「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

When it goes into a reproducing mode, the lens movement control section 40 moves the photographic lens 3 from the photographic position P to the storing position S and stops it by means of the moving mechanism 30.例文帳に追加

また、再生モードになると、レンズ移動制御部４０は、移動機構３０によって撮影レンズ３を撮影位置Ｐから収納位置Ｓに移動して停止する。 - 特許庁

This semiconductor device is formed of the N-type transistors 4 to 6 connected is succession and has a CMOS formed of the N-type transistors 4 to 6 and the P-type transistors 1 to 3.例文帳に追加

この半導体装置は、Ｎ型トランジスタ４〜６がカスケード接続されており、Ｎ型トランジスタ４〜６とＰ型トランジスタ１〜３と、からＣＭＯＳが形成されるものである。 - 特許庁

Figure 3 shows a first constitution example of a data block DB_i 21 corresponding to a unigram element UE_i 12 in which a unigram probability P(W_i) of a word 'w_i' or the like is stored.例文帳に追加

図３は、単語「ｗ_i」のユニグラム確率Ｐ（ｗ_i）などが格納されたユニグラムエレメントＵＥ_i１２に対応するデータブロックＤＢ_i２１の第１の構成例を示している。 - 特許庁

On the primary surface MS, interlayer insulating layers 11 are located between the interface of the p-type base regions 3 with the n-type emitter regions 4 and ends of contact holes 11a.例文帳に追加

主表面ＭＳにおいてｐ型ベース領域３およびｎ型エミッタ領域４の境界とコンタクトホール１１ａの端部との間に層間絶縁層１１が位置している。 - 特許庁

The indium compound semiconductor thin film includes a lamination structure of a p-type indium compound semiconductor thin film 3 and an n-type indium compound semiconductor thin film 2.例文帳に追加

インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。 - 特許庁

Nitrogen gas N/G is jetted through the jetting opening 3a of the gas jetting nozzle 3 when the plasma exited gas P/G is emitted from the plasma jetting nozzle 2.例文帳に追加

プラズマ照射ノズル２からプラズマ励起ガスＰ／Ｇを照射するときに、ガス噴射ノズル３の噴射口３ａから窒素ガスＮ／Ｇを噴射するようになっている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface (surface side) of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

To enable to hold a mounting state strongly, and improve strength of a battery lid 3 even when a force P or Q is added to the battery lid.例文帳に追加

本発明は、電池蓋３に対して力Ｐ又はＱが加えられた場合でも取付状態を強固に保持し得ると共に当該電池蓋３に対する強度を向上する。 - 特許庁

The n-side clad layer 3 in the semiconductor laser 1 has a four element material of In, Ga, As and P lattice matched to InP and has a composition wavelength of 0.96-0.98 μm.例文帳に追加

この半導体レーザ１におけるｎ側クラッド層３は、ＩｎＰに格子整合したＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの４元材料を有し、その組成波長が０．９６〜０．９８μｍである。 - 特許庁

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上の高速用ＨＢＴの形成領域Ａに高濃度のリンイオンを注入した後、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PREPARING II-TYPE CRYSTAL OF (1R,5R,6S)-P-NITROBENZYL-2-(DIPHENYLPHOSPHORYLOXY)-6-[(R)-1-HYDROXYETHYL]-1-METHYL-CARBAPENEM-3-CARBOXYLATE (MAP)例文帳に追加

（１Ｒ，５Ｒ，６Ｓ）−ｐ−ニトロベンジル−２−（ジフェニルホスホリルオキシ）−６−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−１−メチル−カルバペネム−３−カルボキシラート（ＭＡＰ）のＩＩ型結晶の調製方法 - 特許庁

Each pixel cell 3 uses a P channel MOSFET with an octagonal structure as an MOSFET 13 for a reset switch for initializing the potential of a charge storage portion 12.例文帳に追加

各画素セル３において電荷蓄積部１２の電位を初期化するためのリセットスイッチ用ＭＯＳＦＥＴ１３として、八角形型構造のＰチャネルＭＯＳＦＥＴを用いる。 - 特許庁

Thus, impurities are also introduced into the p-type well 3 at both ends of the gate electrode 5, and the n^--type semiconductor area 7 and the gate electrode 5 are overlapped.例文帳に追加

これにより、ゲート電極５の両端部の下のｐ型ウエル３にも不純物が導入され、ｎ^-型半導体領域７とゲート電極５とがオーバーラップする。 - 特許庁

When parking is completed and the vehicle is put into the P(parking) range, the device turns off the lighting system 11 to automatically stop the action of the image pick-up camera 3 or the like.例文帳に追加

駐車が完了してＰ（パーキング：駐車）レンジに入れると装置は照明装置１１を消灯させ撮影カメラ３等の動作も自動的に停止させる。 - 特許庁

An n-type first base layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1 having a first main face and second main face, and a p-type second base layer 3 is formed on its upper layer.例文帳に追加

第１主面及び第２主面を有する半導体基板１に、ｎ型の第１ベース層２が設けられ、その上層にｐ型の第２ベース層３が設けられている。 - 特許庁

In a power MOSFET 21, a super-junction structure where an n-pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are periodically arranged is formed in a semiconductor substrate 19.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２１において、半導体基板１９内に、ｎピラー層３及びｐピラー層４が周期的に配列されたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor growing crucible 2 is made of e.g. silicon dioxide, and the p-type semiconductor growing crucible 3 is made of e.g. graphite.例文帳に追加

Ｎ型半導体成長用るつぼ２は、たとえば二酸化シリコンで構成されており、Ｐ型半導体成長用るつぼ３は、たとえばグラファイトで構成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with a transition region surrounding an active region, a trench 5 is provided in the active region to selectively surround a p-type layer 3.例文帳に追加

活性領域を囲むように遷移領域が設けられた半導体装置において、活性領域には、トレンチ５がｐ型層３を選択的に囲むように設けられている。 - 特許庁

For this exhaust system 100, a main bracket 1, a subsidiary bracket 2 which assists the main bracket 1, and this dynamic damper 10 having an inertial body 3 are attached to an exhaust pipe P.例文帳に追加

排気系１００は、排気管Ｐに、主ブラケット１、それを補助する補助ブラケット２、及び慣性体３を有するダイナミックダンパ１０が取り付けられたものである。 - 特許庁

NEW CRYSTAL FORM OF (1R, 5R, 6S)-P-NITROBENZYL-2-(DIPHENYLPHOSPHORYLOXY)-6-[(R)-1-HYDROXYETHYL]-1-METHYL-CARBAPENEM-3-CARBOXYLATE AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

（１Ｒ，５Ｒ，６Ｓ）−ｐ−ニトロベンジル−２−（ジフェニルホスホリルオキシ）−６−［（Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−１−メチル−カルバペネム−３−カルボキシレートの新規な結晶形及びその製造方法 - 特許庁

The nitride semiconductor device 1 includes a substrate 2, and an n-type clad layer 3 to a p-type contact layer 9 formed as nitride semiconductor layers on an upper surface of the substrate 2.例文帳に追加

窒化物半導体装置１は、基板２と、基板２の表面上に形成された窒化物半導体層としてのｎ型クラッド層３〜ｐ型コンタクト層９とを備える。 - 特許庁

A trench isolation region is demarcated by a trench isolation structure 8a and the p-impurity region 3 in an n^--semiconductor layer 2 inside the RESURF isolation region.例文帳に追加

トレンチ分離構造８ａ及びｐ不純物領域３によって、ＲＥＳＵＲＦ分離領域内のｎ^−半導体層２にトレンチ分離領域が区分されている。 - 特許庁

The penholder 1 is constituted of a pen holding ring 2 to which the cap C of a pen P can be fitted, and a plurality of clips 3 provided fixedly at the pen holding ring 2 at equal intervals.例文帳に追加

ペンホルダー１を、ペンＰのキャップＣを挿着することができるペン保持リング２と、該ペン保持リング２に等間隔に固設された複数のクリップ３とで構成する。 - 特許庁

Furthermore, during a reproduction mode, the lens move control section 40 moves the photographing lens 3 from the photographing position P to the storage position S and stops it through the moving mechanism 30.例文帳に追加

また、再生モードになると、レンズ移動制御部４０は、移動機構３０によって撮影レンズ３を撮影位置Ｐから収納位置Ｓに移動して停止する。 - 特許庁

Furthermore, non-impurity ion species, i.e., hydrogen ions, are implanted in order to form an amorphous layer 40 at the surface layer part of the p type base region 3.例文帳に追加

そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、ｐ型ベース領域３の表層部をアモルファス化させてアモルファス層４０を形成する。 - 特許庁

The positive electrode 100 includes a p-type amorphous silicon film 5, a reverse-surface electrode 7, and a current collection electrode 9 formed in order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

正極１００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｐ型非晶質シリコン膜５、裏面電極７および集電極９を含む。 - 特許庁

The sleeve 1 for freely slidably holding the piston P is incorporated into a cylinder C and both sides of the sleeve 1 are positioned by collars 2, 3 incorporated into the cylinder C.例文帳に追加

シリンダＣ内に、ピストンＰを摺動自在に保持するスリーブ１を組み込むとともに、このスリーブ１の両側を、シリンダＣ内に組み込んだカラー２，３で位置決めする。 - 特許庁

According to such a configuration, 2 antennas P leading from one end 7a of the antenna circuit 7 electrically connected to an electrode 3 to the other end 7b of the antenna circuit 7.例文帳に追加

このような構成によって、電極３に電気的に接続されたアンテナ回路７の一端７ａからアンテナ回路７の他端７ｂに至る２アンテナＰが形成される。 - 特許庁

Next, an As^+ ion implantation layer 9 is formed by ion implantation so that the concentration peak of the n^+ region 10 comes near to the surface of the p^- semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次に、ｎ^+領域１０の濃度のピークが、ｐ^-半導体基板３表面付近になるように、Ａｓ^+イオン注入層９をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

The drift semiconductor 3 is provided on the semiconductor 2, and has n-type drain semiconductor regions 31, 33, 35 and p-type drain semiconductor regions 32, 34, 36.例文帳に追加

ドリフト半導体部３は、ｎ^+型ドレイン半導体部２上に設けられ、ｎ型ドレイン半導体領域３１，３３，３５及びｐ型ドレイン半導体領域３２，３４，３６を有する。 - 特許庁

After forming a photoresist 3 on an n-type silicon substrate 1 having a P well region 2 formed thereon, a photoelectric conversion section (photodiode) 4 is formed by an ion implantation method.例文帳に追加

Ｐウェル領域２が形成されたＮ型シリコン基板１上にフォトレジスト３を形成した後、イオン注入法により光電変換部（フォトダイオード）４を形成する。 - 特許庁

This test tube holder 1 is constituted of a rack 2 on which bottomed 21a fitting holes 21 are opened at prescribed pitches P, and a sleeve 3 fitted into the fitting holes 21 detachably.例文帳に追加

有底２１ａの嵌挿穴２１が所定ピッチＰに開口したラック２と、嵌挿穴２１に着脱自在に嵌挿されるスリーブ３とから試験管ホルダー１を構成する。 - 特許庁

By forming an anode electrode 7 using aluminum silicon having the silicon content between 3% and 5%, an aluminum spike into a p^+ diffusion layer 4 can be prevented.例文帳に追加

シリコン含有率が３％以上５％以下のアルミニウムシリコンを用いてアノード電極７を形成することにより、Ｐ^+拡散層４へのアルミニウムスパイクを防止することができる。 - 特許庁

The first Al_X1Ga_1-X1N semiconductor layer 5 is doped with a p-type dopant, such as magnesium (Mg), and is provided on the light emitting region 3.例文帳に追加

第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）といったｐ型ドーパントでドープされており、発光領域３上に設けられている。 - 特許庁

In the photoelectric conversion layer 3, the p-type organic semiconductor is formed of oligothiophene, the n-type organic semiconductor is formed of fullerene, and a volume rate of fullerene is 60% or more.例文帳に追加

ｐ型有機半導体がオリゴチオフェン、ｎ型有機半導体がフラーレンからなり、フラーレンの体積比率が６０％以上の光電変換層３を形成する。 - 特許庁

A vertical MOSFET comprising a cell and a termination has a superjunction structure formed by providing the cell with an (n) pillar layer 3 and a (p) pillar layer 4 alternately in a lateral direction.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、セル部にｎピラー層３及びｐピラー層４を横方向に交互に設け、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

A parameter setting means 3 sets a parameter P of the sharpness processing to be applied to the restored picture data S1 based on the information H and the resolution of the encoded picture data S0.例文帳に追加

パラメータ設定手段３は、情報Ｈおよび符号化画像データＳ０の解像度に基づいて、復元画像データＳ１に施すシャープネス処理のパラメータＰを設定する。 - 特許庁

A local row decoder 3 is configured such that a selection switch 123 including a p-channel MOS transistor 121 and an n-channel MOS transistor 122 is connected to each word line WL.例文帳に追加

ローカルロウデコーダ３は、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ１２１とｎチャネルＭＯＳトランジスタ１２２とからなる選択スイッチ１２３をワード線ＷＬ毎に接続して構成されている。 - 特許庁

The rod 3 comprises a nested telescopic pipe P, and the cord 9 is preferably pulled out from and connected to a reel 13 for automatically winding.例文帳に追加

上記ロッド３が入れ子式の伸縮可能なパイプＰからなり、上記紐９が引き出され自動巻き取りできるリール１３に連結されていることが好ましい。 - 特許庁

In such a case, the P/S converting part 40 adds additional data after each line to generate the serial signal S3 of 3. 7125Gb/s or 4. 25Gb/s if needed.例文帳に追加

このとき、Ｐ／Ｓ変換部４０は、必要であれば、各ラインの後に付加データを付加して３．７１２５Ｇｂ／ｓあるいは４．２５Ｇｂ／ｓのシリアル信号Ｓ３を生成する。 - 特許庁

Air sucked from an air suction part 10 of a duct 9 by an air spray means 3 is heated by a heater 4 and blown from an air outlet 11 to a sheet P.例文帳に追加

エアー吹き付け手段３によりダクト９のエアー吸入部１０から吸入されたエアーは、ヒータ４で加熱されエアー吹出口１１からシートＰに向けて吹き出される。 - 特許庁

A CU (Card Unit) 3 is provided at a side of a game frame (front frame) of each of P machines (game machines) of allotted point type, and a main control board 16 for controlling progress of a game is provided at a side of a game board.例文帳に追加

持点式のＰ台（遊技機）の遊技枠（前枠）側にＣＵ（カードユニット）３を設け、遊技盤側に遊技の進行を制御する主制御基板１６を設けた。 - 特許庁

In hands-free communication status by a microphone 8 and a speaker 6, there is a 3-dimensional (XYZ direction) caller aptitude position P which is proper for the caller in sound structure.例文帳に追加

マイク８とスピーカ６によるハンズフリー通話状態において、音響構造上の送話者の適正な３次元（ＸＹＺ方向）の送話者適性位置Ｐが存在する。 - 特許庁

In response to the instruction, a servomotor 6 of the wire driving units 2a, 2b operates the wire 3 on the X, Y faces of the face element 4 and supports the object to be inspected P.例文帳に追加

この指令に応じてワイヤ駆動系２ａ、２ｂのサーボモータ６が面状要素４のＸ、Ｙ面においてワイヤ３を動作させ、被検査物Ｐが支持される。 - 特許庁

A seal ring 8 mounted on the inner vessel 3 is made to contact a tapered contact surface 6 in the vessel body 2 liquid-tightly to separate the first chamber P from the second chamber Q.例文帳に追加

中容器３に設けたシールリング８を、容器本体２内のテーパ当接面６に当接させて第一室Ｐと第二室Ｑを分離して液密に封止する。 - 特許庁