「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

Even if the enclosure B is present between the incident part of elastic waves and part D to be inspected of the panel material P, the Lamb waves of the symmetric mode transmits through the enclosure B to be received by the receiver 3.例文帳に追加

板材Ｐのうち弾性波の入射部と検査対象部Ｄとの間に介在物Ｂが存在していても、対称モードのラム波は介在物Ｂを透過して受信子３により受信される。 - 特許庁

A signal P with an inverted phase and doubled amplitude with respect to a burst signal superimposed on the burst signal is applied for a burst signal period when the color of a color video signal is controlled over a several cycles of the burst signal and the resulting signal is recorded on a magnetic tape 3.例文帳に追加

カラー映像信号中の色彩を制御するバースト信号期間に、このバースト信号の数サイクル分以内を逆位相で且つ振幅２倍の信号Ｐを重畳して加える。 - 特許庁

The short pole chip shape core 3 is arranged in a tie shape in a pocket P in the belt width direction formed by the round shape outer circumference side belt 1 and a trough of wave of the waveform inner circumference side belt 2.例文帳に追加

短柱チップ状コア（３） は、円形の外周側ベルト（１） と波形の内周側ベルト（２） の波の谷の部分とで形成されるベルト巾方向のポケット（Ｐ） 内に、枕木状に配設されている。 - 特許庁

Further, a plurality of oil jet nozzles 3 are arranged along the extremity outer periphery end of the nozzle holder 2 with a predetermined central angle pitch and a predetermined tilt angle θ2 to an outer diameter direction relative to a shaft center P.例文帳に追加

さらに、ノズルホルダ２の先端外周縁に沿って所定中心角度ピッチで、かつ、軸心Ｐに対して外径方向へ所定傾斜角度θ_2 をもって、複数個の油噴射ノズル３…を配設する。 - 特許庁

A right and a left cylinder passage 3, 4 to connect a flow passage selector valve CV to selectively connect a pump P and a tank T to power cylinder right and left chambers CL, CR to the power cylinder right and left chambers are provided.例文帳に追加

ポンプＰ、タンクＴとパワーシリンダ左、右室ＣＬ，ＣＲとの間を選択的に切換え接続する流路切換弁ＣＶを、パワーシリンダ左、右室に接続する左、右シリンダ通路３，４を備える。 - 特許庁

A plurality of floating ring layers 2 provided separately from the anode layer 1 and made of an electrically floating p-type impurity region are provided on the main surface of the cathode layer 3.例文帳に追加

カソード層３の主表面には、アノード層１から離間して設けられた、電気的にフローティング状態であるＰ型の不純物領域からなる複数のフローティングリング層２が設けられている。 - 特許庁

Of the first stubs T_2-T_n, the one having the transmission line length corresponding to m indicated by m=pk (where p is an odd number ≥3 and k is an integer ≥2) is omitted.例文帳に追加

それらの第１スタブＴ_２〜Ｔ_ｎのうち、ｍ＝ｐｋ（ただし、ｐは３以上の奇数、ｋは２以上の整数）で表されるｍに対応する伝送線路長を有する第１スタブを省略する。 - 特許庁

In a third region adjacent to the second region, a control gate contact layer 12 is formed in an upper part of a layered product including layers identical to the n+ type drain layer 3 and the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

第２領域に隣接する第３領域には、ｎ＋型ドレイン層３及びｐ型半導体層４と同一層を含む積層体の上部にコントロールゲートコンタクト層１２が形成される。 - 特許庁

While using a chlorine-containing gas (SiH2Cl2 gas) as a raw material gas, a p-type noncrystalline semiconductor film 3 is formed on a glass substrate 1/transmissive conductive film 2 (SnO2 film) by a plasma CVD method (b).例文帳に追加

ガラス基板１／透光性導電膜２（ＳｎＯ_2 膜）上に、プラズマＣＶＤ法により、塩素を含有するガス（ＳｉＨ_2 Ｃｌ_2 ガス）を原料ガスとして、ｐ型非晶質半導体膜３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor substrate 1 is prepared and along with impurity ion-implantation in the substrate 1, the impurities are diffused in the substrate 1 to form P-type and N-type diffused layers 3 and 4 in the substrate 1.例文帳に追加

単結晶の半導体基板１を用意し、半導体基板１に不純物をイオン注入する共に、不純物を拡散させてｐ型拡散層３及びｎ型拡散層４を形成する。 - 特許庁

An adhesive agent is applied to one face of a sticking tape 1 used as a fixing member to form an adhesive layer 2, and a P-type gerumanium piece 3 functioning as an abutting body is stuck to its central part.例文帳に追加

止め具としての貼付テープ１の片面には、粘着剤が塗布されて粘着層２が形成されており、中央部には当接体としてのＰ型ゲルマニウム片３が貼り付けられている。 - 特許庁

The anti-tip device T1 comprises a frame 1 (base), slide members 2 and 2 that can move against the frame 1, and a fitting 3 disposed between the slide members 2 and 2, and the thin display P.例文帳に追加

転倒防止装置Ｔ１は、フレーム１（基体）と、フレーム１に対して可動可能なスライド部材２，２と、各スライド部材２と薄型ディスプレイＰとの間に架設される取付具３を備えている。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

In such a structure, the trench 13 is formed to allow the p^+-type layer 3 to function as a guard ring by separation, and the n^--type layer 14 is embedded in the trench 13.例文帳に追加

このような構成によれば、Ｐ^＋型層３を分断してガードリングとして機能させるために、トレンチ１３を形成すると共に、そのトレンチ１３内をＮ^−型層１４で埋め込むようにしている。 - 特許庁

Preferably, a pair of electrodes 10, 11 are provided on opposing end fringes of a part 3 for preventing the adhesion of the living thing on the concrete face 2, and the pulse voltage P is continuously applied between the pair of electrodes 10 and 11.例文帳に追加

好ましくは、コンクリート面２の生物の付着を防止すべき部分３の対向端縁上に一対の電極10、11を設け、電極対10、11の間にパスル電圧Ｐを継続的に印加する。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

On that substrate 1S, a groove (trench) 6 is patterned which has a depth deeper than that of the p^--type well 3, and a secondary gate electrode 10G1 is provided inside the groove 6 via an insulating film 9.例文帳に追加

その基板１Ｓには、深さがｐ^−型ウェル３より深い溝６（トレンチ）がパターニングされており、その溝６の内部に絶縁膜９を介して設けられた第２ゲート電極１０Ｇ１が設けられている。 - 特許庁

The holding pad 1 is mounted to the surface plate on a mounting face Q of the polyurethane sheet 3 with lower compression rate, and comes into contact with a workpiece on a holding face P of the polyurethane sheet 2 with higher compression rate.例文帳に追加

保持パッド１は、圧縮率が低い方のポリウレタンシート３の装着面Ｑで定盤に装着され、圧縮率が高い方のポリウレタンシート２の保持面Ｐが被研磨物に当接する。 - 特許庁

A resilient seal ring 7 is fitted in a seal ring groove 16 in the guide cylinder 3, and a slipoff preventive ring 11 to bite into the outside surface of the connection pipe P to generate engagement is accommodated in the holding cylinder 7.例文帳に追加

案内筒３のシールリング溝１６に弾性シールリング１７が嵌め込まれ、抜止めリング保持筒７の内部に、接続管Ｐの外周面に食込み係合する抜止めリング１１が収容される。 - 特許庁

The game machine is constituted of the upper cabinet 4 where the prizes P are placed to form the game space 3 and the lower cabinet 5 which is linked to the lower part of the upper cabinet 4 to have the main control unit 25 built therein.例文帳に追加

景品Ｐを載置して遊戯スペース３を構成する上部筐体４と、この上部筐体４の下部に連結されメイン制御ユニット２５を内蔵する下部筐体５とから構成される。 - 特許庁

The direction determining means B is constructed such that a take-out portion t for drawing the supporting cable 4 in the sensing portion 3 is offset to the position other than the center P in a direction for drawing the supporting cable 4.例文帳に追加

方向定め手段Ｂを、センシング部３における支持ケーブル４の取出し部ｔを、センシング部３の支持ケーブル取出し方向での中心Ｐ以外の位置に偏らせることで構成する。 - 特許庁

In the formula, A is -CH_2-, -C(CH_3)_2-, -O-, -C(CF_3)_2- or a single bond; R_0 and R_1 are the same or different and are each an organic group; and p and q are each an integer of 0-3.例文帳に追加

（式中Ａは、−ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、又は単結合である。Ｒ_０、Ｒ_１は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。Ｐ、ｑは０〜３の整数である。） - 特許庁

The filter-filling system 100 is provided with a sheet holder 3 on which a sheet form filter F is mounted, and a chip rack 4 in which a plurality of chips P are maintained in a matrix form on a base 2 in its chassis 1.例文帳に追加

フィルター充填装置１００は、筐体１内のベース２上に、シート状のフィルターＦが載置されるシートホルダー３と、複数のチップＰがマトリクス状に保持されるチップラック４とを備えている。 - 特許庁

A planetary carrier 1 of a planetary gear mechanism P is connected to a crank shaft 5 of an internal combustion engine E, a sun gear 2 is connected to a generator GM, and a ring gear 3 is connected to a main shaft 6 of a transmission T.例文帳に追加

遊星歯車機構Ｐのプラネタリキャリヤ１を内燃機関Ｅのクランクシャフト５に接続し、サンギヤ２を発電機ＧＭに接続し、リングギヤ３を変速機Ｔのメインシャフト６に接続する。 - 特許庁

In a software updating system, a recorder 8 and a television set (TV) 9 are connected in a high-definition multimedia interface (HDMI), and the TV 9 and an audio/visual (AV) amplifier 2 are connected through an S/P DIF line 3 in the HDMI mode.例文帳に追加

ソフトウェア更新システムは、レコーダ８とＴＶ９とがＨＤＭＩ接続され、ＴＶ９とＡＶアンプ２とがＳ／ＰＤＩＦライン３を介して接続され且つＨＤＭＩ接続されている。 - 特許庁

Perforated plates 3 and 4 with a large number of pores capable of passing the treatment solution are arranged facing each other across a space between a face side and a back side of a substrate P to be carried along a carrying passage 2.例文帳に追加

搬送路２に沿って搬送される基板Ｐの表裏の面と隙間を隔てて、処理液を通過可能な微細な孔が多数形成された多孔板３、４が対向配置されている。 - 特許庁

The staple receiving tool 1 is constituted by a base 2 and an arm 3 integrally continued with each other on the other end side so as to open an end side and receive paper P as a stitching object between them.例文帳に追加

一端側を拡開して相互間にとじ込み対象の紙Ｐを受け入れることができるように他端側において互いに一体に連続させたベース２とアーム３とで針受け具１を構成する。 - 特許庁

In addition, a device which is constructed by laminating and growing at least an n-type nitride semiconductor as a device structure formed on the obtained second nitride semiconductor 3 as a substrate, an active layer and a p-type nitride semiconductor is provided.例文帳に追加

また、得られた第２の窒化物半導体３を基板としこの上に素子構造として少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、ｐ型窒化物半導体を積層成長させてなる素子。 - 特許庁

A marker having a large attenuation coefficient of gamma rays is mounted on a body surface of a subject P and a radiation detector 3 detects radiation emitted by the radioactive isotope administered in the subject.例文帳に追加

被検体Ｐの体表に、ガンマ線の減弱係数が大きいマーカを設置し、放射線検出器３は、被検体Ｐに投与された放射性同位物質が放出する放射線を検出する。 - 特許庁

The belt drum 3 at the second molding position and the shaping drum 2 are opposed to each other to be arranged on a first axis P1 and the band drum 1 is arranged on a second axis P parallel to the first axis P1.例文帳に追加

また、第２成形位置におけるベルトドラム３とシェーピングドラム２を相対向して第１軸心Ｐ_1 上に配設すると共に、第１軸心Ｐ_1 と平行な第２軸心Ｐ_2 上にバンドドラム１を配設する。 - 特許庁

Then a resistor 6 for buffering is interposed between P type transistors M201, M211, M221, and M231 included in the reference current circuit 2, input circuit 3, and output circuit 4, and a next-stage circuit.例文帳に追加

そして、基準電流回路２、入力回路３、出力回路４に含まれるＰ型トランジスタＭ２０１、Ｍ２１１、Ｍ２２１、Ｍ２３１とその次段の回路との間に緩衝用の抵抗６が挿入される。 - 特許庁

It is suitable that the thermally-sprayed coating film of the anticorrosion layer includes at least one of Ti, Co, Ni and P and each content thereof is >0.001 mass% and <3 mass%.例文帳に追加

防食層の溶射被膜が、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐのうち少なくともいずれか一つを含んで、その含有量は、各々が、０．００１質量％を超えかつ３質量％未満であることが好適である。 - 特許庁

Using a sticking conveyer 3, the strip member P is conveyed at a conveyance speed Vc equal to a peripheral speed Vd of the molded drum 2, and supplied to the lower side of the molded drum 2 and stuck to the drum 2.例文帳に追加

貼付けコンベヤ３を用い、帯状部材Ｐを成形ドラム２の周速度Ｖｄと等しい搬送速度Ｖｃにて搬送しかつ前記成形ドラム２にその下方側から供給して貼り付ける。 - 特許庁

An N type embedded drift layer 5 extending from the surface of an N-type well layer 2 on the bottom of a trench T1 for forming TNDMOS to the inside thereof and connected to a P type body layer 3 is formed.例文帳に追加

ＴＮＤＭＯＳ形成のためのトレンチＴ１の底部のＮ型ウエル層２の表面から内部に延在し、Ｐ型ボディ層３と接続するＮ型埋め込みドリフト層５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer is configured such that a P+ diffusion region 8 and an N+ diffusion region 9 are respectively formed at each of both ends respectively connected to the anode electrode and the cathode electrode while the center is made as an intrinsic region 3.例文帳に追加

この半導体層はアノード電極及びカソード電極に接続している両端部にＰ＋拡散領域８及びＮ＋拡散領域９を形成し、中央部を真性領域３とする。 - 特許庁

A wafer with an n-type semiconductor layer 17a and a p-type semiconductor layer 17b formed of group III-V compound semiconductors laminated on a surface 3 of a substrate 1 is cut along cut planned lines.例文帳に追加

基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。 - 特許庁

Pulse laser beam is irradiated on a region opposed to the p^+ type semiconductor region 3 at least in the second principal surface 1b of the n^- type semiconductor substrate 1 and an irregular unevenness 10 is formed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域に、パルスレーザ光を照射して、不規則な凹凸１０を形成する。 - 特許庁

Namely, the semiconductor device 1 does not employ a thick-film SOI (Silicon On Insulator) substrate, and employs the P-type semiconductor substrate 2 provided with the N-type semiconductor layer 3 right above while having the LDMOSFET.例文帳に追加

すなわち、半導体装置１は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを備えながら、厚膜ＳＯＩ基板ではなく、Ｎ型の半導体層３が直上に設けられたＰ型の半導体基板２を採用している。 - 特許庁

In a lapping step after Ni-P plating the substrate for the magnetic disk is lapped with lapping cloth, having 80-100 hardness, 0-8% compressibility, 50-90% compressive elasticity modulus and 0.5-0.8 g/cm3 density.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐメッキ後の粗研磨工程において、硬度：８０〜１００度、圧縮率：０〜８％、圧縮弾性率：５０〜９０％、密度：０．５〜０．８ｇ／ｃｍ^3 の研磨布を使用して研磨する。 - 特許庁

This circulation type crystallizer is equipped with a crystallizing tank 1 into which the liquid P to be treated is supplied, the draft tube 2 provided in the crystallizing tank 1 and rotary blades 3 and 4 provided to the inside and outside of the draft tube 2.例文帳に追加

被処理液Ｐが供給される晶析槽１と、この晶析槽１内に設けられたドラフトチューブ２と、このドラフトチューブ２の内側及び外側設けられた回転羽根３，４と、を備える。 - 特許庁

The P-type semiconductor substrate 1, the N-type semiconductor region 2, and the N-type semiconductor region 3 are connected to a ground power supply Vee, a positive power supply Vcc, and an input terminal IN and an internal circuit A, respectively.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１は接地電源Ｖｅｅに、Ｎ型半導体領域２は正電源Ｖｃｃに、Ｎ型半導体領域３は入力端子ＩＮおよび内部回路Ａに接続されている。 - 特許庁

If it is determined that the evaluation value SINR^T/SINR^P is equal to or less than a constant value c, the radio device 5 transmits a packet including ordinary data to the radio device 3 at the transmission power σ_j.例文帳に追加

無線装置５は、評価値ＳＩＮＲ^Ｔ／ＳＩＮＲ^Ｐが定数ｃ以下であると判定されたとき、通常のデータを含むパケットを送信パワーσ_ｊで無線装置３へ送信する。 - 特許庁

When a powder discharge pipe 3 is rotated, the notched part 50 of a powder fetching part 5 is fitted to a powder inflow groove 22 and the powder medicine P in a powder housing chamber 10 flows into a powder reserving hole 21.例文帳に追加

パウダー排出管３を回転させると、パウダー取込部５の切欠部５０がパウダー流入溝２２に符合し、パウダー収容室１０のパウダー薬剤Ｐがパウダー溜穴２１に流入する。 - 特許庁

The bonding defect detector 1 includes a constant temperature means 3 capable of maintaining the substrate S in a constant temperature state, and a component heating means 5 capable of locally heating the package p2 of the electronic component P.例文帳に追加

接合不良検知装置１は、基板Ｓを恒温状態に維持可能な恒温手段３と、電子部品Ｐのパッケージ部ｐ２を局所的に加熱可能な部品加熱手段５とを備えている。 - 特許庁

This device comprises a concave mirror 1 located in the front of the eye of the subject, a half mirror 2 located between the eyeball P of the subject and the concave mirror 1, and an image display means 3 located above the half mirror 2.例文帳に追加

対象者の眼前に位置する凹面ミラー１と、対象者の眼球Ｐと凹面ミラー１との間に位置するハーフミラー２と、ハーフミラー２の上方に位置する映像表示手段３とを備えている。 - 特許庁