「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

When the resonator 3 is mounted, using each camera 8A or the like of an image recognition unit 8 aligns the alignment mark 7 on the backside of the resonator to a reference position P set to the front side 1A of the circuit board 1 by using the transmission line 2 for a reference.例文帳に追加

そして、共振器３の搭載時には、画像認識装置８の各カメラ８Ａ等を用いることにより、伝送線路２を基準として回路基板１の表面１Ａ側に設定された基準位置Ｐと、共振器３の裏面側の位置合わせマーク７とを位置合わせする。 - 特許庁

In a wafer processing tape 1, semicircular or tongue-shaped notches 11 directing outside an adhesive agent layer 3 in a plan view are formed to such a depth that reaches a peel base material 2 from a base material film 5 side so as to correspond to a region P to be stuck to a wafer ring 14.例文帳に追加

ウェハ加工用テープ１では、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の外側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。 - 特許庁

A semiconductor laminate portion 6 is formed on one surface of a substrate 1 by laminating a nitride semiconductor layer including an n-type layer 3 and a p-type layer 5 to form a light emitting layer, and a translucent conductive layer 7 is provided on the surface side of the semiconductor laminate portion 6.例文帳に追加

基板１の一面上に、ｎ形層３およびｐ形層５を含む窒化物半導体層が発光層を形成するように積層されることにより半導体積層部６が形成され、その半導体積層部６の表面側に透光性導電層７が設けられている。 - 特許庁

A cyclic coefficient Kr and an output coefficient Ko are changed depending on which picture I, P or B picture is decoded into a video signal Sd after being decoded to be inputted to the section 3 and decoded video signal before one frame or before one field.例文帳に追加

ノイズ低減部３の巡回係数Ｋｒおよび出力係数Ｋｏを、ノイズ低減部３に入力される復号後の映像信号Ｓｄ、および１フレーム前または１フィールド前の復号後の映像信号が、Ｉ，Ｐ，Ｂのいずれのピクチャを復号したものであるかに応じて変化させる。 - 特許庁

The electronic element includes a carbon nanotube 1 having the characteristics of a P-type semiconductor and provided with a source electrode 6 and a drain electrode 7 each having the characteristics of an N-type semiconductor, on both ends; and a bias electrode 2 and a control electrode 3 provided so as to oppose each other with the carbon nanotube 1 sandwiched.例文帳に追加

Ｎ型半導体の特性を有するソース電極６及びドレイン電極７が両端に設けられた、Ｐ型半導体の特性を有するカーボンナノチューブ１と、カーボンナノチューブ１を挟んで対向するように設けられるバイアス電極２及び制御電極３と、を備える電子素子である。 - 特許庁

The blade body P is formed in long grip structure formed in one blade shape with a grip 4, or in safety razor structure clamped between a blade rest 2 having the grip 4, and a top plate 3 and having a guard part 5 extended laterally long to come in contact with the skin R.例文帳に追加

刃体Ｐは、柄４と一本刃状に形成する長柄構造としたり、柄４を備えた刃台２と天板３との間に挟着し、刃体Ｐの刃先部前方に皮膚面Ｒと接触するガード部５が横長に延在して成る安全剃刀構造としたりする。 - 特許庁

A cleavage guide groove 3 which penetrates with the p-type clad layer 12 and whose bottom surface is disposed at a position higher than an upper surface of the active layer 9 is formed in an end surface region which is disposed by sandwiching the aperture portion in plan view and which includes an end surface of a resonator of the semiconductor laser element.例文帳に追加

平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 - 特許庁

In the case that a vestibule door 2 is transported to a housing construction site, the vestibule door 2 is transported to the construction site under a state in which a vestibule door assembly A having a handle 3 of the front door 2, a key case 4 and other accessory members 16 accompanied by the vestibule door 2 is assembled in a transporting pallet P.例文帳に追加

住宅の建設現場へ玄関ドア２を搬送する場合に、玄関ドア２に該玄関ドア２の把手３、キーケース４及びその他の付属部材１６を付設した玄関ドアアセンブリＡを搬送パレットＰに組み込んだ状態で、建設現場へ玄関ドア２を搬送した。 - 特許庁

Besides, a communication part for communicating with the outside through an antenna 3 is built in the casing 1 and an image generated on the basis of communication data received through this communication part can be projected while being expanded through the projector part P to the outside of the casing 1 by the control part 6.例文帳に追加

また、筐体１には、アンテナ３を介して外部との通信を行う通信部が内蔵されており、制御部６は、この通信部を通じて受け取った通信データに基づいて生成された画像を前記プロジェクタ部Ｐを介して筐体１の外部へ拡大投影できる。 - 特許庁

Further, a plurality of p-type electrodes 28 which are formed in a shape extended toward the direction D1 on which the light is made incident and are arranged with a fixed prescribed arrangement interval G1 along a direction D2 vertical to the direction D1 are disposed on the contact layer of the light deflection part 3.例文帳に追加

更に光偏向部３のコンタクト層上には、レーザ光が入射する方向Ｄ１に向かって延びる形状に形成され、方向Ｄ１に対して垂直な方向Ｄ２に沿って一定の所定配置間隔Ｇ１で複数配置されたｐ型電極２８が設けられる。 - 特許庁

The coordination server 9 acquires the connection interface conforming to the computing resources of the entering user P or portable device 3 from the public server 2 to link it so that computing resources sharable in the working space α can be used in a linked configuration.例文帳に追加

コーディネーションサーバ９は入室した利用者Ｐや携帯機器３の計算リソースに対応する接続インタフェースを公開サーバ２から取得してこれらを連携させることにより、作業空間αで共有可能な計算リソース間を連携して利用できるようにする。 - 特許庁

The acrylic resin has at least one pendant group represented by formula (1) [in the formula, X maybe the same or different and is hydrogen or a methyl group; n is an integer of 1-3; R is an alkyl chain which may have a substituent; P is a group expressed by formula (2); and A represents a group formed by removing the OH groups from a diol compound].例文帳に追加

式： ［式中、Ｘは同一または異なって、水素またはメチル基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒは置換を有してもよいアルキル鎖を示し、Ｐは式：で表わされる基であり、Ａはジオール化合物からＯＨ基を除いたものを表わす。 - 特許庁

The stopper body 10 comprises a slide band 11 in which a rubber strip-like resilient repulsive member 17 overlaps on a retainer plate 12 surface by a holding piece 13 and a support piece 14, and press-fit balls 19 to be press-fitted between an inner circumferential surface of the pressing cylindrical part 3 and an outer circumferential surface of the pipe P.例文帳に追加

ストッパー体１０は、保持片１３、支持片１４によってゴム製帯板状の弾発部材１７をリテーナー板１２面に重ね合せたスライドバンド１１と、押圧筒部３内周面、管材Ｐ外周面相互間に圧入する圧入ボール１９とから成る。 - 特許庁

A silicon nitride film 2 is provided on the surface of a silicon substrate 1, at least n-type and p-type layers 3 and 4 and 6 and 7 consisting of a ZnO-family compound semiconductor are provided on the silicon nitride film 2, and a semiconductor lamination part 11 is laminated, so that a light emission layer is formed.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にシリコンチッ化膜２が設けられており、そのシリコンチッ化膜２上にＺｎＯ系化合物半導体からなるｎ形層３、４およびｐ形層６、７を少なくとも有し、発光層を形成するように半導体積層部１１が積層されている。 - 特許庁

It also includes a step in which a first oxide film is formed by thermally oxidizing the exposed upper part of a source region 3 and the upper part of p+ contact region 5, and at the same time, an oxide film 16 which is thicker than the first oxide film is formed by thermally oxidizing the exposed upper part of gate electrode 7.例文帳に追加

露出されたソース領域３上部およびｐ＋コンタクト領域５上部を熱酸化して第１の酸化膜を形成するとともに、露出されたゲート電極７上部を熱酸化して、第１の酸化膜の膜厚よりも厚い酸化膜１６を形成する工程を備える。 - 特許庁

An auxiliary unit for attaching a file has a plurality of hole parts 2 attachable to or detachable from a binding implement Q of the file binder to the like P and a slit 3 for pinching a node S of a filing part of the book R to latch the book R provided at a file attaching plate body 1.例文帳に追加

ファイルバインダー類Ｐの綴じ具Ｑに対して着脱可能とした複数の孔部２と、冊子Ｒの綴じ込み部であるノド部Ｓを挟持して当該冊子Ｒを掛止するスリット部３とをファイル取付板本体１に設けたファイル取付用補助具を形成する。 - 特許庁

The combination switch device is constituted by a cancel cam 5 reciprocatably provided on a guide part 13 provided on an upper surface of a movable base part 4 in a predetermined range through an escaping means 6; and a ratchet 3 for transmitting returning force to a front side of the cancel cam 5 while interfering with a cancel member P in a steering shaft SS.例文帳に追加

可動基部４上面に設けたガイド部１３に逃し手段６を介して所定の範囲で往復動可能に設けたキャンセルカム５と、このキャンセルカム５の前方側に、ステアリングシャフトＳＳにおけるキャンセル部材Ｐと干渉して、復帰力を伝達するラチェット３とで構成する。 - 特許庁

An angular velocity detector of an embodiment calculates a first counter value P by adding 3 when average angular velocity 'ASMAV(deg/s)' calculated for every 'time' is, for example, equal to or more than 3000(deg/s), and subtracting 1 when the average angular velocity 'ASMAV(deg/s)' is smaller than 3000(deg/s) with a plus counter.例文帳に追加

本実施形態の角速度検出装置は、プラスカウンターでは、「時間」ごとに算出した平均角速度「ＡＳＭＡＶ（ｄｅｇ／ｓ）」が、例えば、３０００（ｄｅｇ／ｓ）以上であるときに、３を加算するとともに３０００よりも小さいときに、１を減算して第１のカウンター値Ｐを求める。 - 特許庁

The covered electric wire 4 is inserted freely into a free insertion body, such as a corrugated tube 3 suspended from a support ceiling in contact with it, and a rocking mechanism 6 is driven to rock the covered electric wire 4 in a axial directions P and Q in the free insertion body with both ends of the covered electric wire 4 fixed to a support frame 5.例文帳に追加

被覆電線４を、支持天井から垂下されたコルゲートチューブ３等の遊挿体に接触するように遊挿し、被覆電線４の両端を支持架台５に固定した状態で、揺動機構６を駆動させて被覆電線４を遊挿体内で線軸方向Ｐ，Ｑに揺動する。 - 特許庁

A disc-like base member 1 where a stud bolt 2 is erected is screwed on the surface of the wall surface panel P having the heat insulating material W on the back, the base member 1 is covered with a fancy cover 3, and then a box nut 5 is rotatably mounted on the stud bolt 2 with a pressing plate 6 and a nut 7.例文帳に追加

スタッドボルト２が立設された円板状のベース部材１を、裏面に保温材Ｗが設けられた壁面パネルＰの表面にねじ止めし、このベース部材１を化粧カバー３で覆った後、押え板６とナット７を用いて前記スタッドボルト２に袋ナット５を回転可能に取り付けた。 - 特許庁

In the stator core 2, coating film 3 is formed on a pair of circumferential side surfaces 231 and a radially outer bottom surface 232, of each of the slots 23 and on a portion of each of both axial end surfaces 201 of the yoke 21 positioned on a radially inner side relative to a predetermined radial middle position P.例文帳に追加

ステータコア２は、複数のスロット２３における一対の周方向側面２３１及び外周側底面２３２と、ヨーク部２１における所定の径方向中間位置Ｐよりも内周側に位置する軸方向両端面２０１とに、塗膜３を形成してなる。 - 特許庁

A compound represented by formula I (m is 0, 1 or 2; n is 0, 1, 2 or 3; and P is 0, 1 or 2) is provided, and the polymers grafted with the compound, e.g., polyolefins such as polyethylene and polypropylene have excellent stability against oxidation, heat, dynamic or light-induced, and/or ozone-induced decomposition.例文帳に追加

式Ｉで表わされる化合物であって、該化合物でグラフト化されたポリマー、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンは、酸化、熱、ダイナミック（ｄｙｎａｍｉｃ）、光により誘発される及び／又はオゾンにより誘発される分解に対し、優れた安定性を有する。 - 特許庁

Surfaces of the high-resistance SiC layer 2, p-type well region 3, and source region 6 are in smooth conditions by impurity-activation annealing with a carbon film that has been deposited or MCP, and the surface of the channel layer 5x that is subsequently grown by epitaxy is further smoothed.例文帳に追加

高抵抗ＳｉＣ層２とｐウェル領域３とソース領域６の表面は、カーボン膜を堆積した状態での不純物の活性化アニールやＭＣＰによって平滑な状態にあり、その後エピタキシャル成長されたチャネル層５ｘの表面はさらに平滑化されている。 - 特許庁

A cell C of the fuel cell is formed by forming the anode layer 2 and a cathode layer 3 on each side of a plate-like solid electrolyte substrate, and the whole surface of the anode layer is exposed to a plurality of frames formed by burning fuel supplied from a fuel supply pipe P to enhance power generation efficiency.例文帳に追加

板状の固体電解質基板１の両面にカソード層２とアノード層３とを形成した燃料電池セルＣとし、燃料供給管Ｐから供給される燃料を燃焼させた複数の火炎ｆをアノード層の全面にあてるようにして、発電効率を向上した。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

Bar-shaped p type thermoelectric semiconductor elements 1 and n type thermoelectric semiconductor elements 2 whose length is almost the same as the width of the polymer sheets are alternately arrayed between those two polymer sheets 7 and 8, and those respective elements are soldered to the electrodes 3 and 4 on the end part side faces so as to be serially connected.例文帳に追加

２枚の高分子シート７及び８の間に、高分子シートの幅とほぼ同じ長さの棒状のｐ型熱電半導体エレメント１及びｎ型熱電半導体エレメント２を交互に配列し、各エレメントを端部側面で電極３及び４にはんだ付けし、直列に接続する。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁

A charge pump type step-up circuit 201, incorporated in a semiconductor integrated circuit 200, has a vertical npn transistor T0 formed, as the initial charging element of a capacitor C2, in a p-type semiconductor substrate 21 and connected between the input terminal 1 and the output terminal 3.例文帳に追加

半導体集積回路２００に内蔵されるチャージポンプ型の昇圧回路２０１は、コンデンサＣ２の初期充電用素子として、Ｐ型半導体基板２１に形成され、入力端子１と出力端子３間に接続された縦型ＮＰＮトランジスタＴ０を有している。 - 特許庁

A plate patch member 10 contacting a cut metal plate 2 is arranged to correct (bending back) a bending caused at cutting by reaction force at its contact in the shearing machine to cut the metal plate P by the rotary blades 2, 3 arranged in a pair.例文帳に追加

対をなして配置された回転刃２・３により金属板Ｐを切断する剪断加工機１において、切断された金属板Ｐ２に接触する板当て部材１０を、切断時に生じた曲げをその接触の際の反力によって矯正（曲げ戻し）できる位置に配置した。 - 特許庁

An n-channel MISFET (Mn), a p-channel MISFET (Mp), an npn bipolar transistor (Bn) and a pnp bipolar transistor (Bp) are respectively formed on semiconductor insular regions, being electrically separated from each other by the grooves 11 and the layer 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｎ）、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｐ）、ｎｐｎ型バイポーラ・トランジスタ（Ｂｎ）およびｐｎｐ型バイポーラ・トランジスタ（Ｂｐ）のそれぞれは、上記Ｕ溝１１と酸化シリコン層３とによって互いに電気的に分離された半導体島領域に形成されている。 - 特許庁

The controller 3 controls the spool strokes of the changeover valves 12 and 2 to control the P-C variable restriction areas thereof and also controls the bypass restriction variable regulating valve 25 to correct the synthetic value of the bypass variable restriction area thereof at a spool stroke so that a proper pump signal pressure Pn can be provided.例文帳に追加

コントローラ３は、切換弁12，２をスプールストローク制御して、それらの各Ｐ−Ｃ可変絞り面積を制御するとともに、バイパス絞り可変調整弁25を制御して、それらのスプールストロークにおけるバイパス可変絞り面積の合成値を、適切なポンプ信号圧Ｐnが得られるように補正する。 - 特許庁

This mounting gauge 20 comprises an abutting portion 29 abutting on an opening edge E of the frame 2 and a supporting portion 21 for supporting the lock device body 3 to be mounted on the inner face S1 of the frame 2 at a preset depth position P in the direction of the depth of the frame 2 from the abutting portion 29.例文帳に追加

本発明の取付ゲージ２０は、フレーム２の開口縁Ｅに当接する当接部２９と、フレーム２の内面Ｓ１に取り付けられるロック装置本体３を当接部２９から当該フレーム２の奥行き方向所定深さ位置Ｐにおいて支持する支持部２１と、を備えている。 - 特許庁

The element has a GaP substrate 1, an active layer 4 which is positioned above the GaP substrate 1 and comprises an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer 3 which is positioned between the GaP substrate 1 and the active layer 4 and is formed by epitaxial lateral growth.例文帳に追加

ＧａＰ基板１と、ＧａＰ基板１の上方に位置し、ｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層とｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層とを含む活性層４と、ＧａＰ基板１と活性層４との間に位置し、エピタキシャル横方向成長により形成されたＥＬＯ層３とを備える。 - 特許庁

Further, a 2nd image processing means 3 obtains intermediate image data S3 through image processing such as sharpness emphasis processing and a color converting means 4 performs the color conversion of the data to obtain image data S4 having been processed and then outputs the data as a print P on a printer 5.例文帳に追加

さらに、第２の画像処理手段３においてシャープネス強調処理等の画像処理を施して中間画像データＳ３を得、これを色変換手段４において色変換して処理済み画像データＳ４を得、これをプリンタ５においてプリントＰとして出力する。 - 特許庁

In addition, a base 7 mounted across the left wall 4 and the right wall 5, a lengthwise cushioning material 8 to be mounted on the base 7 and the bottom tray 1, and a breadthwise cushioning material 9 mounted on the front wall 2 and the rear wall 3 are provided inside the box P.例文帳に追加

また、この梱包箱Ｐ内には、その左壁４と右壁５に跨るように取り付けられる受け台７と、この受け台７や底側トレー１に取り付けられる長手部用緩衝材８と、前壁２や後壁３に取り付けられる短手部用緩衝材９とが設けられている。 - 特許庁

When a detection server 5 detects an activity event by a user object P in a working space α according to the detection of an ID tag 3, a collaborative working space server 13 and a personal activity history server 2 hold the activity event so that every object can be referred to from another object.例文帳に追加

作業空間αにおける利用者オブジェクトＰによる活動イベントをＩＤタグ３の検出に基づいて検出サーバ５で検出すると、当該活動イベントを共同作業空間サーバ１３及び個人活動履歴サーバ２でオブジェクト毎に他のオブジェクトから参照可能に保持する。 - 特許庁

In an oil supply device 1, a first oil passage 21 transporting oil discharged from a mechanical oil pump 2 and a second oil passage 22 transporting oil discharged from an electrical oil pump 3 are connected to collecting passage 23 at a part (connection point) P corresponding to each downstream side opening end.例文帳に追加

オイル供給装置１において、機械式オイルポンプ２から吐出されるオイルを移送する第１オイル通路２１と、電動式オイルポンプ３から吐出されるオイルを移送する第２オイル通路２２とは、各々の下流側開口端にあたる部位（接続点）Ｐで集合通路２３に接続される。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。 - 特許庁

When a P channel MOS transistor Q100 is turned on, the gate of an N channel MOS transistor Q200 is dropped to a ground level and a throughput current preventing transistor 3 (an N channel MOS transistor Q300) is provided to turn off the transistor Q200.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１００がオン状態のときにＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ２００のゲートを接地レベルに落とし、これによってＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ２００をオフ状態にする貫通電流防止用トランジスタ３（ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ３００）を設ける。 - 特許庁

The area of the p+type impurity layer 3 per a unit area of a SiC semiconductor device can enlarge and both of improvement of surge withstand and reduction of resistance value can be achieved, because the resistance value in forward direction can be reduced.例文帳に追加

そして、順方向における抵抗値の低減が図れることで、ＳｉＣ半導体装置の単位面積当りのｐ^+型不純物層３の面積を大きく取ることができ、サージ耐量の向上と順方向における抵抗値の低減の両立を図ることが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor laser element array 8 mounted on the sub-mount 6 has a structure of laminating a semiconductor layer 2 having two ridge parts 13 on a substrate 11, and an Au plating layer 14 is formed on a surface of a (p) type electrode 3 formed in an upper part of the respective ridge parts 13.例文帳に追加

サブマウント６に実装された半導体レーザ素子アレイ８は、基板１１上に２個のリッジ部１３を有する半導体層２が積層された構造を有し、各リッジ部１３の上部に形成されたｐ型電極３の表面にはＡｕメッキ層１４が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, a p-type semiconductor region 3 to be an anode of SCR has a configuration in which silicifying processing is blocked thereon, other than a contact region 3s to which a plurality of conduction paths 10a-10d to an anode electrode 9 are connected.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路装置において、ＳＣＲのアノードとなるｐ型半導体領域３は、アノード電極９との導通路１０ａ〜１０ｄが複数接続されるコンタクト領域３ｓを除いて、そのシリサイド化処理がブロックされて成る構成とされている。 - 特許庁

In two kinds of through holes which have different cross sectional shapes and are disposed alternately in a ceramic-made honeycomb 2, a p-type semiconductor 3 and an n-type semiconductor 4 are alternately arranged, and both ends of each semiconductor are connected to a different semiconductor on both sides of through holes.例文帳に追加

断面形状が異なる２種類の貫通孔を交互に配置したセラミックス製ハニカム２のそれぞれの貫通孔に、ｐ型半導体３及びｎ型半導体４を交互に配置し、それぞれの半導体の両端部を貫通孔の両側において順次異なった半導体に接続する。 - 特許庁

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

The ECU 2 acquires driving behavior data based on signals transmitted from various vehicle sensors 7 to generate a driving diagnostic value, and corrects the driving diagnostic value according to a traveling environment transmitted from a navigation system 3 and a communication device 4 to obtain the necessity of advice P.例文帳に追加

ＥＣＵ２は、各種車両センサ７から送出された信号に基づいて運転行動データを取得して運転診断値を生成し、その運転診断値をナビゲーションシステム３及び通信機４から送出された走行環境に従って補正してアドバイス必要度Ｐを求める。 - 特許庁