「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

In this way, the low-density N type embedded drift layer 5 extending from the N+ type drift layer 11 to the bottom of the P type body layer 3 is ensured.例文帳に追加

これによりＮ＋型ドリフト層１１からＰ型ボディ層３底部まで延在する低濃度のＮ型埋め込みドリフト層５を確保する。 - 特許庁

A first calculating means 4a determines the thicknesses in the nose part, the central part and the rear end part of a steel pipe P from the output of the thickness meter 3.例文帳に追加

肉厚計３の出力から鋼管Ｐの先端部分、中央部分、後端部分の肉厚を第１の演算手段４ａで求める。 - 特許庁

A cover glass 4 is in a cylindrical shape which has a uniform plate thickness and is arranged around a reflection point P on the mirror surface of the polygon scanner 3.例文帳に追加

カバーガラス４は、均一の板厚を有する円筒形状をなし、ポリゴンスキャナ３におけるミラー面の反射点Ｐを中心として配置する。 - 特許庁

A contact layer 1 comprising a P-type doped region is formed on the main surface of the body layer 3 apart from the trench 21.例文帳に追加

また、ボディ層３の主表面には、Ｐ型不純物領域からなるコンタクト層１が、トレンチ２１から離間した状態で設けられている。 - 特許庁

An n-type channel FET region 2 and a p-type channel FET region 3 are provided side by side on a substrate 10 made of a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体からなる基板１０上に、ｎ型チャネルＦＥＴ領域２とｐ型チャネルＦＥＴ領域３とが併設されている。 - 特許庁

An n^+-type region 2a is formed apart from a p-type base region 3 below a contact region 5 in an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうちコンタクト領域５の下方において、ｐ型ベース領域３から離間するようにｎ^+型領域２ａを形成する。 - 特許庁

The stator includes a stator core having S teeth and a field winding wound on the teeth, S is equal to 3*m*P, and m is the number of phases.例文帳に追加

固定子は、Ｓ個の歯を有する固定子コアと、歯に巻かれた界磁巻線とを備え、Ｓは、３・ｍ・Ｐに等しく、ｍは、相の数である。 - 特許庁

The shift lever 20 is operated (1) in direction A in range R from range N, (2) in direction B in range D from range N, (3) in direction C in range P from range N.例文帳に追加

ＮレンジからＲレンジはＡ方向、 ＮレンジからＤレンジはＢ方向、 ＮレンジからＰレンジはＣ方向にシフトレバー２０を操作する。 - 特許庁

An engine 3 and a transmission 4, constituting a power unit P, are side-by-side disposed in the vehicle-width direction, and a radiator 17 is disposed above the transmission 4.例文帳に追加

パワーユニットＰを構成するエンジン３および変速機４を車幅方向に並べて配置し、変速機４の上方にラジエータ17を配置する。 - 特許庁

An apron reinforcement 3 is protruded from a root of a front pillar P, and a connection member 5 is provided in front thereof.例文帳に追加

またフロントピラーＰの付け根から前方に突出してエプロンレインフォースメント３が設けられており、更にその前方に連結部材５が設けられている。 - 特許庁

The shape of each light receiving element 3 is the same (width in the traveling direction is substantially P/4 and width in the direction perpendicular to the traveling direction is substantially W/2).例文帳に追加

各受光素子３の形状は同一（移動方向の幅が略Ｐ／４、移動方向と垂直な方向の幅が略Ｗ／２）である。 - 特許庁

The injecting contact region 3, 4 is doped with a dopant of the first conductivity P^+ type at a higher dopant concentration than the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

上記注入接触領域３，４は、半導体基板１よりも高いドーパント濃度で第１導電型Ｐ^＋のドーパントでドープされる。 - 特許庁

When watermark information di is '1' as the result of decision, the number ci of pixels to be changed is so obtained that the remainder bi may be (3/4)p (S116).例文帳に追加

判定の結果、透かし情報ｄ_iが「１」である場合には剰余ｂ_iが（３／４）ｐとなるように、変更画素数ｃ_iを求める（Ｓ１１６）。 - 特許庁

A light emitting layer forming part 4 of an N-type layer 2 and a P-type layer 3 composed of GaP is subjected to liquid epitaxial growth on a GaP substrate 1.例文帳に追加

ＧａＰ基板１に、ＧａＰからなるｎ形層２およびｐ形層３の発光層形成部４を液相エピタキシャル成長する。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a multiple well structure active layer 4, and a p-type clad layer 5 are provided on a silicon wafer 1 of low resistance.例文帳に追加

低抵抗のシリコン基板１の上にバッファ層２、ｎ型クラッド層３、多重井戸構造活性層４、ｐ型クラッド層５を設ける。 - 特許庁

Releasing properties in terms of an image are set to be high in the order of the 1st intermediate transfer body 3, the 2nd intermediate transfer body 15 and the recording medium P.例文帳に追加

画像に対する離型性を、第１の中間転写体３、第２の中間転写体１５、記録媒体Ｐの順に高く設定する。 - 特許庁

A light emitting means 2 is arranged opposedly to a photo- receiving face of a solar cell 3 to sandwich the paper sheets (charts P) of which the residual amount is detected, therebetween.例文帳に追加

残量を検出すべき用紙（記録紙Ｐ）を挟むように、発光手段２と、太陽電池３の受光面Ｓ３とを対向配置した。 - 特許庁

Thereby, the p-type layer 3 is constituted to form a U-shape, whose end parts are both terminated in a main surface and a U-shaped path becomes a resistance length.例文帳に追加

これにより、ｐ型層３は、両端部が主表面で終端したＵ字状に構成され、Ｕ字状の経路が抵抗長となる。 - 特許庁

A case 8 of the light emitting unit 6 is stored with a light source 9 for irradiating the detection region P of the conveyance path 3 with the rays of light.例文帳に追加

発光ユニット６のケース８内には、搬送路３の検出領域Ｐに向けて光を照射する光源９が収容されている。 - 特許庁

A printer includes a sheet feeding path having approximately a U-shape if viewed on the side elevation where each paper sheet P is inverted in curving by a feed roller 3.例文帳に追加

プリンタは給紙ローラ３によって用紙Ｐを湾曲反転させる、側面視略Ｕ字形の形状をなす給送経路を有している。 - 特許庁

The paper P is provided with a back face paper part 1, a right side front face paper part 2, a left side front face paper part 3, a top side protrusive part 4 and a bottom side protrusive part 5.例文帳に追加

畳み紙Ｐは、背面紙部１、右側正面紙部２、左側正面紙部３、上側突片部４、及び下側突片部５を有する。 - 特許庁

The sticking board 1 has release paper releasably stuck to the surface of the drug layer 3 formed by application so as to be adhesive to the surface of the patient P.例文帳に追加

貼付盤１は、患部Ｐ面に粘着可能にして塗布形成した薬剤層３表面に剥離紙４を剥離自在に貼付して成る。 - 特許庁

In a pattern generating means 2, bit patterns P to be embedded in the image data S0 are generated and inputted to a pattern embedding converting means 3.例文帳に追加

パターン発生手段２において画像データＳ０に埋め込むビットパターンＰを発生させ、これらをパターン埋込変換手段３に入力する。 - 特許庁

The rack member 3 fixable at an arbitrary position with respect to the holding block 2 is fixed with relative position shifted to change the inclination of the pachinko game machine P.例文帳に追加

ラック部材３は、保持ブロック２に対して任意位置で固定でき、相対位置を変えて固定することで、パチンコ遊技機Ｐの傾斜を変える。 - 特許庁

A pair of P+ type gate layers 2a and 2b is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 so as to surround the N+ type source layer 3.例文帳に追加

前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面に前記Ｎ＋型ソース層３を取り囲んで１対のＰ＋型ゲート層２ａ、２ｂを形成する。 - 特許庁

[wherein, P and T are the nitrogen partial pressure (atm) and the maximum temperature (°C) respectively].例文帳に追加

−１．５４×１０^-6×Ｔ^2＋１０．９×１０^-3×Ｔ−１７．５≧ｌｏｇ（Ｐ）ここで、ＰおよびＴは、それぞれ窒素分圧（気圧）および最高温度（℃）である。 - 特許庁

A B-containing adhesion property improving layer 2 containing boron is disposed between a nonmagnetic substrate 1 and an NiP based layer 3 essentially consisting of Ni and P.例文帳に追加

非磁性基板１とＮｉとＰを主成分とするＮｉＰ系層３の間にボロンを含むＢ含有密着性改善層２を設ける。 - 特許庁

A shim plate 5 is inserted from the side, a vertical position of the upper nuts 3 is determined, and the clearance g1 between the tapered surface 3a and the pipe P is determined.例文帳に追加

シムプレート５が、側方から挿入され、上ナット３の上下位置が定められ、テーパ面３ａと配管Ｐの間隙ｇ１が定められる。 - 特許庁

The microorganism preferably comprises the Bacillus Subtilis X-2 which is deposited to be given an assignment number of FERM P-18015.例文帳に追加

(3) 受託番号ＦＥＲＭ Ｐ−１８０１５として寄託されている前記記載のバチルス・サブチリスに属する新規微生物バチルス・サブチリスＸ−２。 - 特許庁

A resin of the alignment film P with spacers is so treated that surface molecules of spacers 2 and the alignment film 3 are aligned in one direction.例文帳に追加

スペーサ付配向膜Ｐの樹脂は、スペーサ２と配向膜３の表面分子が互いに同一方向に配向されるように処理されている。 - 特許庁

The selector 2 selects the transfer data outputted from a P/S converting circuit 3 and performs successive transfer after the CRC operation data are transferred.例文帳に追加

セレクタ２は、ＣＲＣ演算データの転送終了後、Ｐ／Ｓ変換回路３から出力された転送データを選択し、連続転送を行う。 - 特許庁

By this setup, the decoupling capacitor C1 connected to a power supply in parallel is provided between the p^+-type silicon layer 3 and the n^+-type silicon layers 4.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋型シリコン層とＮ^＋型シリコン層４との間に、電源に並列に接続されたデカップリング容量Ｃ１が形成される。 - 特許庁

The adhesive composition is consists of an epoxy resin as A agent and 3-fluoroboron-p-chroloaniline complex as B agent.例文帳に追加

Ａ剤としてエポキシ樹脂、Ｂ剤として三フッ化ホウ素−ｐ−クロロアニリン錯体からなることを特徴とするＨＤＤ用接着剤組成物 - 特許庁

An n^+-type diffusion layer 5 which reaches the n^+-type semiconductor layer 2 is formed at the part of the p-type epitaxial layer 3 around the embedded electrode 4.例文帳に追加

埋め込み電極４の周囲のｐ型エピタキシャル層３の部位に、ｎ^＋半導体層２に達するｎ^＋拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The selector 4 replaces the setting data inputted through the S/P converting part 1 with one part of standard setting data from the ROM 3.例文帳に追加

セレクタ４は、シリアル−パラレル変換部１を経て入力された設定データをＲＯＭ３からの標準的な設定データの一部と置き換える。 - 特許庁

An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。 - 特許庁

An intrinsic GaAs wave-guiding layer 9 on a p-type AlGaAs clad layer 2 and the quantum dot active layer 3 is formed thereon.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２上に真性ＧａＡｓ導波層９が形成され、その上に量子ドット活性層３が形成されている。 - 特許庁

In addition, the Vthn and Vthp are respective threshold voltages of an n channel transistor and a p channel transistor of gate circuits constituting circuits 3 and 10.例文帳に追加

尚、Ｖｔｈｎ，Ｖｔｈｐは、回路３，１０を構成するゲート回路のｎチャネルトランジスタとｐチャネルトランジスタとの各スレッシュホールド電圧である。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

An active layer (not shown) composed of a nitride semiconductor material is formed between the n-type semiconductor layer 2 and the p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層２とｐ形半導体層３との間には窒化物半導体材料からなる活性層（図示せず）が設けられている。 - 特許庁

The distance of oscillation of the evaporation unit 3 is the same as the pitch P of evaporation ports 34 and 35 of the host evaporation sources 30 and the dopant evaporation sources 31.例文帳に追加

蒸発部３の揺動距離は、ホスト蒸発源３０及びドーパント蒸発源３１の蒸発口３４、３５のピッチＰと同一である。 - 特許庁

A lifetime killer 13 is formed in a p-type base region 3 or an n^--type drift layer 2 by irradiation of an electron beam or a helium beam.例文帳に追加

電子線照射もしくはヘリウム線照射によってｐ型ベース領域３内やｎ^-型ドリフト層２内にライフタイムキラー１３を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element includes a nitride semiconductor laminate structure portion 2 having an n-type layer 3, a p-type layer 4, and an n-type layer 5.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

An i-type noncrystalline semiconductor film 4 and an n-type noncrystalline semiconductor film 5 are successively formed on the p-type noncrystalline semiconductor film 3 (c).例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３上にｉ型非晶質半導体膜４及びｎ型非晶質半導体膜５を順次形成する（ｃ）。 - 特許庁

Piezoelectric devices DV1-DV3 are provided comprising a package 3 for housing a piezoelectric element, and substrate P on which the piezoelectric devices DV1-DV3 are mounted.例文帳に追加

圧電素子を収容するパッケージ３を有する圧電デバイスＤＶ１〜ＤＶ３と、圧電デバイスＤＶ１〜ＤＶ３が実装される基板Ｐとを備える。 - 特許庁