p 3の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4096件
P electrodes 1 and 2 are formed to the region 3 and the region 4 in a separate and independent manner respectively mutually, and n-electrodes 5 and 6 are formed in response to the p-electrodes 1 and 2, respectively.例文帳に追加
さらに、光増幅領域3および可飽和吸収領域4に対して、p電極1,2がそれぞれ互いに分離独立に形成されており、p電極1,2に対応してn電極5,6がそれぞれ設けられている。 - 特許庁
Printing is carried out to a recording paper P by ejecting a UV-curable ink to the recording paper P set on the platen 5 from the inkjet head 3 and by irradiating ultraviolet rays from the UV irradiation device 4.例文帳に追加
そして、プラテン5上に配置された記録用紙Pに、インクジェットヘッド3からUV硬化性インクを吐出させるとともに、UV照射装置4から紫外線を照射させることにより、記録用紙Pに印刷を行わせる。 - 特許庁
N-(p-toluene sulfonyl)-N '-(3-p-toluene sulfonyl oxyphenyl) urea or the like is recommended as the specified electron donating compound while sodium-2,2'-methylene bis(4,6-ditertiary butyl phenyl)sulfate or the like is recommended as the specified compound.例文帳に追加
特定の電子受容性化合物としては、N−(p−トルエンスルホニル)−N’−(3−p−トルエンスルホニルオキシフェニル)尿素等が挙げられ、特定の化合物としてはナトリウム−2,2’−メチレンビス(4,6−ジ−ターシャリーブチルフェニル)ホスフェート等が挙げられる。 - 特許庁
The solar cell comprises a transparent electrode film 2 successively laminated onto a transparent substrate 1, a p-layer (p-type semiconductor layer) 3, a titanium oxide layer 4 where the oxidation number is controlled, an n layer (n-type semiconductor layer) 5, and an electrode film 6.例文帳に追加
この太陽電池は、透明基板1の上に順次に積層された透明電極膜2、p層(p型半導体層)3、酸化数が制御された酸化チタン層4、n層(n型半導体層)5及び電極膜6を有する。 - 特許庁
An A-group of a plurality of P-channel transistors 1 and a B-group of a plurality of P-channel transistors 2 are connected between a power potential VCC and a ground, and an output signal SUBUP is obtained from a node C via two inverters 3.例文帳に追加
電源電位VCCと接地との間に、A群の複数個のPチャネルトランジスタ1と、B群の複数個のPチャネルトランジスタ2とは接続されており、ノードCから2個のインバータ3を介して出力信号SUBUPが得られる。 - 特許庁
In the wire saw 1, the diameter R of the bead 5 is 0.8 mm≤ and ≤5.0 mm, and a relation between a bead length L in the extending direction A of the wire 3 and a bead arrangement pitch P is 0.35<L/P<0.72.例文帳に追加
このワイヤソー1において、ビーズ5の直径Rは、0.8mm以上且つ5.0mm以下であり、ワイヤ3の延在方向Aにおけるビーズの長さLと、ビーズの配列ピッチPと、の関係は、0.35<L/P<0.72である - 特許庁
An insulating film 7 and an N-type polycrystal silicon film 8 are laminated on not only an external base layer 10 adjacent to an internal base layer 5 (P-type SiGe layer) on an N-type epitaxial layer 3 but also the internal base layer 5 (P-type SiGe layer).例文帳に追加
N型エピタキシャル層3上の内部ベース層(P型SiGe層)5と接する外部ベース層10、及び内部ベース層(P型SiGe層)5上には、絶縁膜7及びN型多結晶シリコン膜8が積層形成される。 - 特許庁
An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加
n型半導体基板100の一方の主面の表面層に、n^+ カソード層2を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でp^+ 層3aが横方向で重なったp^+ アノード層3を形成する。 - 特許庁
After a large board P is passed from a supply conveyor 3 to positioning units 4 and 4, the positioning units 4 and 4 having received the large board move into a mounting area SA, where the mounting device 2 mounts electronic components on the large board P.例文帳に追加
供給コンベア3から位置決め部4、4に先の大基板Pが受け渡された後、受け継いだ位置決め部4、4は装着エリアSAに移動して、装着装置2により大基板Pに電子部品が装着される。 - 特許庁
The plunger container P comprises: a second barrel 3 having a mouth part 31 at its tip end; a first gasket 4 crowned to the mouth part 31 of this second barrel 3; and a second gasket 5 inserted to the second barrel 3 for dividing a medicine chamber 32.例文帳に追加
プランジャ状容器Pは、先端に口部31を有する第2バレル3と、この第2バレル3の口部31に冠着された第1ガスケット4と、第2バレル3に挿着されて薬剤室32を画設する第2ガスケット5とを含んでなる。 - 特許庁
The sulfoxyimine-substituted benzoyl derivative is represented by formula (I) (wherein, E is alkoxy or alkoxycarbonyl; R^1 is a halogen or alkyl; p is an integer of 1-3; and R^2 and R^3 are each independently alkyl or the like).例文帳に追加
式(I)〔式中:Eは、アルコキシ基またはアルコキシカルボニル基を示し;R^1は、ハロゲン原子またはアルキル基を示し;pは1〜3のいずれかの整数を示し;R^2、R^3はそれぞれ独立して、アルキル基等を示す〕で表されるスルホキシイミン置換ベンゾイル誘導体。 - 特許庁
In this case, the superjunction layer is formed of basic units each comprising one (n) pillar layer 3 and two (p) pillar layers which are disposed on both sides of the (n) pillar layer 3, and each has an impurity amount a half as large as the impurity amount of the (n) pillar layer 3.例文帳に追加
このとき、1本のnピラー層3と、このnピラー層3の両脇に配置され、それぞれの不純物量がこのnピラー層3の不純物量の半分である2本のpピラー層とを基本単位として、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁
A compressor 4 for feeding compressed air to the air nozzle 3 is provided, and the air nozzle 3 is arranged such that the powder P is rotated in the hopper 2 by the compressed are injected from the air nozzle 3 and is discharged from the discharge port 2d while being stirred.例文帳に追加
エアーノズル3に圧縮空気を供給するコンプレッサー4を設け、エアーノズル3から噴出される圧縮空気によって、粉体Pがホッパー2内を旋回し、撹拌されながら排出口2dから排出されるように、エアーノズル3を配置する。 - 特許庁
The p-type clad layer 17 is ≤0.7 μm thick and decreases in series resistance and discharged heat resistance as much as a decrease in thickness and the degree (Δa/a) of mean crystal grating unconformity can dynamically be made larger than +3×10^-3.例文帳に追加
p型クラッド層17の厚みは0.7μm以下であり、厚みの減少分だけ直列抵抗および排熱抵抗が減少すると共に力学的に平均結晶格子不整合度(Δa/a)をΔa/a>+3×10^-3とすることができる。 - 特許庁
At precharging, in a first circuit constituted of a P-type transistor 3 whose one edge is connected with a power supply voltage VDD, and whose other edge is diode-connected with bit wires bit1 to 3, the voltages of the bit wires bit1 to 3 are made close to a prescribed first voltage.例文帳に追加
プリチャージ動作時、一端を電源電圧VDDに、他端をビット線bit1〜3にダイオード接続されたP型のトランジスタ3からなる第1の回路は、ビット線bit1〜3の電圧を所定の第1の電圧に近づける。 - 特許庁
The heads 2 and 3 are fitted by recessing a receptacle for a socket as a connector connecting the heads 2 and 3 to the probe P by a common interface in the front of the case 1 and screwing insert plugs 21 and 31 projected from the bases of the heads 2 and 3 in it.例文帳に追加
ヘッド2、3の取り付けは、ケース1の正面にプローブPに対しヘッド2、3を共通のインタフェースで接続するコネクタとしてのソケットの受口11を凹設し、これにヘッド2、3の基部に凸設した差込栓21、31をねじ込んで行う。 - 特許庁
This submarine pipe undergrounding machine 10 for digging a channel for burying a submarine pipe P into the ground is provided with a pump 2 for dredging a lower part of the submarine pipe P laid on the sea bottom and digging the ground and a discharge pipe 3 for discharging the sediment digged by the pump 2 to the right and left sides of the submarine pipe P.例文帳に追加
海底管Pを地盤内に埋設するための溝を掘削する海底管埋設機10は、海底に敷設された海底管Pの下部を浚渫して地盤を掘削するポンプ2と、該ポンプ2が掘削した土砂を前記海底管Pの左右に排出する排出管3とを備えている。 - 特許庁
The input light is made as a P-polarized optical pulse by the cell 2, transmitted through the polarizer 1, and thereafter S-polarized from the P-polarized, and again P-polarized each time the input light reciprocates in the cell 2, reciprocated in a resonator, having the mirror 3, a laser crystal 4 and a reflecting mirror 7, and amplified.例文帳に追加
入力光は、ポッケルスセル2でP偏光の光パルスとされて偏光子1を透過し、以後、ポッケルスセル2を往復する度にP偏光からS偏光とされて再びP偏光に戻され、反射鏡3、レーザ結晶4及び反射鏡7で構成される共振器中を往復して増幅される。 - 特許庁
This carrying device 3 includes a paper feeding roller 16 for feeding a recording object medium P, a carrier roller 35 for carrying the recording object medium P fed by the paper feeding roller 16 and intermediate roller parts 25 and 31 for supporting the recording object medium P between the paper feeding roller 16 and the carrier roller 35.例文帳に追加
被記録媒体Pを給紙する給紙ローラー16と、給紙ローラー16により給紙された被記録媒体Pを搬送する搬送ローラー35と、給紙ローラー16と搬送ローラー35との間において被記録媒体Pを支持する中間ローラー部25、31と、を有した搬送装置3である。 - 特許庁
An epitaxial wafer for light emission is provided with a light emitter configured of an n-type AlGaAs clad layer 3, an active layer 4, and a p-type AlGaAs clad layer 5 on an n-type GaAs substrate 1; and a p-type InGaAs contact layer 6 is formed as an electrode formation layer on the p-type AlGaAs clad layer 5.例文帳に追加
発光素子用エピタキシャルウエハは、n型GaAs基板1上に、n型AlGaAsクラッド層3、活性層4及びp型AlGaAsクラッド層5からなる発光部を有し、p型AlGaAs型クラッド層5の上に、電極形成層として、p型InGaAsコンタクト層6が形成されている。 - 特許庁
Namely, when the solenoid device 25 is turned off, an operation stem 25a is set free, a decurling part 22 is just rested over the surface of a recording paper P stretched between the core 3 of the machine glazed paper 4 and a carrying roller 5, and no decurling action is applied to the recording paper P, and thus the recording paper P is not curled reversely.例文帳に追加
すなわち、ソレノイド装置25がオフのときには作動杆25aがフリーの状態になり、デカール部22はロール紙4の巻心3と搬送ローラ5とにより張られている状態における記録紙Pの表面に乗っているだけとなり、記録紙Pにはデカール作用が加わらず、記録紙Pに逆カールが付くことはない。 - 特許庁
This pipe joint is provided with a joint body 1 attached to a connected side apparatus to which the pipe p is connected, a coupling member 2 screwed into the joint body 1 to connect the pipe P, and a fastening tool 3 transmitting rotational torque for fastening the connecting member 2 externally mounted on the pipe p to the joint body 1.例文帳に追加
配管pを接続する被接続側機器に取り付けられる継手本体1と、継手本体1に螺合されることにより配管pを接続する結合部材2と、配管pに外装された結合部材2を継手本体1に締結するための回転トルクを伝達する締結治具3とを備えている。 - 特許庁
This output circuit comprises P channel transistors(TR) 3, 4, and 5 and N channel TRs 6, 7, and 8; and the gates and drains of the P channel TR 4 and N channel TR 7 are connected and signals are inputted to the P channel TR 5 and N channel TR 8 through a delay circuit 9 and a delay circuit 10 respectively.例文帳に追加
Pチャネルトランジスタ3,4,5およびNチャネルトランジスタ6,7,8から成る出力回路において、Pチャネルトランジスタ4およびNチャネルトランジスタ7についてそのゲートとドレインとが接続され、Pチャネルトランジスタ5およびNチャネルトランジスタ8にはそれぞれ遅延回路9および遅延回路10を介して信号が入力される。 - 特許庁
As a solvent constituent contained in the conductive paste, at least one kind is selected for utilization among 1-P-menthene, P-menthane, myrcene, α-pinene, α-terpinen, γ-terpinen, 3-octylacetate, P-cymene, 1- menthylacetate, dihydroterpinylmethylether, terpinylmethylether, 1,1- diisopropylhexane, 3,7-dimethyloctylacetate, and ethylbenzene.例文帳に追加
導電性ペーストに含まれる溶剤成分として、1−P−メンテン、P−メンタン、ミルセン、α−ピネン、α−テルピネン、γ−テルピネン、3−オクチルアセテート、P−サイメン、1−メンチルアセテート、ジヒドロターピニルメチルエーテル、ターピニルメチルエーテル、1,1−ジイソプロピルヘキサン、3,7−ジメチルオクチルアセテート、およびエチルベンゼンから選ばれる少なくとも1種を用いる。 - 特許庁
In the semiconductor device 1 for which many unit elements of the T-IGBT of N channel are formed in parallel on a semiconductor substrate, a p^+ region 3 where an impurity concentration is higher than a base p^- region 58 is formed between the digit part 2-2 of an emitter n^+ region 2 formed in a ladder shape and the base p^- region 58.例文帳に追加
NチャネルのT−IGBTの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置1において、梯子型に形成されるエミッタn^+領域2の桁部分2−2とベースp^-領域58との間に、ベースp^-領域58よりも不純物濃度が高いp^+領域3を形成する。 - 特許庁
While paper sheets P are not moved by a register roll 6, a carrying part 3 brings out a plurality of paper sheets P from a tray 2 and carry them, and an average of positions of the plurality of paper sheets P measured by a CIS sensor 7 is stored in a storage part 13 as a reference position corresponding to the tray 2.例文帳に追加
レジロール6による用紙Pの移動が行われない状態で、搬送部3はトレイ2から複数の用紙Pを取り出してそれぞれ搬送し、該複数の用紙PについてCISセンサ7が測定した各位置の平均を、該トレイ2に対応する基準位置として記憶部13に記憶させる。 - 特許庁
A photodiode small in junction capacity is made of an N-type epitaxial layer 6 and a P-type epitaxial layer 3, and the photodiode is surrounded by a P+-type buried isolated diffused layer 4 and a P-type isolated diffused layer 7 and electrically isolated from a signal processing circuit including a MOS structure of transistor.例文帳に追加
N型エピタキシャル層6とP型エピタキシャル層3とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され、そのフォトダイオードが、P^+型埋め込み分離拡散層4およびP型分離拡散層7によって取り囲まれて、MOS構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離される。 - 特許庁
In addition, the main table 3 is moved to a printing position P and the screen plate 4 is lowered on the film base 4 to print and coat it with an electrically conductive paste, etc.例文帳に追加
そして、印刷位置Pにメインテーブル3を移動させ、フィルム基板7上にスクリーン版4を下降させて導電性ペースト等を印刷塗布する。 - 特許庁
An n-type layer is formed by epitaxial growth on a heavily doped substrate which becomes an n^+-type cathode layer 1, and then a p-type anode region 3 is formed on a surface layer of the n-type layer.例文帳に追加
n^+ カソード層1となる高濃度基板上にエピタキシャル成長でn層を形成し、このn層の表面層にpアノード領域3を形成する。 - 特許庁
A movement control means 32 is provided for moving the operation part 2 by the operation part moving mechanism 3 while avoiding the interference position P kept in memory by the interference position memory means 37.例文帳に追加
その記憶された干渉位置Pを避けて作業部移動機構3による作業部2の移動を行わせる移動制御手段32を設ける。 - 特許庁
The food-related service providing system S is provided with a refrigerator 1, a store 2, a service providing company 3 and a cell phone 4 possessed by a user P.例文帳に追加
食品関連サービス提供システムSは、冷蔵庫1と商店2とサービス提供会社3と利用者Pの所持する携帯電話機4とを具備する。 - 特許庁
These are accessories to be connected to a wall panel P where a fitting projection 2 is formed at one side end and a fitting recess 3 to which the fitting projection 2 can be fitted at other side end.例文帳に追加
一側端に嵌合凸部2を、他側端に嵌合凸部2が嵌合可能な嵌合凹部3を形成した壁パネルPに接続する役物である。 - 特許庁
A mounting member 3 is mounted on the resultant filling foam composition 1 to prepare the foam filling member P for mounting in an inner space of a pillar 2.例文帳に追加
得られた充填発泡用組成物1に、取付部材3を装着して、ピラー2の内部空間に取り付けるための充填発泡部材Pを作製する。 - 特許庁
The polymer bushing insulator P is provided with a number of shade-like pleat parts 4 fitted in separation in a length direction at an outer periphery of a polymer coated body 3.例文帳に追加
本発明のポリマー套管Pは、ポリマー被覆体3の外周に長手方向に離間して設けられた多数個の笠状の襞部4を備えている。 - 特許庁
The auxiliary roller 10 is composed in such a way that it is slightly protruded from a roller surface of the sheet feeding roller 3 toward a printing paper P at the time of printing.例文帳に追加
この補助ローラ10は,印刷時には,給紙ローラ3のローラ面よりも印刷用紙P側に向かって僅かに突出するように構成されている。 - 特許庁
A mount work W is manufactured comprising a connection metal fitting 1, a rubber elastic body 2, a supporting metal fitting 3, a liquid chamber F, an orifice panel 4, an orifice passage P, and a diaphragm 5.例文帳に追加
連結金具1、ゴム弾性体2、支持金具3、液室F、オリフィス盤4、オリフィス通路P、及びダイヤフラム5を備えたマウントワークWを製造する。 - 特許庁
A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加
サファイア基板2上にn−コンタクト層3、n−クラッド層4、MQW活性層5およびp−第1クラッド層6aが順に形成される。 - 特許庁
With this structure, the flow directional control valve 3 is operated so as to take a balance between the fore and aft differential pressure P'1-P2 of the restriction 5 and the spring force of the spring 34.例文帳に追加
このため圧油排出時に、流量方向制御弁3は、絞り5の前後差圧P′1−P2がバネ34のバネ力と釣り合うように作動する。 - 特許庁
A seal head 3 is inserted into a through hole P through action of an air cylinder and positioned when a stopper 11 abuts against a beveled part Q.例文帳に追加
エアシリンダの作動によりシールヘッド3を貫通孔P内に挿入し、面取り部Qに対するストッパ11の当接をもってシールヘッド3を位置決めする。 - 特許庁
Pull-out load at each fastened part P is thereby reduced to prevent cracking of the face bar 1 at the embedded part of the hat-shaped anchor 3.例文帳に追加
このため、各締結個所Pにおける引き抜き荷重が小さくなり、ハット形アンカー3の埋込個所における面材1の割れが防止される。 - 特許庁
Apertures are opened on both faces of the cell 3 by buff treatment, an aperture 7 is formed on a holding face P, and an aperture 8 is formed on a back face S.例文帳に追加
バフ処理によりセル3が両面で開孔しており、保持面Pに開孔7が形成され、裏面Sに開孔8が形成されている。 - 特許庁
Pachinko balls P received by the upper receiving part 54 of the device body 50 of the game medium counting device 3 are promptly counted by a counting unit 55.例文帳に追加
遊技媒体計数装置3の装置本体50の上部受入部54に受け入れられたパチンコ玉Pは、計数ユニット55によって速やかに計数される。 - 特許庁
R_2 shows -C_2H_4-, -C_3H_6-, -CH_2CH(CH_3)-, -CH_2CH(OH)CH_2-, -C_4H_8-, or -C_6H_12-, and p is an integer of 1-10}, and a photopolymerization initiator (3).例文帳に追加
R_2は−C_2H_4−、−C_3H_6−、−CH_2CH(CH_3)−、−CH_2CH(OH)CH_2−、−C_4H_8−又は−C_6H_12−を示し、pは1〜10の整数を表す。 - 特許庁
An ornament surface 3 inclining toward a center direction of the exhaust port P from the connection object 1 side is formed in an outer periphery of the ornament base 2.例文帳に追加
該装飾台2の外周面に前記接続体1側から排気口Pの中心方向に向かって傾斜する装飾面3を形成する。 - 特許庁
The end 10b of the drill holder 2 is formed of a plane 12 nearly crossing a rotary shaft P of the drill 4 projected from the drill insertion hole 3 and a substantially orthogonal flat plane 12.例文帳に追加
ドリルホルダ2の先端部10bには、ドリル挿入穴3から突出するドリル4の回転軸Pと、略直交する平坦面12が形成される。 - 特許庁
In a vicinity of the pivot shaft P a circular arc locking rib 3 is provided in a suction grill 2 side and an elastic arm 4 is provided in a front panel 1 side.例文帳に追加
上記支軸Pの近傍において、吸込グリル2側に円弧状の係止リブ3が設けられ、前パネル1側に弾性アーム4が設けられている。 - 特許庁
Moreover, a trench 13 is formed in a portion pinched by a p-type base layer 4 and an n-type buffer layer 7 of the surface layer of the n-type drift layer 3.例文帳に追加
また、n型ドリフト層3の表面層のp型ベース層4およびn型バッファ層7に挟まれた部分にトレンチ13が設けられている。 - 特許庁
To provide a method of producing (2S,4R)-2-dimethylaminocarbonyl-4-methanesulfonyloxy-1-p-nitrobenzyloxycarbonylpyrrolidine (3) with simple manipulation in a high yield.例文帳に追加
(2S,4R)−2−ジメチルアミノカルボニル−4−メタンスルホニルオキシ−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニルピロリジン(3)を簡便な操作でかつ高収率で製造する方法の提供。 - 特許庁
A light source 1, mirrors 2 and 3, a half-wavelength plate 4 and a polarizer 5 allow light flux of P polarization to enter the prism 6, and after that, allow it to enter the interface F.例文帳に追加
光源1、ミラー2、3、1/2波長板4、偏光板5は、P偏光の光束を、プリズム6に入射させた後、さらに界面Fに入射させる。 - 特許庁
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