「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

An oil cylinder vertically movably supporting the saddle P with a piston 4 is provided by using a support pipe inside 1 mounting the coil spring 2 as a cylinder 3, and by using a support lever P1 fixed to the under surface of the saddle P as the piston 4.例文帳に追加

コイルスプリング２を装着した支持パイプ内部１をシリンダー３とし、サドルＰ下面に固定した支持杆Ｐ１をピストン４として、該ピストン４でサドルＰを上下動自在に支持するオイルシリンダーを設ける。 - 特許庁

The sub-controller 18 having received the former job data fixingly transfers images 12 and 11 to the paper sheets P(I2) and P(I1) while forming the images 12 and 11 on an intermediate transferring belt 41 in this order, and besides, carries them to the multi-bin unit 3.例文帳に追加

前者のジョブデータを受けたサブコントローラ１８は、画像Ｉ2と画像Ｉ1とをこの順序で中間転写ベルト４１上に形成しながら、用紙Ｐ(I2)，Ｐ(I1)に転写定着し、さらにマルチビンユニット３に搬送する。 - 特許庁

An upper semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 10, and a lower semiconductor reflection mirror is constituted by the p-type multilayer-film reflective layer 2, the i-type multilayer-film reflective layer 3, and the n-type multilayer-film reflective layer 4.例文帳に追加

上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。 - 特許庁

A memory cell structure, without the need for a capacitor is formed of a laminated structure, composed of a metal 1/an insulation film 2/n-type silicon 3/an n-type delta doped layer 4/a non-doped buffer layer 5/a p-type delta doped layer 6/p-type silicon 7.例文帳に追加

キャパシタの不要なメモリセル構造を、金属１／絶縁膜２／ｎ型シリコン３／ｎ型デルタドープ層４／ノンドープバッファ層５／ｐ型デルタドープ層６／ｐ型シリコン７からなる積層構造によって形成する。 - 特許庁

Therefore, temperature distribution in the furnace core tube 3 when a material P to be treated flows can be accurately measured, and as a result, a reliable fired body of the material P to be treated can be stably obtained.例文帳に追加

したがって、被処理物Ｐが流動する際の炉芯管３内の温度分布の測定を精度良く行うことができ、その結果、信頼性の高い被処理物Ｐの焼成体を安定して得ることが可能となる。 - 特許庁

Further, the operator M inputs defect information of a product P into the input display device 2 displaying an image which represents the product P on the input display device 2; and an analyzing device 3 analyzes this defect information.例文帳に追加

そして、入力表示装置２に製品Ｐを表す画像を表示させながら、作業者Ｍが製品Ｐの不具合情報を入力表示装置２に入力し、解析装置３がこの不具合情報を解析する。 - 特許庁

An electrode, which is connected with a p+ region 6 (a p-type base region 3) via a contact hole 11a, is constituted of an Al film 22, and this film 22 is formed only at a position separated from the side surface of the hole 11a.例文帳に追加

コンタクトホール１１ａを介して、ｐ型領域６（ｐ型ベース領域３）に接続される電極をＡｌ膜２２で構成し、このＡｌ膜２２をコンタクトホール１１ａの側面から離間した位置にのみ形成する。 - 特許庁

Further, an impurity concentration interface between the p^+-type region 5 and a p^++-type region 4 has been so structured as not to agree with an interface at a signal charge readout side of an n-type impurity region 3 that forms the photodiode.例文帳に追加

また、ｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との不純物濃度の境界面が、フォトダイオード部を形成するｎ型不純物領域３の信号電荷読出し部側の境界面と一致しない構造を採用した。 - 特許庁

The PCS 2 monitors a power flow P in the distribution wire, and when it determines that the excess power is generated according to the direction of the power flow P, the PCS 2 instructs the slave station 3 to operate the sprinkler system 4.例文帳に追加

ＰＣＳ２は、配電線の電力潮流Ｐを監視し、その電力潮流Ｐの方向により余剰電力が発生していると判定したときに、子局３に散水装置４を動作させる指示を出す。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2, n-A1GaAs clad layer 3, AlGaAs active layer 4, p-AlGaAs clad layer 5 and p-GaAs cap layer 6 are laminated on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The transistor comprises: a third p-type semiconductor layer 8 between a gate region layer 6 and a drain region layer 7; and a potential fixed layer 4 extending from an n-type epitaxial layer 3 to a p^--type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ゲート領域層６とドレイン領域層７との間に、ｐ型の第３半導体層８が設けられ、また、ｎ型エピタキシャル層３からｐ^-型エピタキシャル層２に達するように電位固定層４が設けられている。 - 特許庁

A sandwich type laminate is formed of a p-type organic semiconductor thin film 2 and an n-type inorganic semiconductor thin film 4 across a coevaporated composite film 3, composed of a p-type organic semiconductor and an n-type inorganic semiconductor.例文帳に追加

ｐ型有機半導体とｎ型無機半導体から成る共蒸着複合膜３を挟んでｐ型有機半導体薄膜２とｎ型無機半導体薄膜４によりサンドウィッチ状の積層体を構成している。 - 特許庁

A p- type hole block layer 5 made of AlGaSb is formed on the light absorption layer 3, and a p- type electron emission layer 6 made of GaSb is formed on the hole block layer 5.例文帳に追加

光吸収層３の上には、ＡｌＧａＳｂからなるｐ^−型の正孔ブロック層５が形成されており、正孔ブロック層５の上にはＧａＳｂからなるｐ^−型の電子放出層６が形成されている。 - 特許庁

When not worn, the cloth 3 for pocket formation is turned over to the lower surface side of the visor 2, the pocket P is formed on the lower surface side of the visor 2 and the crown 1 is folded and stored in the inside of the pocket P.例文帳に追加

帽子の非着用時には、ポケット形成用生地３を庇２の下面側へひっくり返して庇２の下面側にポケットＰを形成し、ポケットＰの内部にクラウン１を折畳んで収納できるようにする。 - 特許庁

Then, the film end section P1 is adhered by pressing the longitudinal side surface of the roll film P to the end section detecting surface 3 of the contact body 1, and the film end section P1 is pulled out by rotating the roll film P in the film opening direction.例文帳に追加

そして、ロールフィルムＰの長手側面を当接体１の端部検出面３に押し当ててフィルム端部Ｐ１を粘着せしめ、フィルムが開く方向にロールフィルムＰを回転させてフィルム端部Ｐ１を引き出す。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit is formed as a part of the constitution that pre-designed circuit components, i.e., M-cannel MOS transistors 1, p-channel MOS transistors 2 and n-wells 3 are coupled through wirings.例文帳に追加

半導体集積回路は、予め設計された回路部品であるＭチャンネルＭＯＳトランジスタ１，PチャンネルＭＯＳトランジスタ２およびNウェル３が配線により結合され構成内容の一部として形成される。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁

In a light receiving element forming island of a sensor chip 3, P regions 12, 14 of photodiodes DR, DCI are formed on a surface layer part of an N-type epitaxial layer 15b, and the P regions 12, 14 are in contact with electrodes 27, 28.例文帳に追加

センサチップ３の受光素子形成島において、ｎ型エピタキシャル層１５ｂの表層部に、フォトダイオードＤR ，ＤC1のｐ領域１２，１４が形成され、ｐ領域１２，１４は電極２７，２８と接している。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type embedded layer 9 creeps up, a P-type diffusion layer 12 creeps down, and both the diffusion layers 9, 12 are connected, thus composing the back gate region of the MOS transistor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の埋込層９が這い上がり、Ｐ型の拡散層１２が這い下がり、両拡散層９、１２が連結することで、ＭＯＳトランジスタ３のバックゲート領域が構成される。 - 特許庁

In case there is no recessed groove 2, the rain water or the like makes contact with the surface only up to the maximum diameter positions P, but by forming the recessed grooves 2, the rain water or the like makes contact with the surface even to the bottom of the cover 3 of the support column 8 side uniformly from P.例文帳に追加

雨水等は凹溝２がない場合には最大直径位置Ｐまでしか当らないが、凹溝２を形成することにより雨水等はＰから支柱８側のカラー３の底部まで万遍となく当る。 - 特許庁

A flexible sheet-like heating element 2 using a semiconductor heat exchange element 2A is attached to the roof surface P, and fixedly held on the roof surface P by a holding member 4 through a heat insulator 3.例文帳に追加

半導体熱交換素子２Ａを使用した柔軟なシート状発熱体２を屋根面Ｐに添着させ、該シート状発熱体２を断熱材３を介して保持部材４により屋根面Ｐに固定保持するものである。 - 特許庁

An SCU 11 reads an image (including a barcode printed on the transmission document P) of a transmission document P by an image reading part 1 and writes the image data to a transmission buffer memory 3 through an image processing part 2.例文帳に追加

ＳＣＵ１１は、画像読み取り部１により送信原稿Ｐの画像（送信原稿Ｐに印字されているバーコードを含む）を読み取り、その画像データを画像処理部２を通して送信用バッファメモリ３に書き込む。 - 特許庁

An n-type channel cut layer 5 is formed at the vicinity of bottom surface of the first element separation 21 in the n-type well 3 and a p-type channel cut layer 6 is formed at the vicinity of bottom surface of the first element separation 21 of the p-type well 4.例文帳に追加

ｎ型ウェル３内の第１の素子分離２１の底面近傍にｎ型チャネルカット層５が形成され、ｐ型ウェル４の第１の素子分離２１の底面近傍にｐ型チャネルカット層６が形成されている。 - 特許庁

The direction for turning over paper is an oblique direction within a scope of the angle formed by a diagonal direction of the paper P and the direction of a rear end side of the paper P being parallel with the direction B of paper width with the paper turning-over means 3 set in between.例文帳に追加

めくり方向は、用紙めくり手段３を中心に、用紙Ｐの対角方向と、用紙幅方向Ｂと平行な用紙Ｐの後端辺方向とがなす角度範囲内の斜め方向である。 - 特許庁

This circuit is composed of a P-Edge FF 3, N-Edge FF 5, frequency dividing circuit 7, 10-bit P/S converter 8, tap signal generator 10, select signal generator 11 and inverter circuit 13.例文帳に追加

Ｐ−Ｅｄｇｅ ＦＦ３と、Ｎ−Ｅｄｇｅ ＦＦ５と、分周回路７と、１０ビット並列−直列変換器８と、タップ信号発生器１０と、選択信号発生器１１と、インバータ回路１３とで構成する。 - 特許庁

The second p-type semiconductor layers 10 are also formed continuously along a chip cut-out part 11, from which the board 1 is cut into a plurality of chips, to extend from the surface of the layer 3 to reach the surface of the P well 5.例文帳に追加

また、基板１を複数個のチップに切り分けるチップ切断部１１に沿って層３の表面からＰウェル５の表層部に達して第２のＰ型半導体層１０が連続して設けられている。 - 特許庁

A rotation shaft 20 mounted with a nozzle 30 at the bottom end is immersed into the hot dip coating bath housed in the coating pot B moved to an intermediate position P 2 or standby position P 3 from the continuous hot dip coating line.例文帳に追加

連続溶融めっきラインから中間位置Ｐ_2又は待機位置Ｐ_3に移動しためっきポットＢに収容されている溶融めっき浴に、下端にノズル３０が装着された回転軸２０を浸漬する。 - 特許庁

The tip of the projecting part 20 is brought into contact with the connecting part 23, the setscrew 3 inserted into the insertion hole 13 is fastened in the screw hole 23, and the pressing plate 1 and the holding plate 2 are temporarily fastened in a state of holding hydraulic oil pipes P, P.例文帳に追加

突起部２０の先端を連絡部１３に当て、挿通孔１４に通した止めねじ３をねじ孔２３に締め付けて、押え板１と挾持板２とを、油圧配管Ｐ，Ｐを挾持した状態で仮止めする。 - 特許庁

Illumination light from an illumination part is separated into p-polarized light and s-polarized light by a polarization beam splitter, and the separated p-polarized light is modulated by LCOS 3, and the other s-polarized light is modulated by a LCOS 4.例文帳に追加

照明部からの前記照明光を偏光ビームスプリッタによりＰ偏光とＳ偏光とに分離し、分離したＰ偏光をＬＣＯＳ３により変調し、他方のＳ偏光をＬＣＯＳ４により変調する。 - 特許庁

The basic structure of this lateral J-FET includes an n-type semiconductor layer 3 consisting of an n-type impurity region, and a p-type semiconductor layer 6 consisting of a p-type impurity region.例文帳に追加

この横型ＪＦＥＴの基本的構造は、ｎ型の不純物領域からなるｎ型半導体層３と、このｎ型半導体層３の上にｐ型の不純物領域からなるｐ型半導体層とを備える。 - 特許庁

At the time of insertion shortage of the tube P, as the groove 13 for the lock ring is positioned in front of the lock ring 3, the tube P is pushed back by the force of the compression coil spring 5 and the groove 13 for the lock ring can be seen when the hand is released.例文帳に追加

管Ｐの差込み不足のときは、ロックリング用溝１３がロックリング３の手前に位置するので、手を離すと圧縮コイルばね５の力で管Ｐが押し戻されてロックリング用溝１３が見える。 - 特許庁

On a first mat 1 obtained by arranging a heater 3 on a foaming resin mat 2 where conglomerate hornfels P coexist, a second mat 8 consisting of foaming resin mats 9, 10, and 11 where conglomerate hornfels P coexist is laminated.例文帳に追加

礫岩ホルンフェルスＰを混在した発泡樹脂マット２にヒータ３を配設した第１マット１の上に、礫岩ホルンフェルスＰを混在した発泡樹脂マット９、１０、１１からなる第２マット８を積層する。 - 特許庁

This solar cell 100 includes: a p-type semiconductor layer 7 formed of nickel oxide doped with Li, and formed by a sputtering method; and an n-type oxide semiconductor layer 3 joined to the p-type semiconductor layer 7.例文帳に追加

Ｌｉによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたｐ型半導体層７と、該ｐ型半導体層７と接合したｎ型酸化物半導体層３と、を備える太陽電池１００。 - 特許庁

A plurality of striped grooves 5 are formed on the side of an n-type base layer 4 having a p-type emitter layer 3, an n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded and formed in the grooves 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

During print start position correction processing in an ink jet printer, a control section controls a carrier 3 to move not only in the range on a sheep P but over a wider range and controls an alignment sensor 6 to scan the end of the sheet P on the main scanning side.例文帳に追加

印字開始位置補正処理時に、制御部は、用紙Ｐ上の範囲に限らず、キャリア３をさらに広い範囲に移動させて用紙Ｐの主走査方向側の端部もアライメントセンサ６により走査させる。 - 特許庁

The imaging system 1 includes: a pulse light source 2 for irradiating an imaging target with pulse light P; an imaging apparatus 3 for picking up an optical image B relating to the imaging target irradiated with the pulse light P; and a control unit 4.例文帳に追加

撮像システム１は、撮像対象物にパルス光Ｐを照射するパルス光源２と、パルス光Ｐによる撮像対象物に関する光像Ｂを撮像する撮像装置３と、制御部４とを備える。 - 特許庁

The return conveyer 3 is provided with an empty pans P-waiting part 8 temporarily storing the empty pans P having passed through the carrying conveyer 2, under the carrying conveyer 2 and in parallel to the conveyer 2.例文帳に追加

戻しコンベヤライン３中には、搬送コンベヤライン２を通過して空になった搬送用パンＰを一時的に貯留するための空パン待機部８を、搬送コンベヤライン２と平面視で重なり合うようにして平行状に設ける。 - 特許庁

As a result, since pressure in a pressure chamber P is equal to pressure on the primary side, water in the pressure chamber P passes through a pilot hole in a pipe member 20 and flows into a flow-out port 3 on a secondary side to let the pressure escape.例文帳に追加

その結果、圧力室Ｐの圧力は一次側圧力と等しくなっているため、この圧を逃すため、圧力室Ｐの水はパイプ部材２０内のパイロット孔を通って二次側の流出口３に流れる。 - 特許庁

A flat sheet P printed in a printing part B is transferred to a smoothing cylinder 20 from the impression cylinder 3 of a final printing unit 5, the printed face of the flat sheet P abuts on the smoothing cylinder 20 to sufficiently make ink fit to the paper.例文帳に追加

印刷部Ｂにて印刷された枚葉紙Ｐは最終印刷ユニット５の圧胴３からならし胴２０に渡され、枚葉紙Ｐの印刷面がならし胴２０に当接してインキが用紙に十分馴染むこととなる。 - 特許庁

A canister C of a cup type automatic vending machine is provided with a raw material box 1 for storing powder raw materials P and a discharge port 2a and an auger 3 for discharging the powder raw materials P from the raw material box 1 to the outside.例文帳に追加

カップ式自動販売機のキャニスタＣは、粉末原料Ｐを保管する原料箱１と、この原料箱１内から粉末原料Ｐを外部に排出するための排出口２ａおよびオーガ３とを備える。 - 特許庁

A pachinko ball P fed to a lifting pathway 19 of a ball polishing/lifting machine is put between a lifting belt 3 and the cleaning material 18 and delivered upward by the rotation of a driving motor, during which the pachinko ball P is cleaned.例文帳に追加

球磨揚送機の揚送路１９に送り込まれたパチンコ球Ｐは、駆動モータの回転により揚送ベルト１３とクリーニング材１８との間に挟持されて揚送され、この間にパチンコ玉Ｐのクリーニングが行われる。 - 特許庁

Respective sensors 2, 3 are arranged so that an angle formed by the beam axis L of the laser beam Δ1 and the optical axis O of the sensors 2, 3, becomes ≥3° and ≤5° at the irradiating point P of the laser beam on the surface of the material 4.例文帳に追加

上記各センサ２、３は、上記被溶接材表面のレーザビーム照射点Ｐにおいて、上記レーザビームのビーム軸Ｌと上記センサ２、３の光学軸Ｏのなす角度が、３°以上で５°以下の角度になるよう配置する。 - 特許庁

The CPU 2 performs fault diagnosis of the watchdog timer 3 by determining whether or not the watchdog timer 3 has been reset with respect to the CPU 2, when a P-RUN signal supplied from the CPU 2 to the watchdog timer 3 stops.例文帳に追加

ＣＰＵ２は、ＣＰＵ２からウォッチドッグタイマ３に供給されるＰ−ＲＵＮ信号が停止した際に、ウォッチドッグタイマ３がＣＰＵ２に対してリセット動作をしたか否かを判定することでウォッチドッグタイマ３の故障診断をおこなう。 - 特許庁

The rat intrusion preventing device 1 is provided with a pipe 3 to be attached to a drain pipe P and a number of wires 5 planted on the pipe 3 and extending in the downstream direction of the effluent and converging their tips toward the center of the pipe 3.例文帳に追加

ネズミ侵入防止具１は、排水管Ｐに取り付けられる筒体３と、筒体３に植設された、排水の下流方向に、かつ、筒体３の中心部に向けて先が集まるように延び出す多数の針金体５と、を備える。 - 特許庁

The drain treatment device comprises an aeration tank 3, a measurement device 8 for measuring the drained untreated water loading value of the drained untreated water to be guided to the aeration tank 3, a drive pump P for introducing the drained untreated water to which a yeast is added, into the aeration tank 3, and piping 7.例文帳に追加

曝気槽３と、曝気槽３に導かれる排水原水の排水原水負荷値を測定する測定装置８と、酵母を排水原水に添加して曝気槽３に導入する駆動ポンプＰおよび配管７と、を備える。 - 特許庁