「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

The sliding door control device 3 controls the sliding door apparatus S which includes a power window device P constituted in such a manner that window glass 11 can be opened/closed by a motor M2, and a sliding door T sliding in the longitudinal direction of a vehicle W by a motor M1, so as to open and close a platform.例文帳に追加

モータＭ２によりウインドウガラス１１が開閉可能となるよう構成されたパワーウインドウ装置Ｐと、モータＭ１により車両Ｗの前後方向へスライド移動することにより、乗降口の開口及び閉鎖を行うスライドドアＴを備えたスライドドア装置Ｓを制御するスライドドア制御装置３に関する。 - 特許庁

In the self-standing bag P which includes a content chamber 1 and a bottom gusset chamber 2 and stand by itself by expanding the bottom gusset chamber 2, the opening section of the content encasing chamber is sealed by a prescribed sealing means 3, and the releasing section of the bottom gusset chamber is sealed by its heat-sealing sections 4, 5 for sealing.例文帳に追加

内容物収納室１と底襠室２とを具備し、底襠室の拡開により自立可能となる自立性袋Ｐにおいて、上記内容物収納室の開口部が所定の密封手段３により密封され、上記底襠室の開放部が密封用ヒートシール部４，５により密封される。 - 特許庁

In a wire drawing machine 100 with a die direction indicating function, the inclination of a die holding plate 11 which holds the die 10 is adjusted by means of micrometers 12A, 12B, 13A and 13B, whereby the outgoing angle of laser beams B emitted from a laser pointer 2 changes according to the movement of the die holding plate 11 and a light spot P on a target panel 3 moves.例文帳に追加

ダイス方向表示機能付き伸線機１００において、ダイス１０を保持するダイス保持プレート１１の傾きをマイクロメータ１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂで調整すると、レーザーポインタ２が発射するレーザービームＢの出射角がダイス保持プレート１１の動きに追従して変化し、ターゲットパネル３上の光点Ｐが移動する。 - 特許庁

A transfer sheet S with a transfer layer 3 formed on a substrate sheet 2 of release properties is pressure bonded in a manner of following a face to be transferred of a base and transferred thereon by the impact pressure of solid particles P which are made to impact on the substrate side of the transfer sheet on a base B through a bonding agent layer 1 composed of an aqueous emulsion agent.例文帳に追加

基材Ｂに、水性エマルション接着剤からなる接着剤層１を介し、離型性の有る支持体シート２に転写層３が形成された転写シートＳを、転写シートの支持体シート側に衝突させた固体粒子Ｐの衝突圧により、基材の被転写面に追従させて圧着し転写する。 - 特許庁

Moreover, a control unit 3 is prepared which makes the p-channel MOS transistor Tp and the n-channel MOS transistor Tn off at a time of turning the power on, acquires voltage of an output terminal A (Vo), and discriminates which of the first light emitting diode L1 or the second light emitting diode L2 is connected based on the acquired result.例文帳に追加

また、制御部３を設け、電源投入時にはＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐとＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎとをオフ状態として出力端Ａの電位（Ｖｏ）を取得し、取得結果に基づき、第１の発光ダイオードＬ１又は第２の発光ダイオードＬ２のいずれが接続されているのか判断させる。 - 特許庁

This rust removal treatment device includes a generally thin and long body 1, a rust removal part 2 arranged on a lower side at a lower end of a suspending direction of the body 1 and at least a support part 3 arranged in the body 1 and having a support arm 30 which can be opened to hold the body 1 at a hollow position in a steel pipe P.例文帳に追加

除錆処理装置は、総体的に細長い本体１と、該本体１の吊下げ方向下方端の下側に配置される除錆部２と、本体１に配置され、該本体１を鋼管Ｐ内の中空位置に保持すべく開脚が可能な支持アーム３０を有する少なくとも１つの支持部３とを有する。 - 特許庁

With such a structure, an inversion layer is formed for a p-type base region 3 by turning only the first gate electrode 8a out of the first and second gate electrodes 8a, 8b, but the inversion layer may be formed not deep enough to connect an n^-type drift layer 2 and an n^+-type impurity region 4.例文帳に追加

このような構造では、第１、第２ゲート電極８ａ、８ｂのうちの第１ゲート電極８ａのみをオンさせることで、ｐ型ベース領域３に対して反転層を形成しながらも、その反転層がｎ^-型ドリフト層２とｎ^+型不純物領域４とを繋ぐ深さまでは形成されないようにすることができる。 - 特許庁

The atmospheric floating particulate matter sucked into a capturing vessel 1 is charged by a discharge electrode 3, and captured to a dust collecting electrode 4 having a conductive transparent film 4b formed at least one side of a transparent plate 4a such as glass plate, whereby the particle P can be simply observed and extracted.例文帳に追加

捕集容器１内に吸引した大気中の浮遊粒子状物質Ｐを放電電極３により帯電させ、ガラス板などの透明板４ａの少なくとも片面に導電性透明皮膜４ｂを形成した集塵電極４に捕集することで、粒子Ｐの単体で観察および抽出を可能とする。 - 特許庁

This fluorescent X-ray analyzer is equipped with a sample stand 3 for supporting the sample S; an X-ray source 4 for irradiating the center of a prescribed irradiation position P1 with a primary X-ray P; and a detector 5 arranged toward the irradiation position P1, for detecting a fluorescent X-ray Q generated from the sample S.例文帳に追加

蛍光Ｘ線分析装置は、試料Ｓを支持する試料台３と、所定の照射位置Ｐ１を中心として一次Ｘ線Ｐを照射するＸ線源４と、照射位置Ｐ１に向って配置され、試料Ｓから発生する蛍光Ｘ線Ｑを検出する検出器５とを備えている。 - 特許庁

Diameters (external sizes) of the coil antennas 2a to 2c are larger than distances (h) between the RFID tags 3a to 3c arranged closely on the coil antennas 2a to 2c and the centers of the coil antennas 2a to 2c and less than 3/4 times as large as the inter-center distance P of the coil antennas 2a to 2c.例文帳に追加

コイルアンテナ２ａ〜２ｃの直径（外形寸法）は、ＲＦＩＤタグ３ａ〜３ｃがコイルアンテナ２ａ〜２ｃ上に近接配置されたときのＲＦＩＤタグ３ａ〜３ｃとコイルアンテナ２ａ〜２ｃの中心との間の距離ｈよりも大きく、コイルアンテナ２ａ〜２ｃの中心間距離Ｐの４分の３よりも小さい。 - 特許庁

In the powder spray device, an air nozzle 25a which constitutes the automatic powder cleaning device 25 is rotatable 360° in the conveyance direction P of printed matter 3 and is equipped with the automatic powder cleaning device 25 which can automatically regulate the pressure of air to be supplied to the air nozzle 25a either to a low pressure or a high pressure level.例文帳に追加

上記パウダー自動清掃装置２５を構成するエアーノズル２５ａは、印刷物３の搬送方向Ｐに３６０°回転可能な構造を有し、さらにこのエアーノズル２５ａに供給されるエアーの圧力を自動的に低圧、高圧とに調整できるパウダー自動清掃装置２５を備えたものである。 - 特許庁

The wire aligning apparatus 1 includes the wire aligner 41 for aligning the plurality of wires 81 sent out of a wire sender 43, and a balance arm 4 swingable in the vertical direction H and in the transverse direction W taking a swing support 3 mounted on the top end of a support 2 as a swinging fulcrum P.例文帳に追加

ワイヤ整列装置１は、ワイヤ送出部４３から送出された複数本のワイヤ８１を整列させるワイヤ整列部４１と、支柱２の先端部に設けた揺動支持部３を揺動支点Ｐにして、上下方向Ｈ及び左右方向Ｗに揺動可能な天秤アーム４とを有している。 - 特許庁

The center server 4 detects a signal pattern of the ON signal and the OFF signal from the controller 3 and when it is determined that the detected signal pattern is the signal pattern for registration, the worker position information is stored correspondingly to appliance identification information of a facility appliance 1 corresponding to the operating switch 2 operated by the worker P.例文帳に追加

センターサーバ４は、コントローラ３からのオン信号及びオフ信号の信号パターンを検出し、検出した信号パターンが登録用信号パターンであると判定すると、作業者Ｐが操作した操作スイッチ２に対応する設備機器１の機器識別情報に、作業者位置情報を対応付けて記憶させる。 - 特許庁

Further, a base formation layer 4 is formed on the n-type epitaxial growth layer 2 by epitaxial growth for example, and the base lead high concentration layer (p^+-type) 5 is formed like a stripe so as for the base formation layer to be engaged into the base formation layer 4 from the upper portion of the embedded oxide film (element isolation) 3 for deriving a base electrode.例文帳に追加

さらに、Ｎ型エピタキシャル成長層２の上には、ベース形成層４が例えばエピタキシャル成長によって形成され、埋込酸化膜(素子分離)３の上部からベース形成層４にくい込むように、ベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５がベース電極取出しの為にストライプ状に形成されている。 - 特許庁

A position information output device 1 is provided with an infrared detection part 2 in which infrared sensors S_1 to S_3 are arranged to be lined up in a prescribed direction and a signal generation part 3 for generating a position information signal P showing the position of an infrared source on the basis of output signals from the infrared sensors S_1 to S_3.例文帳に追加

位置情報出力装置１は、赤外線センサＳ_１〜Ｓ_３が所定方向に並んで配列されてなる赤外線検出部２と、赤外線センサＳ_１〜Ｓ_３からの出力信号に基づいて赤外線源の位置を示す位置情報信号Ｐを生成する信号生成部３とを備える。 - 特許庁

This wave washer chuck device 1 is provided with chuck device main bodies 2A, 2B capable of reciprocating and moving linearly in the horizontal direction and the vertical direction while holding the wave washer 5, and the chuck device main body 2A is provided with a suction part 3 arranged at pitch different from pitch P of wave of the wave washer like a ring.例文帳に追加

ウェーブワッシャチャック装置１には、ウェーブワッシャ５を保持した状態で横方向及び上下方向に直線往復動可能なチャック装置本体２Ａ，２Ｂが備えられており、チャック装置本体２Ａには、リング状にウェーブワッシャのウェーブのピッチＰと異なるピッチに配置された吸引部３が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 includes: a light emitting laser structure portion 2 composed of an n-type clad layer 6, an active layer 7 and a p-type clad layer 8; a semiconductor multilayer film 3 having a structure formed by alternately laminating the first semiconductor film and second semiconductor film, differing in refractive index from each other; and a pair of electrodes 4 and 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層６、活性層７及びｐ型クラッド層８からなる発光レーザ構造部２と、互いに屈折率の異なる第１の半導体膜と第２の半導体膜とを交互に積層した構造を有する半導体多層膜３と、一対の電極４，５とを有する。 - 特許庁

The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen.例文帳に追加

活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。 - 特許庁

The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.例文帳に追加

半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁

In the optical waveguide part which fixes one optical fiber exited from the optical waveguide module to a fixing part, the body 3 of the optical waveguide part is provided with a through-hole 10 capable of holding one optical fiber 7 and is provided with a plurality of contracted parts 11 in the outer peripheral part of the hole 10 at intervals P in the axial direction.例文帳に追加

光導波路モジュールから出射される１本の光ファイバを固定部に固定する光導波路部品において、この光導波路部品本体３は１本の光ファイバ７を保持可能な貫通孔１０を有し、その外周部には軸方向に間隔Ｐをあけて複数のくびれ部１１を有したものである。 - 特許庁

The repetitive operations of taking a cosmetic P from the upper surface 3a of the container body 3 oriented in the same direction as the mirror plate 4a at the front and the makeup is performed in a state where the three-sided mirror 1 is oriented to the front while projecting the face as it is, and the makeup is put on with the excellent operability.例文帳に追加

三面鏡１を正面に向けて顔を映している状態そのままで、正面の鏡板４ａと同じ方向を向いている容器本体３の上面３ａから化粧料Ｐを取って化粧を施す反復的な動作を行うことができ、良好な操作性で化粧をすることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon solar battery 1 comprises the steps of forming a p-type layer 3, then forming an i-type layer initial film 5 with a material gas set to a first dilution ratio, and then forming an i-type layer bulk film 6 on the film 5 by an ultra-high frequency plasma by the gas set to a second dilution ratio.例文帳に追加

シリコン太陽電池１は、ｐ層３を製膜後、第１の希釈率に設定された原料ガスによってｉ層初期膜５を製膜し、次いで、第２の希釈率に設定された原料ガスによって超高周波プラズマでｉ層初期膜５上にｉ層バルク膜６を製膜することによって製造される。 - 特許庁

The image forming apparatus P sequentially arranges a plurality of image forming parts Y, M, C, K including an image carrier 1, a charger 2, an image exposure device 3, and a developing unit 4 along a recording medium conveying belt 7 and provided with a transfer unit 5 for transferring toner images on the image carrier in each image forming part to a recording medium S.例文帳に追加

像担持体１、帯電器２、画像露光装置３及び現像器４を含む複数の画像形成部Ｙ、Ｍ、Ｃ及びＫが記録媒体搬送ベルト７に沿って順次配置され、画像形成部ごとに像担持体上トナー像を記録媒体Ｓへ転写する転写器５が設けられている画像形成装置Ｐ。 - 特許庁

The holder 2 is formed into approximately semicircular trough shape in the cross section, also has a bend part 21 where is bent into a bend shape of not smaller than the allowable bend radius and with which the pipe P arranged in the bend part 21 is held so as not to be slid by providing the belt 3 on the outer surface of this bend part 21.例文帳に追加

ホルダー２は、断面が略半円状の樋形状に形成されるとともに、許容曲げ半径以上の曲げ形状に湾曲した曲がり部２１を有し、この曲がり部２１の外面にベルト３が設けられて、曲がり部２１に配置されたパイプＰをずれないように保持することができる。 - 特許庁

The mask 1 includes a main body part 2 for covering the object part of the face and a hooking part 3 for hooking the main body part 2 to the body, wherein at least the main body part 2 is formed of an air permeable material, and opacity specified by JIS P 8138 in front and back directions is 40% or less.例文帳に追加

顔面の対象部位を覆う本体部２と、この本体部２を身体に係止するための係止部３とを有するマスク１において、少なくとも本体部２を通気性素材により形成し、かつ表裏方向におけるＪＩＳ Ｐ ８１３８に規定される不透明度を４０％以下にする。 - 特許庁

More preferably, the copper alloy phase has a composition comprising, by mass%, 10 to 59% of Cu, and 1 to 5% of at least one element among Sn, Zn, Ni and P, the iron oxide phase occupies 3 to 20% of the matrix part except the pores by a cross-sectional area ratio, and the ferrite phase of the balance consists of Fe and unavoidable impurities.例文帳に追加

より好ましくは前記銅合金相は、Ｃｕ：１０〜５９質量％と、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐのうち少なくとも１種：１〜５質量％とからなり、酸化鉄相は気孔を除く基地部分の断面面積比で３〜２０％であり、残部のフェライト相はＦｅおよび不可避不純物からなる。 - 特許庁

In the endoscope for inspecting injuries of an inside wall of a through conduit pipe P of sewage or the like, an inner housing 1 having at least a photographing camera 2 and an illuminator 3 built therein is freely turnably built in an outer housing 10 with a bearing 4 between them, and an approximately U-shaped weight 5 is attached to the inner housing 1.例文帳に追加

主として、下水などの流路管Ｐの内壁の傷みを検査する内視鏡であって、少なくとも撮影カメラ２と照明器３を組み込んだ内側ハウジング１を、外側ハウジング１０に、ベアリング４を介して回動自在に組み込み、かつ、前記内側ハウジング１に略Ｕ字状の重錘５を取付けてある。 - 特許庁

Each p-type and n-type FeSi2-based thermoelectric conversion semiconductor raw powder 22', 23' and plate made of predetermined metal or powder 21' and/or 24', which are located at least one edge place thereof, are cast inside a sintering mold 3, and these are sintered and jointed at one step in an electric discharge plasma sintering method.例文帳に追加

焼結型３の内部に、ＦｅＳｉ２系のｐ型及びｎ型からなる各熱電変換半導体原料粉末２２’、２３’と、これらの少なくとも一端部に所定の金属からなる板又は粉末２１’及び又は２４’を投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合する。 - 特許庁

In such a p-type semiconductor region 3, the path in which current flows becomes narrow, when the amount of current is smaller than a prescribed amount in the breakdown of the constant-voltage diode 10; and since the path in which the current flows becomes wide, when the amount of current is equal to or larger than a prescribed amount, thus stabilizing an output voltage.例文帳に追加

このようなＰ型半導体領域３によれば、定電圧ダイオード１０のブレークダウン時において、電流量が所定量より少ない場合には電流の流れる経路が狭くなり、電流量が所定量以上の場合には電流の流れる経路が広くなるため、出力電圧が安定する。 - 特許庁

Light not entering the escape cone of the light emitting layer 3 but radiated therefrom in the axial direction of nanocolumn is absorbed by the absorption/re-emission layer 6 and light is re-emitted from that escape cone to the outside of the nanocolumn, and thereby the rate of light being absorbed by the silicon substrate 1 or the translucent p-type electrode 5 is reduced.例文帳に追加

したがって、発光層３のエスケープコーンに入らず、該発光層３からナノコラムの軸方向に放射された光は、前記吸収・再発光層６で吸収・再発光されて、そのエスケープコーンからナノコラムの外部へ放出されるので、シリコン基板１やｐ型電極５に吸収される割合が減少する。 - 特許庁

This motor operated driver for an automobile comprises a brushless DC motor 1 having a rotor 12 including 2P (P: an integer of 1 or more) poles arranged at an equal interval, and a stator 11, including two three- phase windows 111, 112 of a phase difference of π/6 to π/3 radian of electrical angles and arranged on a circumference thereof.例文帳に追加

等間隔に配列された２Ｐ（Ｐは１以上の整数）の磁極を持つロータ１２と、夫々が電気角でπ／６ないしはπ／３ラジアンの位相差を持つ二つの三相巻線１１１、１１２が円周上に配列された固定子１１よりなるブラシレスＤＣモータ１を自動車用走行モータとして用いる。 - 特許庁

This packed softener is produced by packing a softener composition comprising (a) 0.5-20 mass% of a perfumed composition containing 40-100 mass% of a perfuming ingredient having a Log P of 3-30, (b) a specific nonionic compound and (c) a softening base in a bag-like container formed from a specific laminated material.例文帳に追加

（ａ）ＬｏｇＰが３〜３０の香料成分を４０〜１００質量％含有する香料組成物を０．５〜２０質量％と（ｂ）特定の非イオン性化合物と（ｃ）柔軟基剤とを含有する柔軟剤組成物を、特定の積層材料から形成される袋状容器に充填してなる、容器入り柔軟剤。 - 特許庁

In a current driving part 3, wiring (L2) for setting substrate potential is provided separately from wiring (L1) of power supply potential VDD, so that the substrate potential of a P-type MOS transistor in a driving cell can be in common, without reference to distance from a power supply pad P1 (the power supply potential VDD) to each driving cell.例文帳に追加

電流駆動部３において、電源パッドＰ１（電源電位ＶＤＤ）から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のＰ型ＭＯＳトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位ＶＤＤの配線（Ｌ１）とは別に基板電位を設定するための配線（Ｌ２）を設ける。 - 特許庁

On the basis of moving information of a block control device 3 and the storage shelf 4 thereof, a driving device 6 provided on the correspond storage shelf 4 is actuated and moved in a specified direction by a specified amount, and the work passage P is opened between the target storage shelf 4 and a storage shelf 4 adjacent to the target storage shelf 4.例文帳に追加

ブロック制御装置３、その保管棚４の移動情報に基づいて、該当する保管棚４に設けられた駆動装置６を作動させて、該当する保管棚４を所定方向に所定量だけ移動させ、目的とする保管棚４とそれに隣接する保管棚４との間に作業用通路Ｐを開ける。 - 特許庁

(3) a cement powder ratio C/(C+P); ≥0.35, and a compressive strength at the age of 28 days of 0.1-0.7 N/mm^2.例文帳に追加

（Ａ）アミンオキサイド型界面活性剤、フッ素系界面活性剤の一方または双方を配合する起泡剤、（Ｂ）アニオン系またはノニオン系の起泡剤、（１）空気量；６３〜７５体積％、（２）水粉体比Ｗ_1／（Ｃ＋Ｐ）；０.３５〜０.７０、（３）セメント粉体比Ｃ／（Ｃ＋Ｐ）；０.３５以上かつ材齢２８日の圧縮強度が０.１〜０.７Ｎ／ｍｍ^2となる範囲 - 特許庁

An active layer polysilicon film 2 to form the n-chTFT of a CMOS transistor of a driver circuit, an active layer polysilicon film 3 to form the p-chTFT of the same element, and an active layer polysilicon film 4 to form a pixel and sampling n-chTFT are formed on a transparent substrate 1 which constitutes the display device.例文帳に追加

表示装置を構成する透明基板１上に、ドライバ回路ＣＭＯＳトランジスタのｎ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜２、同ｐ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜３、画素・サンプリングｎ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜４を形成する。 - 特許庁

This buffer circuit is provided with an inverter circuit 3, a timing control circuit 20 composed of the parallel circuit of an OR circuit 21 and an AND circuit 22 and an output stage CMOS inverter circuit 10 or the like composed of the serial circuit of a P channel MOS transistor TRp and an N channel MOS transistor TRn.例文帳に追加

バッファ回路は、インバータ回路３、ＯＲ回路２１及びＡＮＤ回路２２の並列回路からなるタイミング調整回路２０、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＲｐとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴＲｎとの直列回路からなる出力段ＣＭＯＳインバータ回路１０等を備えて構成される。 - 特許庁

A recessed part 10 loosely movably fitted with a connecting shaft S3 for connecting the back 2 and a seat 3 is arranged in a leg body 1, and the connecting shaft S3 is applied to inner peripheral surfaces 10a, 10b of this recessed part 10 to regulate rocking operation of the back 2 between a prescribed normally using attitude P and a backward tilting using attitude Q.例文帳に追加

背２と座３とを連結する連結軸Ｓ３を遊動可能に嵌め入れてなる凹部１０を脚体１に設け、この凹部１０の内周面１０ａ、１０ｂに連結軸Ｓ３を当てることにより、背２のロッキング動作を、所定の通常使用姿勢Ｐと後傾使用姿勢Ｑとの間で規制するように構成した。 - 特許庁

The high-temperature side refrigeration circuit Ra is composed of a high-temperature side compressor 1, a primary channel 2a of a high-temperature side condenser 2, a primary channel 3a of a subcooling heat exchanger 3, a high-temperature side expansion device 4, and a primary channel 5a of a cascade heat exchanger 5 which are connected in order by a refrigerant pipe P.例文帳に追加

高温側冷凍回路Ｒａは、高温側圧縮機１、高温側凝縮器２の１次側流路２ａ、過冷却熱交換器３の１次側流路３ａ、高温側膨張装置４及びカスケード熱交換器５の１次側流路５ａを、冷媒配管Ｐにより順次接続して構成されている。 - 特許庁

The method for producing a fluoropolymer includes polymerizing a fluoromonomer in an aqueous medium in the presence of a compound (I) represented by the general formula (1): Rf^1O(Rf^2O)P(O)OM, wherein Rf^1 and Rf^2 are different from each other and each a 3-4C fluoroalkyl group, and M represents H, Na or NH_4.例文帳に追加

水性媒体中で、一般式（１）Ｒｆ^１Ｏ（Ｒｆ^２Ｏ）Ｐ（Ｏ）ＯＭ （１）（Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、互いに異なって、それぞれ炭素数が３〜４のフルオロアルキル基であり、Ｍは、Ｈ、Ｎａ又はＮＨ_４を表す。）で表される化合物（Ｉ）の存在下でフルオロモノマーを重合することを特徴とするフルオロポリマーの製造方法。 - 特許庁

The thermal infrared detection part 3 includes: on a heat insulating layer 33 of the silicon substrate 1, a temperature detection part 36 consisting of an n-type polysilicon layer (silicon layer) 34, a p-type polysilicon layer (silicon layer) 35 and an electrode 37; and an interlayer insulating film (protective film) 49 and a passivation film (protective film) 60 protecting the temperature detection part 36.例文帳に追加

熱型赤外線検出部３は、シリコン基板１の熱絶縁層３３上にｎ形ポリシリコン層（シリコン層）３４、ｐ形ポリシリコン層（シリコン層）３５および電極３７からなる温度検出部３６と、温度検出部３６を保護する層間絶縁膜（保護膜）４９およびパッシベーション膜（保護膜）６０とを備える。 - 特許庁

The halving of examination request and patent fees (from the first through third years (or sixth year in certain cases)) for SMEs engaging actively in R&D will be continued and expanded by extending the period of reduction of patent fees from the first year to the tenth year dating from April 1, 2012, and by expanding eligibility to include, among others, SMEs that were established not more than 10 years previously. (Continuation) (See p. 219.) 例文帳に追加

積極的に研究開発を行う中小企業等に対し、審査請求料及び特許料（第1 年分から第3 年（場合により6 年）分）を半額に軽減する措置を従前から実施していたが、平成24 年4 月1 日から特許料の軽減期間を第1 年分から第10 年分に延長するとともに、設立後10 年を経過していない中小企業を軽減措置の対象に加えるなど、軽減措置の対象を拡大したうえで、特許料等の軽減措置を引き続き実施する。（継続）（p.227参照） - 経済産業省

The multiple wavelength spectroscopic detector 100 is provided with an optical lens system 1 for guiding light from a plasma P, a spectroscopic filter group 2 splitting light into a plurality of wavelength ranges by introducing light from the optical lens system 1, a photomultiplier 3 detecting each light split by the spectroscopic filter group 2 and a signal processing circuit 8 processing specific signals by inputting each detection signal from the photomultiplier 3.例文帳に追加

多波長分光検出装置１００は、プラズマＰからの光を導くための光学レンズ系１と、この光学レンズ系１により導かれた光を入射して複数の波長範囲に分光する分光フィルター群２と、この分光フィルター群２で分光された光を各々に検出する光電子増倍管３と、この光電子増倍管３からの各検出信号を入力し所定の信号処理を行う信号処理回路８とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where a phosphorus junction layer 2 provided with an N++ part heavily doped with phosphorus on its surface is formed on a P-type silicon substrate 1, a surface electrode 6 is formed on the N++ part 3, and a back face electrode 7 is formed on the rear of the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

少なくともＰ型シリコン基板１に、リンが高濃度にドープされたｎ^^++部を表面に有するリン接合層２を形成した後、該ｎ^++部３上に表面電極６を形成し、Ｐ型シリコン基板裏面に裏面電極７を形成する太陽電池の製造方法において、前記リン接合層の形成は、リンを含んだ有機シリカ化合物ペースト１５を表面電極が形成されるパターンに対応してＰ型シリコン基板１に印刷し、該Ｐ型シリコン基板に気相リン拡散熱処理を施すことにより、ｎ^++部３を表面に有するリン接合層を形成する太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The concentrated color developing composition for a silver halide photographic sensitive material containing a p-phenylenediamine color developing agent is a single-part concentrated color developing composition containing a water-soluble organic solvent and having an Na ion to K ion molar ratio of ≥3 and a sulfate ion to carbonate ion molar ratio of ≥0.25.例文帳に追加

パラフェニレンジアミン系発色現像剤を含有するハロゲン化銀写真感光材料用発色現像濃縮組成物において、シングルパート構成であり、水溶性有機溶媒を含有し、Ｎａイオン／Ｋイオンのモル比が３以上であり、硫酸イオン／炭酸イオンのモル比が０．２５以上であることを特徴とするシングルパート発色現像濃縮組成物である。 - 特許庁