「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

A ratio W/P of a width W of the low refractive index material 3 formed in a projecting shape to a period P is set to be 0.5 and the refractive indices and grating depths (thicknesses) of the low refractive index material 3 and the high refractive index material 4 are suitably set.例文帳に追加

そして、凸部状に形成されている低屈折率材料３の幅Ｗと周期Ｐとの比Ｗ／Ｐを０．５に設定すると共に、低屈折率材料３と高屈折率材料４の屈折率、及び低屈折率材料３と高屈折率材料４との格子深さ（厚さ）を適宜設定するようにしている。 - 特許庁

Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.例文帳に追加

そして、第１拡散領域３および第２拡散領域４の外周部にｎ^−形半導体層２の表面からｐ形半導体基板に達するｐ形のアイソレーション拡散領域５が形成され、第１拡散領域３とアイソレーション拡散領域５とが接続電極６により電気的に接続されている。 - 特許庁

Dopants, for example an n-type dopant like Ga which is an element of group III and p-type dopant like N which is an element of group V, are doped on a ZnO crystal layer, wherein the n-type dopant is more than the p-type dopant and the n-type dopant is dorped at the impurity concentration of 1×1018 cm-3 or higher.例文帳に追加

ＺｎＯ結晶層にドーパントとして、たとえばＧａのようなIII族元素などのｎ型ドーパントと、たとえばＮのようなＶ族元素などのｐ型ドーパントとがドーピングされ、そのｎ型ドーパントがｐ型ドーパントより多く、かつ、ｎ型ドーパントが１×１０^18ｃｍ^-3以上の不純物濃度にドーピングされている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁

(where in the formulae Ra and Rb each independently represents a hydrocarbon group or an alkoxyhydrocarbon group provided that the carbon number in Ra is 2 or more, Rc represents a hydrocarbon group, X is a reactive group or a hydrocarbon group containing a reactive group, m is 1 to 3, n and p are each 0 to 3, and m+n+p=4).例文帳に追加

（但し、式中Ｒ^aの炭素数は２個以上であり、Ｒ^a，Ｒ^bは各々異なってまたは同じで炭化水素基またはアルコキシ炭化水素基、Ｒ^cは炭化水素基、Ｘは反応性基または反応性基を有する炭化水素基、ｍは１〜３、ｎ，ｐは０〜３、ｍ＋ｎ＋ｐ＝４である。） - 特許庁

The p-type GaP layer 14 is added with Zn as an acceptor impurity, and provided with a Zn concentrated layer 14a of Zn density of ≥4.0×10^18 atoms/cm^3 and ≤1.0×10^19 atoms/cm^3 on a side contacting with a p-electrode 15 for power supply.例文帳に追加

ｐ型ＧａＰ層１４には、アクセプタ不純物としてＺｎが添加されており、電力供給用のｐ電極１５と接する側に、Ｚｎ濃度が４．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＺｎ濃化層１４ａが設けられている。 - 特許庁

A thermoelectric element 1 is equipped with P-type elements 3 formed of P-type thermoelectric semiconductor material, N-type elements 4 formed of N-type thermoelectric semiconductor material, and boards 2B and 2A provided with metal electrodes 5 which are capable of forming PN junction pairs by joining pairs of the dissimilar elements 3 and 4 together.例文帳に追加

Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント４と、これらＰ型及びＮ型の異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板２Ｂ、２Ａを備えた熱電素子１である。 - 特許庁

This ultraviolet radiation irradiating device 1 for plants includes a light source 2 irradiating light including ultraviolet radiation to plants P, a reflecting plate 3 of a semi-oval cylinder reflecting light from the light source 2 to the direction of the plants P, and an optical member 4 with ultraviolet radiation-blocking properties, arranged on an optical path of light directly irradiated to the plants P without being reflected to the reflecting plate 3 from the light source 2.例文帳に追加

植物用紫外光照射装置１は、植物Ｐに対して紫外光を含む光を照射する光源２と、光源２からの光を植物Ｐの方向に反射する半楕円筒の反射板３と、光源２から反射板３に反射されずに植物Ｐに直接照射される光の光路上に配置される紫外光遮断性を有した光学部材４とを備えている。 - 特許庁

Then the paper P is fed out from the conveying roller 6 by a distance more than a length along a conveying passage between a position of a front end of the paper P placed on a paper feeding tray 1 and a contact central point of the separating pad 11a and the paper feeding roller 3.例文帳に追加

さらに，給紙トレイ１に置かれた状態にある用紙Ｐの前端の位置と，分離パッド１１ａと給紙ローラ３との当接中心点との間の給送経路に沿った長さ以上の量，用紙Ｐが搬送ローラ６から送り出される。 - 特許庁

The arrangement concentration of dummy active regions 11 in a p-type well 3 is relatively low, making a stress to be applied on a p-type active region 5 relatively small and hence preventing a decline in driving current of the n-channel type MOS transistor.例文帳に追加

Ｐウエル３側におけるダミー活性領域１１の配置密度は比較的低くなっており、Ｐ型の活性領域５に及ぶ応力は比較的小さく、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの駆動電流の減少を低減させることができる。 - 特許庁

In this manufacturing method for the laminate panel, before the curing of the supplied resin-foamable stock solution P is completed, the stock solution P is foamed and cured, while right and left width-direction ends of the upper surface material 2 of the pair of surface materials 2 and 3 are lifted in a noncontact state.例文帳に追加

供給された樹脂発泡原液が硬化完了する前に、一対の表面材２，３の内、上表面材２の幅方向左右端部を非接触で持ち上げつつ、樹脂発泡原液Ｐを発泡硬化させるラミネートパネルの製造方法。 - 特許庁

In the paper receiving device 3 for receiving printed paper sheets P falling in the state of being curved into a U-shape and for forming a stack A of the paper sheets P in the vertical direction, lateral jogger operation control and hang-up prevention control are executed.例文帳に追加

Ｕ字状に曲げられた状態で落下する印刷済み用紙Ｐを受け取って、上下方向に上記用紙Ｐの積層体Ａを形成する紙受け装置３において、横ジョガー動作制御及び引掛り防止制御を実行する。 - 特許庁

A relation of H/P^3≤10 is fulfilled on condition that P (cm) is the distance between the gap between the cell chambers, and H (cm) is the distance from the upper surface of the lid on which, the opening is formed at the bottom surface of a battery case.例文帳に追加

前記間隙を形成するセル室間の間隔をＰ（ｃｍ）とし、前記開口部が設けられている蓋上面から電槽底面までの距離をＨ（ｃｍ）としたとき、Ｈ／Ｐ^３≦１０の関係が成立していることを特徴とするものである。 - 特許庁

A column pull-out device 1 is for pulling out a columnar object P, and includes a column pull-out jig 2 having a holding part 4 for holding the columnar object P and an overhang part 5 overhung from the holding part 4, and an air bag 3 to be expanded in a height direction.例文帳に追加

柱引抜装置１は、柱状物Ｐを引き抜くためのものであって、柱状物Ｐを保持する保持部４及び保持部４から張り出した張出部５を有する柱引抜治具２と、高さ方向に膨張されるエアバッグ３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 has a structure in which a reflection layer 3, an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type cladding layer 7, and a p-type window layer 8 are sequentially laminated on a substrate 2 made of n-type GaAs.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板２上に反射層３と、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型ウインドウ層８とが順に積層されている。 - 特許庁

The neutron beam irradiation apparatus 1, related to an apparatus of irradiation with a neutron beam to an affected part T of a patient P, is equipped with a mounting table 2 for mountting the patient P, a deceleration device 3 for decelerating the neutron beam, and a collimater 4 for convergence of the neutron beam.例文帳に追加

中性子線照射装置１は、患者Ｐ体内の患部Ｔに中性子線を照射する装置であり、患者Ｐを載置する載置台２と、中性子を減速する減速装置３と、中性子を収束するコリメータ４とを備える。 - 特許庁

This method comprises the following process: Pseudomonas fluorescens 127 stain (Pseudomonas fluorescens N127, FERM P-17745) is cultured in a culture medium containing 4-phenoxy-n-butyric acid represented by formula (2) (n represents an integer number ≤10.), and poly-3-hydorxy-n-butyric acid produced by culturing the above 127 strain and represented by formula (1) is extracted.例文帳に追加

シュードモナス・フルオレッセンス Ｎ１２７株（Pseudomonasfluorescens N127、FERM P-17745）を、下記式（２）で表される４−フェノキシ−ｎ−酪酸を含む培地で培養し、該Ｎ１２７株の培養により生産されたポリ−３−ヒドロキシ−４−フェノキシ−ｎ−酪酸を抽出する。 - 特許庁

In addition, a primary differential coefficient (slant α of tangent M1) at the bonded section (point P) on the chamfered plane side in the optical plane 2b and a primary differential coefficient (slant α of tangent M2) at the bonded section (point P) on the optical plane side in the chamfered plane 3 are matched.例文帳に追加

また、光学面２ｂにおける面取り面側接合部（点Ｐ）での一次微分係数（接線Ｍ_1 の傾きα）と、面取り面３における光学面側接合部（点Ｐ）での一次微分係数（接線Ｍ_2 の傾きα）は、一致している。 - 特許庁

in which d is a diameter (mm) of the positive electrode positioned inside a side tube part and ID is an inside diameter (mm) of the side tube part, and V/P≥0.12 in which V is a volume (mm^3) of the positive electrode top-most part and P is an input power (W).例文帳に追加

（２）側管部内側に位置する陽極の径ｄ（ｍｍ）が、側管部の内径ＩＤ（ｍｍ）に対して０．５ＩＤ≦ｄ≦０．９５ＩＤで、陽極先端部の体積Ｖ（ｍｍ^３）が入力電力Ｐ（Ｗ）に対して、Ｖ／Ｐ≧０．１２。 - 特許庁

When making a direction of residual polarity of the piezoelectric body 1 (+P) as a reference, if the piezoelectric body 2 and the piezoelectric body 3 are of the inverse direction (-P), sensitivity is negated for λ/4 resonance, and enhanced for 3λ/4 resonance in an electric field between terminals.例文帳に追加

そして、圧電体１の残留分極の向き（＋Ｐ）を基準として、圧電体２および圧電体３を逆方向（−Ｐ）とすると、端子間の電場は、λ／４共振ではその感度が打ち消され、３λ／４共振においては強調される。 - 特許庁

In an electronic component mounting apparatus 100, a control section 14 takes an image of a substrate B before mounting electronic components P thereon and calculates reference mounting positions of the electronic components P with respect to a reference position of a substrate retaining section 3.例文帳に追加

電子部品実装装置１００の制御部１４により、基板Ｂに電子部品Ｐを実装する前に、電子部品実装前の基板の画像を取得し、基板保持部３の基準位置に対する各電子部品の基準実装位置を算出する。 - 特許庁

In the second process, the magnet 3 is arranged in a part supposed to have the possibility of generating a void P, and is laterally and vertically moved so that the cement 1 is completely filled in a branch-shaped filling passage 20 easily generating the void P.例文帳に追加

そして、第２工程において、磁石３を、空隙Ｐが発生するおそれがあると思われる部位に配置し、左右又は上下などに移動させることで、空隙Ｐが発生し易い枝状充填路２０等にセメント１を完全に充填させる。 - 特許庁

In the leg 1a, a housing recessed part 12 having side wall 8 and a bottom wall 10 facing a body panel P and housing a part of an attaching seat 3 is cut out in a face 6 facing the body panel P in the retracted position of the grip body 1.例文帳に追加

脚部１ａには、グリップ本体１が格納位置において車体パネルＰに対向する面６に、側壁８と車体パネルＰに対向する底壁１０とを有して取付座３の一部を収容する収容凹部１２を切欠形成する。 - 特許庁

Axial movement Y-Y of the electric fuel pump P in the fuel chamber 3 is suppressed by the elastic force of the suction side support 1 when elastically thrusting the electric fuel pump P and the discharge side support 2 toward the closing member 5.例文帳に追加

電動燃料ポンプＰの燃料室３内における軸方向移動Ｙ−Ｙは、吸入側支持体１が有する弾性力により、電動燃料ポンプＰ、吐出側支持体２を閉塞部材５に向けて弾性的に押圧することにより抑止できる。 - 特許庁

In this luminaire, a luminaire body 1 is directly coupled with a vertical linear pole P, and a reflector 2 set in the luminaire body 1 is provided with a back reflecting area 2a concentrating the reflecting light from a lamp 3 on the pole P.例文帳に追加

垂直直線状のポールに照明器具本体を直結するように構成するとともに、照明器具本体内に配設される反射板にランプからの反射光がポールに集中するようの構成されたバック反射領域を備えた。 - 特許庁

Before supplying the strip member P, the length Lp of the strip member P is measured on the sticking conveyer 3, and the joint amount J is adjusted by changing the diameter D of the molded drum 2 on the basis of the measured length Lp.例文帳に追加

帯状部材Ｐの供給に先駆け、貼付けコンベヤ３上にて帯状部材Ｐの長さＬｐを測定するとともに、この測定した長さＬｐに基づいて、前記成形ドラム２のドラム直径Ｄを変化させて前記ジョイント量Ｊを調節する。 - 特許庁

A column side fitting piece 1 to be fitted to a column p and a sill side fitting piece 2 to be fitted to the sill b orthogonal to the fitting piece 1 are respectively formed with a fitting hole 3 undergoing the insertion of a fixing rod 4 used for fitting the fitting pieces to the column p or the sill b.例文帳に追加

柱ｐに取付ける柱側取付片１と該取付片１に直交して土台ｂに取付ける土台側取付片２のそれぞれに、前記柱ｐ又は土台ｂに取付ける止着杆４を貫挿する取付孔３を設ける。 - 特許庁

In order to record picture data SO on the photosensitive material P with this recording density, the control part 10 controls the laser diameter of laser light 1, a modulator 3 which modulates laser light 1, and driving of a motor 6 for subscanning of the photosensitive material P.例文帳に追加

制御部１０はこの記録密度で画像データＳ０の感光材料Ｐへの記録を行うべく、レーザ光１のレーザ径、レーザ光１を変調する変調器３および感光材料Ｐの副走査を行うためのモータ６の駆動を制御する。 - 特許庁

The first thin film transistor 3 is provided with the p-type organic semiconductor layer (working as a p-channel) 33, and the second thin film transistor 4 is provided with the n-type thin film transistor 45 (working as an n-channel).例文帳に追加

回路基板１は、第１の薄膜トランジスタ３が、ｐ型有機半導体層（ｐチャネルとして動作する有機半導体層）３３を備え、第２の薄膜トランジスタ４が、ｎ型有機半導体層（ｎチャネルとして動作する有機半導体層）４５を備える。 - 特許庁

The accommodated article fixing device 1 has a flat plate 2 disposed so as to cover the upper face of the article P accommodated in the box 10, and a face plate 4 having a hole 3 penetrated in the middle of it, through which the upper part of the article P accommodated in the box is passed.例文帳に追加

本発明の収容物固定具１は、身箱１０内の収容物Ｐの上面を覆うように配する平板部２と、中央に収容物Ｐの上部を挿通する孔３を有する面版部４とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

So, even if the suction nozzle 3, the circuit board 4, and the electronic component T thermally expand at the heating, the pressure against the solder P which is caused by the thermal expansion is reduced, resulting in suppressed collapse amount of the solder P within a tolerable range.例文帳に追加

これにより、その加熱時に吸着ノズル３と回路基板４と電子部品Ｔ等が熱膨張しても、その熱膨張に起因したはんだＰへの圧力が軽減できて、はんだＰの潰れ量を許容範囲内に抑制することが可能となる。 - 特許庁

The vertical junction FET 1a comprises an n^+-type drain semiconductor 2, an n-type drift semiconductor 3, a p^+-type gate semiconductor 4, an n-type channel semiconductor 5, an n^+-type source semiconductor 7 and a p^+-type gate semiconductor 8.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７と、ｐ^＋型ゲート半導体部８とを備える。 - 特許庁

Thereby, the p^+ type layer 6 and a p type base region 3 are prevented from punching through under the n^+ type source region 4, and the withstand voltage between the drain and the source is secured regardless of the depth of the n^+ type source region 4.例文帳に追加

このため、ｎ^+型ソース領域４の下方においてｐ^+型層６およびｐ型ベース領域３がパンチスルーしてしまうことを防止でき、ｎ^+型ソース領域４の深さに関係なくドレイン−ソース間の耐圧を確保することが可能となる。 - 特許庁

When the surface temperature of the recording medium P with the toner image (t) reaches Tg+54° after the medium P is thermally nipped by the rollers 2 and 3, the recording medium is nipped by a pair of cooling rollers 11 and 12 which constitute a cooling part 10, and have an elastic layer (rubber layer 5).例文帳に追加

ローラ２、３での加熱ニップ後、トナー像ｔが乗った記録媒体Ｐの表面温度がＴｇ＋５４度である時に、記録媒体を冷却部１０を構成する同じく弾性層（ゴム層５）を持つ冷却ローラ対１１、１２でニップする。 - 特許庁

In accordance with this pallet, a predetermined number of coil-shaped transporting items C stacked up while facing in a vertical direction are arranged in a zig-zag form by causing the abutting frame member 3 to be abutted against other pallets P when the predetermined number of pallets P are stored in the container A.例文帳に追加

本パレットＰによると、所定数のパレットＰをコンテナＡ内へ収容したとき、当接枠体部３が他のパレットＰに当接することによって、縦向き状態で積載される所定数のコイル状搬送物Ｃが千鳥状配列される。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁

An aligner E synchronously moves a mask M and a substrate P from an accelerating section H 1 to a decelerating section H 4 through a setting section H 2 and a normal section H 3, and during the movement, transfers the image of a pattern formed on the mask M to the substrate P.例文帳に追加

露光装置Ｅは、マスクＭ及び基板Ｐを、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に同期移動させ、この移動中にマスクＭに形成されたパターンの像を基板Ｐ上に転写する。 - 特許庁

The first pressing part 1 and the second pressing part 2 massage the calves P1 of the seated person P by repeating expansion and contraction with the supply and exhaust of air from an air supply/exhaust device 3 when an operating part 4 is operated on by the seated person P.例文帳に追加

第１の押圧部１と第２の押圧部２とは、着座者Ｐによる操作部４へのオン操作がされると、給排気装置３から空気が給排気されて膨張と収縮を繰り返すことによって、着座者ＰのふくらはぎＰ１をマッサージする。 - 特許庁

Because G/H>1 is formed if oil supply amount and discharge amount are reduced due to wear of the distribution valves 1 and 3 and the pump P, for instance, discharge amount of the pump P is increased so as to be G/H=1 by a control device 7 and oil is stably supplied.例文帳に追加

例えば、分配弁１、３、ポンプＰの摩耗などによって給油量、吐出量が減少すれば、Ｇ／Ｈ＞１となるため、制御器７により、Ｇ／Ｈ＝１となるようにポンプＰの吐出量が増加されて、安定した給油が行われる。 - 特許庁

In paper P placed on this, since an unplaced part Pk2 of the rear end rises upward, the center of gravity of the unplaced part approaches an end part of the expansion tray part 22-3 to thereby support the unplaced part so as not to hang down by stiffness of the paper P itself.例文帳に追加

この上に載置された用紙Ｐは、その後端の非載置部分Ｐk2が上に立上がるため非載置部分の重心が拡張トレイ部２２−３端部に近接し、これにより用紙Ｐ自身の腰によって非載置部分を垂れ下がらないように支持する。 - 特許庁

When a N-type emitter region 15 is formed within a P-type base region 14, a ring-type LOCOS oxide film 16, that is opened in the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed, is provided on the P-type base region 14 (Fig. 3(a)).例文帳に追加

Ｐ型ベース領域１４内にＮ型エミッタ領域１５を形成するに際し、Ｐ型ベース領域１４上にＮ型エミッタ領域１５の形成予定場所が開口した輪状のＬＯＣＯＳ酸化膜１６を設ける（図３（ａ））。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power in an embodiment includes a p-type collector layer 1, an n-type base layer 3, a p-type base layer 4, an n-type source layer 5, a gate electrode 8, an inter-layer insulating film 9, a collector electrode 11, and an emitter electrode 12.例文帳に追加

実施形態の電力用半導体装置は、ｐ形コレクタ層１と、ｎ形ベース層３と、ｐ形ベース層４と、ｎ形ソース層５と、ゲート電極８と、層間絶縁膜９と、コレクタ電極１１と、エミッタ電極１２と、を備える。 - 特許庁

When detecting the corner fold of the printing paper P, a valve V of a suction path of a paper feed rotor 50 is closed to temporarily interrupt the feed of the printing paper P by the paper feed rotor 50 and an alarm means 3 is actuated to notify the generation of the corner fold.例文帳に追加

刷り紙Ｐの隅折れが発見されたときは給紙ロータ５０の吸引経路の弁Ｖを閉として給紙ロータ５０による刷り紙Ｐの供給を一時中断すると共に警報手段３を作動させて隅折れ発生を知らせる。 - 特許庁

A semiconductor device of an embodiment includes: a p-type nitride semiconductor layer; a polycrystalline nickel oxide layer formed on the p-type nitride semiconductor layer and having a thickness of 3 nm or less; and a metal layer formed on the nickel oxide layer.例文帳に追加

実施の形態によれば、ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成され、膜厚が３ｎｍ以下で多結晶質のニッケル酸化物層と、ニッケル酸化物層上に形成される金属層と、を有する半導体素子である。 - 特許庁

A p-type base layer 5, a n-type source layer 6, a gate insulating film 7, and a gate electrode 8 constituting a MOSFET structure are formed in the region, where n-type drift layers 2, barrier insulating films 3, and p-type drift layers 4 are arranged alternately and repeatedly.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２、バリア絶縁膜３、ｐ型ドリフト層４が交互に繰り返して配列された領域内に、ＭＯＳＦＥＴ構造を構成するｐ型ベース層５、ｎ型ソース層６、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８を設ける。 - 特許庁