「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

An n--type low impurity-concentration semiconductor layer 2 is epitaxially gown on an n+-type high impurity-concentration semiconductor substrate 1, a plurality of p+-type semiconductor regions 6 are provided on the surface side of the semiconductor layer 2, and a metal layer 3 which forms the semiconductor layer 2 and a Schottky barrier is provided on the surface of the p+-type semiconductor region 6 and semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^+ 形である高不純物濃度の半導体基板１上にｎ^- 形である低不純物濃度の半導体層２がエピタキシャル成長され、その半導体層２の表面側に複数個のｐ^+ 形の半導体領域６が設けられ、半導体層２およびｐ^+ 形の半導体領域６の表面に、半導体層２とショットキーバリアを形成する金属層３が設けられている。 - 特許庁

The vehicle separation support mirror 1 for allowing a driver to check a distance between a road obstacle P such as a utility pole installed on a road R and a driving vehicle is composed of a mirror sheet 2 with flexibility and a polarization sheet 3 stuck to the surface of the mirror sheet 2 and both the end edges are gripped and fixed so as to be wound around the road obstacle P.例文帳に追加

道路Ｒに設置されている電柱等の路上障害物Ｐと、運転中の車両との距離を確認する車両離合支援ミラー１であり、可撓性を有する鏡面シート２と、鏡面シート２の表面に貼りあわせた偏光シート３とから成り、路上障害物Ｐに巻き付けるようにその両端縁を締め付け固定するように構成した。 - 特許庁

On the rotational plane of the rotor 3, a distance from the rotational center O1 of the rotor 3 up to the connection end O2 of the wire 2 is made longer than a distance from the rotational center O1 of the rotor 3 up to an input position P to which the rotation of the rotor 3 is transmitted by the mechanism 4.例文帳に追加

操作レバー１の回転によってワイヤ２をスライドさせる操作レバー装置であって、ワイヤ２が接続される回転体３と、回転体３に操作レバー１の回転を伝達する回転力伝達機構４を備え、回転体３の回転平面に関して、回転体３の回転中心Ｏ１からワイヤ２の接続端Ｏ２までの距離を、回転体３の回転中心Ｏ１から回転力伝達機構４により回転体３に回転が伝えられる入力位置Ｐまでの距離よりも長くした。 - 特許庁

(3) In accordance with this Act: 1. “biological material” shall denote any material containing genetic information and capable of reproducing itself or being reproducible in a biological system; 2. “microbiological process” shall denote any process involving the use of or intervention in microbiological material or by which microbiological material results; 3. “an essentially biological process” shall denote any process for breeding plants or animals based entirely on natural phenomena such as crossing or selection; 4. “plant variety" shall denote a variety in accordance with the definition of Regulation (EC) No. 2100/94 of the Council of July 27, 1994 on Community Plant Variety Types (OJ L 227, p. 1) in the valid version. 例文帳に追加

(3) 本法においては， 1. 「生物学的材料」とは，遺伝情報を含んでおり，かつ，自己繁殖が可能であるか又は生体系の中で繁殖させることが可能な材料をいう。2. 「微生物学的方法」とは，方法であって，微生物学的材料を使用し若しくは微生物学的材料に介入するもの，又は微生物学的材料を生じさせるものをいう。 3. 「基本的に生物学的方法」とは，全面的に交配又は淘汰等を基礎として植物又は動物を育成する方法をいう。4. 「植物品種」とは，「共同体植物品種」に関する 1994年 7月 27日の理事会規則(EC)No.2100/94(OJ L 227, p.1)の適用時に有効な条文の定義による品種をいう。 - 特許庁

This flag raising device supporting a flag by inserting a base end part of a flagpole P thereinto has a bracket 2 fixed on a post; flagpole mounting member 3 turnably supported around a support shaft 20 by the bracket 2, and a turn restriction means restricting a turn of the flagpole mounting member 3 around the support shaft 20, interposed between the flagpole mounting member 3 and the bracket 2.例文帳に追加

旗竿Ｐの基端部を差し込むことによって旗を支持する旗立て装置であって、支柱Ｓに固定されるブラケット２と、このブラケット２に支持軸２０回りに回動自在に支持された旗竿取付け部材３と、この旗竿取付け部材３と上記ブラケット２との間に介設された、旗竿取付け部材３の支持軸２０回りの回動を規制する回動規制手段とを備えて構成されている。 - 特許庁

A rectifying and smoothing means 3 that rectifies and smoothes AC from a commercial power supply 2, a switching power supply means 4 that switches the DC output of the means 3 to obtain a transformed and rectified DC output of a given voltage, and an inverter circuit 5 that obtains a high-frequency output by switching the DC output from the means 3 are provided on a piece of printed board P.例文帳に追加

一枚のプリント基板Ｐ上に、商用電源２からの交流入力を整流平滑する整流平滑手段３と、この整流平滑手段３の直流出力をスイッチングするとともに、変圧・整流して所定電圧の直流出力を得るスイッチング電源手段４と、上記整流平滑手段３からの直流出力をスイッチングして高周波出力を得るインバータ回路５とを設ける。 - 特許庁

An organic solar cell 1 includes: a first electrode 3 formed on a substrate; a photoelectric conversion layer 5 formed on the first electrode 3 and provided with a p-type semiconductor layer 5a whose material is a molybdenum oxide and an n-type semiconductor layer 5b whose material is an electron-accepting organic semiconductor; and a second electrode 7 formed on the photoelectric conversion layer 5 and paired with the first electrode 3.例文帳に追加

有機太陽電池１は、基板上に形成された第１電極３と、その第１電極３上に形成されており、モリブデン酸化物を材質とするｐ型半導体層５ａ及び、電子受容性有機半導体を材質とするｎ型半導体層５ｂを有する光電変換層５と、その光電変換層５上に形成されており第１電極３と対をなす第２電極７と、を有する。 - 特許庁

This transfer device is provided with a resin made optical disk feeding means 2 for adsorbing and holding a resin made optical disk 1 and conveying it to a transfer position P, and receiving/transferring means 3 installed above the resin made optical disk feeding means 2 oppositely to the same.例文帳に追加

樹脂成形光ディスク１を吸着保持して移送位置Ｐまで搬送する樹脂成形光ディスク供給手段２と、この樹脂成形光ディスク供給手段２の上側に対向して設置された受取り・受渡し手段３とからなる。 - 特許庁

This organosilicon compound is represented by general formula I (R1 and R2 are each a 1-4C monofunctional hydrocarbon group; R3 is a 1-10C bifunctional hydrocarbon group; R4 is a 2-10C bifunctional hydrocarbon group; m is 1-10; n is 1-10; p is 0, 1 or 2).例文帳に追加

一般式１ （Ｒ^1及びＲ^2はＣ１〜４の一価炭化水素基、Ｒ^3はＣ１〜１０の二価炭化水素基、Ｒ^4はＣ２〜１０の二価炭化水素基、ｍは１〜１０、ｎは１〜１０、ｐは０，１又は２を示す。）の有機ケイ素化合物。 - 特許庁

An axial line 4q of the water drain passage 4 and an axial line 5q of the steam discharging passage 5 are positioned on a passage axial line Q which is on same line and the passage axial line Q does not pass a diameter center P of the void chamber 3.例文帳に追加

前記水抜き通路４の軸心線４ｑと蒸気排出通路５の軸心線５ｑとは同一線上となる通路軸心線Ｑに位置するとともに、前記通路軸心線Ｑは空隙室３の直径中心Ｐを通過しないこと。 - 特許庁

A puncture sealing agent introduction part 4 having a pressurization port 3 to which a high pressure source P is connected and a sealing agent discharge part 6 having a take-out port 5 from which the sealing agent G is discharged are formed in a housing part 2 for housing the sealing agent.例文帳に追加

パンクシール剤Ｇを収納する収納部２に、高圧空気源Ｐが接続される加圧口３を有するシール剤取入れ部４と、前記パンクシール剤Ｇが流出する取出し口５を有するシール剤取出し部６とを設けている。 - 特許庁

A data display device 3 receives the data S (t), E (t), and P (t) from the data collecting and transmitting device 1 and the digital type protection controller 2 through the communication network 4, and displays the equipment state of the equipment U to be monitored based on the data.例文帳に追加

データ表示装置３は、データ収集伝送装置１とディジタル形保護制御装置２からのデータＳ（ｔ）、Ｅ（ｔ）、Ｐ（ｔ）を通信ネットワーク４を介して受信し、それらのデータに基づいて被監視機器Ｕの機器状態を表示する。 - 特許庁

Between an n-offset region 9 and an n^+-source region 4, a surface exposed part of an n-well region 2 separated from a p-well region 3 is prepared, and a gate electrode 7 is formed on the surface from the n-offset region 9 to the n^+-source region 4.例文帳に追加

ｎオフセット領域９とｎ^+ソース領域４との間にｐウェル領域３を分離してｎウェル領域２の表面露出部を設け、ｎオフセット領域９からｎ^+ソース領域４迄の表面上にゲート電極７を設ける。 - 特許庁

A silicon carbide semiconductor is formed, wherein an n^- drift region 2, a p-base region 3 and an n^+ source region 4 are laminated in this order by an epitaxial growth method on a semiconductor substrate 1 containing a plane orientation of a front surface as a (000-1) plane.例文帳に追加

おもて面の面方位を（０００−１）面とする半導体基板１上に、エピタキシャル成長法によってｎ^-ドリフト領域２、ｐベース領域３およびｎ^+ソース領域４をこの順に積層した炭化珪素半導体を形成する。 - 特許庁

Between a transmissive conductive film (SnO2) 2 and a p-type- SiC:H layer 4, an amorphous film (a-Si film) 3 (thickness of about 50 Å) containing Si as a main component whose amount of hydrogen is 5 at.% or lower and which contains many defectives.例文帳に追加

透光性導電膜（ＳｎＯ_2 ）２とｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層４との間に、水素量が５ａｔ％以下であって欠陥を多く含むＳｉを主成分とする非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３（厚さ：５０Å程度）を設ける。 - 特許庁

Then, the width of a depletion layer 6 is adjusted, by controlling reverse bias applied between the p-type region 2 and the n-type region 3 and a positive voltage applied to the gate electrode 5, thus making the capacitance value of the semiconductor variable capacitance capacitor changed.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域２およびＮ型領域３間に加える逆バイアスと、ゲート電極５に加える正の電圧とを制御して空乏層６の幅を調節することで、半導体可変容量コンデンサの容量値を変化させる。 - 特許庁

A memory cell power source control circuit 3 controls a power source (memory cell power source VDDM1) of a memory cell 1 of a column selected during write-in of data to a lower voltage value than a VDD level decided by divided voltage ratio of P type MOS transistors QP6 and QP7.例文帳に追加

メモリセル電源制御回路３は、データの書き込み時に選択されるカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱＰ６とＱＰ７の分圧比で決定される、ＶＤＤレベルより低い電圧値に制御する。 - 特許庁

Preferably, a plurality of temperature distribution images Q1 to Q4 are picked up in time series from one viewpoint P by the infrared camera 20, and profiles of respective muck piles 3 and scales 10 are extracted from the plurality of images Q1 to Q4 by an image processor 25.例文帳に追加

好ましくは、赤外線カメラ２０により同じ視点Ｐから複数の温度分布画像Ｑ１〜Ｑ４を経時的に撮影し、画像処理装置２５により複数の画像Ｑ１〜Ｑ４から各ズリ３及びスケール１０の輪郭を抽出する。 - 特許庁

To reform the window frame, one piece 3a of the release paper 3 of the tape is peeled off from one end thereof via the slit 4 to expose the adhesive layer 2, and the covering tape P whose adhesive layer 2 is exposed is stuck to a horizontal piece 11 via the adhesive layer 2.例文帳に追加

窓枠のリフォームは、テープの離型紙３の一片３ａをスリット４を介してその一端から剥がして粘着層２を露出させ、その粘着層２が露出した被覆テープＰを水平片１１にその粘着層２でもって貼着する。 - 特許庁

Plasma P is formed by feeding high-frequency power from a power feeding system 3 to a gas introduced, by a gas introducing system 21, into a dielectric plasma generation container 2 of which one end is an opening and the other end is a closed end part.例文帳に追加

一端が開口で他端が閉じた閉端部である誘電体製のプラズマ生成容器２内にガス導入系２１により導入されたガスに電力供給系３により高周波電力が供給されてプラズマＰが形成される。 - 特許庁

Emission time control of the laser diode 3 is jointly used, thereby, the fluctuation of light quantity due to the interference which occurs when s-polarization is used in the case of chrome mask can be reduced by the contribution of the p-polarization component and the stable positional control is made possible.例文帳に追加

レーザダイオード３の発光時間制御を併用することで、クロムマスクの場合にｓ偏光だと生じる干渉による光量変動を、ｐ偏光成分の寄与によって低減することができ、安定した位置制御が可能となる。 - 特許庁

Furthermore, linearly polarized light which is to be an object of conversion in 3 pieces of liquid crystal light bulbs 250, 252 and 254 are made incident respectively and green light of p-polarization, red light and blue light of s-polarization are made incident on the cross dichroic prism 260.例文帳に追加

また、３枚の液晶ライトバルブ２５０，２５２，２５４には、それぞれで変調対象となる直線偏光を入射させ、クロスダイクロイックプリズム２６０には、ｐ偏光の緑色光と、ｓ偏光の赤色光および青色光を入射させる。 - 特許庁

A male contactor 3 and the female contactor 7 contact each other by engaging a projection 2 of the male connector 1 with a recess 5 of the female connector 4, and the FPC 300 and a substrate P are brought into an electrically connected state via the detachable connector.例文帳に追加

また、雄型コネクタ１の凸部２を雌型コネクタ４の凹部５内に嵌め込むことで、雄型接触子３と雌型接触子７とが接触し、ＦＰＣ３００と基板Ｐとがこのデタッチャブルコネクタを介して電気的に接続した状態になる。 - 特許庁

In the state that the first tray part 2 and the second tray part 3 are inserted into the body 1, the paper P rides over the inclined portion 2a and the protruded portion 3a at almost the same time and is discharged from an opening 1e of the body 1 to the outside.例文帳に追加

第１トレイ部２および第２トレイ部３が本体１内へ挿入されている状態においては、用紙Ｐは、傾斜部２ａおよび突起部３ａをほぼ同時に乗り越えて、本体１の開口１ｅから外部へ排出される。 - 特許庁

The measurement device for modulators is provided with an oscillator 1, a frequency divider 2, a 4-phase modulation pattern generator 3, S/P converters 4a, 4b, a vector network analyzer 6, a modulator 5 as a measurement object, and terminals 11, 12, 13, 14 used to interconnect each section of the measurement device.例文帳に追加

発振器１と、分周器２と、４相変調パターン発生器３と、Ｓ／Ｐ変換器４ａ，４ｂと、ベクトルネットワークアナライザ６と、被測定対象としての変調器５と測定装置各部とを接続する端子１１，１２，１３，１４とを設ける。 - 特許庁

According to the structure of the circulating parking apparatus, the storage section 3 is provided with the circulating passage 21 which is formed by combining the upper-story and lower-story transverse carriages 11, 13 for connecting a plurality of pallets P together and transversely delivering the same by a transverse carrying device 25, with the first and second vertically moving passages 15, 17.例文帳に追加

複数のパレットＰを連結して横行装置２５により横送りする上層及び下層横移送路１１，１３と第１及び第２昇降路１５，１７との組み合わせからなる循環路２１を格納部３に設ける。 - 特許庁

A P-channel MOSFET 101 and an N-channel MOSFET 102 are formed in N-type semiconductor layers 3 insularly isolated on a SOI(Silicon On Insulator) substrate 200 and a heavily doped impurity diffused region 10 is formed in such a way as to encircle these MOSFETs.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２００上の島状に分離されたｎ形半導体層３にｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１０１とｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１０２が形成され、これらを取り囲むように、高濃度の不純物拡散領域１０を形成する。 - 特許庁

Succeedingly a chain search arithmetic circuit 3 receives the calculation results successively output from the error position polynomial-numerical polynomial arithmetic circuits 2a, 2b, 2c without interruption, and carries out the arithmetic operation by n/P clock, and obtains an error position and an error numerical value.例文帳に追加

続くチェンサーチ演算回路３は誤り位置多項式・数値多項式演算回路２ａ，２ｂ，２ｃが次々に出力する演算結果を途切れることなく受け取ってｎ／Ｐクロックで演算を行なって、誤り位置および誤り数値を求める。 - 特許庁

The composite is provided, being obtained by covering reinforcing cords 2 comprising synthetic fibers or natural fibers with such a BIMS (brominated isobutylene-p-methylstyrene copolymer rubber)-based rubber composition 3 that 50 pts.wt. or more of BIMS is included in 100 pts.wt. of a rubber component.例文帳に追加

合成繊維又は天然繊維を用いた補強コード２を、臭素化イソブチレン・パラメチルスチレン共重合体ゴム（ＢＩＭＳ）がゴム成分１００重量部中に５０重量部以上含有するＢＩＭＳ系ゴム組成物３にて被覆した。 - 特許庁

A stopping member 5 which is hanged from a bottom face 3b rockingly in the direction opposite to the paper sheet discharging direction to stop a paper sheet P to be discharged to the paper sheet discharging unit 4 is provided on the bottom face 3b of the image reading unit 3.例文帳に追加

画像読取部３の下面３ｂには、用紙排出方向とその反対方向に揺動自在となるように当該下面３ｂから垂れ下がり、用紙排出部４に排出される用紙Ｐを当て止める当止部材５が設けられている。 - 特許庁

A contactless type distance measuring sensor movable within a vertical face is arranged between a reference plane 4 of a vertical surface plate 3, and a measured substrate P held by a holding mechanism 21 to keep its plate face in a vertical condition.例文帳に追加

縦型定盤３の基準平面４と、保持機構２１により板面が垂直状態となるように保持された被測定基板Ｐとの間に、垂直面内において移動可能になされた非接触型距離測定センサが配置される。 - 特許庁

This pole rising-cable supporting metal fitting 1 comprises a supporting crossarm 2 almost horizontally attached to the pole P, and two lateral crossarms 3 that are almost vertically arranged on the same plane with respect to the supporting crossarm, and support the rise of the cable C.例文帳に追加

電柱用立上ケーブル支持金物１は、電柱Ｐに略水平に取付けられる支持腕金２と、該支持腕金に対し同一平面上で略直角に設けられてケーブルＣを立上支持する２つの横腕金３とを有する。 - 特許庁

With the p-MOS structure, the base body is an n-type silicon substrate 1, the high-potential electrode is a gate electrode 4, the low-potential electrode is a drain region (or a source region), and the insulation layer is a gate insulation layer 3.例文帳に追加

ｐ−ＭＯＳ構造をとるもので、基体がｎ型シリコン基板１であり、高電位電極がゲート電極４であり、低電位電極がドレイン領域（またはソース領域）２であり、絶縁層がゲート絶縁層３であることを特徴とする。 - 特許庁

This acupressure pillow for the musculus latissimus dorsi 1 is formed by connectively providing a musculus latissimus dorsi abutment part 2 having a plurality of acupressure projection parts 4 in a part abutting on the musculus latissimus dorsi Q of the user, and a head part abutment part 3 mounting the head part P of the user.例文帳に追加

本発明に係る広背筋用指圧枕１は、使用者の広背筋Ｑに当接する部分に複数の指圧用突起部４を備えた広背筋当面部２と、使用者の頭部Ｐを載置する頭部当面部３とを連設して成る。 - 特許庁

Then the polysilicon films 2, 4 are covered with a resist 7 and only the polysilicon film 3 is doped with low concentration P (phosphorus) ion so as to control the threshold voltage of the pixel sampling n-chTFT to be lower than the threshold voltage of the n-chTFT of the CMOS transistor.例文帳に追加

次にポリシリコン膜２，４をレジスト７を覆い、ポリシリコン膜３のみに、低濃度のＰ（リン）イオンをドープし、画素・サンプリングｎ−ｃｈＴＦＴの閾値電圧をＣＭＯＳトランジスタのｎ−ｃｈＴＦＴの閾値電圧よりも低く設定する。 - 特許庁

A piezo-resonator 1 to excite acoustic waves is composed of a piezoelectric board 2 and inter digital electrodes 3 formed on a surface of the board 2, and a polarization axis P of the board 2 is inclined toward the thickness direction of the board 2.例文帳に追加

音響波を励起するための圧電振動子１は、圧電基板２と、この圧電基板の表面に形成された簾状電極３とで構成されており、圧電基板の厚み方向に対して、前記圧電基板の分極軸Ｐが傾いている。 - 特許庁

In this imaging method, a nip part PC is formed by bringing a writing unit 3 into contact with the latent image carrier 2 traveling in the arrow P direction and the electrostatic latent image is formed in the latent image carrier 2 in such a state that a liquid W is interposed in the nip part PC.例文帳に追加

矢印Ｐの方向に移動する潜像担持体２に書込ユニット３を当接させてニップ部ＰＣを形成し、ニップ部ＰＣにおいて液体Ｗを介在させた状態で潜像担持体２に静電潜像を形成している。 - 特許庁

When the determination task 36 and the generation task 37 are initiated by inputting a figure indicated by a power meter H1 into the meter inspection terminal 3, the related information based on the determination result of the determination task 36 is printed on the paper P "Information of meter inspection".例文帳に追加

電力メータＨ１の指示数を検針端末３に入力して判定タスク３６および作成タスク３７が起動されると、判定タスク３６による判定結果に基づく関連情報が「検針のお知らせ」紙Ｐに印刷される。 - 特許庁

The mounting device includes: a mounting frame 2 which projects on a peripheral side of a rod antenna a substantially in a U-shape in a plan view; a support disk 1 disposed on a support pillar p; and a mounting metal fitting 3 interposed between the central piece 2a of the mounting frame 2 and the support disk 1.例文帳に追加

棒状アンテナａの周側に突設した平面視コ形の取付け枠２と支柱ｐに設けた支持盤１および前記取付け枠２の中央部片２ａと前記支持盤１との間に介在させた取付け金具３を備える。 - 特許庁

The concrete product for running water is a water channel constituent member manufactured by forming an aggregate-containing high fluidity concrete 2 in a molding tool 3 and the water channel constituent member has the uneven surface 7 with an aggregate 6 exposed by washout to a desired depth P in the inside surface 5 of at least the water channel 4.例文帳に追加

骨材入りの高流動コンクリート２を成形型３に打設する水路構成部材であって、該水路構成部材は少なくとも水路４の内側面５に骨材６が所望深さＰ洗い出された凹凸面７が形成された。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a structure that an active layer 6 is pinched between the n-type clad layer 3 and the p-type clad layer 10, an Al_xGa_1-xN(AlGaN) layer having the composition ratio x of Al of 0.01≤x<0.06 is employed as the n-type clad layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層３とｐ型クラッド層１０との間に活性層６が挟まれた構造を有する半導体発光素子において、ｎ型クラッド層として、Ａｌ組成比ｘが０．０１≦ｘ＜０．０６のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（ＡｌＧａＮ）層を用いる。 - 特許庁

The holder body 1 consists of an upper plate 2 to abut on the oversurface of the pipe body P, a lower plate 3 to abut on the undersurface, and side plates 4 to abut on the side faces from plate material having a specified thickness into a channel shape when viewed from the side.例文帳に追加

保持具本体１は、管材体Ｐの上面に当接する上側板部２、下面に当接する下側板部３、側面に当接する側面板部４によって所定肉厚の板材によって側方から見て溝型状に一体形成する。 - 特許庁

There, the elastic piece 6a is so structured as to engage with the peripheral face 3a of the screw shank in a state of inclining in the direction P of insertion into the screw insertion hole 5b of the screw 3 so that an angle A3 to the axis 3b of the screw may be within 45°.例文帳に追加

そこで、弾性片６ａは、ビス軸心３ｂに対する角度Ａ３が４５°以内にあるように、ビス３のビス挿入孔５ｂへの挿入方向Ｐへ向けて傾斜した状態で、ビス軸外周面３ａに係合するよう構成される。 - 特許庁

The sealing material 5 and the sheet 1 are bonded by a primer for bonding having a solid matter having concentration of 3-25 mass % mainly comprising a bromide of an isobutyrene-p- methylstyrene copolymer and using an aliphatic hydrocarbon solvent as a solvent main component.例文帳に追加

シール材５と防水シート１とを、イソブチレン−ｐ−メチルスチレン共重合体の臭素化物を主成分とし脂肪族炭化水素系溶剤を溶媒主成分とする固形分の濃度３〜２５質量％の接着用プライマーで接着させる。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has an active layer 5 of quantum well structure comprising a clad layer 9 composed of p-type semiconductor material, a clad layer 3 composed of n-type semiconductor material and a light confinement layer, and emits a laser beam from the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｐ型半導体材料からなるクラッド層９とｎ型半導体材料からなるクラッド層３と光閉じ込め層と量子井戸構造からなる活性層５を有し、活性層５から出射されるレーザ光を出射する。 - 特許庁