「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

For inquiry on cooking which is made from the cell phone 4 possessed by the user P to the personal computer 30 of the service providing company 3, menu information on selectable cooking is distributed from the personal computer 30 of the service providing company 3 to the cell phone 4 possessed by the user P.例文帳に追加

利用者Ｐの所持する携帯電話機４からサービス提供会社３のパソコン３０への料理に関する問い合わせに対して、選択可能な料理のメニュー情報をサービス提供会社３のパソコン３０から利用者Ｐの所持する携帯電話機４に配信する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 1 has an n-type semiconductor layer 3 provided on a substrate 2; an n-type electrode 4 and a light emitting layer 5 on the n-type semiconductor layer 3; and a p type semiconductor layer 6, a contact electrode 7, a reflecting electrode 8, and a p type electrode 9 sequentially laminated to the light emitting layer 5.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板２にｎ型半導体層３が設けられ、ｎ型半導体層３にｎ電極４および発光層５が設けられ、発光層５に、ｐ型半導体層６と、コンタクト電極７と、反射電極８と、ｐ電極９とが順次積層されている。 - 特許庁

A resin producing process of producing a liquid crystal resin P by melt polymerization of a material M in a polymerization vessel 3, and a resin ejecting process of ejecting the liquid crystal resin P produced in the resin producing process from the polymerization vessel 3 are executed repeatedly for a plurality of lots.例文帳に追加

重合容器３内で原料Ｍを溶融重合させて液晶樹脂Ｐを生成する樹脂生成工程と、この樹脂生成工程で生成された液晶樹脂Ｐを重合容器３から吐出する樹脂吐出工程とが、複数のロットに対して繰り返し実行される。 - 特許庁

The handstand parallel two-wheel vehicle 100 includes a two-wheel vehicle body 1, an ECU 2 capable of detecting a fall of the two-wheel vehicle body 1, an airbag 3 that protects the occupant P riding the two-wheel vehicle body 1 from injury due to fall, and an inflator 4 that expands the airbag 3.例文帳に追加

倒立平行二輪車１００は、二輪車本体１と、二輪車本体１の転倒を検知可能なECU２と、二輪車本体１に乗車している乗員Pを転倒による負傷から保護するためのエアバッグ３と、エアバッグ３を膨張させるインフレータ４と、を備える。 - 特許庁

The ozone water treatment apparatus includes an ozone water-housing tank 2 with an opening 21 formed on the upper side for putting a material P to be processed in and out, a washing apparatus 3 that washes the material P in clear water in an upper part of the ozone water-housing tank 2, and an exhaust device 4 that exhausts air above the washing apparatus 3.例文帳に追加

被処理材Ｐを出し入れする開口部２１が上方に形成されたオゾン水収容槽２と、該オゾン水収容槽２の上部において被処理材Ｐを水洗する水洗装置３と、水洗装置３の上方の空気を排気する排気装置４と、を備えてなる。 - 特許庁

The connection member p is composed by successively stacking the one-conductivity type semiconductor layer 2 and the opposite-conductivity type semiconductor layer 3 and one electrode 4 is formed over the respective opposite-conductivity type semiconductor layers 3 of the long-length projections s and the connection member p.例文帳に追加

この連接部材ｐは一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３とを順次積層して成るものであり、長尺状凸部ｓの各逆導電型半導体層３上および連接部材ｐ上にわたって一方電極４を形成して成る。 - 特許庁

This stationery holder 1 is for fixing the rod-like stationery P including a marker pen and an indication implement in a writing plate of attracting a magnet 3, and includes a holding part 2 having a cylindrical part 4 for holding the rod-like stationery P, and the magnet 3 provided integrally with the holding part2.例文帳に追加

磁石３を吸着可能な筆記板にマーカーペンおよび指示具を含む棒状文具Ｐを固定するための文具ホルダ１であって、棒状文具Ｐを保持する筒状部４を有する保持部２と、保持部２と一体に設けられた磁石３とを備えている。 - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step of causing a current to flow between a conductive substrate 3 having the gallium-nitride-based compound semiconductor 2 containing the p-type impurities formed, while it is soaked in an electrolyte 1 with the substrate 3 as an anode and a cathode 4 for activating the p-type impurities.例文帳に追加

製造方法は、Ｐ型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体２が形成された導電性基板３を、電解液１に浸漬した状態で、前記導電性基板３を陽極として、陰極４との間に電流を流すことで、前記Ｐ型不純物を活性化させる。 - 特許庁

This gardening tag 1 is such that the lower part of a tag body 3 formed in a plate-like form is inserted into soil G planted with a cultivation plant P, and information about the cultivation plant P is indicated on the upper part of the tag body 3, putting out the head on the soil G.例文帳に追加

本発明の園芸用タグ１は、板状に形成されたタグ本体３の下部を栽培植物Ｐが植えられた土壌Ｇに挿し込み、土壌Ｇの上に顔を出しているタグ本体３の上部で栽培植物Ｐに関する情報の表示が可能とされている園芸用タグ１である。 - 特許庁

This automated warehouse 10 is provided with: two-row rack shelves 2 and 3 capable of storing the loads L mounted on a pallet P in storage positions 1 with a plurality of depth numbers set therefor; and a stacker crane 5 capable of supporting the pallet P to be stored in each storage position 1 of the two-row rack shelves 2 and 3 with a fork 4.例文帳に追加

自動倉庫１０は、パレットＰに載せられた荷Ｌを複数の奥行き数が設定された格納位置１に格納できる２列のラック棚２，３と、２列のラック棚２，３のそれぞれの格納位置１に格納されるパレットＰをフォーク４で支持できるスタッカクレーン５とを備える。 - 特許庁

The takeout device 1 comprises a takeout mechanism 3 for taking out postal objects P supplied to a takeout position 20 to carrying passage 10, a separation mechanism 5 for separating the double-fed postal objects P after taken out, and an assisting mechanism 6 provided on the upstream side of the takeout mechanism 3.例文帳に追加

取り出し装置１は、取り出し位置２０に供給された郵便物Ｐを搬送路１０上に取り出す取り出し機構３、取り出された郵便物Ｐの重送を分離する分離機構５、および取り出し機構３の上流側に設けられた補助機構６を有する。 - 特許庁

The shortest line segment connecting either P among the ultrasonic wave effective outgoing point P and the ultrasonic wave effective incident point Q with one arbitrary point R of a metal melting body 3 crosses a join face 9 on one side among opposite faces on which a body to be welded 2 and the metal melting body 3 join mutually.例文帳に追加

超音波有効出射点Ｐと超音波有効入射点Ｑのうちの一方Ｐと、溶金体３の任意の１点Ｒとを結ぶ最短線分は、被溶接体２と溶金体３とが接合する対向面のうちの一方の接合面９に交叉する。 - 特許庁

(n) is 0-3; (p) is 1-3; and m+n+p=4).例文帳に追加

（但し、上記式中Ｒ^^AおよびＲ^cは各々異なっていても同じでもよい炭化水素基、Ｒ^aおよびＲ^bは各々異なっていても同じでもよい炭化水素基またはアルコキシ炭化水素基、Ｘは反応性基または反応性基を有する炭化水素基、Ｓは３〜１、ｍは１〜３、ｎは０〜３、ｐは１〜３、ｍ＋ｎ＋ｐ＝４である。） - 特許庁

The source region 32 of the third semiconductor element 3 is connected to a p+ region 24 through a wiring 50 and connected to the body region (p-form region) 20 of the second semiconductor element 2, while the gate region 33 of the third semiconductor element 3 is connected to the terminal 45 of pulse Vpulse.例文帳に追加

さらに、第３の半導体素子３のソース領域３２が、配線５０を通じてｐ^＋ 領域２４に接続されて、第２の半導体素子２のボディ領域（ｐ形領域）２０に接続され、第３の半導体素子３のゲート領域３３が、パルスＶｐｕｌｓｅ の端子４５ に接続される。 - 特許庁

When a plate-shaped metallic sheet 3 which is a fin material is pressed into a corrugated cross section, the plate-shaped metallic sheet 3 is pressed in order for every one pitch P with a punch 25 provided with divided punches 26, 26, ... which are divided at a pitch P of not longer than one wavelength λ toward the wavelength direction.例文帳に追加

フィン材料としての平板状金属板３を断面波状にプレスする際に、波長方向に向けて一波長λ以下のピッチＰで分割された分割ポンチ２６、２６、・・を備えるポンチ２５によって、平板状金属板３を一ピッチＰごとに順にプレスする。 - 特許庁

The coater 1 is for coating an outside wall W of a building and includes a spray gun 3 having a coating discharge outlet 3a spraying a coating P and at least two laser pointers 7 mounted on the spray gun 3 and radiating laser beams B in the spraying direction D for the coating P.例文帳に追加

建築外壁Ｗを塗装するために使用する塗装機１であって、塗料Ｐを噴射する塗料吐出口３ａを有するスプレーガン３と、スプレーガン３に搭載され、且つ塗料Ｐの噴射方向Ｄに向けてレーザービームＢを照射する少なくとも二つのレーザーポインター７と、を備える。 - 特許庁

An exposure device comprises a gas seal mechanism (3) that generates an air current on a substrate (P) and seals fluid (LQ) filled in an optical path space of exposing light; and a compensation mechanism (5) that compensates temperature change of the substrate (P) resulting from the air current generated by the gas seal mechanism (3).例文帳に追加

露光装置は、基板（Ｐ）上に気流を生成しかつ露光光の光路空間に満たされた液体（ＬＱ）をシールするガスシール機構（３）と、ガスシール機構（３）により生成された気流に起因する基板（Ｐ）の温度変化を補償する補償機構（５）とを備えている。 - 特許庁

A p-layer 6 is formed in a region in an upper layer part of the GaN layer 1 and in the AlGaN layer 2, wherein the region includes a part of the region directly underneath the source electrode 3 and a part of the region directly underneath the gate electrode 5, and the p-layer 6 is connected to the source electrode 3 and to the gate electrode 5.例文帳に追加

また、ＧａＮ層１の上層部及びＡｌＧａＮ層２におけるソース電極３の直下域の一部及びゲート電極５の直下域の一部を含む領域に、ソース電極３及びゲート電極５に接続されるように、ｐ層６を形成する。 - 特許庁

The ribbon guide 3 is provided with parts 3b, 3d inclining against the surface of the print sheet P and reflecting light emitted from the sheet sensor 4 toward a position deviated therefrom when the print sheet P does not exist between the sheet sensor 4 and the ribbon guide 3.例文帳に追加

リボンガイド３には、印字用紙Ｐの紙面に対して傾斜し、印字用紙Ｐが紙検知センサ４と当該リボンガイドとの間に存在しないときに紙検知センサ４から発射された光を紙検知センサ４から外れた位置へ向かって反射させる斜面部３ｂ，３ｄが形成してある。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device is provided with a semiconductor region 3 having light-emitting function having an n-type semiconductor layer 6, an active layer 7, p-type semiconductor layer 8, and p-type auxiliary semiconductor layer 9; and a light reflecting layer 2 made from Ag or an Ag alloy between a supporting conductive substrate 1 and the semiconductor region 3.例文帳に追加

ｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とｐ型補助半導体層９とを有する発光機能を有する半導体領域３と導電性を有する支持基板１との間にＡｇ又はＡｇ合金から光反射層２を設ける。 - 特許庁

Two source-drain regions 2 are formed on the P-type semiconductor substrate 1 and a silicon oxide film 3 is formed as an insulating membrane on the surface of the P-type semiconductor substrate 1 (surface where the source-drain regions 2 are formed), and a gate electrode 4 is provided on the silicon oxide film 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に２つのソース・ドレイン領域２を形成し、Ｐ型半導体基板１の表面（ソース・ドレイン領域２が形成されている面）に絶縁膜としてのシリコン酸化膜３を形成し、そのシリコン酸化膜３の上にゲート電極４を備える。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

A p+-type impurity-diffused high concentration buried layer 3 is formed on an n-type silicon substrate 10, a p-type first epitaxially grown layer 2 is formed on the layer 3, and an n-type impurity diffused layer 1 is formed on the layer 2.例文帳に追加

ｎ型のシリコン基板１０に不純物を拡散したｐ＋型の高濃度の埋込層３を形成し、埋込層３上にｐ型の第１のエピタキシャル成長層２を形成し、第１のエピタキシャル成長層２にｎ型の不純物を拡散した拡散層１を形成する。 - 特許庁

A recording medium value loss processing apparatus (2) includes value loss processing means (3) for performing processing to make a value of a recording medium P itself be lost, and reading means (4) for reading information in the recording medium P at the time of loss processing performed by the value loss processing means (3).例文帳に追加

記録媒体価値喪失処理装置（２）は、記録媒体Ｐ自体の価値を喪失させる処理を行う価値喪失処理手段（３）と、該価値喪失処理手段（３）によって喪失処理される際の記録媒体Ｐの情報を読み取る読み取り手段４と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

In previous conveyance of a large size document P, control is carried out so that an inlet driving roller 3 is rotated reversely for a predetermined time, and then, normally rotated for performing previous conveyance after a lapse of the predetermined time when the document P is inserted into a nip part between the inlet driving roller 3 and an inlet driven roller 4 by a user.例文帳に追加

大サイズの原稿Ｐをプレ搬送する際、ユーザが入口駆動コロ３と入口従動コロ４のニップ部に原稿Ｐを挿入すると、所定時間経過後に入口駆動コロ３が所定時間逆転した後、正転してプレ搬送するように制御する。 - 特許庁

To provide a method for isolating p-nitrobenzyl(4R,5S,6S)-3-[[(3S,5S)-1-(p-nitrobenzyloxycarbonyl)-5-(dimethylaminocarbonyl)-3-pyrrolidinyl]thio]-6-[(1R)-1-hydroxyethyl]-4-methyl-7-oxo-1-azabicyclo[3.2.0]hept-2-ene-2-carboxylate in a short time.例文帳に追加

短時間でｐ−ニトロベンジル （４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−［［（３Ｓ，５Ｓ）−１−（ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル）−５−（ジメチルアミノカルボニル）−３−ピロリジニル］チオ］−６−［（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル］−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボキシレートを単離する方法の提供。 - 特許庁

A specified wiring pattern P is made by setting at least two metallic pieces 3 for wiring to a molding item 2 which is excellent in electric insulation property.例文帳に追加

電気絶縁性が良好な成形品２に、配線用金属片３を少なくとも２片組み付けて所定の配線パターンＰを形成する。 - 特許庁

The n-type silicon region 3 is branched into a plurality of columnar insular regions by the p-type silicon region 5 to form a current passage.例文帳に追加

ｐ型シリコン領域５により、ｎ型シリコン領域３が複数の円柱形状の島状領域に分岐され、電流通路を形成する。 - 特許庁

A delivery conveyor 3 to carry powder and grains F taken out from a storage container 2 to store the powder and grains F to a delivery position P is furnished.例文帳に追加

粉粒体Ｆを収容する貯蔵容器２から取出された粉粒体Ｆを搬出位置Ｐまで搬送する搬出コンベヤ３を具える。 - 特許庁

The p^+-silicon layer 3 is connected to a grounding potential interconnect line GND, and the n^+-type silicon layers 4 are connected to a power supply potential interconnect line VDD.例文帳に追加

そして、Ｐ^＋型シリコン層３を接地電位配線ＧＮＤに接続し、Ｎ^＋型シリコン層４を電源電位配線ＶＤＤに接続する。 - 特許庁

An interconnection 12 to be a global data line is connected to a local data line formed in a p-type well region 3 via a selection transistor ST1.例文帳に追加

グローバルデータ線となる配線１２とｐ型ウェル領域３内に形成されるローカルデータ線とを選択トランジスタＳＴ１を介して接続する。 - 特許庁

An N-channel MOSFET has a p-type well layer (base layer) 2 and an n-type drift layer 3, which are formed on the surface of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴは、半導体層１の表面に形成されたｐ型ウエル層（ベース層）２とｎ型ドリフト層３とを有する。 - 特許庁

The circuit is provided with a series circuit 3 composed of a PTC thermistor P and a smoothing capacitor C in parallel with a load 2, between a rectifying circuit 1 and the load 2.例文帳に追加

整流回路１と負荷２との間に、負荷２と並列にＰＴＣサーミスタＰと平滑コンデンサＣの直列回路３を設ける。 - 特許庁

Mounting holes 1 are formed on the mounting surface 3 of the printed circuit board P, and the leads 2 of the mounting component X are inserted to the mounting holes 1.例文帳に追加

プリント配線板Ｐの実装面３には実装穴１が形成されており、実装部品Ｘのリード２が実装穴１に挿通される。 - 特許庁

VDD wiring 1 is disposed along an n-well 2 in a substrate 10, and GND wiring 3 is disposed along a p-well 4 in the substrate 10.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１は、基板１０内のＮウェル２に沿って配設され、ＧＮＤ配線３は、基板１０内のＰウェル４に沿って配設される。 - 特許庁

The framed wall panel P has the ventilation receiving material 6, to thereby form a ventilation passage 7 between the waterproof moisture permeable sheet 3 and the outer wall panel 5.例文帳に追加

枠組み壁パネルＰは、通気受材６を有することから、防水透湿シート３と外壁パネル５との間に通気路７が形成されている。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

A plurality of emission performance lamps 16 are disposed on a casing 15 or the game board 3 to emit light to the front surface of a Pachinko machine P.例文帳に追加

複数の発光演出用ランプ１６は、筐体１５又は遊技盤３に配置され、パチンコ機Ｐの正面側に向かって発光する。 - 特許庁

On the surface layer of the main surface of the p-type SiC substrate 1, an n^+ source region 2 and an n^+ drain region 3 are formed away from each other.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の主表面での表層部にはｎ^+ソース領域２とｎ^+ドレイン領域３が離間して形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an etching stop layer 6 of p-type In_1-xGa_xAs_yP_1-y (0≤x≤1; 0.32<y≤1) is formed on the active layer 3.例文帳に追加

次いで、活性層３上に、ｐ型Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＡｓ_ｙＰ_１−ｙ（０≦ｘ≦１；０．３２＜ｙ≦１）であるエッチングストップ層６を形成する。 - 特許庁

This circuit is composed of a serial/parallel(s/p) converting part 1, a counter 2, a ROM 3, a selector 4, a selector 5, flip-flops 6 and 7 and a CPU bus 8, etc.例文帳に追加

シリアル−パラレル変換部１、カウンタ２、ＲＯＭ３、セレクタ４、セレクタ５、フリップフロップ６および７、ＣＰＵバス８などから構成される。 - 特許庁

As a result, even when an interference wave p is reached in the process of making the handset 3 away from the connector 2 (state B), the communication is not affected by the interference wave.例文帳に追加

この結果、子機３が接続装置２から遠ざかる過程で（状態Ｂ）妨害波ｐが届いても、これに影響されることがなくなる。 - 特許庁

In the case of using a sensor P as a wheel sensor, it is mounted to a baring cover 3 via an elastic sealing material 17 such as an O-ring by fitting.例文帳に追加

このセンサＰを車輪センサとする場合には、ベアリングカバー３にＯリングなどの弾性シール材１７を介在して嵌合により取付ける。 - 特許庁

The rack member 3 can be fixed to the holding block 2 at an optional relative position and thus, the inclination of the Pachinko game machine P is varied.例文帳に追加

ラック部材３は、保持ブロック２に対して任意の相対位置で固定でき、それにより、パチンコ遊技機Ｐの傾斜を変えるようになっている。 - 特許庁