「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation.例文帳に追加

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。 - 特許庁

A plurality of P-type thermoelectric materials 3 and a plurality of N-type thermoelectric materials 4 alternately arranged between the first substrate 10a and the second substrate 10b are connected in series by a plurality of metal electrodes 8a and 8b.例文帳に追加

第１基板１０ａと第２基板１０ｂとの間に交互に配列された複数のＰ型熱電材料３および複数のＮ型熱電材料４は、複数の金属電極８ａ，８ｂにより直列に接続されている。 - 特許庁

At this time, the gas containing Si species and the gas containing C species are supplied at a low flow rate C/Si ratio where the gas containing C species is supplied at the slowest speed, thereby growing the p-type SiC epitaxial layer 3.例文帳に追加

このとき、Ｓｉ種を含むガスとＣ種を含むガスの流量比（以下、Ｃ／Ｓｉ比とする）を、Ｃ種を含むガスが供給律速となるような低Ｃ／Ｓｉ比で供給して、ｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３を成長させる。 - 特許庁

Air venting recessed grooves 3 with a predetermined angle α and a predetermined depth H are regularly formed on the surfaces of the vicinities 2a of both thinly formed ends of the drum flanges 2 at a predetermined interval P in the peripheral direction of the drum.例文帳に追加

各ドラムフランジ２の肉薄に形成された両端近傍２ａの表面には、ドラム周方向に所定の間隔Ｐで、かつ所定の角度α、所定の深さＨのエアー抜き用の凹溝３が規則的に形成されている。 - 特許庁

In a ceramic chip carrier 1 mounting a semiconductor light receiving element 4, a gap 5 is made between the p electrode pattern 2 and the n electrode pattern 3 of the semiconductor light receiving element 4 in order to reduce the parasitic capacitance.例文帳に追加

半導体受光素子４が搭載されたセラミックチップキャリア１において、半導体受光素子４のｐ極の電極パターン２とｎ極の電極パターン３との間に寄生容量の低減を目的とした間隙５を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 3 is first formed on the semiconductor substrate 1 having an NFET forming area 50N for forming an N type field effect transistor and a PFET forming area 50P for forming a P type field effect transistor.例文帳に追加

まず、Ｎ型電界効果トランジスタを形成するＮＦＥＴ形成領域５０ＮとＰ型電界効果トランジスタを形成するＰＦＥＴ形成領域５０Ｐとを有する半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

The supporting stands 10A, 10B of the pair of the sending mechanisms 1A, 1B can be reciprocated respectively independently, and engagement holes corresponding to the respective engagement pins 3 of the sending mechanisms 1A, 1B are provided in the pallet P.例文帳に追加

一対の送り機構１Ａ、１Ｂの支持架台部１０Ａ、１０Ｂは、それぞれ単独で往復移動可能とされ、パレットＰには送り機構１Ａ、１Ｂのそれぞれの係合ピン３に対応する係合孔が設けられている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

A capacitor lower electrode 3 is connected to the gate electrode 6a, and a capacitor upper electrode 6b is connected to a P-type ground layer 12 to form a capacitor in parallel to a gate comprising the gate electrode 6a and a gate insulating film 4.例文帳に追加

キャパシタ下部電極３をゲート電極６ａと結線し、またキャパシタ上部電極６ｂをＰ型接地層１２と結線する事により、ゲート電極６ａとゲート絶縁膜４から成るゲートに並列にキャパシタを形成する。 - 特許庁

A voice communication system 1 converts PCM voice data included in an IP packet P received from an Internet 3 side by a gateway server 4 into AMR voice coded data, puts the data on a frame and transmits the frame to a moving terminal 7.例文帳に追加

音声通信システム１は、ゲートウェイサーバ４がインターネット３側から受信したＩＰパケットＰに含まれているＰＣＭ音声データをＡＭＲ音声符号化データへと変換し、フレームに載せて、移動機７宛に送信する。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

In particular, the drive rotation member 2 and the passive rotation member 3 are so arranged that a rotational axis P and a rotational axis Q do not exist in a same plane and are disposed so as to tilt with each other in a parallel pair of the planes.例文帳に追加

ここで特に、駆動回転部材２と受動回転部材３とは、これらの回転軸心Ｐ及びＱが同一の平面上に存在せずに且つ平行な一組の平面上において互いに傾斜して配置されている。 - 特許庁

Each of the magnetic sealing members 33a, 33b is constituted by magnetizing a large number of N-poles and S-poles alternately with a prescribed pitch on an inner circumferential face, and a pitch width p is 1 mm or more to 3 mm or less in the N-poles and S-poles.例文帳に追加

磁気シール部材３３ａ、３３ｂは内周面に多数のＮ極及びＳ極を所定のピッチ幅ｐで交互に着磁したものであり、Ｎ極及びＳ極のピッチ幅ｐを１ｍｍ以上３ｍｍ以下とする。 - 特許庁

The apparatus for driving an electric propulsion ship includes a motor 1 connected to a shaft of a propeller P for ship propulsion, an electric converter 2 to be supplied with power from an inboard power supply 3 to drive the motor 1, and a controller 4 for controlling the electric converter 2.例文帳に追加

船舶の推進用プロペラＰの軸に接続した電動機１と、船内電源３から給電され、電動機１を駆動する電力変換装置２と、電力変換装置２を制御する制御装置４とで構成する。 - 特許庁

When a silicon oxide film 24 is formed on a silicon oxide film 21 used as a mask for forming p-type base regions 3, and thereafter etched back, the silicon oxide film 24 is left on both side faces of the silicon oxide film 21 at widths equal to the silicon oxide film 21.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成用マスクとなるシリコン酸化膜２１の上にシリコン酸化膜２４を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜２１の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜２４が残る。 - 特許庁

The semiconductor device has an n-type collector region 1 disposed on a collector electrode CD1, a low-concentration n-type collector region 2 disposed on the region 1, and a p-type base region 3 disposed on the region 2.例文帳に追加

コレクタ電極ＣＤ１上に配設されたＮ型コレクタ領域１と、Ｎ型コレクタ領域１上に配設された低濃度Ｎ型コレクタ領域２と、低濃度Ｎ型コレクタ領域２上に配設されたＰ型ベース領域３とを備えている。 - 特許庁

In the pattern burying conversion means 3, the image data S0 are converted into image data S1 (CMYK) for printing, so as to almost conditionally color-equalize a part for burying the pattern P and the other part in the image data S0.例文帳に追加

パターン埋込変換手段３においては、画像データＳ０におけるパターンＰが埋め込まれる部分と、その他の部分とが略条件等色するように画像データＳ０が印刷用の画像データＳ１（ＣＭＹＫ）に変換される。 - 特許庁

The vibration section 3 has: the diaphragm 20 vibrated by the magnetic circuit section 2; and a cylindrical edge 21 whose axial center P is provided in parallel with the vibration direction of the diaphragm 20, and mounted on the diaphragm 20 and the frame.例文帳に追加

振動部３は、磁気回路部２によって振動される振動板２０と、軸芯Ｐが該振動板２０の振動方向と平行に設けられ且つ該振動板２０とフレームとに取り付けられた筒状のエッジ２１とを備えている。 - 特許庁

The control device drives the supporting device 4 and the rotation driving device 7 so as to make the table 3 oppose a prescribed one of the container storing chambers 200, so that a container P may be put in or taken out of the prescribed container storing chamber 200.例文帳に追加

制御装置は、支持装置４および回転駆動装置７を駆動して保持台３を所定の容器収納室２００に対向させることにより、該容器収納室２００に対して容器Ｐの出し入れを行う。 - 特許庁

This pivotally supporting device comprises an upper plate 1 disposed on a bridge beam G side, a lower plate 2 disposed on a pier P side, and a urethane member 3 installed between the upper plate 1 and the lower plate 2 and mechanically fixed to the upper and lower plates 1 and 2.例文帳に追加

橋桁Ｇ側に配設される上プレート１と、橋脚Ｐ側に配設される下プレート２と、上プレート１と下プレート２との間に介在して上下プレート１，２各々に機械的に固定されるウレタン部材３と、を備えている。 - 特許庁

During the resetting, because the CPU 2 writes eta in an EEPROM 5 prior to the stop of the P-RUN signal, determination as to whether or not the watchdog timer 3 has been reset is made using data written in the EEPROM 5.例文帳に追加

リセット動作時には、ＣＰＵ２は、Ｐ−ＲＵＮ信号の停止前にＥＥＰＲＯＭ５にエータを書き込むので、ウォッチドッグタイマ３がリセット動作をしたかしないかの判定を、ＥＥＰＲＯＭ５に書き込んだデータを用いて判断する。 - 特許庁

A conveyance amount detecting means 15 constituted with both a part to be detected 16 comprised of a magnetic recording layer and a detecting part 17 consisting of a magnetic head is prepared at the side end part of the conveyance belt 3 which conveys a recording paper P.例文帳に追加

記録用紙Ｐを搬送する搬送ベルト３の側端部には磁気記録層から成る被検出部１６と磁気ヘッドから成る検出部１７とを備えて構成された搬送量検出手段１５が設けられている。 - 特許庁

The insertion guide ring 4 is incorporated into the joint main body 1 in such a way that it moves toward an innermost part of the pipe insertion clearance 15 among the first and second elastic seal rings 2a, 2b and the locking ring 3 while it is pressed by one end part of the connection pipe P.例文帳に追加

継手本体１内には挿入ガイドリング４が接続管Ｐの一端部で押されるまま第１，２弾性シールリング２ａ，２ｂと抜止めリング３の間を管差込み間隙１５の内奥へ向けて移動するよう組み込まれる。 - 特許庁

For the puncher P for piercing the workpiece W by a pierce punch 2 while pressing the workpiece by a stripper 3, a cover 1 is formed of a metal, and the diameter of one end through hole 10 and the diameter of a cover part in a vicinity thereof are smaller than that of other cover parts.例文帳に追加

ワークＷをストリッパー３で押圧しながらピアスパンチ２でピアス加工するパンチャーＰにおいて、カバー１は金属製であって一端開放孔１０及びその近傍のカバー部分を他のカバー部分よりも小径としてある。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a substrate 1, and a nitride semiconductor laminate structure portion 2 formed by laminating an n^+-type GaN layer 3, an n^--type GaN layer 4, a p-type GaN layer 5, and an n^+-type GaN layer 6 in order.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、基板１と、ｎ^＋型ＧａＮ層３、ｎ^−型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮ層５およびｎ^＋型ＧａＮ層６が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部２とを備えている。 - 特許庁

The absolute angle detection system for sphere 1 comprises a sphere 2 provided with a surface-like image recognition pattern P for absolute angle detection of the sphere 2, and an image recognition device 3 provided out of the sphere 2.例文帳に追加

球体の絶対角度検出システム１は、球体２の絶対角度検出のための、面状の画像認識用パターンＰが設けられた球体２と、球体２の外部に設けられた画像認識装置３とから構成される。 - 特許庁

The glass panel support structure for supporting a glass panel P to the skeleton A side, supports the end face 3 of the glass panel almost in a chain along the longitudinal direction by a flexible cable body 7 with both ends fixed to the skeleton side.例文帳に追加

ガラスパネルＰを躯体Ａ側に支持してあるガラスパネル支持構造であって、両端部を躯体側に固定してある可撓性を備えた索条体７で、ガラスパネルの端面３を、その長手方向に沿って略一連に支持してある。 - 特許庁

A first lead 2a is electrically connected at the top end to an n-electrode of the light emitting element 1, and a second lead 2b is electrically connected at the top end to a p-electrode of the light emitting element 1 through a wire 3 (e.g. gold wire).例文帳に追加

発光素子１のＮ電極側に第１のリード２ａの先端部が電気的に接続され、発光素子１のＰ電極側にワイヤー３（例えば、金ワイヤー）を介して第２のリード２ｂの先端部が電気的に接続されている。 - 特許庁

In the air-feeding mechanism 3, when the number of paper sheets P to be conveyed reaches a predetermined cleaning mode execution number, processing is intercepted, air W is fed to the main scanning direction position detection sensor 5b to remove refuses such as paper dust.例文帳に追加

送風機構３では、搬送される用紙Ｐの枚数が所定の清掃モード実行枚数に達すると、処理を中断して主走査方向位置検知センサ５ｂに風Ｗを吹き付けて、紙粉等のゴミ類を除去する。 - 特許庁

The paper sheet delivery device 10 comprises a delivery roller 2 which contacts with the paper sheets P and rotates, a motor 3 for rotating the delivery roller 2, an arm 4 having the delivery roller 2 attached to its tip, a back up plate 5, and a dressing roller 6.例文帳に追加

紙葉類繰り出し装置１０は、紙葉類Ｐに転接して回転する繰り出しローラ２、繰り出しローラ２を回転させるモータ３、繰り出しローラ２を先端に取り付けたアーム４、バックアッププレート５、およびドレッシングローラ６を有する。 - 特許庁

In an orthographic projection to a projection plane P orthogonal to an axis O of the center electrode 3, the rear side end rim 32t is positioned in an outer side of the front end face 31a of the center electrode side noble metal wear resisting part 31.例文帳に追加

また、中心電極３の軸線Ｏと直交する投影面Ｐへの正射投影において、後方側端縁３２ｔが、中心電極側貴金属耐消耗部３１の前端面３１ａよりも外側に位置する。 - 特許庁

This impact alleviative cylinder has a piston position detecting sensor 3 provided in a cylinder 1 nearer to a stroke end point 13, and an air supply/exhaust device P connected to an air supply/exhaust outlet (port A) via an air supply/exhaust piping 14 near a stroke start point 12.例文帳に追加

ストローク終点１３寄りのシリンダー１にピストン位置検出センサー３が設けられ、ストローク始点１２付近に給排気装置Ｐが給排気用配管１４を介して空気供給排出口（ポートＡ）に接続されている。 - 特許庁

This is core material for helical processing excellent in iron loss properties, where Si is 3% or under, Al 2% or under, P 0.1% or under, and the rest substantially Fe, and YS is 160-280MPa, and the partial elongation is 15% or under.例文帳に追加

質量％で、Ｓｉ：３％以下、Ａｌ：２％以下、Ｐ：０．１％以下、残部実質的にＦｅであり、ＹＳ：１６０〜２８０ＭＰａ、局部伸び：１５％以下である鉄損特性に優れたヘリカル加工用コア材料。 - 特許庁

A dummy trench 12 is formed so as to surround the outer periphery of a trench 2 in which a power MOSFET is formed, and an n-type drift region 3, a p-type base region 4, and an n^+-type source region 5 are also formed in the dummy trench 12.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴが構成されるトレンチ２の外周を囲むようにダミートレンチ１２を形成し、このダミートレンチ１２にもｎ型ドリフト領域３、ｐ型ベース領域４およびｎ^+型ソース領域５が形成されるようにする。 - 特許庁

The bag package P contains a product A in the packaging bag 1 including a cylindrically formed barrel 2, a base end seal 3 heat-sealed at a lower end and an upper end of the barrel 2 and a top end seal 4.例文帳に追加

袋包装体Ｐは、筒状に成形されている胴部２と、胴部２の下側端部及び上側端部でヒートシールされた地エンドシール部３と、天エンドシール部４とを有する包装袋１内に、製品Ａが収容されている。 - 特許庁

The ignition control device comprises: a rotation sensor 3 facing projections 11, 12 of a rotor 1; and a ignition timing control circuit 4 taking the rotation sensor signal R therein as a reference angle signal to output a drive signal P.例文帳に追加

ロータ１の突起１１、１２に対向配置された回転センサ３と、回転センサ信号Ｒを基準角度信号として取り込み点火回路６に駆動信号Ｐを出力する点火時期制御回路４とを備えている。 - 特許庁

In the pattern embedding converting means 3, the image data S0 are converted to (CMYK) image data S1 for printing, such that a portion where the patterns P are to be embedded in the image data S0 and the other portions become equal colors approximately conditionally.例文帳に追加

パターン埋込変換手段３においては、画像データＳ０におけるパターンＰが埋め込まれる部分と、その他の部分とが略条件等色するように画像データＳ０が印刷用の画像データＳ１（ＣＭＹＫ）に変換される。 - 特許庁

A hole PT is provided on the pipe wall at the center in the axial direction of a pipe P such as a connection pipe or the like for connecting a measurement pipeline such as a duct and a dust collection suction opening, and a speaker 3 for radiation a sound into the hole PT is installed.例文帳に追加

ダクトなどの計測管路と集塵機吸い込み口を接続する接続管等のパイプＰの軸方向中央部の管壁に穴ＰＴを設け、その穴ＰＴに音響を放射するスピーカ３を設置する。 - 特許庁

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The packing box P is formed in an approximately rectangular parallelopiped form of a bottom tray 1 forming the bottom wall of the box, a front wall 2, a rear wall 3, a left wall 4 and a right wall 5 forming sidewalls, and an upper tray 6 to serve as a lid of the box.例文帳に追加

梱包箱Ｐは、箱の底壁を形成する底側トレー１と、側壁を形成する前壁２、後壁３、左壁４および右壁５と、箱の蓋となる上側トレー６とにより略直方体状に形成されている。 - 特許庁

Afterwards, the resist mask Re1 and the Al mask 22 are removed, and ion is injected into a high resistance SiC layer 2 at a high temperature of 150°C or higher, by using the silicon dioxide mask 21, so that a p-well region 3 being an impurity diffused layer can be formed.例文帳に追加

その後、レジストマスクＲｅ１，Ａｌマスク２２を除去し、二酸化珪素マスク２１を用いて、１５０℃以上の高温で高抵抗ＳｉＣ層２内にイオン注入して、不純物拡散層であるｐウェル領域３を形成する。 - 特許庁

When the temporary stair landing 1 is installed, it is locked with a steel pipe P properly set on the slope, it is favorable that a horizontal angle of the floor board 3 can be adjusted, and it can be simply installed at any place irrespective of the extent of an incline of the slope.例文帳に追加

仮設階段用踊り場１を設置するときには、法面に適宜配置した鋼管Ｐに係止させ、床板３の水平度を調整すれば良く、法面の勾配の程度に関係なくどこでも簡単に設置できる。 - 特許庁

Furthermore, a base electrode 5 is provided on the p-type base layer 3 located adjacent to the n-type emitter layer 4, a collector layer 6 is provided on the n-type collector layer 2, and an emitter electrode 7 is provided on the n-type emitter layer 4.例文帳に追加

さらに、ｐ型ベース層３上にはｎ型エミッタ層４に隣接してベース電極５が設けられ、ｎ型コレクタ層２上にはコレクタ電極６が設けられ、ｎ型エミッタ層４上にはエミッタ電極７が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 further comprises second second-conductive type regions (for example, P-type well regions 3) that are disposed so as to surround the side surfaces of the first conductive region and contact the first second-conductive type region.例文帳に追加

半導体装置１００は、更に、第１導電型領域の側面を取り囲むように配置され、且つ、第１の第２導電型領域と接している第２の第２導電型領域（例えばＰ型ウェル領域３）を有している。 - 特許庁

The floor drain trap 11 is provided with a holding frame 2 arranged at the upper end of a drain pipe P, a trap body 3 held by the holding frame 2 in a suspended condition, a cover 4 covering a floor drain opening D, and a hose joint 5 penetrating the cover 4.例文帳に追加

床排水トラップ１１は、排水管Ｐ上端部に配される保持枠２と、保持枠２に垂下状に保持されるトラップ本体３と、床排水口Ｄを覆う蓋４と、蓋４を貫通するホース継手５とを備える。 - 特許庁