「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

A transfer amount limiting guide 4 for limiting the amount of transfer to an area P, in which the sediment N can be taken out through the intake port 33, is provided in a position above the carrier belt 21 on the upstream side with respect to the intake port 33 of the screw conveyor 3.例文帳に追加

スクリューコンベア３の取込口３３よりも上流側の搬送ベルト２１の上方位置には、取込口３３で土砂Ｎを取り出すことが可能な領域Ｐへの移送量を制限するための移送量制限ガイド４が設けられている。 - 特許庁

Also, in a structure of the core of a motor, in which the divided portions 3 of the core 1 of the cylindrical shape and the positions of the calking protrusions 2 are arranged with an equal interval, (360/θ) is made mutually prime to the number of field poles 'p', when the angle of the equal interval is 'θ'.例文帳に追加

また、円筒状のコア１のコア分割部３とカシメ突起２の位置が等間隔で配置されたモータのコア構造において、等間隔の角度をθとしたときに、（３６０／θ）が界磁極数ｐと互いに素となるようにする。 - 特許庁

The problem is solved by the muffler cutter 1 having a dynamic damper function pressing an outer circumference surface of the exhaust pipe P by the flat spring 3.例文帳に追加

自動車の排気管Ｐ端部に着脱可能な円筒体２からなるマフラーカッター１であり、円筒体２の内周面に板バネ３を設け、板バネ３によって排気管Ｐの外周面を押圧するダイナミックダンパ機能を有するマフラーカッター１によって解決する。 - 特許庁

After a bus charging transistor 3 is conducted based on a bus charging pulse P, and the data bus 2 is charged to an H level, when the memory cell read-out data Y are an L level, the charge of the data bus 2 is discharged through a bus discharging transistor 4.例文帳に追加

バス充電パルスＰに基づいてバス充電用トランジスタ３を導通させてデータバス２をＨレベルに充電した後に、メモリセル読み出しデータＹがＬレベルであればバス放電用トランジスタ４を介してデータバス２の電荷を放電させる。 - 特許庁

For the p-type semiconductor layer 12, the impurity amount for each unit region is set higher than 3×1012/cm2 for avoiding entire depletion even if a reverse bias voltage is applied between the source electrode 13 and a drain electrode 14.例文帳に追加

このｐ型半導体層１２は、ソース電極１３とドレイン電極１４間に逆バイアスの電圧が与えられても、完全には空乏化しないようにその単位面積当たりの不純物量が３×１０^12／ｃｍ^2より多く設定されている。 - 特許庁

The circular arc radius r of the guide faces 16, a length R from the rotation center O of the cylinder block 3 to the center P of the circular arc and the diameter D of the weights 20 are set so that the square root of (R/(r - D/2)) is a natural number.例文帳に追加

案内面１６の円弧半径ｒとシリンダブロック３の回転中心Ｏから同円弧の中心Ｐまでの長さＲ、ウエイト２０の直径Ｄとによって、（Ｒ／（ｒ−Ｄ／２））の平方根が自然数となるように設定する。 - 特許庁

The substrate 21-1 is connected to the p-well regions 21-2 by side-etching a buried oxide film 21-3 from the inside of each deep trench 22 and burying polysilicon or forming a conductive layer by an epitaxial growth.例文帳に追加

埋め込み酸化膜２１−３を溝２２内からサイドエッチングし、ポリシリコンを埋め込むかまたはエピタキシャル成長で導電層を形成することにより、基板２１−１とＰウェル領域２１−２を電気的に接続することを特徴としている。 - 特許庁

The rotor 6 is rotated for aligning the granular material storage holes 7, 7' to a granular material supply hole 3 and a granular material discharge hole 5 in the rotor support 1 to supply and discharge the granular material P into/from the granular material storage holes 7, 7'.例文帳に追加

回転体６を回転させて、回転体支持体１の粉粒体供給孔３、粉粒体排出孔５に、粉粒体収容穴７、７’を位置合わせして、粉粒体収容穴７、７’への粉粒体Ｐの供給、排出を行う。 - 特許庁

In order to perform connection-exposure efficiently, the aperture group of the aperture limit is a circle or a pseudo-circle having a diameter in the range of (2p/N)×(0.85-1.15), where N is a positive integer of 3 or above, and p is the arranging pitch of the optical fiber strands.例文帳に追加

効率的に接続露光するには、Ｎを３以上の正の整数、該光ファイバー素線の配列ピッチをｐとする時、開口制限マスクの開口群を直径が（２ｐ／Ｎ）×（０．８５〜１．１５）の範囲の円形または擬似円形とする。 - 特許庁

The Helicobacter pylori motility inhibitor contains at least one monoterpene compound selected from the group consisting of β-myrcene, d-limonene, l-limonene, p-cymene, α-pinene, β-pinene, 3-carene, geraniol, nerol and borneol, as an active ingredient.例文帳に追加

β−ミルセン、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ｐ−シメン、α−ピネン、β−ピネン、３−カレン、ゲラニオール、ネロール及びボルネオールからなる群から選択される少なくとも１種のモノテルペン化合物を有効成分として含有する、ヘリコバクターピロリの運動能阻害剤。 - 特許庁

At least one of p-side electrode 48 and n-side electrode 49 is electrically connected to the first and second surface electrodes 2 and 3 with a wire 5 such as gold wire, with the LED chip 4 covered with a coating member 6.例文帳に追加

そして、そのｐ側電極４８とｎ側電極４９の少なくとも一方が第１および第２の表面電極２、３と金線などのワイヤ５により電気的に接続され、ＬＥＤチップ４の周囲が被覆部材６により被覆されている。 - 特許庁

By filling phosphor paste P in the cells separated by ribs 3 on a back plate with the application head having those holes h, stable and even application is enabled, realizing as a result an even phosphor screen.例文帳に追加

そのような吐出孔ｈを有する塗布ヘッドを用いて、蛍光体ペーストＰを背面板のリブ３によって仕切られたセルへ充填することにより、安定して均一な塗布を行うことができ、結果として均一な蛍光面を形成することができる。 - 特許庁

The vacuum mechanism 3 is located directly under the carrier tape C being carried, and is equipped with a vacuum groove 32 which sucks the semiconductor device S through a vacuum hole 31 having the same pitch as a plurality of tape holes C2 which are provided on the bottom section of a carrier tape pocket P.例文帳に追加

バキューム機構３は、搬送されるキャリアテープＣの真下にあり、キャリアテープポケットＰの底部に開いている複数のテープ穴Ｃ２とピッチを同一とするバキューム穴３１を通して半導体装置Ｓを吸引するバキューム溝３２を備えている。 - 特許庁

A discharge drive roller 1 and a discharge driven roller 2 which constitute a pair of paper discharge rollers are symmetrically positioned across the center in the direction of conveyance of the sheet P in the vicinity of a discharge port 7, and each shaft 1a, 2a is inclined and arranged along the curve of the paper discharge guide plate 3.例文帳に追加

排紙コロ対をなす排出駆動コロ１と排出従動コロ２は、排出口７近傍でシートＰの搬送方向中央を挟んで対称に位置し、各軸１ａ、２ａは、排紙ガイド板３の湾曲に沿って傾斜配置する。 - 特許庁

Then, the dehumidifier 1 is provided with: an air blower 3 for sending air so as to bring the air into contact with the heat radiator 2; and a transporting means 4 for transporting the recording material P in a passing direction X while bringing it into contact with the contact surface 2a of the heat radiator 2.例文帳に追加

また、放熱体２に接触させるように空気を送るための送風装置３を設けたり、記録材Ｐを放熱体２の接触面２ａに接触させつつその通過方向Ｘに搬送するための搬送手段４を設ける。 - 特許庁

When adjusting a position of a headrest 3C upward in response to the seated person P of a large physical constitution, the shoulder anchor 1D is adjusted upward in a position by an interlocking support mechanism, and is also adjusted in the position outside in the width direction of a seat back 3B of a front seat 3.例文帳に追加

大柄な体格の着座者Ｐに合わせてヘッドレスト３Ｃを上方に位置調節すると、連動支持機構によりショルダアンカ１Ｄが上方に位置調節され、かつ、前部シート３のシートバック３Ｂの幅方向外側に位置調節される。 - 特許庁

A plurality of freely bendable grip components inserted with soft metallic members 3 are equidistantly arranged in the positions on the circumference around a central axis P parallel with blade edges of leather at the front end provided with a hole 10 for attaching the leather and are integrated.例文帳に追加

軟性の金属部材３を挿入した、複数の湾曲自在な把柄構成材を、レザーを取付ける孔１０を設けた先端部のレザーの、刃先と平行な中心軸Ｐを中心とした円周上の位置に等分に配置し、一体となす。 - 特許庁

The cap body 3 integrally includes a mounting base part 11 mounted on a mouth part C1 of a container C, and a nozzle 13 standing from the mounting base part 11 and forming inside a pouring out passage P for contained liquid stored inside the container C.例文帳に追加

キャップ本体３は、容器Ｃの口部Ｃ１に装着される装着基部１１、及び該装着基部１１から立ち上がり内側に容器Ｃ内に収容された内溶液の注出通路Ｐを形成するノズル１３を一体に有する。 - 特許庁

Meanwhile, corresponding to the data shading quantity of the black output, a correction signal generating means 5 generates a correction signal (q) reaching a part of the signal (p), and the signal (q) is added to the output of the element 1 by a signal adding means 3.例文帳に追加

一方、黒出力のダークシェーディング量に対応しては、補正信号発生手段５で、前記比較信号ｐの部位にまで及ぶ補正信号ｑが生成され、この補正信号ｑは信号付加手段３で撮像素子１の出力に付加される。 - 特許庁

A memory cell power control circuit 3 controls the power source (memory cell power VDDM1) of the memory cell 1 of a column selected when writing data to a voltage value lower than a VDD level decided by the voltage dividing ratio of P type MOS transistors QP6 and QP7.例文帳に追加

メモリセル電源制御回路３は、データの書き込み時に選択されるカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱＰ６とＱＰ７の分圧比で決定される、ＶＤＤレベルより低い電圧値に制御する。 - 特許庁

Such heating body 3 is contacted with the inner peripheral face of an endless fixing belt 1, and the outer peripheral face of the fixing belt is pressure contacted with a recording sheet P carrying an unfixed toner image T, and the toner image is crimped onto the recording sheet.例文帳に追加

このような加熱体３は、無端状の定着ベルト１の内周面に当接されるとともに、定着ベルトの外周面が未定着のトナー像Ｔを担持した記録シートＰに圧接され、加熱・加圧してトナー像を記録シート上に圧着する。 - 特許庁

In a varistor 1, varistor electrodes 3, 4 composed of metal material such as Ag, Pd, Pt, A, Ni and Cu are formed on the surface and the back of a voltage nonlinear resistor 2 whose main component is SiC(silicon carbide) doped with impurities such as N(nitrogen) and P(phosphorus).例文帳に追加

バリスタ１は、Ｎ（窒素）やＰ（リン）等の不純物をドープしたＳｉＣ（炭化ケイ素）を主成分とした電圧非直線抵抗体２の表裏面に、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ等の金属材料からなるバリスタ電極３，４が形成されている。 - 特許庁

The air blowing part 3 blows air to the side of the upper end U from the side of the lower end D of the stacker 21 toward the lower end SD of a recording material which slides down on the placing face P of the stacker 21 toward the side of the lower end D from the side of the upper end U of the stacker 21.例文帳に追加

送風部３は、スタッカ２１の上端Ｕ側から下端Ｄ側に向かってスタッカ２１の載置面Ｐ上を滑落してくる記録材の下端ＳＤに向けてスタッカ２１の下端Ｄ側から上端Ｕ側に送風を行う。 - 特許庁

P&M Co., Ltd. is engaged in the consigned processing of pneumatic control equipment components, and in the development, design and manufacturing of their own products such as microactuators. The company is based in Aizuwakamatsu City, Fukushima Prefecture, with 25 employees and capital of ¥3 million. It was founded in 1998. 例文帳に追加

福島県会津若松市の株式会社ピーアンドエム（従業員25名、資本金300万円）は、空気圧制御機器用部品等の受託加工のほか、マイクロアクチュエータ等自社製品の開発・設計・製造を手がける企業として、1998年に設立された。 - 経済産業省

The determination means 4 compares the images captured in the detection area P with the reference images stored in the storage means 3, and determines the deformation states of the tires 6 on the basis of the changes of the predetermined patterns 7 between the two kinds of images.例文帳に追加

判定手段４は、検出エリアＰにおいて撮像された画像と、記憶手段３に記憶された基準画像とを比較し、当該２つの画像における所定パターン７の変化に基づいて、タイヤ６の変形状態を判定する。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

This embedded electric outlet has: an electric outlet unit mounting frame 2 embedded in a mounting surface W; a rectangular electric outlet unit 3 mounted to the mounting frame 2 movably forward and backward so as to project by the thickness of a plug P or thicker; and plug insertion holes 4 formed in a side surface perpendicular to the mounting surface W of the outlet unit 3.例文帳に追加

本埋め込み型コンセントは、取付面Ｗに埋め込まれたコンセントユニット搭載枠２と、このコンセントユニット搭載枠２に、プラグＰの厚み分あるいはそれ以上突出するように、出没自在に取り付けられた長方体形状のコンセントユニット３と、このコンセントユニット３の取付面Ｗと直交する側面部に設けられたプラグ差込口４を有する。 - 特許庁

The radiation measuring apparatus includes a wave height discriminator 3 and a signal channel wave height analyzer 4 each of which outputs a digital pulse signal when an analog pulse signal outputted from a radiation detector 1 satisfies a predetermined condition, and first and second counters 5, 6 which respectively count the digital pulse signals respectively outputted from the discriminator 3 and the analyzer 4 and respectively output count values M, P.例文帳に追加

放射線検出器１により出力されたアナログパルス信号が所定の条件を満たす場合にデジタルパルス信号を出力する波高弁別器３とシグナルチャンネル波高分析器４を備え、第１のカウンタ５と第２のカウンタ６は、それぞれから出力されたデジタルパルス信号を計数し、計数値Ｍ、Ｐを出力する。 - 特許庁

In a method of attaching the die of a spinning apparatus 1 by which the die M is fixed to the main spindle 3 via a fitting mechanism 9, a numerically controlled motor E1 for rotating the spindle 3 is rotated by the pulse signal which is output by a manual pulse generator P and the positioning and the fitting operation of the fitting mechanism 9 are performed.例文帳に追加

主軸３に対して金型Ｍを嵌合機構９を介して固定する絞り加工装置１の金型取付方法において、主軸３の回転を行う数値制御モータＥ１を、手動パルス発生器Ｐにより出力させるパルス信号で回転させ、前記嵌合機構９の位置合わせと嵌合動作を行うようにする。 - 特許庁

A pumping hole 5 is formed in a liner plate 2 constituting one portion of a liner m lined onto an inner face of the fuel pool P, a diffuser main body 3 is provided in a reverse face side of the hole 5 to be embedded inside a wall face, and piping h of a cooling cleaning system F extended penetratedly through the wall face is connected to the diffuser main body 3.例文帳に追加

燃料プールＰの内面に貼り付けられるライナｍの一部を構成するライナプレート２に給排水穴５を形成すると共に、その給排水穴５の裏面側にディフューザー本体３をその壁面内に埋設するように設け、そのディフューザー本体３にその壁面を貫通して延びる冷却浄化系Ｆの配管ｈを接続する。 - 特許庁

When a user P uses an automated teller machine 1 while holding a brochure (B) 2 of an interesting product in a hand, an ID tag 3 on the brochure 2 is positioned within the access range of a wireless part 12 of the automated teller machine 1, and an identifier (ID) stored in a memory 31 of the ID tag 3 is read by the automated teller machine 1 wirelessly.例文帳に追加

利用者Ｐが興味を持った商品のパンフレット（Ｂ）２を手に取って所持し、預金預入れ支払い機１を使用すると、当該パンフレット２のＩＤタグ３が預入れ支払い機１の無線部１２のアクセス範囲内に位置し、預入れ支払い機１によってＩＤタグ３のメモリ３１に記憶されている識別子（ＩＤ）が無線読み取りされる。 - 特許庁

A semiconductor device 15 is provided with a vertical MOSFET (semiconductor element) including a semiconductor substrate 2 having a principal plane with a plane orientation of {110}, an n-type drift region 3 formed on the principal plane of the semiconductor substrate 2, and a p-type column region 16 formed in the n-type drift region 3 to form a super junction structure.例文帳に追加

半導体装置１５は、面方位が｛１１０｝である主面を有する半導体基板２と、半導体基板２の上記主面上に設けられたｎ型ドリフト領域３と、ｎ型ドリフト領域３中に設けられ、スーパージャンクション構造を構成するｐ型コラム領域１６と、を含む縦型ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）を備えている。 - 特許庁

The poly-3-hydroxybutyrate-based complex is obtained by blending, mixing and heating a poly-3-hydroxybutyrate-based polymer and an isocyanate compound, preferably, one or more isocyanate compounds selected among a group consisting of m-phenylene diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, and hexamethylene diisocyanate.例文帳に追加

ポリ３−ヒドロキシブチレート系重合体及びイソシアネート化合物、好ましくは、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートからなる群より選択される１種以上のイソソアネート化合物、を配合し混合・加熱してなるポリ３−ヒドロキシブチレート系複合体。 - 特許庁

In the dehumidification element constituted by alternately laminating adsorption elements 1 each equipped with first air passages 3 having an adsorbent supported thereon and cooling elements 2 each equipped with second air passages 4, the first air passages 3 of each of the adsorption elements 1 and the second air passages 4 of each of the cooling elements 2 are provided adjacent to each other through one panel material P.例文帳に追加

吸着剤が担持された第１通風路３を備えた吸着用素子１と第２通風路４を備えた冷却用素子２とを交互に積層して構成される除湿素子において、吸着用素子１の第１通風路３と冷却用素子２の第２通風路４とを一枚の板材Ｐを介して隣設させる。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

P: concentration of phosphorus-containing compound (mg/L as PO_4^3-), S: concentration of carboxylic acid group-containing copolymer (mg/L as solid content), and O: concentration of oxidizing substance(mg/L as Cl_2) as free chlorine concentration corresponding to the color development after 10 seconds from reagent addition by the DPD method.例文帳に追加

アゾール系銅用防食剤必要濃度（ｍｇ／Ｌ） ＝Ｐ×０．２＋Ｓ×０．４＋Ｏ×１０ （１） Ｐ：リン含有化合物濃度（ｍｇ／Ｌ ａｓ ＰＯ_4^3-） Ｓ：カルボン酸基含有共重合体濃度（ｍｇ／Ｌ ａｓ 固形分） Ｏ：ＤＰＤ法の試薬添加１０秒後の発色に相当する遊離塩素濃度としての酸化性 物質濃度（ｍｇ／Ｌ ａｓ Ｃｌ_2） - 特許庁

P-type well regions 2 are formed in the surface layer of an N-type semiconductor substrate 1, N-type emitter region 3 are formed in the surface layer of each of the regions 2 by an As ion implantation and polysilicon gate electrodes 5 are formed on the surfaces, which are held between the substrate 1 and the regions 3, of the regions 2 via a gate insulating film 4.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１の表面層にｐウエル領域２を形成し、ｐウエル領域２の表面層にＡｓのイオン注入でｎエミッタ領域３を形成し、半導体基板１とｎエミッタ領域３に挟まれたｐウエル領域２の表面にゲート絶縁膜４を介して、ポリシリコンのゲート電極５を形成する。 - 特許庁

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.例文帳に追加

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。 - 特許庁

An MOSFET includes: an n-type SiC drift layer 2 formed on an SiC substrate 1; a pair of p-type base regions 3 formed above the SiC drift layer 2; and an n-type high-concentration layer 9 formed at a depth of the bottom of the base region 3 over the SiC drift layer 2 and having a high impurity concentration than the SiC drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１上に形成されたｎ型のＳｉＣドリフト層２と、ＳｉＣドリフト層２の上部に形成されｐ型の一対のベース領域３と、ＳｉＣドリフト層２におけるベース領域３の底部の深さ一帯に形成され、当該ＳｉＣドリフト層２よりも不純物濃度が高いｎ型の高濃度層９とを備える。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a barrier metal layer 3 containing Ni and P formed on a semiconductor substrate 1, and bumps 5 containing at least Cu provided on the barrier metal layer 3 wherein the bump 5 is composed of a lower layer bump 5a having a high content of Cu, and an upper layer bump 5b having a content of Cu lower than that of the lower layer bump 5a.例文帳に追加

半導体基板１上に、Ｎｉ及びＰを含むバリアメタル層３と、該バリアメタル層３上に設けられ、少なくともＣｕを含有するバンプ５とを有した半導体素子において、前記バンプ５はＣｕ含有率が大きい下層バンプ５ａと、該下層バンプ５ａよりもＣｕ含有率が小さい上層バンプ５ｂとを備えている。 - 特許庁

A P-polarized luminous flux transmitted through the polarizing beam splitter 3 and that reflected by the polarizing beam splitter 3 and polarized and converted by a 1/4 wavelength plate 4 and a reflection mirror 5 are composed by aligning an outgoing direction by a prism array 6, and are condensed in the vicinity of the incident plane of a glass rod 8 by a condensing lens 7.例文帳に追加

偏光ビームスプリッタ３を透過したＰ偏光光束と偏光ビームスプリッタ３により反射され１／４波長板４および反射ミラー５によって偏光変換されたＰ偏光光束は、プリズムアレイ６によって出射方向が揃えられ合成されて、集光レンズ７によってグラスロッド８の入射面近傍に集光される。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a p-type semiconductor film 2 formed on the front side of an n-type semiconductor C substrate 1, an n-type semiconductor film 3 involving a channel region 4 formed thereon, source and drain regions 5, 6 formed at both sides of the channel region on the semiconductor film 3, and a gate electrode 13 in contact with the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体Ｃ基板１の表（おもて）面に成膜されたｐ型半導体膜２と、その上に形成されたチャネル領域４を含むｎ型半導体膜３と、ｎ型半導体膜の上であって、チャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域５,６と、ｎ型半導体基板に接して設けられたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁

In a ball valve storing a ball valve element 5 rotatably in a valve main body 3 provided in a piping system and communicating/blocking between the fluid inlet 1 and fluid outlet 2, a seal fluid supply port P for pressing in the higher pressure fluid for sealing than the pressure of inside fluid flowing in the piping system is connected to the valve main body 3.例文帳に追加

配管系に設けられるバルブ本体内３にボール弁体５を回転自在に収容してその流体入口１と流体出口２間を連通・閉塞するボールバルブにおいて、上記バルブ本体３に、上記配管系内を流れる内部流体の圧力よりも高圧のシール用流体を圧入するためのシール流体供給ポートＰを接続する。 - 特許庁

The Peltier module 2 heating or cooling at least one of an inside plate 3 and an outside plate 4 is arranged in the heat insulation gap 7 formed by the inside plate 3 and the outside plate 4 face to face at the prescribed interval for use as a building part P for an outer wall forming material or a window forming material in this building material.例文帳に追加

所定間隔を置いて対設状態に設けた内側板３と外側板４との断熱間隔７内に、この内側板３と外側板４の少なくとも一方を加熱若しくは冷却するペルチェモジュール２を介設し、外壁形成材や窓形成材などの建築パーツ材Ｐとして利用できる形状に構成した建築用材。 - 特許庁

In the penetration P which is installed at an RCCV wall H, an insert plate 2 and a flange plate 3 which are situated on the inner face and the outer face of the RCCV wall H are integrated with the through pipe 1 which is passed through the RCCV wall H in advance, and reinforcing bars 4 are arranged around the through pipe 1 between the insert plate 2 and the flange plate 3.例文帳に追加

ＲＣＣＶ壁Ｈに据え付けられるペネトレーションＰにおいて、予め上記ＲＣＣＶ壁Ｈを貫通する貫通管１にそのＲＣＣＶ壁Ｈの内外面に位置するインサートプレート２とフランジプレート３とを一体化すると共に、そのインサートプレート２とフランジプレート３間の貫通管１の周囲に鉄筋４を配筋しておく。 - 特許庁