「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device 100 includes a plurality of MOS transistors (high-voltage P-channel MOS transistors 11) each having an impurity region (N-type well region 51) of a first conductivity type and a low-concentration diffusion region (P-type offset diffusion region 3) of a second conductivity type, and the element isolation region 6.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の不純物領域（Ｎ型ウェル領域５１）と、第２導電型の低濃度拡散領域（Ｐ型オフセット拡散領域３）を有する複数のＭＯＳトランジスタ（高圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１）と、素子分離領域６を有する。 - 特許庁

This apparatus 1 for scattering carbon dioxide is provided with a main body 2 arranged on a pipeline P tugged by a vessel sailing over the sea while being suspended in the sea and a plurality of nozzles 3 each of which receives liquid carbon dioxide through the pipeline P and scatters the received liquid carbon dioxide.例文帳に追加

二酸化炭素散布装置１を、海上を航行する船舶から海中に吊り下げられて曳航される配管Ｐに設けられる装置本体２と、配管Ｐから液体二酸化炭素を供給されるとともにこの液体二酸化炭素を散布する複数のノズル３とを有する構成とする。 - 特許庁

In a triple well functional cell TWF1 (A) with a circuit function, a region of a DNW region 7 protruded to a P well region 5 is arranged between an N well region 3 and the P well region 5 from a second side 1b to a fourth side 1d of a cell frame.例文帳に追加

回路機能をもつトリプルウェル用機能セルＴＷＦ１（Ａ）で、Ｐウェル領域５に対するＤＮＷ領域７のはみ出し領域は、Ｎウェル領域３とＰウェル領域５の間でセル枠の第２辺１ｂから第４辺１ｄにわたって配置されている。 - 特許庁

A channel P diffusion layer 7 is formed on the outer circumferential side at the surface layer part of the element forming layer 6b, an emitter region 5 is formed to surround the collector region 3 on the outer circumferential side of the unit cell 1 at the surface layer part of the channel P diffusion layer 7, and a base region 4 is formed on the central part side.例文帳に追加

また、素子形成層６ｂの表層部のうち外周側にchannelP拡散層７が形成され、channelP拡散層７の表層部のうち単位セル１の外周側にコレクタ領域３を囲む様にしてエミッタ領域５が形成され、中心部側にベース領域４が形成されている。 - 特許庁

The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、中央部（コンタクト領域３ｃ）に端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

Inspection programs 100 and 102 for a print inspection device 2 and a mounting inspection device 4 contain specific location information which is shared with a mounting device 3 (for example, substrate ID number and circuit number), as the information for specifying a substrate P and the mounting point on the substrate P.例文帳に追加

印刷検査装置２および実装検査装置４用の検査プログラム１００，１０２には、基板Ｐおよびその基板Ｐ上の実装ポイントを特定するための情報として実装装置３と共用される特定のロケーション情報（例えば基板ＩＤ番号および回路番号）が含まれる。 - 特許庁

This defective shrink package detecting device 1 is provided with: a means 5 for detecting and specifying individually an item P to be packaged transferred one after another by a transferring means 3; and a film detecting means 6 for detecting a heat shrink film F which swells up around the item P.例文帳に追加

シュリンク包装不良検出装置１は、搬送手段３によって１個ずつ順に搬送される被包装物Ｐを個々に検出して特定する被包装物検出手段５と、被包装物Ｐの周りに膨張する熱収縮性フィルムＦを検知するフィルム検出手段６を備える。 - 特許庁

Since the other straight tube part 3b of the U-shaped cold cathode tube 3 is engaged with a position shifted to right or left by a variation amount of a bending pitch P at the landscape coronoid engaging part 4c, and tolerance of the bending pitch P is absorbed, cost reduction can be aimed at by eliminating a lamp holder.例文帳に追加

Ｕ字状冷陰極管３の他方の直管部３ｂが横長鉤状係合部４ｃにおいて曲げピッチＰのバラツキ分だけ左右いずれかに位置をずらして係合され、曲げピッチＰの公差が吸収されることになるので、ランプホルダーを抹消してコストダウンを図れる。 - 特許庁

The time setting part 5 is designed such that: the first light source 2 starts irradiating a plant P with red light before sunset; and then, the second light source 3 starts irradiating the plant P with far-red light irradiation after the completion of the red light irradiation.例文帳に追加

ここで、時間設定部５は、第１の光源２が日没前の時間帯から作物Ｐに対して赤色光の照射を開始し、第１の光源２が赤色光の照射を終了すると、第２の光源３が作物Ｐに対して遠赤色光の照射を開始するよう設定されている。 - 特許庁

Protruded pieces 2 nipped between a column (p) and a horizontal frame member or a sill (m) are installed in the middle of main tabular clamp bodies 1 designed so as to fix one side of the clamp to a column (p) and the other side to the horizontal frame member or the sill (m) respectively by fixing rods 3 such as nails or bolts.例文帳に追加

一側を柱ｐに、他の一側を横架材又は土台ｍにそれぞれ釘やボルトなどの止着杆３を用いて止着するようにした平板状のかすがいの主体板１の中間部に、前記柱ｐと横架材又は土台ｍとの間に挟挿する突片２を設ける。 - 特許庁

Each rib part 3 of the V-ribbed belt with cogs having several lines of V-shape rib in the longitudinal direction thereof is formed with a cog crest part 2 with the same pitch, and the cog crest pitch P between each lines of the rib is arranged with a phase difference S obtained by dividing the cog crest pitch P with the number K of lines.例文帳に追加

長手方向に複数列のＶ形リブ条を有するコグ付Ｖリブドベルト1のリブ条部３に同一ピッチのコグ山部２を形成すると共に、各列間のコグ山ピッチＰの位相差Ｓを、コグ山ピッチＰを列数Ｋで除した位相差Ｓで配置する。 - 特許庁

Some p-type base regions 12 of the p-type base regions 10 and 12 without any n-type source region 3 are electrically connected with an emitter electrode 7 via contact holes 11 provided in the vicinity of the terminal ends of the trenches 21 and provided on the both sides of a gate runner 14 in an active region.例文帳に追加

そして、ｎ型ソース領域３のないｐ型ベース領域１０，１２のうちの一部のｐ型ベース領域１２とエミッタ電極７とを、トレンチ２１の終端部近傍と活性領域内のゲートランナー１４の両脇にそれぞれ設けたコンタクトホール１１を介して、電気的に接続する。 - 特許庁

It is made possible to carry a tip part P to the inside diametrical side or the outside diametrical side along the guide grooves 1a, 2a by rotating the carrier disc 3 in a state of engaging upper and lower end parts of the tip part P with the guide grooves 1a, 2a and engaging a central part with the slit holes 3a.例文帳に追加

チップ部品Ｐの上下端部をガイド溝１ａ，２ａに係合させ、かつ中央部をスリット穴３ａに係合させた状態で、搬送円板３を回転させることにより、チップ部品Ｐをガイド溝１ａ，２ａに沿って内径側または外径側へ搬送可能とした。 - 特許庁

A supporting member 10 furnished with a linear motion piston type hydraulic damper 20 extending in the car widthwise direction is erected on a part Pa above a center of gravity of a strut housing 3 and a power unit P in the power unit supporting structure of an automobile on which the power unit P is supported on a car body through a mount rubber.例文帳に追加

パワーユニットＰがマウントラバーを介して車体に支持される自動車のパワーユニット支持構造において、ストラットハウジング３とパワーユニットＰの重心より上方の部分Ｐａに、車幅方向に延在する直動ピストン形油圧ダンパ２０を具備する支持部材１０を架設する。 - 特許庁

In the device, the length Ls of the Schottky diode defined by the length of a portion existing on the n-type drift layer 2 of a Schottky electrode 11 is 20-60% of the length Lm of a MOSFET constituted of a p-type body region 3 and a depletion region 5, or of a p-type region and a trench region.例文帳に追加

ショットキー電極１１のｎ型ドリフト層２上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さＬｓが、ｐ型ボディ領域３とデプレッション領域５またはｐ型ボディ領域とトレンチ領域とからなるＭＯＳＦＥＴ部の長さＬｍの２０％〜６０％である。 - 特許庁

An inverter 1 of a CMOS constitution consists of a transistor 2, which is formed into a triple well and is provided in an N-type well 5 formed in a P-type semiconductor substrate 4, and a transistor 3, which is provided in a P-type well 6 formed in the well 5.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構成のインバータ１は、３重ＷＥＬＬに形成され、Ｐ形半導体基板４上に形成されたＮ−ＷＥＬＬ５中に設けられたトランジスタ２と、Ｎ−ＷＥＬＬ５上に形成されたＰ−ＷＥＬＬ６中に設けられたトランジスタ３とからなる。 - 特許庁

In a shift lever device 10, the number of part items is reduced and the shift lever device 10 itself can be miniaturized in a structure by using the same operation (the select operation operable in a [P'-P] position and a [D-3] position) in common by a single select operation detection switch 44.例文帳に追加

シフトレバー装置１０において、同一の操作（「Ｐ’−Ｐ」位置及び「Ｄ−３」位置で操作可能なセレクト操作）を、単一のセレクト操作検出スイッチ４４によって兼用することで構造上、部品点数の削減、シフトレバー装置１０自体の小型化を図ることができる。 - 特許庁

Further, in the injection molding mold 1, the gates 3 are disposed at positions where correspond with the vicinity of both ends of the light guide plate piece P in the longitudinal direction, and the cavities 2 are formed in shapes with gradually changing thicknesses so as to mold wedge-shaped light guide plate pieces P.例文帳に追加

さらに、本発明の射出成形金型１は、ゲート３が、導光板ピースＰの長手方向の両端部近傍と対応する位置に配置されており、また、キャビティ２がクサビ状の導光板ピースＰを成形し得るよう漸次厚さを異ならせた形状に形成されている。 - 特許庁

In order to attain a smooth rolling of the roller 3 under these conditions (light radial load), the number (Z) of the cylindrical rollers is set so that a basic static rated load Cor' of the bearing has a relation of P>0.04 Cor' relative to the radial load P.例文帳に追加

このような使用条件（軽ラジアル荷重）下における円筒ころ３の円滑な転動を確保するため、当該軸受の基本静定格荷重Ｃｏｒ’が上記ラジアル荷重Ｐに対してＰ＞０．０４Ｃｏｒ’となるように円筒ころの本数（Ｚ）が設定されている。 - 特許庁

An outward end surface 15 in the diameter direction of a small-diameter annular part 12 of a cage 10 is located more inwardly in the diameter direction than a pitch conical surface P of the tapered roller 3, while an inward end surface 16 in the diameter direction of a large-diameter annular part 13 is located more outwardly in the diameter direction than the pitch conical surface P.例文帳に追加

保持器１０の小径環状部１２の径方向外方の端面１５を、円錐ころ３のピッチ円錐面Ｐよりも径方向の内方に位置させ、大径環状部１３の径方向内方の端面１６を、ピッチ円錐面Ｐよりも径方向の外方に位置させる。 - 特許庁

The sintered material of phosphor bronze composite comprises including 0.01-0.5% P and 3-10% Sn as essential elements, and (a) 1% or less Pb, 1% or less Bi, 2% or less Ag and/or 8% or less Ni, as needed, and that grain sizes equivalent to an average circle are 5-50 μm.例文帳に追加

０.０１〜０.５％のP及び３〜１０％のSnを必須元素として含有し、必要により（ａ）１％以下のPb， １％以下のBi，２％以下のAg，及び／または８％以下のNiを含有し、平均円相当の結晶粒径が５〜５０μmであるリン青銅複合焼結材。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁

A lighting device comprises a body 2 having a light source 4 for lighting downwardly which is mounted to an opening O formed in the ceiling P, and a ceiling forming member 3 having a ring-shape, wherein an inner periphery of the ceiling forming member is fitted into a space between the body 2 and a lower face Pa of the ceiling P.例文帳に追加

天井Ｐに設けた開口部Ｏに取り付けられかつ下方を照明する光源４を具えた照明具本体２と、リング状をなしかつ内周部３ａを前記照明具本体２と天井Ｐの下面Ｐａとの間で挟まれる天井造作材３とを有する。 - 特許庁

An n-channel FET 3 comprises: the high-concentration n-type semiconductor layers 22 forming source/drain; the high-concentration p-type semiconductor layer 33 forming a gate; a low-concentration n-type semiconductor layer 21 under the high-concentration p-type semiconductor layer 33; the first electrode layer 41; and the second electrode layers 42.例文帳に追加

ｎチャネルＦＥＴ３は、ソース／ドレインを形成する高濃度ｎ型半導体層２２と、ゲートを形成する高濃度ｐ型半導体層３３と、その下方に形成された低濃度ｎ型半導体層２１と、第１電極層４２と、第２電極層４２とを備える。 - 特許庁

A plurality of N-type emitter layers 5 are formed in well in the lengthwise direction of the P-type base layer 2 separated into a stripe by the trench 3, while a cathode electrode is formed so as to be connected electrically to the surface of the P-type base layer 2 and the surface of the N-type emitter layer 5.例文帳に追加

トレンチ３によりストライプ形に分離されたＰ型ベース層２の長手方向に沿って複数のＮ型エミッタ層５をウエル状に形成し、Ｐ型ベース層２の表面及びＮ型エミッタ層５の表面に対して共に電気的に接続するようにカソード電極を形成する。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

In this case, a waving eliminating means 7 (7a) provided between the waving means 1 (2, 3) and the conveying means 4 (5, 6) is brought into pressure-contact with the lower surface of the sheet P conveyed by the conveying means 4 (5, 6) while being pulled, and therefore waving of the sheet P is eliminated.例文帳に追加

そして、この際、波打ち手段１（２，３）と搬送手段４（５，６）との間に設けられた波打ち解消手段７（７ａ）を、搬送手段４（５，６）により引っ張られながら搬送されるシートＰの下面に圧接させることにより、シートＰの波打ちを解消する。 - 特許庁

An operation reaction time is known by information from the centroid meter 2 and the electromyograph 3 for detecting the activity of the muscle M of the subject P, and centroid control mobility about the centroid movement of the subject P is calculated based on a time parameter based on the operation reaction time.例文帳に追加

重心計２と、被検者Ｐの筋肉Ｍの活動を検出する筋電計３とからの情報によって動作反応時刻が判り、動作反応時刻に基づく時間パラメータに基づいて被検者Ｐの重心移動に関する重心制御運動能力を算出することができる。 - 特許庁

The light projecting device comprises a polarized light separating device 3 which separates non-polarized light emitted from a light source 1 into s-polarized light and p-polarized light, where the s-polarized light and the p-polarized light are projected as vertically polarized light and/or horizontally polarized light.例文帳に追加

本発明は光源１から照射する非偏光光をｐ偏光とｓ偏光とに分離する偏光分離手段３を有し、ｐ偏光とｓ偏光とを垂直偏光及び／又は水平偏光として照射することを特徴とする投光装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子５００は、厚さｔ_1 が５００μｍのサファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−コンタクト層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−クラッド層６、発光層７、ｐ−クラッド層８およびｐ−第１コンタクト層９ａが順に積層されてなる。 - 特許庁

When the open/close detecting means 14 detects the closed state of the retainer 12 after a specified time lapsed from the end of the reading operation of the original P, the imaging unit 9 receives the light from the retainer 13 via the optical system to detect the existence of the original P on the transparent plate 3.例文帳に追加

原稿Ｐの読取動作が終了し所定時間が経過した後であって、開閉検知手段１４が原稿押さえ１２の閉じた状態を検知したとき、固体撮像部９は押さえ部１３からの光を光学系を通じて受光し、透明板３上の原稿Ｐの有無を検知する。 - 特許庁

The end of a stud 1 unit for a clamp 10 is welded and fixed to the surface of a H-steel 31 of a soil pile, the clamp 10 is covered with a foamed polyethylene cylinder P having an outer diameter equal to the inner diameter of a desired through hole 50 and a separator 3 and a form tie are connected to each other in the cylinder P.例文帳に追加

締付け金具１０のスタッド１単体の端部をソイルパイルのＨ型鋼３１の表面に溶接で固定し、締付け金具１０に所望の貫通孔５０の内径に等しい外径の発泡ポリエチレンの筒Ｐを被せ、筒Ｐ内でセパレータ３とフォームタイを接続する。 - 特許庁

In the formula, R1 is a 1-12C non- hydrolyzable organic group, X is a hydrolyzable group and (p) is an integer of 0-3.例文帳に追加

（Ａ）一般式（１）で示される加水分解性シラン化合物およびその加水分解物あるいはいずれか一方の化合物 （Ｒ^1）_PＳｉ（Ｘ）_4-P （１） ［一般式（１）中、Ｒ^1は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。 - 特許庁

The laser displacement gage 3 is arranged in the upper part of the vessel 5 mounted on the stage 4 and has a second light projecting part 3a outputting the projection light P from the upper part of the vessel 5 to the vessel 5 and a second light receiving part 3b receiving the reflection light P from the vessel 5.例文帳に追加

レーザー変位計３は、ステージ４上に載置される容器５の上方に配設されており、容器５上方から投射光Ｐを容器５に向けて出力する第２投光部３ａと、容器５からの反射光Ｒを受光する第２受光部３ｂとを有している。 - 特許庁

In a floor heater, a blower unit 2 with a blower 1 and a heat exchanger unit 2 with a heat exchanger 3 are interlinked near a wall W1 without window of a free access floor where panels P are spread all over and are housed into a floor surface by being replaced with the panels P.例文帳に追加

本発明の床暖房装置では、パネルＰが敷き詰められたフリーアクセスフロアの窓のない壁Ｗ1の近傍に、送風機１を備えた送風機ユニット２と熱交換器３を備えた熱交換器ユニット４とが互いに連結され、パネルＰと取り替えることにより床面に収納されている。 - 特許庁

The guide member 3 is constituted to make at least its inner face 31 expandable radialiy along an outer surface of the inspected material P, and is formed into a shape to make the minimum inside diameter D3 under the condition where the inspected material P is not inserted, smaller than an inside diameter D2 of the bobbin 2.例文帳に追加

案内部材３は、少なくともその内面３１が被検査材Ｐの外表面に沿って径方向に伸縮自在に構成されていると共に、被検査材Ｐが挿通されていない状態での最小内径Ｄ３がボビン２の内径Ｄ２よりも小さい形状とされている。 - 特許庁

This base rod apparatus 1 is composed of a base rod body 2; a support frame 3 stuck to the base rod body 2; a lower pedestal 4 and an upper pedestal 5 for supporting the base rod body 2 to the concrete pole P; and a pulley block 6 for winding a rope 7 for hoisting an upper cut pole P1 of the concrete pole P.例文帳に追加

台棒本体２と、これに固着された支持枠３と、台棒本体２をコンクリート柱Ｐに支持するための下部台座４及び上部台座５と、コンクリート柱Ｐの上部切断柱Ｐ１を吊り上げるロープ７を掛け回す滑車装置６とから台棒装置１を構成する。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is constituted by laminating a buffer layer 2, undoped GaN layer 3, n-GaN contact layer 4, n-InGaN crack preventing layer 5, n-AlGaN clad layer 6, light emitting layer 7, p-AlGaN clad layer 8, and p-GaN contact layer 9 upon another in this order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８およびｐ−ＧａＮコンタクト層９が順に積層されてなる。 - 特許庁

In addition to a suction means 3 for sucking the semiconductor wafer W and probe terminals P or the like held by a cassette C housed in inspection equipment main body 2 by a negative pressure, a fluid pressurizing means 4 for pressurizing the semiconductor wafer W and the probe terminals P or the like by pressure fluid A is provided.例文帳に追加

検査装置本体２に収容したカセットＣに保持された半導体ウェーハＷとプローブ端子Ｐ…を負圧により吸引する吸引手段３に加えて、半導体ウェーハＷとプローブ端子Ｐ…を圧力流体Ａにより加圧する流体加圧手段４を設ける。 - 特許庁

By this configuration, a punch-through voltage V_PT of the P-type well 8 disposed between the deep N-type base layer 32 and the N-type epitaxial layer 3 can be set to be lower than an operation voltage V_t1 of a parasitic lateral bipolar transistor 42 composed of the source layer 12, the P-type well 8 and the drain layer 13.例文帳に追加

これにより、ディープＮ型ベース層３２とＮ型エピタキシャル層３との間に配置されたＰ型ウェル８のパンチスルー電圧Ｖ_ＰＴを、ソース層１２、Ｐ型ウェル８及びドレイン層１３からなる寄生横バイポーラトランジスタ４２の動作電圧Ｖ_ｔ１よりも低くする。 - 特許庁

The fabric mass holder 3 comprises a suction nozzle 7 being brought into contact with the peripheral face of the fabric mass P, and a negative pressure feeding source 8 for feeding a negative pressure to the suction nozzle 7, and sucks and holds the fabric mass P by a negative pressure force acting on a suction hole 12 of the suction nozzle 7.例文帳に追加

生地塊ホルダー３は、生地塊Ｐの周面に接当する吸着ノズル７と、吸着ノズル７に負圧を供給する負圧供給源８とを含み、吸着ノズル７の吸着口１２に作用する負圧力で生地塊Ｐを吸着保持する。 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、ｎピラー層３、ｐピラー層４、ｎピラー層２１、ｐピラー層２２のうち、連続して配列された３層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

Other theories argue public transmission rights and copyright holder's moral rights such as rights of preserving the integrity and of indication of author's name separately, depending on the method of setting up a link (see p.243- and p.250 of "Information, Order, Network, Hokkaido University Library III ("Joho, Chitsujo, Network, Hokkaido Daigaku Library 3" in Japanese)" by Yoshiyuki Tamura). 例文帳に追加

さらに、リンク態様に応じて、公衆送信権、氏名表示権及び同一性保持権等の著作者人格権侵害を分けて検討する見解もある（田村善之編「情報・秩序・ネットワーク、北海道大学法学部ライブラリー３」 243頁及び 250頁以下）。 - 経済産業省

(3) Subsidization by central government (one half) of the cost of post-disaster recovery project on guidance and consultation facilities, etc. operated for the benefit of SMEs by societies of commerce and industry and similar organizations (See p. 190.) 例文帳に追加

③ 商工会等の中小企業者のための指導・相談施設等の災害復旧事業にかかる費用に対して、国が1/2を補助を実施し、被災された中小企業等のグループ、事業協同組合等の施設の復旧・整備、修繕に対する支援を行う。（継続）（p.190参照） - 経済産業省

A grinding mechanism 1 grinding and finely dividing block- shaped foamed styrol P, an oiling tank 2 heating and melting the foamed styrol P finely divided by the grinding machine and a gasifying device 3 further heating and evaporating the foamed styrol molten liquid L obtained in the oiling tank 2 to gasify the same are provided.例文帳に追加

ブロック状の発泡スチロールＰを粉砕，細分化する粉砕機構１と、この粉砕機構１で細分化された発泡スチロールＰを加熱溶融する油化槽２と、この油化槽２で得られた発泡スチロール溶融液Ｌをさらに加熱蒸発させてガス化するガス化器３とを備える。 - 特許庁