる。 - 特許庁

A VCM 3 is brought into a pressed state under current control, a servo motor 6 is controlled in position, a nozzle 1 is moved down to a mounting position, and it is confirmed that an electronic component P is abutted to a circuit board S.例文帳に追加

ＶＣＭ３を電流制御にて押圧状態にし、サーボモータ６を位置制御してノズル１を装着位置方向に下降して、電子部品Ｐが回路基板Ｓに当接したことを確認する。 - 特許庁

A paper feed tray 2 has a first tray 11 arranged oppositely to a transfer mechanism 3 in the rear portion of a housing 6, a second tray 12 extended from the first tray 11 and holding the rear end of the recording paper P.例文帳に追加

給紙トレイ２は、筐体６の後部において搬送機構３に対向配置された第１トレイ１１と、第１トレイ１１から延出され、記録紙Ｐの後端を保持する第２トレイ１２を有する。 - 特許庁

Magnetic resonance signals radiated from a patient P are collected by a gradient magnetic field coil unit 3, a gradient magnetic field electric source 4, a sequencer 5, RF coil 7, a transmitter 8T, a receiver 8R and the like.例文帳に追加

傾斜磁場コイルユニット３、傾斜磁場電源４、シーケンサ５、ＲＦコイル７、送信器８Ｔおよび受信器８Ｒなどにより、患者Ｐから放射される磁気共鳴信号を収集する。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion module (1), the P-type and N-type thermoelectric conversion elements (2) are alternately arranged sequentially and caps (3) formed of insulators are put on the both end sides of the thermoelectric conversion elements.例文帳に追加

本発明の熱電変換モジュール（１）は、Ｐ型及びＮ型の熱電変換素子（２）が順次交互に配置されており、熱電変換素子の両端側に絶縁体からなるキャップ（３）が被せられている。 - 特許庁

The protective element (2) comprises an n-type semiconductor thin film (11) which is arranged in the outer periphery of the p-type semiconductor substrate (3), and on the side surface (17) of the light-emitting semiconductor region (7), with an insulating film (10) interposed.例文帳に追加

保護素子部（２）はｐ型半導体基板（３）の外周部分と発光半導体領域（７）の側面（１７）上に絶縁膜（１０）を介して配置されたｎ型半導体薄膜（１１）とから成る。 - 特許庁

The heading face 3 has a length longer than a discharging region formed on the discharging face 2a in regard to the direction normal to the relative moving direction of the paper P with respect to the recording head 1.例文帳に追加

また、加熱面３ｂは、記録ヘッド１に対する用紙Ｐの相対移動方向と直交する方向に関して、吐出面２ａに形成された吐出領域以上の長さを有している。 - 特許庁