「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type ZnO layer 2, a ZnO light-emitting layer 3 and a p-type ZnO layer 4 as an exemplary second conductive type semiconductor layer are successively stacked on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上に、ｎ型ＺｎＯ層２、ＺｎＯ発光層３および第２導電型半導体層の一例としてのｐ型ＺｎＯ層４を順次積層している。 - 特許庁

The device includes a frame 1 fixed on the wall W of a swimming pool P, a chair 3 installed on the frame 1 and a pair of pedals 5 held rotatably on a case 13 mounted on the frame 1.例文帳に追加

プールＰの壁Ｗに固定されるフレーム１と、このフレーム１に設けられる椅子３と、フレーム１に取り付けられたケース１３に回転可能に保持される一対のペダル５，５を備える。 - 特許庁

A foamed layer is formed by supplying the resin-foamable stock solution P between a pair of surface materials 2 and 3 which are arranged in an opposed state at a mutual interval, so that the laminate panel can be continuously manufactured.例文帳に追加

互いに間隔を空けて対向配置された一対の表面材２，３間に、樹脂発泡原液Ｐを供給させて発泡層を形成して連続的にラミネートパネルを製造する。 - 特許庁

The power conditioner 2 converts DC power outputted from a solar battery 1 into AC power, and supplies electric energy according to a control command P* to a load system 3.例文帳に追加

パワーコンディショナ２は、太陽電池１から出力される直流電力を交流電力に変換すると共に、制御指令Ｐ^*に応じた電力量を負荷系統３に供給する。 - 特許庁

The presenter P operates the point with a light-emitting part 61 on the virtual screen 11, and a controlling element 3 calculates the coordinate of the light-emitting part 61 on the coordinate of the virtual screen 11.例文帳に追加

プレゼンターＰは仮想スクリーン１１上で発光部６１によりポイント操作し、制御演算部３は仮想スクリーン１１の座標上での発光部６１の座標を算出する。 - 特許庁

At least an n-type ZnO-based semiconductor clad layer 2, a ZnO-based semiconductor active layer 3, and a p-type ZnO-based semiconductor clad layer 4 are successively deposited on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に少なくとも、ｎ型ＺｎＯ系半導体クラッド層２と、ＺｎＯ系半導体活性層３と、ｐ型ＺｎＯ系半導体クラッド層４とを順次積層している。 - 特許庁

A maximum detector 2 detects a maximum value of data values of image data after degamma processing, and a scaling factor calculator 3 calculates a scaling factor P based upon the maximum.例文帳に追加

最大値検出部２は、デガンマ処理後の画像データにおけるデータ値の最大値を検出し、スケーリングファクタ算出部３は、その最大値に基づいてスケーリングファクタＰを算出する。 - 特許庁

On the first electrode 2, a photoelectric conversion film layer 3 is formed in laminate by film-forming, for example, semiconductors of p-type, i-type, and n-type in series by a CVD method or the like.例文帳に追加

第１電極２の上には、例えばｐ型、ｉ型、ｎ型の半導体を順次、ＣＶＤ法などで成膜することにより、光電変換膜層３が積層状に形成される。 - 特許庁

This nozzle 51 (1, 2, 3 and 4) for the electrochemical machining is a rectangular shape in a flow passage cross section of reaching an emitting port OUT, and opens on the distal end in a width of a flow passage P toward the emitting port OUT.例文帳に追加

電解加工用ノズル５１（１，２，３，４）は、出射口ＯＵＴに至る流路断面が長方形であって、流路Ｐの幅が出射口ＯＵＴに向けて先開きである。 - 特許庁

A regulation body is provided in a passage 3 connected with the entrance 1A of the spraying port 1 so as to make the flow of the irrigation solution from a container P eccentric with respect to the entrance 1A.例文帳に追加

洗浄液噴射口１の入口１Ａに連結される通路３内に、容器Ｐからの洗浄液を該入口１Ａに対して偏芯した流れになるように規制体を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

The extrusion rate controlling mechanism 3 can control the rotation speed of the driving motor 5 by converting the detected extrusion rate of the dough P to a signal and feeding back the signal to the driving motor 5.例文帳に追加

押出速度制御機構３は、検出された生地Ｐの押出速度を信号化してから駆動モータ５にフィードバックして当該駆動モータ５の回転数を制御可能にする。 - 特許庁

The storage means 3 stores the images of the predetermined patterns 7 previously captured by the imaging means 2 in the detection area P before the deformation of the tires 6 as reference images.例文帳に追加

記憶手段３には、タイヤ６の変形前に、検出エリアＰにおいて撮像手段２によって予め撮像された所定パターン７の画像が基準画像として記憶されている。 - 特許庁

A resin-coated metal panel P is formed by successively laminating an adhesive layer 2, a colored acrylic resin film 3, and a transparent resin film 4 on a base material metal panel to integrate them.例文帳に追加

樹脂被覆金属板Ｐは基材金属板１上に接着剤層２、着色アクリル系樹脂フィルム３、透明樹脂フィルム４が順次積層されて一体化されている。 - 特許庁

The ink-jet device IJ has a photographing apparatus 3 for detecting the size and the shape of each ink-drop jetted to the dummy region 2 of the substrate P from the ink-jet head 20.例文帳に追加

そして、インクジェット装置ＩＪは、基板Ｐのダミー領域２に対してインクジェットヘッド２０より吐出されたインク滴の大きさ及び形状を検出する撮像装置３を有している。 - 特許庁

An avalanche multiplication layer 3, a p-type InP electric field relaxation layer 4, a light absorption layer 5 and an undoped InP window layer 6 are laminated on the principal plane of an n-type InP substrate 1 in that order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。 - 特許庁

A V-shaped slit part 11 extending in a circumferential direction while continuously changing a height position in a center axis P direction is provided on an outer circumference face of the cleaning brush 3.例文帳に追加

洗浄ブラシ３の外周面上には、その中心軸Ｐ方向の高さ位置を連続的に変化させながら周方向に延びるＶ字状の切り込み部１１が設けられている。 - 特許庁

The image reading apparatus is provided with dirt preventing means 3a, 3b and 3c for preventing dirt on the surface of the contact glass 3 for sheet-through reading at least at its side in contact with an original P.例文帳に追加

シートスルー読み取りのコンタクトガラス３の少なくとも原稿Ｐと接触する側の表面の汚れを防止する汚れ防止手段３ａ，３ｂ，３ｃを備えた画像読み取り装置。 - 特許庁

Especially, when the thickness of the carrier stop layer is not larger than 5nm and the p-type dopant concentration of the carrier stop layer is not less than 1.0×10^18cm^-3, the leakage current is reduced remarkably.例文帳に追加

特に、キャリアストップ層の厚みが５ｎｍ以下であり、かつキャリアストップ層のｐ型ドーパント濃度が１．０×１０^１８ｃｍ^−３以上だと、リーク電流が大きく低減される。 - 特許庁

Further, in a package P for light emitting diodes, a window frame 1 having the abovementioned constitutions and a substrate 2 for mounting thereon a semiconductor light emitting element LE1 are integrated with each other by joining them to each other via a junction layer 3.例文帳に追加

発光ダイオード用パッケージＰは、上記の構成を有する窓枠１を、半導体発光素子ＬＥ１を搭載するための基体２と、接合層３を介して接合、一体化する。 - 特許庁

The element separation 2 formed on a boundary between an n-type well 3 and a p-type well 4 is provided with a first element separation 21, and a second element separation 22 formed immediately below the first element separation 21.例文帳に追加

ｎ型ウェル３とｐ型ウェル４との境界に形成された素子分離２は、第１の素子分離２１とその直下に形成された第２の素子分離２２とを有する。 - 特許庁

The recording material P carrying an unfixed toner image on a surface is heated by the heater 3 while holding and carrying by the fixing nip part N, so that a toner image is fixed on the surface of the recording material.例文帳に追加

表面に未定着トナー像を担持した記録材Ｐを定着ニップ部Ｎにて挟持搬送しつつヒータ３で加熱して記録材表面にトナー像を定着させる。 - 特許庁

The gate electrode 7 is made of P-type Poly-SiC whose Fermi level is closer to a Fermi level of the body region 3 than a Fermi level of Si.例文帳に追加

そして、ゲート電極７の材料に、Ｓｉのフェルミ準位よりもボディ領域３のフェルミ準位に近いフェルミ準位を有するＰ型Ｐｏｌｙ−ＳｉＣが採用されている。 - 特許庁

A delivery ratchet 39 of the delivery device 11 delivers the sorted bundle R separated from the supply bundle P from the sorting part 3 to the middle conveyor device 12, and moves it to the collecting part 5.例文帳に追加

送り出し装置１１の送り出し爪３９は、供給束Ｐから分離した仕分け束Ｒを、仕分け部３から中間コンベア装置１２に送り出し、集合部５まで移動させる。 - 特許庁

The sheet P to which printing is performed is received and passed to a second delivery cylinder 3 through a first delivery cylinder 1 from an impression cylinder not shown, and further, the sheet is passed and delivered to a chain gripper 7.例文帳に追加

印刷が行われた枚葉紙Ｐは図示しない圧胴から第一排紙胴１を介して第二排紙胴３へ受け渡され、さらにチェーングリッパ７へ受け渡されて排紙される。 - 特許庁

In addition, a speed control region V, in which the robot arm is turned at an angular speed proportional to the tilt angle of the control stick 3, is provided outside a position control region P with respect to the origin O.例文帳に追加

また、原点Ｏに対し位置制御領域Ｐの外側に、ロボットアームを操作桿３の傾倒角度に比例した速度で作動させる速度制御領域Ｖを設定する。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type impurity embedded region 2 that becomes a collector region, an n-type epitaxial layer 3, and an element separation region 4 using an insulating film are formed.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１上にコレクタ領域となるｎ型不純物埋込み領域２と、ｎ型エピタキシャル層３と、絶縁膜を用いた素子分離領域４を形成する。 - 特許庁

A stopping switch 1, a private part washing switch 2, a bidet washing switch 3, a washing intensity switch 4, a power source switch 5, a mode changeover switch M and a display panel P are arranged in an operation part C.例文帳に追加

操作部Ｃには、停止スイッチ１、局部洗浄スイッチ２，ビデ洗浄スイッチ３、洗浄強さスイッチ４，電源スイッチ５、モード切替スイッチＭ、表示パネルＰが設けられる。 - 特許庁

The mixed doped GaN layer 6a has GaN doped with a p-type impurity and an n-type impurity at the same time, and concentrations thereof are each ≥1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

混合ドープＧａＮ層６ａは、ＧａＮに、ｐ型不純物とｎ型不純物とが同時にドーピングされており、その濃度はいずれも１×１０^１９ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

An arcuate frame 2 bending in the longitudinal direction has a plurality of pipe holders 3 supporting and bending a pipe P in such a way as to be fed from one end to the other end of the arcuate frame 2.例文帳に追加

長手方向で湾曲する弧状フレーム２に、弧状フレーム２の一端側から他端側へパイプＰを曲げながら送り可能に支持する複数のパイプホルダ３を備える。 - 特許庁

When the bottom plate 3 loaded with the paper is raised, an upper end portion 2b of the medium to be recorded pressing member 2 presses the bundle of papers P from above with the side fence 1 by weight of the weight 4.例文帳に追加

用紙を載せた底板３が上昇すると、錘４の重さで被記録媒体押え部材２の上端部分２ｂが用紙Ｐの束を上方からサイドフェンス１とともに押さえる。 - 特許庁

An N type FET 2 has a source connected with the negative electrode side of a secondary battery 1, a drain connected with the drain of a P type FET 3, and a gate connected with a detection control circuit 4.例文帳に追加

Ｎ型のＦＥＴ２のソースは、二次電池１の負極側と接続され、そのドレインは、Ｐ型のＦＥＴ３のドレインと接続され、そのゲートは、検出制御回路４と接続される。 - 特許庁

An n-type drain region 7 and an n-type source region 8 are provided in the n-type drift region 3 and the p-type body region 4 respectively, so as to sandwich a portion of the gate electrode 6.例文帳に追加

このゲート電極６の一部を挟んでｎ型ドリフト領域３内及びｐ型ボディ領域４内にそれぞれ、ｎ型ドレイン領域７及びｎ型ソース領域８が設けられる。 - 特許庁

Side faces of these layers are configured to provide an InGaAsP intermediate layer 7 in which an energy level of a valence band is greater than the first p-InP clad layer 4 and smaller than the InGaAsP active layer 3.例文帳に追加

これらの層の側面に、価電子帯のエネルギー準位が、第１ｐ−InPクラッド層４よりも大きく、InGaAsP活性層３よりも小さいInGaAsP中間層７を設けた構造とする。 - 特許庁

Further, the sheet also has a density of the release sheet measured according to a paper and cardboard thickness and density testing method in accordance with JIS P 8118 of 0.70 to 0.90 g/cm2.例文帳に追加

ＪＩＳ−Ｐ−８１１８規定の紙および板紙−厚さおよび密度の試験方法で測定した、該剥離紙の密度が０．７０〜０．９０ｇ／ｃｍ^3であるインクジェット記録用粘着シート。 - 特許庁

P-type thermoelectric devices 1p and n-type thermoelectric devices 1n are alternately arranged and bound together into a thermoelectric device block 1a, and the thermoelectric device block 1a is bonded to lower electrodes 3 formed on a lower board through the intermediary of solder.例文帳に追加

ｐ型熱電素子１ｐとｎ型熱電素子１ｎとを交互に束ねた熱電素子ブロック１ａを、下側基板に形成された下部電極３にはんだを介して接合する。 - 特許庁

The end part of the inner side of the taper-shape enlarged part 3 is a portion corresponding to the boundary of a sleeve electrode p4 and an insulating collar z3 of a plug p inserted into the plug insertion hole 2.例文帳に追加

テーパ状拡大部３の奥側の端部は、プラグ挿入孔２に挿入するプラグｐのスリーブ電極ｐ４と絶縁カラーｚ３との境界に対応する部位とした。 - 特許庁

A trench, in which an insulating film 8 is formed on an inner surface and conductor 9 is buried in it, is arranged at least on a part of an n-type surface region 3 above the p-type partition type 1b.例文帳に追加

また、少なくともｐ型仕切り型１ｂの上方の一部のｎ型表面領域３に、内面に絶縁膜８を形成し導電体９を埋めた溝を設ける。 - 特許庁

A projected part 9 for carrying for pinching a card K between the impression cylinder 4 and carrying it, is formed in the peripheral direction except the printing region P in which a resin relief plate 8 on the plate cylinder 3 is formed.例文帳に追加

版胴３の樹脂凸版８が形成された印刷領域Ｐ外で、カードＫを圧胴４との間で挟持して搬送する搬送用凸部９が周方向に形成されている。 - 特許庁

When a load P is applied, the bearing member 1 also comes in contact with the smoothed plate 3, and a load Pc obtained by multiplying elastic modulus (k) of an elastic body 4 by displacement (d) is added to the bearing member 2.例文帳に追加

荷重Ｐが加えられると、支承部材１も平滑板３に接し、支承部材２には弾性体４の弾性係数ｋに変位ｄを乗じた荷重Ｐｃが加えられる。 - 特許庁

First and third TFT elements 1, 3 consisting of (n) type MOSs are turned an and a second TFT element 2 consisting of a (p) type MOS is turned off by making a scanning line GL1 to be at +15 V.例文帳に追加

走査線ＧＬ１を＋１５Ｖにして、ｎ型ＭＯＳからなる第１、第３のＴＦＴ素子１，３をオンにして、ｐ型ＭＯＳからなる第２のＴＦＴ素子２をオフにする。 - 特許庁

A collector buried layer 2 is formed on the entire surface of a p-type silicon wafer 1, and an n-type epitaxial silicon layer 3 is formed thereon.例文帳に追加

選択酸化領域の形成後、表面の清浄化を行い、ウエハ表面全体を多結晶シリコン膜で覆い、エミッタ直上の多結晶シリコン膜を最後まで除去せずに素子を形成する。 - 特許庁

A guide support 2 is vertically provided in a water tank P along the side wall W thereof and a support stand 3 for placing an underwater mixer 4 to fix the same is attached to the guide support 2 in a liftable manner.例文帳に追加

水槽Ｐの側壁Ｗに沿って案内支柱２を立設し、この案内支柱２に、水中ミキサー４を載置して固定するための支持台３を昇降可能に取り付ける。 - 特許庁

A reflected light from the mask 3 is converted from the circularly polarized light into a P-polarized light by the wavelength board 22, and its intensity is controlled by the polarizing board 41 of a reflected light controller 40a.例文帳に追加

マスク３からの反射光は、４分の１波長板２２で円偏光からＰ偏光へ変換され、反射光制御装置４０ａの偏光板４１で強度が制御される。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁