「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device has an MOS gate structure comprising an N^- drift layer 1, a field stop layer 3, a P collector layer 4, a collector electrode 9, a P base layer 2, an N^+ emitter region 8, a gate insulating film 6, and a gate electrode 7, and an emitter electrode 5.例文帳に追加

半導体装置は、Ｎ^-ドリフト層１、フィールドストップ層３、Ｐコレクタ層４、コレクタ電極９、Ｐベース層２、Ｎ^+エミッタ領域８、ゲート絶縁膜６とゲート電極７とからなるＭＯＳゲート構造、エミッタ電極５を備える。 - 特許庁

This semiconductor device includes a circuit for setting a first voltage to be applied to the second p-type well 4 somewhere between a second voltage to be applied to the first gate electrode 8 and a third voltage to be applied to the first p-type well 3.例文帳に追加

第２のＰ型ウェル４に印加する第１の電圧を、第１のゲート電極８に印加する第２の電圧と第１のＰ型ウェル３に印加する第３の電圧との間の電圧に設定する回路を備えている。 - 特許庁

In order to expose an n^+-type emitter region 5 or a body p layer 6 (p-type base region 3), an opening end of a contact hole 10a formed on an interlayer insulating film 10 is retracted, and the opening width of the contact hole 10a is expanded.例文帳に追加

ｎ^+型エミッタ領域５やボデーｐ層６（ｐ型ベース領域３）を露出させるために層間絶縁膜１０に形成されるコンタクトホール１０ａの開口端を後退させ、コンタクトホール１０ａの開口幅を広げる。 - 特許庁

Then, a transparent electrode 3 and a p-side electrode 4 are formed on the surface of the p-type contact layer 10 through a vacuum vapor deposition method or the like, and an n-side electrode 5 is formed on the oxygen polar plane 1b of the ZnO substrate 1.例文帳に追加

次いで、真空蒸着法等によりｐ形コンタクト層１０の表面に透明電極３及びｐ側電極４を形成し、また、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にｎ側電極５を形成する。 - 特許庁

The motion state for moving the object is assumed to be a uniform motion L, for example, and, then, positioning is performed to correct the positions of the image areas p^0-p^3 to be at equal interval in times t0-t3 along the motion L.例文帳に追加

前記対象物体が移動する運動状態を、例えば、等速直線運動Ｌと想定し、画像領域ｐ0〜ｐ3の位置を、運動Ｌに沿って時刻ｔ0〜ｔ3において等間隔となるように修正する位置合わせを行う。 - 特許庁

Therefore, when the pipe inserting implement 1 is installed in the pipe P, moisture is allowed to pass through the pipe P by passing through the filter 2 and the cylindrical inner sections of the body section 3 thereof, but sediment is not allowed to pass therethrough.例文帳に追加

そのため、このパイプ挿入具１をパイプＰ内に取り付けると、フィルタ２とボディ部３の円筒内を通って、パイプＰ内を水分が通ることは許容されるが、土砂が通過することを確実に防止することができる。 - 特許庁

The apparatus includes an arrangement conveyer 3 for carrying products P to be filled in trays in an arranged state from a supply conveyer 1 for supplying the products P to a weight conveyer 2 for dropping a plurality of the products into a tray 4.例文帳に追加

トレー詰めしようとする製品Ｐを供給する供給コンベア１から、複数個の製品をトレー４内に落とし込むための板重コンベア２まで、整列状態のまま製品を搬送するための配列コンベア３を備えている。 - 特許庁

Thus, a pn junction between the n well 1 and the p^+ diffusion region 2 and that between the n well 1 and the p^+ diffusion region 3 operate as the pn varactor whose capacitance changes by the control voltage VT.例文帳に追加

これにより，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域２との間のｐｎ接合と，ｎウェル１とｐ^+ 拡散領域３との間のｐｎ接合とがともに，制御電圧ＶＴによりキャパシティが変化するｐｎバラクタとして動作する。 - 特許庁

The delay time τi can be calculated by using an expression: (i-1)p×sinθ/C, where p is the spacing of the vibrator, and accordingly, the principal axis of the ultrasonic beam is made to reach the center of the transceiver 3, by deflecting the ultrasonic beam through the angle θ.例文帳に追加

この遅延時間τｉは（ｉ−１）ｐ・ｓｉｎθ／Ｃ（ｐは振動子の間隔）で計算でき、これにより超音波ビームを角度θ分だけ偏向させれば、超音波ビームの主軸は送受信器３の中央に到達する。 - 特許庁

The pin members 4 are formed by projecting needle parts P in a central part of disk-like head parts 4a thinned in the thickness so as not to impart a sense of incompatibility to the body, and the length of the needle parts P is set almost equal to a thickness dimension of the holding members 3.例文帳に追加

ピン部材４は、身体に違和感を与えないよう厚みを薄くした円盤状の頭部４ａの中心部に針部Ｐを突設して成り、針部Ｐの長さは保持部材３の厚み寸法とほぼ等しく設定する。 - 特許庁

In a vertical MOSFET composed of a cell portion and a termination portion, a super-junction structure in which an n pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are provided in the cell portion and n pillar layers 21 and p pillar layers 22 are provided in the termination portion is formed.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、セル部にｎピラー層３及びｐピラー層４を設け、終端部にｎピラー層２１及びｐピラー層２２を設けたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

This pipe bender 1 is provided with a holder 2 having rigidity by which the bender is mounted to a bending place of a pipe P and a belt 3 which is formed so as to be freely wound round the holder 2 and with which the pipe P and the holder 2 are integrally fixed.例文帳に追加

本発明のパイプベンダー１は、パイプＰの曲げ加工箇所に装着される剛性を有するホルダー２と、このホルダー２に巻き付け自在に形成されてパイプＰとホルダー２とを一体的に固定するベルト３とを備える。 - 特許庁

The inkjet head 3 includes nozzles 23a-23d jetting the colored ink, and records an image on a printing paper P by jetting the colored ink towards the printing paper P arranged in a predetermined region A from the nozzles 23a-23d.例文帳に追加

インクジェットヘッド３は、有色インクを噴射するノズル２３ａ〜２３ｄを備え、ノズル２３ａ〜２３ｄから所定の領域Ａに配置された印刷用紙Ｐに向けて前記有色インクを噴射させることで、印刷用紙Ｐに画像を記録する。 - 特許庁

The base part 5 includes a fiber connection area P where the optical fiber 3 and the built-in fiber 9 are connected and fiber non-connection areas Q which are located on both sides of this fiber connection area P in the extending direction of the fiber groove 4.例文帳に追加

ベース部５は、光ファイバ３と内蔵ファイバ９とが接続されるファイバ接続領域Ｐと、このファイバ接続領域Ｐに対してファイバ溝４の延在方向の両側に位置するファイバ非接続領域Ｑとを含んでいる。 - 特許庁

A pressure roller 3 which presses the recording material P against a photoreceptor drum 5 is provided opposite to the photoreceptor drum 5, and a transfer electrode 1 not in contact with the photoreceptor drum 5 is provided and pressed against the recording material P by a pressure member 2.例文帳に追加

感光ドラム５に対向して、記録材Ｐを感光ドラム５に押しつける圧接ローラ３を設け、感光ドラム５に非接触で、転写電極１を設け、転写電極１は、押圧部材２によって記録材Ｐに圧接される。 - 特許庁

A first electrode 2 for Schottky contact is connected with the N-type semiconductor region 5 and the P^+-type guard ring region 6, and a second electrode 3 is connected with the N^+-type semiconductor region 7 and the P^+-type semiconductor region 8.例文帳に追加

ショットキ接触用の第１の電極２がＮ型半導体領域５とＰ^＋型ガードリング領域６とに接続され、第２の電極３がＮ^＋型半導体領域７とＰ^＋型半導体領域８とに接続されている。 - 特許庁

The regional information P is input, edited and collectively managed at the data management section 5 and is provided to the local residents 2 and general public by displaying the regional information P on the large-scale LED lighting panel 3.例文帳に追加

データ管理部５で地域情報Ｐが入力・編集及び一括管理され、その地域情報Ｐが大型ＬＥＤ電光表示板３に表示されて、地域情報Ｐが地域住民２や不特定多数者に提供される。 - 特許庁

N-type semiconductor regions 3a and p-type semiconductor regions 3b are formed alternately in the width direction of a gate, on a part of the semiconductor layer 3 interposed between p-type well region 5 and the n-type drain region 4.例文帳に追加

半導体層３には、ｐ形ウェル領域５とｎ形ドレイン領域４との間に介在する部分にｎ形半導体領域３ａとｐ形半導体領域３ｂとがゲート幅方向において交互に形成される。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

After a group III nitride crystal 1 containing at least both a p-type impurity and hydrogen is grown, a surface layer 2 is removed entirely or partially from the group III nitride crystal 1 to produce a p-type group III nitride semiconductor 3.例文帳に追加

ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶１を成長させた後、III族窒化物結晶１の表面層２の全部または一部を除去してｐ型III族窒化物半導体３を作製する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN drain layer 4, and a p-type GaN channel layer 5 are laminated on a sapphire substrate 1, and an n-type GaN source layer 6 is formed on the p-type GaN channel layer 5.例文帳に追加

サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

This intermediate of a new 3-aryl-2-hydroxypropionic acid derivative is expressed by formula IV [wherein, Q is H; A is OH, a chiral supplemental group selected from a chiral amine, chiral alcohol and chiral oxazolidinone or OR^P (R^P is a blocking group)].例文帳に追加

以下の式ＩＶ：［式中、Ｑは水素であり；そしてＡは、−ＯＨであるか、又はキラルアミン、キラルアルコールおよびキラルオキサゾリジノンから選択されるキラル補助基であるか、又は−ＯＲ^ｐ（−Ｒ^ｐは保護基である）である］の化合物。 - 特許庁

The presentation system is provided with a screen, a liquid crystal projector 1 projecting an image on the screen, a camera 5 photographing an indicating bar 3 held in a hand by a presenter P and a pendant 31 worn on the body by the presenter P, and a control arithmetic part 2.例文帳に追加

スクリーンと、このスクリーンに画像を投影する液晶プロジェクタ１と、プレゼンターＰが手に持つ指示棒３およびプレゼンターＰが体に装着するペンダント３１を撮影するカメラ５と、制御演算部２とを備えている。 - 特許庁

The electrostatic atomizer includes: a substrate 10; a N-type pattern 3 formed on the surface of the substrate by using an N-type thermoelectric material; and a P-type pattern 4 formed on the surface of the substrate 10 by using a P-type thermoelectric material.例文帳に追加

静電霧化装置は、基板１０と、Ｎ型熱電材料を用いて基板の表面上に形成されたＮ型パターン３と、Ｐ型熱電材料を用いて基板１０の表面上に形成されたＰ型パターン４とを備える。 - 特許庁

A buoyancy layer 1 is formed on the outer peripheral face of the cable protective pipe P laid in the existing tube K by sequentially installing the foamed polystyrene tube 2 and the perforated pipe 3, and the cable protective pipe P is surfaced on the running water that runs down the existing tube K.例文帳に追加

既設管Ｋに敷設されたケーブル保護管Ｐの外周面に発泡スチロールチューブ２および有孔管３を順に装着して浮力層１を設け、既設管Ｋを流下する流水にケーブル保護管Ｐを浮上させる。 - 特許庁

A PBS 3 mutually separates S polarized light and P polarized light included in subject light and forms respective images of the separated S polarized light L1 and P polarized light L2 on color imaging devices 4, 5, from which two subject image signals are outputted, respectively.例文帳に追加

ＰＢＳ３は被写体光に含まれるＳ偏光光とＰ偏光光とを分離し、分離したＳ偏光光Ｌ１とＰ偏光光Ｌ２をカラー撮像素子４、５に結像させて二つの被写体画像信号を出力される。 - 特許庁

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350.例文帳に追加

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。 - 特許庁

Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.例文帳に追加

その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁

In the 1st N-type conductive region 2, four 1st P-type conductive regions 4, 8, 9, and 10 are formed; and in the 2nd N-type conductive region 3, four 2nd P-type conductive regions 5, 11, 12 and 13 are formed symmetrically with respect to points.例文帳に追加

また、第１Ｎ型導電領域２内に４つの第１Ｐ型導電領域４，８，９，１０、第２Ｎ型導電領域３内にＰ型の４つの第２Ｐ型導電領域５，１１，１２，１３を点対称に形成する。 - 特許庁

In a P-type base region 2, an N+ type source region 3 is stretched from the main surface 1a to the perpendicular direction, and an N+ type drain region 4 is stretched so as to leave from the P-type base region 2, interposing a drift region 1c.例文帳に追加

また、ｐ型ベース領域２内において、主表面１ａから垂直方向にｎ^+型ソース領域３を延設し、ドリフト領域１ｃを挟んでｐ型ベース領域２から離間するようにｎ^+型ドレイン領域４を延設する。 - 特許庁

When a product P machined by a shearing machine 1 and an end material are discharged, they are discharged onto a belt conveyor 13 of a carrying-out device 3 with their height kept the same, and the conveyor 13 then carrys out the product P and the end material.例文帳に追加

シャーリングマシン１により加工された製品Ｐや端材Ｈを排出する際に、製品Ｐや端材Ｈを同じ高さで搬出装置３のベルトコンベア１３に排出し、ベルトコンベア１３が製品Ｐや端材Ｈを搬出する。 - 特許庁

A transistor is formed into a bevel structure which comprises an N+ type first collector region 2, an N- type second collector region 3, a P- type first base region 4, a P+ type second base region 5, and emitter region 6.例文帳に追加

Ｎ^＋形の第１のコレクタ領域２とＮ^−形の第２のコレクタ領域３とＰ^−形の第１のベース領域４とＰ^＋形の第２のベース領域５とエミッタ領域６とを有するトランジスタをベベル構造に形成する。 - 特許庁

Some PET bottles P held upright are transferred by a transferring member 1 such as a belt conveyor and the like and then the inside part of each of the PET bottles P is sterilized through a pulse streamer discharging operation with a processing device 2 having a discharging electrode 3 and a ground electrode 4.例文帳に追加

ベルトコンベア等の搬送部材１で直立状態で保持したペットボトルＰを搬送し、放電側電極３と接地側電極４とを備えた処理装置２でパルスストリーマ放電によりペットボトルＰ内を殺菌する。 - 特許庁

To provide a paper feeding device capable of preventing a paper P from being caught in between an arm body 51 and an operation body 61 in a simple configuration, when pushing a paper feeding tray 3 into a tray storage part 2a while a tip of the paper P sticks out at its tip.例文帳に追加

簡単な構成で、先端に用紙Ｐの先端がはみ出した状態で給送トレイ３をトレイ収納部２ａ内に押し込んだときに、アーム体５１と作動体６１との間に用紙Ｐが嵌まり込まないようにする。 - 特許庁

Besides, when the paper P in the ejection part 3 is ejected and the absence of the paper P is detected by the ejection switch 7, the locked state of the operation part 4 is released by the control part 8, and the operation by the operation part 4 is performable.例文帳に追加

また、該制御部８は、排出部３の用紙Ｐを取り出し、排出スイッチ７により用紙Ｐ無しが検出されると、上記操作部４の操作のロック状態は解除され操作部４による操作が可能となる。 - 特許庁

A steering damper is provided with a flow passage selector valve CV for selectively switching and connecting a pump P, a tank T, and left and right chambers CL, CR of a power cylinder P/C and cylinder passages 3, 4 for connecting the flow passage selector valve with the left and right cylinder chambers.例文帳に追加

ポンプＰおよびタンクＴとパワーシリンダＰ／Ｃの左右室ＣＬ、ＣＲとの間を選択的に切換え接続する流路切換弁ＣＶと、流路切換弁を左右シリンダ室に接続するシリンダ通路３、４を備えている。 - 特許庁

The operation processing part 6 analyzes the measurement program and, when the operation command of the probe P indicates a skip function, determines whether or not workpiece W and the probe P are in contact with each other in a display screen of the display device 3.例文帳に追加

演算制御部６は、計測プログラムを解析し、プローブＰの動作指令がスキップ機能を指令するものであるときには、ワークＷとプローブＰとが表示装置３の表示画面中で接触したか否かを判断する。 - 特許庁

A tip part of the support material 3 is inserted into lower parts of the outer wall panels P, and a tip part of the arm 4 is inserted between mutually opposing vertical frames J1 of a wall framework J via a pair of mutual adjacent outer wall panels P.例文帳に追加

そして、外壁パネルＰの下方に支持材３の先端部を差し込むとともに、アーム４の先端部を隣接する一対の外壁パネルＰの間を経て壁軸組Ｊの相対向する縦枠Ｊ１間に差し入れる。 - 特許庁

This oxidative hair dye composition is characterized by comprising (a) 2-(β-hydroxyethyl)-p-phenylenediamine or a salt thereof and (b) p- phenylenediamine or a salt thereof in the weight ratio a/b of 1:(0.01-3).例文帳に追加

下記成分（ａ）及び（ｂ）； （ａ）２−（β−ヒドロキシエチル）−ｐ−フェニレンジアミン又はその塩 （ｂ）ｐ−フェニレンジアミン又はその塩 を含有し、（ａ）と（ｂ）との重量比が（ａ）：（ｂ）＝１：０．０１〜３であることを特徴とする酸化染毛剤組成物。 - 特許庁

To search for a string of records that matches a string of predicates p[0] to p[3], the optimal amount of window shifts is determined by analyzing compatibility between predicates in advance and each predicate is checked in the direction opposite to shift direction within each window.例文帳に追加

述語列ｐ［０］，．．．，ｐ［３］にマッチするレコード列を検索するとき、あらかじめ述語同士の両立性を解析することで最適なウィンドウシフト量が決められ、ウィンドウ内においてシフト方向とは逆向きに各述語がチェックされる。 - 特許庁

An AlGaAs layer 1 of a P-N-P-N structure is formed on a GaAs substrate 2, the layer 1 is subjected to mesa etching, the layer 1 is partially removed, mesa etched parts 6 are formed in the layer 1, and the layer 1 is covered with an SiO2 insulating film 3 including the parts 6.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にｐｎｐｎ構造のＡｌＧａＡｓ層１が形成され、メサエッチングされてＡｌＧａＡｓ層が一部除去されて、メサエッチング部６が形成され、ＳｉＯ_2 絶縁膜３で被覆されている。 - 特許庁

Next, after the uprise of the board P on the conveyor 1, 1 by the uprising of a suction jig 3, the pressing body 7B of the movable part 7 of a board clamping mechanism 5 is moved forwards, resulting in clamping the board P by pressing against a fixed part 6.例文帳に追加

次に、吸着治具３が上昇して、搬送コンベア１、１上の前記基板Ｐを上昇させた後に基板クランプ機構５の可動部７の押圧体７Ｂが前方へ移動し、基板Ｐを固定部６に押圧してクランプする。 - 特許庁

Both ends of adjacent management units Up, Uq (p=2x-1, q=p+1:x=1, 2, 3, ...) and the battery cells Bp1-Bpm, Bq1-Bqm of a block are connected by electric routes Lp1, Lp(m+1), Lq(m+1) as power supply lines.例文帳に追加

隣接する管理ユニットＵｐ，Ｕｑ（ｐ＝２ｘ−１、ｑ＝ｐ＋１：ｘ＝１，２，３，…）及びブロックの電池セルＢｐ１〜Ｂｐｍ、Ｂｑ１〜Ｂｑｍの両端とは、電源ラインとしての電気経路Ｌｐ１、Ｌｐ（ｍ＋１）、Ｌｑ（ｍ＋１）によって接続されている。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a p-type well region 2 and an element isolation region 3 in a p-type silicon substrate 1 in a transistor forming region for the memory, and then a step of forming a gate insulating film 4 and a gate electrode 5 on an active region.例文帳に追加

メモリ用トランジスタ形成領域におけるＰ型シリコン基板１にＰ型ウェル領域２及び素子分離領域３を形成した後、活性領域上にゲート絶縁膜４及びゲート電極５を形成する。 - 特許庁