「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The soft magnetic member 1 comprises a resin film 2, an underlying metal layer 3 formed on the resin film 2, and a soft magnetic metal layer 4 formed on the underlying metal layer 3 wherein the thickness s of the underlying metal layer 3 and the thickness p of the soft magnetic metal layer 4 satisfy following relations: 5≤p/s<10 and 0<s<100 nm.例文帳に追加

樹脂フィルム２と、樹脂フィルム２上に形成された下地金属層３と、下地金属層３上に配設された軟磁性金属層４と、を備えた軟磁性部材１であって、下地金属層３の厚さをｓ、軟磁性金属層４の厚さをｐとすると、５≦ｐ／ｓ＜１０かつ０＜ｓ＜１００ｎｍとする。 - 特許庁

By using a mask having such a mask pattern 7, the distances between a P type gate layer 4 and the central section 3a and the end section 3b of the N type emitter layer 3 are respectively controlled, and the P type gate layer 4 can be formed around the N type emitter layer 3.例文帳に追加

前記マスクパターン部７を有するマスクを用いることにより、Ｎ型エミッタ層３の中央部３ａおよび端部３ｂとＰ型ゲート層４との間の距離をそれぞれ制御して、Ｎ型エミッタ層３の周囲にＰ型ゲート層４を形成することができる。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on the light-receiving surface of an n-type single-crystal silicon board 1, and a transparent conductive film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3, thus constituting a photoelectric converter 101.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面上にｉ型非晶質シリコン層２およびｐ型非晶質シリコン層３が形成され、ｐ型非晶質シリコン層３上に透明導電膜４が形成されて、光電変換部１０１が構成される。 - 特許庁

An n^--SiC epitaxial growth layer 2 and a p^+ type layer 3 are successively formed on an n^+-SiC substrate 1 whose main surface has the off angle θ, a guard ring 6 is formed around an element, and an ohmic electrode 4a is provided on the p^+ type layer 3.例文帳に追加

主面がオフ角θを有するｎ^+−ＳｉＣ基板１上に、ｎ^-−ＳｉＣエピタキシャル成長層２、ｐ^+型層３が順次形成され、素子周辺にガードリング６が形成されると共に、ｐ^+型層３上にはオーミック電極４ａが設けられている。 - 特許庁

A thermoelectric element comprises P type elements 3 made of a P type thermoelectric material, N type elements 4 made of an N type thermoelectric material, and two substrates 2 having metal electrodes 5 which can form pairs of PN junction by bonding these different kinds of element 3, 4 in pair.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント４と、これら異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する２枚の基板２等、から構成されている。 - 特許庁

When the tip of the PC steel material P abuts on the distributing bar 3, the suspension bar 5, or a level difference of the anchor groove 1b, this can be visually observed and easily detached from the distributing bar 3, etc., so that the PC steel material P can be quickly and surely inserted and installed.例文帳に追加

ＰＣ鋼材Ｐの先端が配力筋３や吊り筋５、或いは定着溝１ｂの段差等に当たった場合、これを見て配力筋３等から簡単に外すことができるので、ＰＣ鋼材Ｐの挿通据付けを迅速かつ確実に行うことができる。 - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

The imperfect area 4 is close to an I-type crystal as a boundary between a P-type crystal 3 and an N-type crystal 5, but as a collective excitation phase moves comparatively freely, the phase may exist anywhere in the P-type crystal 3 and the N-type crystal 5.例文帳に追加

不完全性の領域４は、Ｐ型結晶３とＮ型結晶５の境界であるＩ型結晶の付近としているが、集団励起相は、比較的自由に動けるのでＰ型結晶３あるいはＮ型結晶５のどこにあってもかまわない。 - 特許庁

When the sheet P is loaded on the paper feeding tray 3, the moving means is driven based on detection signals from sheet loading detection means S1 to S4 for detecting loading of the sheet P onto the paper feeding tray 3 to move the sheet feeding means 4b to the retreat position.例文帳に追加

そして、給紙トレイ３にシートＰが載置された際には、給紙トレイ３にシートＰが載置されたことを検出するシート積載検出手段Ｓ１〜Ｓ４からの検出信号に基づいて移動手段を駆動し、シート給送手段４ｂを退避位置へ移動させる。 - 特許庁

Wireless receiving relays 14-1 to 14-3 are connected to the detector lines 18-1 to 18-3 from the P-type receiver 10; and when the fire alarming is discriminated from the received telegram, the alarm signal is transmitted to the P-type receiver 10 and an alarm is issued.例文帳に追加

無線受信用中継器１４−１〜１４−３がＰ型受信機１０からの感知器回線１８−１〜１８−３に接続され、受信電文から火災発報を判別した時に発報信号をＰ型受信機１０に送って警報させる。 - 特許庁

In the semiconductor device 70, a P-base layer 4, a P^+-contact layer 5, and an N^+-source layer 6 are formed on a surface region of an N^- high-resistance layer 3 on an N^+-buffer layer 2, and a gate insulating film 7 and a gate electrode 8 are formed in a laminated manner on the N^- high-resistance layer 3.例文帳に追加

半導体装置７０では、Ｎ^＋バッファ層２上のＮ^−高抵抗層３の表面領域にＰベース層４、Ｐ^＋コンタクト層５、Ｎ^＋ソース層６を形成し、Ｎ^−高抵抗層３上にゲート絶縁膜７及びゲート電極８を積層形成する。 - 特許庁

To provide a converter-type method of dephosphorizing molten iron having little scattering loss of CaO powder blown up even when up-blowing oxygen flow is increased to 2.0-5.0 Nm^3/min/molten iron t, and reducing [%P] in post-treatment molten iron to 0.015 mass% or lower while suppressing free CaO in the post-process slag.例文帳に追加

上吹き酸素流量を2.0〜5.0Nm^3/min/溶銑tに増加しても上吹きされるCaO粉体の飛散ロスが少なく,処理後スラグ中遊離CaOを抑制しつつ,処理後溶銑中[%P]を0.015質量%以下にまで低減する溶銑の転炉型脱燐方法を提供する。 - 特許庁

A length of a JFET region 10 which is sandwiched by a pair of p-wells 15 of an n-type semiconductor layer 16, that is, an interval Ld between the p-wells 15 of the pair is set to be equal to or smaller than 3 μm, preferably equal to or larger than 0.8 μm and equal to or smaller than 3 μm.例文帳に追加

ｎ型半導体層１６の一対のｐウエル１５に挟まれる領域であるＪＦＥＴ領域１０の長さ、すなわち一対のｐウエル１５間の間隔Ｌｄを３μｍ以下、好ましくは０．８μｍ以上３μｍ以下とする。 - 特許庁

In an IGBT, an N--type epitaxial layer 3 is formed on a P+-type silicon substrate 1 via an N+-type silicon layer 2, and a P-type impurity diffusion region 4 and an N+-type impurity diffusion region 5 are formed in the surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ^+ 型シリコン基板１の上にＮ^+ 型シリコン層２を介してＮ^- 型エピタキシャル層３が形成され、エピタキシャル層３の表層部にＰ型不純物拡散領域４およびＮ^+ 型不純物拡散領域５が形成されている。 - 特許庁

The brazing method includes steps of: placing the metallic tube P on the tube supporting sections 3 so that a part of the tube is fitted between the both tube supporting sections 3 of the tool 1; placing the metallic component C on the metallic tube P; and heating the metallic component C with flames from the side.例文帳に追加

ろう付方法は、金属管Ｐを、その一部分が治具１の両管支持部分３間に嵌るように両管支持部分３上に載せ、この金属管Ｐ上に金属部品Ｃを載せ、その後金属部品Ｃを側方から炎で加熱するものである。 - 特許庁

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。 - 特許庁

A substrate supporter 21 comprises a support part 21a for supporting a substrate P and a lifting mechanism 3 for bringing up and down the substrate P with respect to a support part 21a, and also comprises a second lifting mechanism 22 for printing up and down independently the lifting mechanism 3 with respect to the support 21a.例文帳に追加

基板Ｐを支持する支持部２１ａと、支持部２１ａに対して基板Ｐを昇降させる昇降機構３とを有する基板支持装置２１において、支持部２１ａに対して昇降機構３とは独立して昇降する第２昇降機構２２を備える。 - 特許庁

The silencer 6 is arranged at a position deflected along the longitudinal direction of the exhaust pipe 3 from an antinode position P of a standing wave W generated in the exhaust pipe 3, and a group of small holes 21 is bored on an inner pipe 10 of the silencer 6 by being unevenly distributed closer to the antinode position P.例文帳に追加

消音器６を，排気管３内に生じる定在波Ｗの腹位置Ｐから排気管３の長手方向に沿って偏倚した位置に配置する一方，消音器６の内筒１０に小孔２１，２１…群を前記腹位置Ｐ寄りに偏在させて穿設する。 - 特許庁

An air conditioning system includes an air conditioner 110 for conditioning the treated air, an electrostatic atomizing device 2 disposed in the air conditioner 110 for mixing atomized and charged water droplet in the treated air after the air conditioning, and a conductive disc 3 for earthing a person P.例文帳に追加

被処理空気を空気調和する空気調和装置（110）と、該空気調和装置（110）内に設けられ、空気調和後の被処理空気に、霧化させ且つ帯電させた水滴を混入させる静電噴霧装置（2）と、人（P）を接地させる導電性デスク（3）とを備える。 - 特許庁

At the semiconductor surface of the p-type GaN layer 3 exposed by the formation of the wall surface 7, a region 10 which has conduction characteristics different from those of the p-type GaN layer 3 is formed, and a gate insulating film 8 is formed so that it is in contact with the region 10.例文帳に追加

この壁面７の形成によって露出したｐ型ＧａＮ層３の半導体表面部には、ｐ型ＧａＮ層３とは異なる伝導特性を有する領域１０が形成され、領域１０に接するようにゲート絶縁膜８が形成されている。 - 特許庁

The photodiode also comprises a region (4) which extends transversely relative to the planes of the layers, where the region (4) is in contact with the collection layer (2) and the confinement layer (3) and has a conductivity type opposite to the first conductivity type so as to form a p-n junction with the stack.例文帳に追加

そのフォトダイオードは、前記層の面に対して横断して延在する領域(4)も含み、前記領域はコレクション層(2)と閉じ込め層(3)に接触し、前記スタックとp-n接合を形成するために前記第1導電型と反対の導電型を有する。 - 特許庁

The thermoelectric module 1 is formed by laminating an N type thermoelectric thin film layer 3, an insulating thin film layer 5 and a P type thermoelectric thin film layer 7 successively, and also the N type thermoelectric thin film layer 3 is series-connected to the P type thermoelectric thin film layer 7 by an electrode thin film layer 9.例文帳に追加

熱電モジュール１は、Ｎ型熱電薄膜層３、絶縁薄膜層５、Ｐ型熱電薄膜層７が順次積層されるとともに、Ｎ型熱電薄膜層３とＰ型熱電薄膜７とが、電極薄膜層９により直列に接続されたものである。 - 特許庁

A n^--type SiC layer 2 and a p^+-type SiC layer 3 are formed sequentially on a n^+-type SiC substrate 1 whose main surface has an off angle θ, a guard ring 6 is formed around the device and a plurality of ohmic electrodes 4a are provided on the p^+-type SiC layer 3.例文帳に追加

主面がオフ角θを有するｎ^+型ＳｉＣ基板１上に、ｎ^-型ＳｉＣ層２、ｐ^+型ＳｉＣ層３が順次形成され、素子周辺にガードリング６が形成されると共に、ｐ^+型ＳｉＣ層３上に、複数のオーミック電極４ａが設けられている。 - 特許庁

The self oscillation type or a high power semiconductor laser including an n-type clad layer (308, 302), an active layer (309, 303), and a p-type clad layer (310, 304) on an n-type GaN substrate (301), comprises AlGaInN based compound, wherein the carrier concentration of the GaN substrate is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

The photodiode 7 has a P-type semiconductor region 7p, formed by diffusing P-type impurities in the one main plane 3a of the semiconductor substrate 3, and an N-type semiconductor region 7n is formed by diffusing N-type impurities in the one main plane 3a of the semiconductor substrate 3, while being arranged separated from the P-type semiconductor region 7p.例文帳に追加

フォトダイオード７は、半導体基板３の一方の主面３ａにＰ型不純物を拡散して形成されたＰ型半導体領域７ｐと、Ｐ型半導体領域７ｐと離間して配置され、半導体基板３の前記一方の主面３ａにＮ型不純物を拡散して形成されたＮ型半導体領域７ｎとを有している。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes an n-AlGaInP cladding layer 2, an AlGaInP/GaInPMQW active layer 3, a p-AlGaInP first cladding layer 4, and a single p-Al_xGa_1-xAs-ESL 5, and a p-AlGaInP second cladding layer 7 provided with the protruded stripe 6, and a p-GaAs contact layer 8 stacked on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ装置においては、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、順に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰＭＱＷ活性層３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４と、単層のｐ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ−ＥＳＬ５と、ストライプ状の凸部６を備えたｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層７と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層８とが積層されている。 - 特許庁

This lighting device for growing plants 1 is provided with an upper part lighting fixture 2 lighting the plants P from above, a side part lighting fixture 3 and a lower part lighting fixture 4 set at the side and lower part positions of the plants P, respectively, and lighting the side surfaces and the lower parts of the plants P.例文帳に追加

植物育成用照明装置１は、植物Ｐの上方から光を照射する上部照明器具２と、植物Ｐの側方及び下方位置に設置され、植物Ｐの側面及び下部位置に向けて光を照射する側部照明器具３及び下部照明器具４とを備える。 - 特許庁

A p channel region 6, a p body lead electrode 7 connected to the channel region 6, and a p high-concentration body contact region 8 connected to the body lead region 7 are made in the region of a semiconductor layer 3 surrounded by an element isolating insulating film 4.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４に取り囲まれた半導体層３領域には、ｐ型のチャネル領域６と、チャネル領域６に接続されたｐ型のボディ引き出し領域７と、ボディ引き出し領域７に接続されたｐ型の高濃度ボディコンタクト領域８とが形成されている。 - 特許庁

The JTE region 6 consists of a first p-type region 6a formed in a region including below the edge of an anode electrode 3 above the drift layer 2, and a second p-type region 6b formed on the outside thereof and having impurity surface concentration lower than that of the first p-type region 6a.例文帳に追加

ＪＴＥ領域６は、ドリフト層２の上部におけるアノード電極３のエッジの下を含む領域に形成された第１のｐ型領域６ａと、その外側に形成され第１のｐ型領域６ａよりも不純物面濃度が低い第２のｐ型領域６ｂとから成る。 - 特許庁

Then, in the Ni-P film 8, the first layer 10 has a P content of 3 to 6 wt.%, and the second layer 11 has a P content of >6 to 9 wt.%, and the thickness thereof is 0.1 to 1.0 μm.例文帳に追加

そして、Ｎｉ−Ｐ皮膜８のうち、第１層１０は、Ｐ含有率が３重量％以上６重量％以下であり、第２層１１は、Ｐ含有率が６重量％を超えかつ９重量％以下であってその厚みは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device having a positive electrode formed on a p-type semiconductor layer via a p-type contact layer, the p-type contact layer is 250 Å or smaller in film thickness, and Mg concentration is 1.5×10^20/cm^3 or higher.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０^２０／ｃｍ^３以上に設定されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

An equipment main body 2 comprises a guide part 3, which is formed at a prescribed pitch(P) and forms a marker line at the pitch(P) on the map, and a cursor member 5 which is movable and engages with the equipment body 2, with an auxiliary scale part 5a formed at the cursor member 5, which is divided in a frame of a side having the pitch(P).例文帳に追加

器具本体２に所定のピッチ（Ｐ）で形成され、地図上にピッチ（Ｐ）の目印線を形成可能な案内部３と、器具本体２に係合する移動可能なカーソル部材５とを設け、カーソル部材５にピッチ（Ｐ）を一辺とする枠内で分割された補助スケール部５ａを形成する。 - 特許庁

The wound protector A consists of an integral joint of a sheathing section 4, which has a rim 1 capable of surrounding the wound P and forms a concave 3 inside of the rim 1 with a distance 2 from the wound P, and a skin touching section 5, which extends from the sheathing section 4 and is stuck on the skin S around the wound P.例文帳に追加

創傷プロテクタＡは、創傷Ｐを囲繞できる周縁１を有し周縁１の内側が創傷Ｐに間隙２を隔てる凹面３である被覆部４と、被覆部４から延出し創傷Ｐの周囲の皮膚Ｓに貼付けられる皮接部５とを、一体に接合したものである。 - 特許庁

The trench type MOSFET 10 is formed by laminating a P type highly-doped drain section 1, a P type lightly-doped drain section 2, an N channel body section 3, and a P type source diffusion section 4 in this order and a trench gate electrode 6 is formed in a trench reaching the lightly-doped drain section 2 from a substrate surface.例文帳に追加

本発明のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴ１０は、Ｐ型の高ドープドレイン部１、Ｐ型の低ドープドレイン部２、Ｎ型のチャネルボディ部３、Ｐ型のソース拡散部４がこの順で積層され、トレンチゲート電極６が基板表面から低ドープドレイン部２に達するトレンチに形成される。 - 特許庁

The cover 1 for the delineator posts, mounted on the delineator post P, includes a cylinder part 2 covering the outer peripheral surface of the delineator post P, and blades 3 extending outward from the outer peripheral surface of the cylinder 2 and extending the visible width of the delineator post P.例文帳に追加

ポール式視線誘導標Ｐに装着されるポール式視線誘導標用カバー１であって、ポール式視線誘導標Ｐの外周面を覆う筒部２と、該筒部２の外周面から外方に延出し、ポール式視線誘導標Ｐの視認幅を拡張する翼部３とを備える。 - 特許庁

The pallet anti-slip material welding device is provided with a horizontal direction welding mechanism 3 horizontally welding an anti-slip material S1 to a pallet P while moving the pallet P in the horizontal direction, and a vertical direction welding mechanism 103 vertically welding an anti-slip material S2 to the fixed pallet P.例文帳に追加

パレットＰを水平方向に移動させながらパレットＰへ滑り止め材Ｓ１を水平方向に溶着する水平方向溶着機構３と、固定した状態のパレットＰへ滑り止め材Ｓ２を鉛直方向に溶着する鉛直方向溶着機構１０３と、を設けた。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁

When making a direction of residual polarity of the piezoelectric body 1 (+P) as a reference, if the piezoelectric body 2 is of the same direction (+P), and the piezoelectric body 3 is of the inverse direction in parallel (-P), sensitivity is negated for λ/4 resonance, and enhanced for 3λ/4 resonance in an electric displacement between terminals.例文帳に追加

そして、圧電体１の残留分極の向き（＋Ｐ）を基準として、圧電体２を同方行（＋Ｐ）、圧電体３を逆方平行（−Ｐ）とすると、端子間の電気変位は、λ／４共振ではその感度が打ち消され、３λ／４共振においては強調される。 - 特許庁

The liquid jetting head 3 has a nozzle and jets, from the nozzle, liquid (such as mercury) of preferably high specific gravity without being absorbed by the recording medium P, and the jetted liquid plastically deforms the surface of the recording medium P with the force colliding with the recording medium P to form a recess.例文帳に追加

液体噴射ヘッド３はノズルを有し、記録媒体Ｐに吸収されず好ましくは比重の大きな液体（例えば水銀）をそのノズルから噴射し、その噴射される液体が記録媒体Ｐに衝突する力により記録媒体Ｐの表面を塑性変形させて凹部を形成させる。 - 特許庁

A p-partition region of the transition part 22 is made different in shape of a p-partition region from the active part 21 and terminal part 23, and charge balance is made between p-partition regions 4a, 4b and 4c of the active part 21, transition part 22 and termination part 23, and n-drift region 3, in order to prevent a decrease in breakdown voltage.例文帳に追加

活性部２１および終端部２３に対して遷移部２２のｐ仕切り領域の形状を変え、活性部２１、遷移部２２および終端部２３の各ｐ仕切り領域４ａ、４ｂ、４ｃとｎドリフト領域３とでチャージバランスをとることで、耐圧低下の防止を図る。 - 特許庁

Then, when the direction of the residual polarization of a piezoelectric body 2 is the same direction (+P), and the direction of the residual polarization of a piezoelectric body 3 is the opposite direction (-P), using the direction (+P) of the residual polarization of a piezoelectric body 1 as a reference, the sensitivity of the electric displacement between the terminals is canceled at λ/4 resonance, and is emphasized at 3λ/4 resonance.例文帳に追加

そして、圧電体１の残留分極の向き（＋Ｐ）を基準として、圧電体２を同方向（＋Ｐ）、圧電体３を逆方向（−Ｐ）とすると、端子間の電気変位は、λ／４共振ではその感度が打ち消され、３λ／４共振においては強調される。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2 is provided on an n-GaAs substrate 1 provided with a bottom face electrode 8, a light emitting part consisting of an n-clad layer 3, an active layer 4 and a p-clad layer 5 is formed on the buffer layer 2, and a p-contact layer 6 is formed on the p-clad layer 5.例文帳に追加

底面電極８が設けられたｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２が設けられ、このバッファ層２には、ｎクラッド層３、活性層４、ｐクラッド層５よりなる発光部が形成され、ｐクラッド層５上にｐコンタクト層６が形成される。 - 特許庁

The abrasive tool 1 includes: a rotary shaft 2 rotating around a shaft core P; and abrasive teeth 3 formed so that a plurality of base ends 3a are continuously provided in the rotary shaft 2 in a circumferential direction of the shaft core P at regular intervals, and also linearly extended in a direction perpendicular to the shaft core P.例文帳に追加

研磨工具１は軸芯Ｐ回りに回転される回転軸２と基端部３ａが回転軸２に連なりかつ軸芯Ｐの周方向に等間隔に複数設けられているとともに軸芯Ｐに対して直交する方向に直線状に延在した研磨歯３とを備えている。 - 特許庁

In a final stage where the pull-in force P is fully enhanced (S5), the wheelchair 2 moved to the fixed area 11 is pulled in by the tension of the pull-in strap 3 where the high-output pull-in force P is applied so as to fix the wheelchair 2 by the high-output pull-in force P.例文帳に追加

引込力Ｐが高められた最終段階では（Ｓ５）、固定領域１１に移動された車椅子２を、高出力の引込力Ｐが加えられた引込ベルト３の張力で引き込むことによって当該車椅子２を高出力の引込力Ｐで固定する。 - 特許庁

Although C', M', Y', and P' of eight lattice points outputted from the color conversion table 10 are subjected to linear interpolation operation by the interpolation operation part 3, and C, M, Y, and P" are outputted, as for P" it is inputted to a black generation means 11, and K is generated and is supplied to a print engine.例文帳に追加

色変換テーブル１０から出力された８個の格子点のＣ′，Ｍ′，Ｙ′，Ｐ′は補間演算部３で線形補間演算が施され、Ｃ，Ｍ，Ｙ，Ｐ″が出力されるが、Ｐ″に関しては、黒生成手段１１に入力され、Ｋが生成されてプリントエンジンに供給される。 - 特許庁