「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

Each or Ar^1, Ar^2 and Ar^3 is a 5-14C cyclic group; each of L^1 and L^2 is a single bond or a connecting group having divalency; p represents an integer of any one of 0 to 2.例文帳に追加

Ａｒ^1、Ａｒ^2およびＡｒ^3はそれぞれ独立して炭素数５〜１４の環状基を表し、Ｌ^1およびＬ^2はそれぞれ独立して、単結合または二価の連結基を表し、ｐは０〜２のいずれかの整数を表す。 - 特許庁

The plug 4 includes electrodes for connecting wires W, the body 2 for holding them and the shell 3 covering them; and in the body 2 and the shell 3, projections and body engagement edges formed at right and left ends thereof are engaged with each other (engagement parts P).例文帳に追加

プラグ４は、電線Ｗを接続する電極と、これを保持するボディ２と、これらを覆うシェル３を有し、ボディ２とシェル３はこれらの左右端に設けられた突起とボディ係合縁とが係合されている（係合部分Ｐ）。 - 特許庁

The joined part P of the main reinforcing bars (3 and 4) to the steel framed plate 2 is arranged to screw a plurality of the main reinforcing bars 3 of a lateral member to a pair of iron thick plates welded Q on both ends of the steel framed plate 2.例文帳に追加

また、鉄骨プレート２に対する主鉄筋（３，４）の接合部Ｐは、当該鉄骨プレート２両端に溶接Ｑされた一対の厚鉄板５それぞれに対し横部材の複数の主鉄筋３をねじ込み配置して成る。 - 特許庁

In the division method of a nitride semiconductor wafer, having a process for cleaving the nitride semiconductor wafer for obtaining a nitride semiconductor element 1, where a p electrode 10 is laminated on a nitride semiconductor layer 3, the p electrode 10 is pressed down to the nitride semiconductor layer 3 by an electrode hold-down film 51, before the process of cleaving the nitride semiconductor wafer.例文帳に追加

窒化物半導体層３上にｐ電極１０を積層してなる窒化物半導体素子１を得るための窒化物半導体ウエハを劈開する工程を備えた窒化物半導体ウエハの分割方法において、窒化物半導体ウエハを劈開する工程の前に、ｐ電極１０を電極押込膜５１で窒化物半導体層３に押さえ込む。 - 特許庁

In detail, the N type thermoelectric thin film layer 3, the insulating thin film layer 5, the P type thermoelectric thin film layer 7 and the electrode thin film layer 9 are conductive thin films manufactured by a vapor deposition process, and the N type thermoelectric thin film layer 3 is electrically connected to the P type thermoelectric thin film layer 7 by the electrode thin film layer 9 at a side end thereof.例文帳に追加

詳しくは、Ｎ型熱電薄膜層３、絶縁薄膜層５、Ｐ型熱電薄膜層７、電極薄膜層９は、気相成長プロセスによって作製された導電薄膜であり、Ｎ型熱電薄膜層３とＰ型熱電薄膜層７とは、その側端部にて電極薄膜層９により電気的に接続されている。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 52 is formed in an n^--type semiconductor layer 2 in a high potential island region 201 partitioned by a p-type impurity region 3, and first field plate 55a-55e and a plurality of second field plates are formed in multiplex above the n^--type semiconductor layer 2 between the n^+-type impurity region 52 and the p-type impurity region 3.例文帳に追加

ｐ不純物領域３で区分された高電位島領域２０１内のｎ^-半導体層２にはｎ^+不純物領域５２が形成されており、ｎ^+不純物領域５２とｐ不純物領域３との間のｎ^-半導体層２の上方には第１フィールドプレート５５ａ〜５５ｅと複数の第２フィールドプレートとが多重に形成されている。 - 特許庁

The number of p-type field relaxation regions 24n arranged in the corner area of the cell region 2 from the inside toward the outside of the outer peripheral region 3 is set larger than the number of the p-type field relaxation regions 24n arranged along each side of the cell region 2 from the inside toward the outside of the outer peripheral region 3.例文帳に追加

セル領域２の各辺に沿って配設され外周領域３の内側から外側に向かって配列されるｐ型電界緩和領域２４ｎの配列個数に対して、セル領域２のコーナー領域に配設され外周領域３の内側から外側に向かって配列されるｐ型電界緩和領域２４ｎの配列個数が多く設定される。 - 特許庁

This paper feeding cassette 1 comprises a plate 3 where multiple sheets of paper P is placed, a turning shaft 11 fixed to a plate rear end 3b, a slide groove 12 where the turning shaft 11 is vertically slidably fitted, springs 5a, 5b to upwardly energize the plate 3, and a pair of separating jaws 8a, 8b to separate the topmost paper P one by one.例文帳に追加

給紙カセット１は、複数枚の用紙Ｐを載置するプレート３、プレート後端３ｂに固設された回動軸１１、この回動軸１１を上下にスライド可能に嵌入したスライド溝１２、プレート３を上方に付勢するバネ５ａ、５ｂ、および最上端の用紙Ｐを１枚ずつ分離する一対の分離爪８ａ、８ｂを有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a pair of substrates, a liquid crystal 3 held in the gap therebetween, electrodes P formed on one of the substrates, and a driving means for applying to the liquid crystal a lateral electric field along the surface direction of the substrate via the electrodes P, and controls the alignment state of the liquid crystal 3 by the lateral electric field to display.例文帳に追加

液晶表示装置は、一対の基板と、その間隙に保持された液晶３と、片方の基板に形成された電極Ｐと、電極Ｐを介して基板の面方向に沿った横方向電界を液晶に印加する駆動手段とを有し、横方向電界により液晶３の配向状態を制御して表示を行う。 - 特許庁

The high strength cold rolled steel sheet has a composition comprising 0.0003 to 0.04% C, ≤1.5% Si, 0.4 to 3% Mn, ≤0.15% P, ≤0.02% S, 0.1 to 1% sol.Al and ≤0.01%例文帳に追加

本発明の高強度冷延鋼板は、C：0.0003〜0.04％、Si：1.5％以下、Mn：0.4〜3％、P：0.15％以下、S：0.02％以下、sol.Al：0.1〜1％、N：0.01％以下を含有し、さらにNb：0.2％以下、Ti:0.2％以下のうち1種以上（もしくはNb：0.2％以下、Ti:0.2％以下、V：0.5％以下、Mo：0.5%以下のうち1種以上）を含有し、残部はFe及び不可避的不純物であり、0.6≦(Nb/93＋0.8×Ti^*/48)／(C/12)≦5（もしくは0.6≦(Nb/93＋0.8×Ti^*/48＋0.3×V/51＋0.3×Mo/96)／(C/12)≦5）とする。 - 特許庁

A discharging surface 2 of the ion generating element 1 is tilted and provided so that an upper stream side is closer to the installation board 3 and a lower stream is more away from the installation board 3 in relation to a flow path P of air, and so that an apex A of a tilt angle θ in relation to the flow path P of air is positioned on an upper stream side.例文帳に追加

空調装置において、イオン発生素子１の放電面２は、空気の流路Ｐに対して上流側が設置板３に近く、下流側が設置板３から遠ざかるように設置されており、空気の流路Ｐに対する傾斜角θの頂点Ａが上流側に位置するように、放電面２を傾けて設置されている。 - 特許庁

This solid-state imaging element includes: avalanche photodiodes each having a structure including an n+ region 2 and a p+ region 3 each formed by extending in the thickness direction of a semiconductor substrate 7, and an avalanche region 4 interposed between the n+ region 2 and the p+ region 3; and a pixel repeatedly including the plurality of structures of the avalanche photodiodes.例文帳に追加

それぞれ半導体基体７の厚さ方向に延びて形成された、ｎ^＋領域２と、ｐ^＋領域３と、ｎ^＋領域２とｐ^＋領域３とに挟まれているアバランシェ領域４とを有する構造のアバランシェフォトダイオードと、このアバランシェフォトダイオードの構造を複数個繰り返し含む画素を含む固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with a trench 3 formed in an n-type well region 2a of an epitaxial layer 2, an embedded electrode 5 formed inside the trench 3, and a bidirectional zener diode which is formed in a p^--type region 2b of the epitaxial layer 2 and is composed of a plurality of n^+-type diffusion regions 7 and p^+-type diffusion regions 8.例文帳に追加

この半導体装置２０は、エピタキシャル層２のｎ型ウェル領域２ａに形成されたトレンチ３と、トレンチ３の内面上に形成された埋め込み電極５と、エピタキシャル層２のｐ^-型領域２ｂに形成され、複数のｎ^+型拡散領域７およびｐ^+型拡散領域８によって構成された双方向ツェナーダイオードとを備えている。 - 特許庁

The silencer 10 is provided with a microphone 21 placed at a position where sound pressure at a position a specified distance Δx spaced backward from an open end P of a bell 3 can be detected while a primary silencer body 11 is mounted in the bell 3, and provided with a speaker 22 at a position a distance Δx spaced forward from the open end P.例文帳に追加

消音器１０において、消音器本体１１が朝顔３に装着された状態において朝顔３の開放端Ｐから後方に所定距離Δｘだけ離れた位置の音圧を検出可能な位置にマイクロフォン２１が設けられており、開放端Ｐから前方に距離Δｘだけ離れた位置にスピーカ２２が設けられている。 - 特許庁

The oxidation device for the surfaces of workpieces P includes: an ozone water treatment tank 1; an ozone water feeder 2; and a plurality of fixing holders 3 holding workpieces P in the ozone water treatment tank 1, wherein in the ozone water treatment tank 1, a plurality of jet nozzles 4 as jet means of an ozone oxidation accelerator Q are provided corresponding to the respective fixing holders 3.例文帳に追加

ワークＰの表面の酸化装置は、オゾン水処理槽１と、オゾン水供給装置２と、このオゾン水処理槽１内でワークＰを保持する複数の固定用保持具３とを有し、このオゾン水処理槽１内には、それぞれの固定用保持具３に対応してオゾン酸化促進剤Ｑの噴射手段たる噴射ノズル４が複数設けられている。 - 特許庁

When a user P or a portable device 3 enters a working space α, an ID tag 5 is read for the detection of the user P or portable device 3 entering the working space α, and the detection is notified to a connection interface public server 2 and a coordination server 9 respectively for managing and linking a connection interface of accompanying computing resources.例文帳に追加

作業空間αに利用者Ｐや携帯機器３が入室すると、ＩＤタグ５の読み取りによって作業空間αに入室した利用者Ｐや携帯機器３が検知されて、これらが有する計算リソースの接続インタフェースを管理する接続インタフェース公開サーバ２及び連携処理を行うコーディネーションサーバ９に通知される。 - 特許庁

In the process of successively forming layers of a light reflecting film 2, transparent resin layer P, color layer 3, overcoat layer 4, transparent electrode 5 and alignment layer 6 on a glass substrate 1 in the liquid crystal display (A), the area of the transparent resin layer P with respect to the light reflecting film 2 is varied in accordance with the respective color layer 3.例文帳に追加

液晶表示装置Ａにおいて、ガラス基板１上に光反射膜２と透明樹脂層Ｐと着色層３とオーバーコート層４と透明電極５と配向膜６とを順次積層するに当り、透明樹脂層Ｐに対し個々の着色層３に対応して、透明樹脂層Ｐの光反射膜２に対する被着面積を異ならしめる。 - 特許庁

The system 1 has an ultrasonic probe 5 for transmitting an ultrasonic wave for inspection to the rail 3; a laser Doppler vibrometer 7 having a laser projecting/receiving part 7a for irradiating laser light to a reception point P on the rail 3 surface, for measuring ultrasonic vibration at the reception point P; and a robot arm 19 for moving the laser projecting/receiving part 7a.例文帳に追加

このシステム１は、レール３に検査用超音波を発信する超音波探触子５と、レール３表面の受信点Ｐにレーザ光を照射するレーザ投受光部７ａを有し、当該受信点Ｐにおける超音波振動を測定するレーザドップラー振動計７と、レーザ投受光部７ａを移動させるロボットアーム１９とを備えている。 - 特許庁

The method for coating a steel work includes a coating process for coating the surface of the work 3 with the coating material P by the electrostatic induction and a high-frequency induction heating process in which the coated work 3 is subjected to the high-frequency action to heat the coating material P from the inside to coagulate/dry it.例文帳に追加

また本発明の鋼製ワークの塗装方法は鋼製ワーク３の表面に粉体塗料Ｐを静電誘導作用により塗布する塗料塗布工程と、粉体塗料Ｐが塗布された鋼製ワーク３に高周波を作用させ、内側から粉体塗料Ｐを加熱し、凝固、乾燥させる高周波誘導加熱工程とを備えている - 特許庁

When an ACF 3 stuck on a predetermined position of a side of a display substrate P conveyed by a conveyance unit is imaged to inspect a sticking state of an ACF, the display substrate P is imaged during conveyance after sticking the ACF 3, fluctuation in an ACF image obtained by imaging during the conveyance is corrected, and an imaging unit images an imaging region SH including the ACF 3 stuck on the predetermined position.例文帳に追加

搬送手段によって搬送される表示基板Ｐの辺の所定位置に貼付けたＡＣＦ３を撮像しＡＣＦ貼付け状態を検査する際に、前記ＡＣＦ３を貼付け後に前記表示基板Ｐを搬送中に撮像し、搬送中の撮像によって得られたＡＣＦ画像の揺らぎを補正し、撮像手段は所定位置に貼付けたＡＣＦ３を含む撮像領域ＳＨを撮像する。 - 特許庁

An image display panel 11 is provided in a vertical direction to the incident optical axis P movably, is moved to a position overlapping with the lens unit 3 in an optical axial direction when the lens unit 3 is moved forward, and is moved to a position that does not overlap with the lens unit 3 in the optical axial direction when the lens unit 3 is moved backward.例文帳に追加

画像表示パネル１１は、入射光軸Ｐに対して直交方向に移動自在に設けられ、レンズユニット３が前方に移動された際には光軸方向においてレンズユニット３と重なる位置に移動され、レンズユニット３が後方に移動された際には光軸方向においてレンズユニット３と重ならない位置に移動される。 - 特許庁

The concentration of catalyst metal in the CG silicon film 14 is 1×10^13 atoms/cm^3 or more and 1×10^15 atoms/cm^3 or less, and the concentration of catalyst metal in the p-Si film 15 for a display part is made lower than the concentration of catalyst metal in the CG silicon film 14b for a peripheral driving circuit.例文帳に追加

上記ＣＧシリコン膜１４中の触媒金属の濃度が１×１０^13ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上かつ１×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3未満の範囲内であり、表示部用ｐ−Ｓi膜１５中の触媒金属の濃度を周辺駆動回路用ＣＧシリコン膜１４ｂ中の触媒金属の濃度よりも低くする。 - 特許庁

This image forming apparatus has a photosensitive drum 1 transferring an image onto the sheet P, an image roller 4 and a pressure roller 5 for fixing the image transferred to the sheet P to the sheet, and a conveyor portion 2 and a guide plate 3 constituting the sheet conveyor portion between the photosensitive drum 1.例文帳に追加

画像形成装置は、用紙Ｐに画像を転写する感光ドラム１と、用紙Ｐに転写された画像を用紙に定着させる画像ローラ４及び加圧ローラ５と、感光ドラム１と画像ローラ４及び加圧ローラ５との間に用紙搬送部を構成する搬送部２及びガイド板３とを備えている。 - 特許庁

The fray preventing sheet 1 for a banner P to be attached to a corner part L of the banner P for preventing fray at the corner part L includes a transparent film, and a release sheet 3 stuck to one surface of the film through an adhesive layer 2.例文帳に追加

のぼり旗Ｐのコーナー部Ｌのほつれを防止するために当該コーナー部Ｌに取り付けるのぼり旗Ｐのほつれ防止シート１であって、該ほつれ防止シート１を、透視性を有するフィルムによって形成し、この片面に、粘着剤層２を介して剥離シート３を貼着して構成する。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

The post-treatment device 200 related to this invention comprises a carrying direction changing portion 1 changing a carrying direction of output paper P to a direction orthogonal to a carrying-in direction; and trays 2, 3 storing the output paper P after changing the carrying direction.例文帳に追加

本発明に係る後処理装置２００は、出力用紙Ｐの搬送方向を、その搬送面内にて、その搬入方向と直交する方向に切り換える搬送方向切換部１と；搬送方向切換後の出力用紙Ｐを収納するトレイ２、３と；を有して成る構成としている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device main part 12 comprises a tunnel oxide film 2 laminated on the surface of the P well 9, a floating gate 3, a capacitance insulating film 5 and a control gate 4, and a drain diffused layer 6 and a source diffused layer 7 formed in the surface of the P well 9 in both side positions thereof.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置主部１２は、Ｐウエル９の表面に積層したトンネル酸化膜２、浮遊ゲート３、容量絶縁膜５および制御ゲート４と、これらの両側位置でＰウエル９の表面に形成したドレイン拡散層６およびソース拡散層７とからなる。 - 特許庁

The joining part P of the upper casing 2 and the lower casing 3 is extended by the upper projection part 2 and the lower projection part 32, and the intermediate member 4 is welded on the upper projection part 22 and the lower projection part 32 at a position out of the joining part P.例文帳に追加

そして、上部突出部２２および下部突出部３２により上部ケーシング２および下部ケーシング３の接合部Ｐが延長されると共に、この接合部Ｐから外れた位置にて中間部材４が上部突出部２２および下部突出部３２に対してそれぞれ溶接される。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 includes P^--type drift layers 7 and N^--type resurf layers 8 that are alternately disposed on the silicon substrate 2, an N-type base region 9 formed on the drift layers 7 and the resurf layers 8, and P^+-type source regions 10 formed in surface portions of the base region 9.例文帳に追加

半導体層３は、シリコン基板２の上に、交互に配列されたＰ^-型のドリフト層７およびＮ^-型のリサーフ層８、ドリフト層７およびリサーフ層８の上に形成されたＮ型のベース領域９、ならびにベース領域９の表層部に形成されたＰ^+型のソース領域１０を含んでいる。 - 特許庁

When the marginless recording is applied to an end of the material P to be recorded, recording for a prescribed end area (1), which allows for an error of conveyance and the like in terms of the end of the material P, is done per one-time scanning by using a smaller number of nozzles than nozzles used in other areas (2) and (3).例文帳に追加

縁なし記録で被記録材Ｐの端部に対する記録を行なう場合、その端部に関し搬送誤差などを考慮した所定の端部領域 の記録を、１回の走査当り、他の領域 、 で使用する吐出口の数より少ない数の吐出口を用いて記録を行なう。 - 特許庁

This face changeable three-dimensional doll includes the mask member 2 formed by forming the face image 5, a three-dimensional doll 1 having the face part P, and a mounting means 3 such as a magnetic attraction force and an engagement mechanism of a recessed part detachably attaching the mask member 2 onto the face part P of the three-dimensional doll 1.例文帳に追加

顔画像５を形成して成るお面部材２と、顔部分Ｐを備えた立体人形１と、立体人形１の顔部分Ｐに対し、前記お面部材２を脱着可能とする磁気吸着力、凹部の係合機構等の装着手段３とを備える。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

In the state of inhibiting moving by a register roll 6, a transport part 3 takes out a plurality of paper sheets P from a tray 2 and transports the same, respectively, and the position averaging the respective positions of the plurality of paper sheets P measured by a CIS sensor 7 is stored as a reference position corresponding to the tray 2 in a storage part 13.例文帳に追加

レジロール６による移動を禁止した状態で、搬送部３はトレイ２から複数の用紙Ｐを取り出してそれぞれ搬送し、該複数の用紙ＰについてＣＩＳセンサ７が測定した各位置の平均を、該トレイ２に対応する基準位置として記憶部１３に記憶させる。 - 特許庁

The MOSFET is a non-punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at an end (channel formation region 3b or terminal region 5), a part having a longer trailing pattern of an p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than a center part (body region 3a).例文帳に追加

当該ＭＯＳＦＥＴはノンノンパンチスルー型の素子であり、ｐ型ボディ層３は、端部（チャネル形成領域３ｂまたは終端領域５）に中央部（ボディ領域３ａ）よりもｐ型不純物濃度プロファイルのｎ型ドリフト層２の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁

The actuator 87 is displaced by the touch of the arms 87b, 87c on the passing paper sheet P, and when the arms are displaced by the paper sheet P directed to a face-up tray 3, the state of a sensor interference unit 87d is changed from the interference state with the optical path of a light transmission type sensor 88 to the non-interference state.例文帳に追加

アクチュエータ８７は通過する用紙Ｐにアーム８７ｂ、８７ｃが触れることで変位せしめられ、フェイスアップトレイ３に向かう用紙Ｐによって変位する時は、センサ干渉部８７ｄは光透過型センサ８８の光路に干渉の状態から非干渉の状態となる。 - 特許庁

The apparatus for inspecting and sorting characteristics of electronic parts comprises a feeding table part 1, a camera-illuminating part 2, a feeding P&P part 3 which adsorbs these electronic parts one by one from the carrying out position of the electronic parts and carries and arranges them to the delivery position, a measuring part 5, and a parts sorting part 6.例文帳に追加

電子部品特性検査分類装置は、供給テーブル部１と、カメラ・照明部２と、電子部品の搬出位置から前記電子部品を一個づつ吸着し配送位置に搬送配置する供給Ｐ＆Ｐ部３と、測定部５と、部品分類部６を含んでいる。 - 特許庁

This gas generator G comprises a charging tube body 1 for charging gas producing agent P, a storing tube body 2 storing ignition charge 6, and a holder 3 fitted into the charging tube body 1 and storing tube body 2 and sealing the gas producing agent P and ignition charge 6.例文帳に追加

本発明のガス発生器Ｇは、ガス発生剤Ｐを装填する装填筒体１と、着火薬６を収納する収納筒体２と、装填筒体１内及び収納筒体２内の夫々に嵌め込まれ、ガス発生剤Ｐ及び着火薬６とを封じるホルダ３とでなる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。 - 特許庁

It is preferable that ≥80 wt.% of the inflammable matter included in the aggregate raw material P is burned using the tunnel kiln, and that burning of the inflammable matter included in the aggregate raw material P is carried out by utilizing flue gas from the rotary kiln 3.例文帳に追加

骨材原料Ｐに含まれる可燃物の８０重量％以上の燃焼をトンネルキルンを用いて行うことが好ましく、トンネルキルン２における骨材原料Ｐに含まれる可燃物の燃焼を、ロータリーキルン３からの燃焼ガスを利用して行うことが好適である。 - 特許庁

A light reflecting layer 2 consisting of Ag or an Ag alloy is provided between a semiconductor region 3 with light emitting function and having an n-type semiconductor layer 11, an active layer 12, a p-type semiconductor layer 13, and a p-type auxiliary semiconductor layer 14; and a supporting substrate 1 having conductivity.例文帳に追加

ｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とｐ型補助半導体層９とを有する発光機能を有する半導体領域３と導電性を有する支持基板１との間にＡｇ又はＡｇ合金から光反射層２を設ける。 - 特許庁

The intermediate layer 2 containing P or N-type impurities is sandwiched between a silicon layer 1 and a base substrate 3, and the impurities are diffused by a heat treatment in the silicon layer 1 to form the P or N-type impurity layer 4 in the silicon layer 1.例文帳に追加

Ｐ型またはＮ型の不純物を含む中間層２をシリコン層１と支持基板３との間にはさみ、熱処理によって前記不純物を前記シリコン層１に拡散させて、前記シリコン層１中にＰ型またはＮ型の不純物層４を形成するようにした。 - 特許庁

Since the light-transmitting electrode 20 is formed by adding the niobium by 3% to the titanium oxide, the refractive index to the wavelength of 470 nm is almost equal to that of the p-contact layer 15, and total reflection at an interface between the p-contact layer 15 and the light-transmitting electrode 20 can be avoided mostly.例文帳に追加

透光性電極２０は、酸化チタンに３％のニオブを添加して形成したので、波長４７０ｎｍに対する屈折率がｐコンタクト層１５とほぼ同等となり、ｐコンタクト層１５と透光性電極２０との界面での全反射がほぼ回避できる。 - 特許庁

The hot plate 2 for heating one surface of a stuck object body P, having a pair of substrates F and R opposed to each other across a thermosetting binder S during sticking, has its center portion fixed to a hot plate support 3 at one place so as to stick the stuck object body P by thermocompression bonding.例文帳に追加

１対の基板Ｆ、Ｒを熱硬化性の接合材Ｓを介して対向させた貼合対象体Ｐを熱圧着して貼り合わせるために、貼合時に貼合対象体Ｐの一面を加熱するための熱板２の中央部を熱板支持体３に１箇所で固定する。 - 特許庁

The NMOS switch element 2's N-type source diffusion region 9s and P-type substrate contact diffusion region 7 are arranged such that they are adjacent, and the NMOS protection element 3's N-type source diffusion region 15s and P-type substrate contact diffusion region 20 are arranged such that they are spaced.例文帳に追加

ＮＭＯＳスイッチ素子２のＮ型ソース拡散領域９ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域７は隣接して配置されており、ＮＭＯＳ保護素子３のＮ型ソース拡散領域１５ｓとＰ型基板コンタクト拡散領域２０は間隔をもって配置されている。 - 特許庁

The solar cell further includes: first p-type metal electrodes 7 located above the p-type diffusion regions 3 and formed to embed the insides of the first openings 6; and first n-type metal electrodes 8 located above the n-type diffusion regions 4 and formed to embed the insides of the first openings 6.例文帳に追加

また、ｐ型拡散領域３の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｐ型金属電極７と、ｎ型拡散領域４の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｎ型金属電極８とを備えている。 - 特許庁