「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

When light from the light source 3 transmits through a transmission hole 23 made in the plate 2 to impinge on the light receiving face 11 of the two-dimensional PSD 1, charges are generated at the incident position P in proportion to the light energy and photocurrents IX1, IX2, IY1, IY2 are outputted, respectively, from the electrodes X1, X2, Y1, Y2.例文帳に追加

光源３からの光がプレート２に形成された透過孔２３を透過して、２次元ＰＳＤ１の受光面１１に入射すると、その入射位置Ｐに光エネルギーに比例した電荷が発生し、各電極Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２から光電流ＩX1，ＩX2，ＩY1，ＩY2が出力される。 - 特許庁

A treatment device 1 of a cement kiln exhaust gas or the like is provided with a granulating device 3 for granulating the collected dust D from the cement kiln exhaust gas, a heating device 4 for heating the granulated product P, and a mercury recovering device 9 for recovering the mercury volatilized by heating of the heating device.例文帳に追加

セメントキルン排ガスから捕集されたダストＤを造粒する造粒装置３と、造粒物Ｐを加熱する加熱装置４と、加熱装置の加熱によって揮発した水銀を回収する水銀回収装置９とを備えるセメントキルン排ガスの処理装置１等。 - 特許庁

A segment Sa and other plurality of segments are annularly arranged, and the PC steel material P is inserted in an anchor groove 1b from one sheath pipe 6 of the segment Sa, inserted in insertion holes 1f of the whole segments formed of distributing bars 3 and suspension bars 5, and drawn out of the other sheath pipe 6 to the outside.例文帳に追加

セグメントＳａと他の複数のセグメントを環状に配置してＰＣ鋼材ＰをセグメントＳａの一方のシース管６から定着溝１ｂに挿し入れ、配力筋３と吊り筋５で形成された全セグメントの挿通孔１ｆに挿通させて他方のシース管６から外部に引き出す。 - 特許庁

A management server 3 is cooperated with a ZM process computer 4, and when a blank region capable of storing the pallets 200 is generated at the real stock conveyors 63, a roll shop P is controlled to carry the real pallets 200 mounted with the roll 100 from an automatic warehouse 70 to the blank region.例文帳に追加

管理サーバ３はＺＭプロコン４と連携して、実ストックコンベア６３にパレット２００を収容可能な空き領域が発生した場合に、ロール１００を搭載した実パレット２００を自動倉庫７０から当該空き領域に搬送するようにロールショップＰを制御する。 - 特許庁

Preferably, the method includes: capturing, with time, a plurality of near-infrared reflection images R1-R4 from a same view point P with a camera 20 (steps S003-S005), and causing an image processor 25 to extract the profiles of the respective debris 3 and scales 10 from the plurality of images R1-R4.例文帳に追加

好ましくは、カメラ２０により同じ視点Ｐから経時的に複数の近赤外光反射画像Ｒ１〜Ｒ４を撮影し（ステップＳ００３〜Ｓ００５）、画像処理装置２５により複数の画像Ｒ１〜Ｒ４から各ズリ３及びスケール１０の輪郭を抽出する。 - 特許庁

After that, by rocking a board pressing member 27 about a supporting shaft 24 through pushing away a rocking body 25A by actuating a cylinder 28, resulting in pressing the board P from above against the suction jig 3 through the downward movement of a plurality of rollers 29 provided on the supporting shaft 26 supported by the rocking bodies 25A and 25B.例文帳に追加

そして、シリンダ２８が作動して揺動体２５Ａを押しやって支軸２４を支点として基板押え部材２７を揺動させ、揺動体２５Ａ、２５Ｂに支持された支軸２６に設けられた複数のローラー２９が下方へ移動して基板Ｐを上方から吸着治具３に押圧する。 - 特許庁

Thus, current obtained by proportionally increasing leaked current flowing through the recording material P in the conveying direction and leaked out to a ground potential through the destaticizing brush 25 is supplied to the secondary transfer roller 3, so that a current value concerned in transfer of a toner image by flowing through a path A is secured to be 20μA.例文帳に追加

これにより、記録材Ｐを搬送方向に流れて除電ブラシ２５を通じて接地電位に漏れ出す漏れ電流を割り増した電流が二次転写ローラ３へ供給されるため、経路Ａを流れてトナー像の転写に関与する電流値が２０μＡ確保される。 - 特許庁

The light emitted from the light source 2 is controlled by a filter 3 so that the light quantity of the UV-B at the position corresponding to a plant P becomes ≤50μW/cm^2, and the components having wavelength within that of UV-A (340-380nm) vanish to almost zero.例文帳に追加

光源２から放出される光は、フィルタ３により、植物Ｐにあたる位置のＵＶ−Ｂの光量が５０μＷ／ｃｍ^2以下になるように制御されると共に、ＵＶ−Ａの範囲（３４０〜３８０ｎｍ）の波長成分が略ゼロになるように制御される。 - 特許庁

The pre-filled syringe contains a first barrel 1 having a tip end chip 11 and a flange 12 respectively at the tip end and the base end, a first gasket 2 inserted into this first barrel 1 for partitioning a solution chamber 13, a double-headed needle 3 inserted into the first barrel 1, and a plunger-like container P.例文帳に追加

プレフィルドシリンジは、先端と基端にそれぞれ先端チップ１１とフランジ１２を有する第１バレル１と、この第１バレル１に挿着されて溶解液室１３を画設する第１ガスケット２と、第１バレル１に挿着された両頭針３とプランジャ状容器Ｐを含んでなる。 - 特許庁

Thus, when the rinse agent supply signal is outputted while a rinse pump 28 is operating, the rinse agent is mixed with the hot water in the rinsing waterway when hot water inside the hot water storage tank 18 jets to a cleansing chamber 3 by a rinsing pump 28, and the hot water containing the rinse agent is jetted to a plate P.例文帳に追加

従って、すすぎポンプ２８の動作中にリンス剤供給信号が出力されると、貯湯タンク１８内の温水がすすぎポンプ２８によって洗浄室３内に噴射される際に、すすぎ水路内で温水にリンス剤が混ざり、リンス剤を含む温水が食器Ｐに噴射される。 - 特許庁

After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。 - 特許庁

This excavator P comprises an H type steel member 1 of a predetermined length having a suitable notch 1c in a web of the steel member; wings 2A and 2B formed to the H type steel in contrast; and a fixed base 3 of a predetermined shape which is then installed to the tip of the pile.例文帳に追加

任意長さのＨ型鋼１のウェブ１ｂに適宜切欠１ｃを形成したＨ型鋼１と、このＨ型鋼１に対照的に形成される羽根２Ａ，２Ｂと、杭の先端を取付けられる任意形態の固定台３とで、杭の先端に取付ける掘削装置Ｐを構成する。 - 特許庁

In the gamma circuit 31, in place of the push-pull amplifier 10, N-top regulators 40-4 to 40-1 for inputting mutually adjacent reference potentials and for outputting output voltages, with potentials equal to those of the inputted reference potentials, and P-top regulators 50-3 to 50-0 are arranged.例文帳に追加

ガンマ回路３１において、プッシュプルアンプ１０に代えて、互いに隣接した基準電位を入力し、入力した基準電位と同一の電位の出力電圧を出力するＮトップ型レギュレータ４０−４〜４０−１と、Ｐトップ型レギュレータ５０−３〜５０−０とを設けた。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁

The looseness amount of the tape generated in a braking operation from a high-speed winding up operation is judged by using reel pulses detected by a rotation detector set in each of reels 2 and 3, and an area ratio P calculated from both the reel pulses, and a winding up processing is performed in accordance with the looseness amount at that time.例文帳に追加

高速巻取り動作から制動動作において発生するテープの弛み量を各リール２，３に設けた回転検出器により検出したリールパルスと、両リールパルスから算出した面積比Ｐを用いて判別し、そのときの弛み量に応じて巻き締め処理を行う。 - 特許庁

Even when the image forming condition is changed, the scattered distance m on the paper P of toner particles 31 adhered to a surface of a photoreceptor drum 1 is kept within a range of 35×10-3 mm where a heavy deterioration in the image quality is not generated and the toner particles 31 are not scattered in a greater range.例文帳に追加

画像形成条件が変化した場合にも、感光体ドラム１の表面に付着したトナー粒３１の用紙Ｐにおける飛散距離ｍは、画質の著しい劣化を生じることのない３５×１０^-3ｍｍの範囲にされ、より広い範囲にトナー粒３１が飛散することがない。 - 特許庁

In the shaped structure, a plurality of recessed parts 2 are formed in dot shapes at one surface of a base material 1, and an inorganic oxide film 3 is formed on the surface where the distance (p) between centers of the adjacent recessed parts 2 is not longer than the shortest wavelength of visible light.例文帳に追加

基材１の一方の面上に複数の凹部２がドット状に形成されており、その表面に無機酸化膜３が形成されていると共に、隣接する凹部２の中心間距離ｐが可視光の最短波長以下であることを特徴とする成形構造体。 - 特許庁

The epitaxial growth apparatus is the so-called slide boat type apparatus comprising a slidable slide boat 1, an n-type semiconductor growing crucible 2, and a p-type semiconductor growing crucible 3 arrayed along the moving path of the slide boat 1.例文帳に追加

このエピタキシャル成長装置は、いわゆるスライドボート型の装置であり、ほぼ水平な方向にスライド可能なスライドボート１と、このスライドボート１の移動経路に沿って並べて配置されたＮ型半導体成長用るつぼ２およびＰ型半導体成長用るつぼ３とを備えている。 - 特許庁

The high nitrogen concentration preventing boron contained in a gate electrode 106b of the p-type transistor from diffusing, and halogens contained in the gate insulating film increase the conductance of the transistor, resulting in enhanced reliability for hot-carrier injection.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上含まれるためにｐ型トランジスタのゲート電極に含まれるボロンがチャネルに拡散せず、ゲート絶縁膜にパロゲン元素が含まれるため、トランジスタのコンダクタンスが増大し、ホットキャリア注入に対する信頼性が向上する。 - 特許庁

The tapering assist 1 comprises a body 2 as a base, a work holding part 3 movably held on the body, and a driving part 4 for moving and positioning the work holding part, in which a central axis O of the body and a central axis P of the work holding part form a given angle A.例文帳に追加

本発明のテーパ加工補助具１は、ベースとなるボデー２と、ボデーに移動可能に保持されるワーク保持部３と、ワーク保持部を移動・位置決めする駆動部４とから構成されており、ボデーの中心軸Ｏとワーク保持部の中心軸Ｐとが所定角度Ａをなしている。 - 特許庁

The other part of the polycrystalline silicon film 7n is projected above the groove 13 and the top face thereof is located above the surface of the silicon substrate 1 (p-type well 3), so that the distances are ensured between the W film 8 and the source, and between the W film 8 and the drain (n-type semiconductor regions 9a, 9b).例文帳に追加

多結晶シリコン膜７ｎの他部は、溝１３の上方に突出し、その上面は、シリコン基板１（ｐ型ウエル３）の表面よりも上方に位置しているので、Ｗ膜８とソース、ドレイン（ｎ型半導体領域９ａ、９ｂ）との距離が確保されている。 - 特許庁

A vertical synchronizing signal detection circuit 1 of this dynamic image coder generates a vertical synchronizing pulse (v) from a vertical synchronizing signal of a received dynamic image signal (p) and an inverting field pulse generating circuit 3 generates an inverting field pulse (f), whose level is inverted for each vertical synchronizing pulse (v).例文帳に追加

垂直同期信号検出回路１により、入力動画像信号ｐの垂直同期信号から垂直同期パルスｖが生成され、この垂直同期パルスｖ毎にレベルが反転する反転フィールドパルスｆが反転フィールドパルス生成回路３で生成される。 - 特許庁

As a result, the surface area of the pot P is increased for the volume and the inner cylinder 3 and the agitator arm 2 are cooled, and hence the cooling capacity is improved as a whole and the time necessary for cooling after the operation of the MA apparatus 100 is stopped is shortened or saved.例文帳に追加

これにより、ポットＰの体積の割りに表面積が大きくなり、且つ内筒３およびアジテータアーム２を冷却していることから、全体的に冷却能力が向上し、ＭＡ装置１００の運転を停止して冷却を行う時間が短縮化或いは省略できる。 - 特許庁

In the power plant P for a vehicle, the main shaft 17 and a counter shaft 18 of a speed change gear M which can be taken in and out through an opening 50 formed in a crankcase 2 are freely rotatably retained on a single mission cover 60 covering the opening 50, by fastening to a crankcase 2 and a cylinder block 3.例文帳に追加

車両用動力装置Ｐには、クランクケース２に形成された開口部50を通じて出し入れ可能な変速機Ｍのメイン軸17およびカウンタ軸18が、クランクケース２およびシリンダブロック３に締結されて開口部50を覆う単一のミッションカバー60に回転自在に保持される。 - 特許庁

A second light-emitting diode chip 3 is so directed that the light therefrom is extracted on the same side as the first light-emitting diode chip 2, and is laminated in the non-light-emitting region A wherein the p-type semiconductor layer 6 is removed on the light extracting surface in the first light-emitting diode chip 2.例文帳に追加

第２の発光ダイオードチップ３は、第１の発光ダイオードチップ２と同じ側に光を取出す向きに向けられ、第１の発光ダイオードチップ２において光を取出す面上でｐ型半導体層６が除去されている非発光領域Ａ内に積み重ねられている。 - 特許庁

A clearance angle is applied on an outside face 3 of a cutting edge tip 1 shaped in a roughly triangular flat plate in a direction to a bottom from an upper face 4 and a cutting edge 6 of the upper face 4 is formed so that it's practically center point P is at a higher level and it gradually inclines toward corners to a lower level.例文帳に追加

略三角形平板を呈する切刃チップ１の外側面３には上面４から底面５の方向に逃げ角が付与され、上面４の切刃６は、その略中点Ｐが高位にあってコーナ７に向かって次第に低位となる傾斜を有するように形成される。 - 特許庁

In the pneumatic tire with a TOS structure, a side reinforcing rubber layer 11 is provided on a side wall portion 3, and the height h1 in a radial direction of the boundary point P between the tread rubber Gt and the side wall rubber Gs on a tire surface is 0.3 to 0.75 times as high as the height H of a tire cross section.例文帳に追加

ＴＯＳ構造の空気入りタイヤであって、サイドウォール部３に、サイド補強ゴム層１１を設けるとともに、タイヤ表面におけるトレッドゴムＧｔとサイドウォールゴムＧｓとの境界点Ｐの半径方向高さｈ１を、タイヤ断面高さＨの０．３〜０．７５倍とした。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

An illuminance correcting filter 3 and a light source 2 for sensitizing a photosensitive resist having a reciprocity characteristic are arranged in order through a shutter device 4 for turning on and off an exposure on the outside of a CRT panel P having inside a color selecting mask 1 being an aperture grille forming a phosphor pattern between black stripes.例文帳に追加

ＣＲＴパネルの内面にブラックストライプを形成する際に用いるレジストパターンを、均一なブラックストライプ間の開口幅の寸法に応じて形成する際、パターンの転写を行う複数回の本露光の前に、感光性レジスト膜に対して、パネル外面から短時間の外面露光を行う。 - 特許庁

This prophylactic and/or therapeutic agent for headaches such as migraine or those associated with giant cell arteritis contains (±)-[2-{4-(3-ethoxy-2-hydroxypropoxy)phenylcarbamoyl}ethyl]dimethylsulfonium-p-toluenesulfonate (commonly called "suplatast tosylate") represented by formula (1) as an effective component.例文帳に追加

化学式（１）で表される（±）−[２−｛４−（３−エトキシ−２−ハイドロキシプロポキシ）フェニルカルバモイル｝エチル]ジメチルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート（通称「トシル酸スプラタスト」）を有効成分として含有する片頭痛又は巨細胞動脈炎に伴う頭痛等の頭痛の予防及び／または治療剤である。 - 特許庁

The endoscope and endoscope system are constituted by being incorporated in an insertion part of the endoscope 1 a probe P of one complex bundle formed of bundled tips of first and second optical fiber bundles with base ends fitted to an excitation light source device 3 and a spectroscope 4, respectively.例文帳に追加

励起光光源装置３及び分光器４に基端が取り付けられた第１及び第２の光ファイババンドルがその先端部分において一本の複合バンドルとして束ねられてなるプローブＰが、内視鏡１の挿入部内に内蔵されるように、内視鏡及び内視鏡システムを構成する。 - 特許庁

The image heating device performs the heating while nipping and carrying the recording member P carrying an image, between a flexible member 2 moved and brought into contact with a heater 3 generating heat by energization and a backup member 6 for forming the nip N with the heater via the flexible member.例文帳に追加

通電により発熱するヒータ３と接触しつつ移動する可撓性部材２と、前記可撓性部材を介して前記ヒータとニップ部Ｎを形成するバックアップ部材６との間で、画像を担持する記録材Ｐを挟持搬送しつつ加熱する像加熱装置である。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate 1 having a primary surface; and a silicon carbide layer (a breakdown-voltage holding layer 2, a semiconductor layer 3, an n-type source contact layer 4, and a p-type contact region 5) including inclined side surfaces with respect to the primary surface.例文帳に追加

半導体装置は、主表面を有する基板１と、基板１の主表面上に形成され、主表面に対して傾斜した側面を含む炭化珪素層（図２の耐圧保持層２、半導体層３、ｎ型ソースコンタクト層４、およびｐ型のコンタクト領域５）とを備える。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極ＧＥ２の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

An inner surface reinforcement plastic layer (FRP layer) 1, a resin mortar layer 2, an outer surface reinforcement layer 3 are wrapped around a core metal 4 in order and the resin mortar layer 2 is wrapped by mounting resin mortar on nonwoven fabric 5 by a filament winding method to manufacture reinforced plastic composite tube P.例文帳に追加

芯金４に、内面強化プラスチック層（ＦＲＰ層）１、樹脂モルタル層２、外面ＦＲＰ層３を順次巻き付け、その樹脂モルタル層２の巻き付けは不織布５上に樹脂モルタルを載置してフィラメントワインディング法により強化プラスチック複合管Ｐを製造する。 - 特許庁

When the sealing material 4 for sealing the organic EL element substrate 2 and the sealing substrate 3 partially flows out into a sealed space P, for example, in unhardened state, at the manufacture of the organic EL display panel 1, and if it adheres to an organic luminous layer 7 or the like, there is the possibility that it will affect the display characteristics.例文帳に追加

有機ＥＬ表示パネル１の製造時などで、有機ＥＬ素子基板２と封止基板３とを封止するシール材４が、例えば未硬化の状態でその一部が密閉空間Ｐに流出すると、有機発光層７などに付着すれば表示特性に影響を与える懸念がある。 - 特許庁

This conveyance device 1 between conveyors is composed of a base part 2, a transmission roller 3 for transmitting rotation force, a plurality of driven rollers 4 for moving the pallet P, a rail part supporting the driven rollers rotatably and supported on the base part so as to move vertically, and an elastic body 6 pushing up the rail part in the upward direction.例文帳に追加

コンベア間搬送装置１は、ベース部２、回転力を伝達する伝達ローラ３、パレットＰを移動させる複数の従動ローラ４、該従動ローラを回転可能に支持し、ベース部に上下移動可能に支持されたレール部５及びレール部を上方向に押上げる弾性体６とからなる。 - 特許庁

The sintered soft magnetic material for a sensor of small strain sensitivity is composed of Cr of 0.1 to 15% by mass, one or two kinds of Si and Al of 1 to 20% by mass in total and P of 0.01 to 3% by mass, and the balance of which comprises Fe and inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｃｒ：０．１〜１５％、ＳｉおよびＡｌのうちの１種または２種を合計で１〜２０％、Ｐ：０．０１〜３％を含有し、残部：Ｆｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする歪感受性の小さいセンサー用焼結軟磁性材料。 - 特許庁

A gate electrode 9 formed of polysilicon is formed on a gate oxide film selectively formed on the n+ source region 5, the p-well region 3 and the n-offset region 4, and a field oxide film 12 is formed on the side of the n+ drain region 6 in the gate electrode 9.例文帳に追加

ポリシリコンで形成されるゲート電極９は、ｎ^+ ソース領域５上とｐウエル領域３上とｎオフセット領域４上に選択的に形成されたゲート酸化膜の上に形成され、ゲート電極９の内、ｎ^+ ドレイン領域６側はフィールド酸化膜１２が形成される。 - 特許庁

This machine is provided with a baking table 2 for placing food to be baked M, a heat source 3 for heating with respect to this table 2, a cover 4 for covering the food M on the table 2 from its upper side in an openable and closable and a means 5 for generating steam atmosphere in a space P between the table 2 and the cover 4.例文帳に追加

被焼成物Ｍが載置される焼き台２と、この焼き台２に対する加熱用の熱源３と、焼き台２上の被焼成物Ｍを上方から開閉可能に覆うカバー４と、焼成台２上とカバー４との間の空間Ｐに蒸気雰囲気を生成する手段５とを設ける。 - 特許庁

A YCC converting means 32 of a DVD player 3 converts image data D read by a reading means 30 from a CD-R or a DVD-R of a recording medium 2 into YCC image data P (Y, Cb, Cr) of 720×480 pixels which is suitable for television display.例文帳に追加

ＤＶＤプレーヤー３のＹＣＣ変換手段３２は、読出手段３０により記録媒体２のＣＤ−ＲまたはＤＶＤ−Ｒから読み出した画像データＤをテレビ表示に適した７２０×４８０画素のＹＣＣ画像データＰ（Ｙ，Ｃｂ，Ｃｒ）に変換する。 - 特許庁

When marginless recording for the end of a recording medium P is performed, a predetermined end region 1 is recorded using a smaller number of ejection openings during one scanning operation than that used for other regions 2 and 3, while taking transportation errors relating to this end into consideration.例文帳に追加

縁なし記録で被記録材Ｐの端部に対する記録を行う場合、その端部に対し搬送誤差などを考慮した所定の端部領域１の記録を、１回の走査当り、他の領域２、３で使用する吐出口の数より少ない数の吐出口を用いて記録を行う。 - 特許庁

Idling currents and a current drive to a push-pull circuit 3 are controlled, by changing threshold voltages of the transistor Q17 and Q18 by utilizing substrate bias effects with changes in the voltages applied to the N-well and P-well.例文帳に追加

ＮウェルおよびＰウェルに印加する電圧を変化させることにより、基板バイアス効果を利用して、Ｎｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１７およびＰｃｈ−ＭＯＳトランジスタＱ１８のスレッシュホールド電圧を変化させることで、プッシュプル回路３に流れるアイドリング電流や電流駆動能力を制御する。 - 特許庁

(3): IS_a/IS_b≥0.9 [wherein P is phosphorus content (ppm); ε_0.2 is integrated parameter of a structure; IS_a is an initial tensile modulus (cN/dtex) after boiling water/dry heat treatment; IS_b is an initial tensile modulus (cN/dtex) before boiling water/dry heat treatment].例文帳に追加

５００≦Ｐ≦５０，０００ （１） ２％≦ε_0.2≦３０％ (２） ＩＳ_a/ＩＳ_b≧０．９ （３） （ここで、Ｐはリン原子含有量（ppm）を、ε_0.2は構造一体性パラメーターを、ＩＳ_aは沸水熱処理後の初期引張弾性率（cN/dtex）を、ＩＳ_bは沸水熱処理前の初期引張弾性率（cN/dtex）をそれぞれ表す。） - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁