「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Measurement is carried out using a reflecting deflection element 3 having a reflecting curved surface 31 formed based on the design data for the shape of a curved surface P of a measured object.例文帳に追加

被検曲面Ｐの形状の設計データに基づき形成された反射曲面３１を有する反射偏向素子３を用いて測定を行う。 - 特許庁

The antenna part 23 is arranged inside a plurality of virtual planes P brought into contact with the top end section of the main body 2 and the lower end section of the grip part 3.例文帳に追加

アンテナ部２３を、本体２の先端縁部とグリップ部３の下端縁部との双方に接する、複数の仮想平面Ｐよりも内側に配置する。 - 特許庁

Further, a holder (3) is provided, and the ruler (11) can be fixed to the object (13) to be measured by avoiding the support (12) at the fixed point (P) by the holder.例文帳に追加

さらに、保持体（３）が設けられていて、この保持体により物差し（１１）が固定点（Ｐ）に支持体（１２）を避けて測定すべき物体（１３）に固定できる。 - 特許庁

The p^+ impurity area 4 partitions a high-potential island area 101, a low-potential island area 104 and a slit area 105 within the n^- semiconductor substrate 3.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域４は、ｎ^-半導体層３内に高電位島領域１０１、低電位島領域１０４及びスリット領域１０５を区分している。 - 特許庁

An interposing piece 3 is horizontally extended to the inner side from a vertical direction intermediate position of the outer side wall 2 and interposed between the upper and lower solar cell modules P.例文帳に追加

介在片３が、外側壁２の上下方向中間位置から内側へ水平に延出し、上下の太陽電池モジュールＰの間に介在する。 - 特許庁

A plurality of trenches 5 are formed on the top surface of a semiconductor substrate 1, and the trenches 5 pass through a p-base layer 4 and reach an n^--type drift layer 3.例文帳に追加

半導体基板１の上面には複数のトレンチ５が形成され、このトレンチ５はｐベース層４を貫通してｎ^-ドリフト層３に達している。 - 特許庁

A fraction obtained in a preparative TREF analysis with p-xylene at a temperature of 78°C±3 K has a mean molar weight of 200,000 g/Mol or more.例文帳に追加

７８℃±３Ｋの温度でｐ−キシレンを用いる予備ＴＲＥＦ分析で得られる画分が２０００００ｇ／モル以上の平均分子量を有する。 - 特許庁

Rolling direction display parts 3 for displaying a direction of starting rolling of the corner of the laver P joined to the standard position together with the plate body 1 are formed on the plate body 1.例文帳に追加

プレート本体１に、基準位置上に合せた海苔Ｐの角部をプレート本体１ごと巻き始める方向を示す巻方向表示部３を形成する。 - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５は、Ｎ型拡散層３で囲まれた位置のＰ型半導体基板１の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

This invention relates to the sheet conveyance device mounted on an image forming apparatus having the image forming part 3 for forming an image on the sheet material P.例文帳に追加

本発明は、シート材Ｐに画像を形成するための画像形成部３を備えた画像形成装置に搭載されるシート搬送装置に係るものである。 - 特許庁

When a recording duty is about 50%, a recording control part 100 relatively reduces the curvature imparted to the recording paper P (Fig.3(a)).例文帳に追加

記録制御部１００は、例えば「記録デューティ」が５０％前後である場合には、記録紙Ｐに付与する湾曲量を相対的に小さくする（図３（ａ））。 - 特許庁

The heat treating apparatus 1 comprises a heating plate P, which is heated by heating means 20 and cooled by a plurality of heat pipes 3 in a processing chamber 11.例文帳に追加

熱処理装置１は、処理容器１１内に、加熱手段２０により加熱され、ヒートパイプ３により冷却される加熱プレートＰを備えて構成されている。 - 特許庁

The mass ratios of the components have the following relations: (Fe+Ni)/P=(3 to 10), Fe/Ni=(0.8 to 1.2), Zn/(Fe+Ni)≥0.5, and Sn/(Fe+Ni)≤0.5.例文帳に追加

それらの成分の質量比は、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２、Ｚｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≧０．５、Ｓｎ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）≦０．５の関係を有している。 - 特許庁

As illustrated in (b) of the figure, the long axis direction of the light emitted from the LD4 is formed in the long axis direction P of the effective diameter 3x of the cap 3.例文帳に追加

図１（ｂ）に示されているように、ＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径３ｘの長軸方向Ｐに形成されている。 - 特許庁

When the N-type FET 10e is turned on and the P-type FET 10b is turned on at a duty ratio 2/3, both the motors M1, M2 can be simultaneously driven in reverse.例文帳に追加

また、ｎ型ＦＥＴ１０ｅをＯＮにし、ｐ型ＦＥＴ１０ｂをデューティ比２／３でＯＮさせると、両モータＭ１、Ｍ２を同時に逆転駆動できる。 - 特許庁

The outer cylinder 6 is furnished internally with a slipoff preventive ring 3 having bite-in teeth 11 deformable diametrically in expansion or contraction and biting into the peripheral surface of a pipe P.例文帳に追加

外筒体６の内部には管Ｐの外周面に食い込む拡縮径変形自在な食込み歯１１を有する抜止めリング３が配備されている。 - 特許庁

Concretely, in the case of 0<a<5, it exhibits the properties as those of an N type semiconductor, and, in the case of 5<a<16/3, it exhibits the properties as those of a P type semiconductor.例文帳に追加

具体的には０＜a＜５の場合にＮ型半導体としての性質を示し、５＜a＜１６／３の場合にＰ型半導体としての性質を示す。 - 特許庁

A method for manufacturing the varicap includes a step of forming a cathode formation mask material 5 on a p^--type semiconductor substrate 1 having a substrate protective film 2, a cathode forming groove 3, and an anode forming groove 4.例文帳に追加

基板保護膜２，カソード形成溝３，アノード形成溝４を有するｐ^-半導体基板１上にカソード形成マスク材料５を形成する。 - 特許庁

The dots 1 and the dots 3 are repeated by a high frequency (every printing pitch P), and therefore a size difference of the dots is hardly recognized visually.例文帳に追加

このようにドット１とドット３とが高周波（印字ピッチＰ毎）で繰り返されるので、視覚的にはドットの大きさの違いが殆ど認識されない。 - 特許庁

A light-emitting layer 1 has a double hetero structure in which an n-type clad layer 2, an adjusting crystal layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 are laminated together.例文帳に追加

発光層部１は、ｎ型クラッド層２、調整結晶層３、活性層４及びｐ型クラッド層５が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁

A first n-well 2 is provided on a surface of a p-type silicon substrate 1, and a second n-well 3 is provided in the first n-well 2 to be overlapped therewith.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面に第１Ｎウエル２が配置され、この第１Ｎウエル２内に、これに重畳して第２Ｎウエル３が配置されている。 - 特許庁

Since a heterobarrier wall is high at the interface of the emission layer 3 and the p-type clad layer 5, such a structure as carrier overflow does not occur easily on the conduction band side is attained.例文帳に追加

したがって、発光層３とｐ型クラッド層５との界面のヘテロ障壁が高く、伝導帯側でキャリアオーバーフローが生じ難い構造になっている。 - 特許庁

In a light source chamber 20, a metal halide lamp 3 and a reflector 4 for irradiating the surface of the sample P with a light containing ultraviolet rays are secured.例文帳に追加

光源室２０には、試料Ｐの表面に紫外線を含む光を照射するためのメタルハライドランプ３および反射器４が固設されている。 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded insulating film 4.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A source region 5 and a drain region 6 of a p-channel MOS transistor 20 are formed in an n^--type semiconductor layer 3 in an SOI substrate 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板４におけるｎ^-型の半導体層３にはｐチャネル型のＭＯＳトランジスタ２０のソース領域５及びドレイン領域６が形成されている。 - 特許庁

For example, an oxide film 2 of the transistor, and the surface of a gate electrode 5 are masked by resist 7, and P ions are injected into drain and source layers 3 and 4.例文帳に追加

たとえば、トランジスタの酸化膜２、ゲート電極５の表面をレジスト７にてマスクし、ドレイン層３およびソース層４にＰイオンを注入する。 - 特許庁

First, a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3, both of which have openings above an inter-element isolation region are successively formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

まず、Ｐ型シリコン基板１の表面に、素子間分離領域の上方に開口を有するシリコン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

B ion implantation is carried out into an n- type epitaxial layer 2, and then the layer is subjected to an annealing operation to activate B and to form a p-type base region 3.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２にＢのイオン注入を行ったのち、Ｂを活性化させるアニール処理を行ってｐ型ベース領域３を形成する。 - 特許庁

Door members 3 are arranged on the inside of the portal frame 2, and the portal frame 2 has restorability higher than earthquake resistance of the building skeleton P.例文帳に追加

門型枠２の内側には扉部材３が配設されており、門型枠２は、建物躯体Ｐの耐震性よりも高い復元性を備えている。 - 特許庁

In the unit and the method, the containers are transferred through a refusing station (S2), along a horizontal passage (P) piled and arranged in 2 lines (3, 4).例文帳に追加

本ユニットおよび方法では、コンテナが、２列（３，４）に重ねられて配置された、水平な通路（Ｐ）に沿って拒絶ステーション（Ｓ２）を通って搬送される。 - 特許庁

This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor device into a structure, wherein trench element isolation regions 2, n-type well regions 3 and p-type well regions 4 are formed in the order in the upper part of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上部にトレンチ素子分離領域２、ｎ型ウェル領域３およびｐ型ウェル領域４を順次形成する。 - 特許庁

A hot water heater is provided with a heat exchanger 3 to heat water in the water tank P by the heat of the heat storage body 2 and generate steam.例文帳に追加

該熱交換器３で発生した水蒸気を水槽Ｐ内の水面方向に排出する蒸気ノズル４を熱交換器３の上部に配設する。 - 特許庁

A groove 6 is formed at a place where p is approximately 0.1 mm from the tip edge of a film 4, a cutout is formed in a lead, and a connection part 3 is cut off.例文帳に追加

フィルム４の先端エッヂより、ｐ≒０．１ｍｍのところに溝６を形成し、そこでリード１に切りこみを入れて連結部３を切り離す。 - 特許庁

Bar-shape parts P fed from a vibration bowl feeder device 1, drop down along a shoot 3 so as to be fed into the carrying space of a magnetic feeder device 5.例文帳に追加

振動ボウルフィーダ装置１から送り出された棒状部品Ｐは、シュート３に沿って落下し、磁気フィーダ装置５の搬送空間に送り込まれる。 - 特許庁

An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の表面層にｎ形拡散領域４とこのｎ形拡散領域４と離してｐ形拡散領域５を形成する。 - 特許庁

In end parts and at the bottom section of a cell section, corner sections of an n^+-type source region 5, a p-type base region 4, and an n^--type drift region 3 are formed into a circular-arc shape.例文帳に追加

セル部の終端部及び底部において、ｎ^+型ソース領域５、ｐ型ベース領域４、ｎ^-型ドリフト領域３の各コーナー部を円弧形状とする。 - 特許庁

The nozzle 52, having shifted onto the wafer 3 moves in the vertical direction by the stroke S2 by moving up and down, being driven by a motor, and picks up a chip P.例文帳に追加

ウエハ３上に移動したノズル５２は、カム６０がモータに駆動されて上下動することによりストロークＳ２だけ下降・上昇し、チップＰをピックアップする。 - 特許庁

The base corner parts of the groove parts are covered by the p-base regions 4, and the centers of the base parts of the groove parts are brought into contact with the n-type semiconductor region 3.例文帳に追加

溝部の底部コーナー部はｐベース領域４に覆われており、溝部の底部の中央部はｎ型の半導体領域３に接している。 - 特許庁

A vertical communication part 6 reaching the cover 4 at the upper end and communicating with the inside of the drain pipe P at the lower is provided between the trap body 3 and the retaining frame 2.例文帳に追加

トラップ本体３と保持枠２との間に、上端が蓋４まで達し下端が排水管Ｐ内に通じる垂直連通部６が設けられる。 - 特許庁

The fore and aft pressure P'1 (a value obtained by reducing the pressure P1) and P2 in before and after the restriction 5 are applied to each port 32 and 33 of a flow directional control valve 3 facing to each other.例文帳に追加

この絞り５の前後の圧力Ｐ′1（Ｐ1を減圧した値）、Ｐ2は流量方向制御弁３の対向する各ポート３２、３３に加えられる。 - 特許庁

A bridge plate 3 is fixed to a lower part of the sample recovering pipe 1 having a recessed cross-sectional shape, and the part is formed as a dropout preventive part P having a closed cross-sectional shape.例文帳に追加

凹状断面形状の試料採取管１の下部にブリッジプレート３を固定し、その部分を閉断面形状の脱落防止部Ｐとする。 - 特許庁

A shape of a large collar face 11 of an inner ring 2 with which a large end face 12 of a tapered roller 3 is in contact is formed into a plane shape vertical for a central axis P.例文帳に追加

円錐ころ３の大端面１２が接触する内輪２の大鍔面１１の形状を、中心軸Ｐに垂直な平面形状にする。 - 特許庁

The discharging electrode 3 is formed in such a way that it can be moved in an upward or downward direction and then some needle- like electrodes 3a are inserted into an opening of each of the PET bottles P.例文帳に追加

前記放電側電極３は上下方向に移動可能に形成され、その針状電極３ａをペットボトルＰの開口部に挿入する。 - 特許庁

The feedback control circuit 15 receives the current detection signal Vc and controls the operation of the first N channel FET 2 and the P channel FET 3.例文帳に追加

フィードバック制御回路１５は、電流検出信号Ｖｃを受けて第１のＮチャネル型ＦＥＴ２およびＰチャネル型ＦＥＴ３の動作を制御する。 - 特許庁

The porous area P has communicating pores having a three-dimensional mesh structure, the air permeability of which is preferably 0.5 to 10×10^-3 cm^2.例文帳に追加

多孔質領域Ｐは、３次元網目構造の連通気孔を有し、その空気透過率は好ましくは０．５〜１０×１０^−３ｃｍ^２である。 - 特許庁