「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Push-out members P are inserted into the cylindrical holes of the cylindrical projections 3 from the rear surface of the plate 1 and the block members 7 for display are pushed up by the top ends of the push-out members P, by which the block members can be detached from the cylindrical projections 3 of the plate 1.例文帳に追加

プレート１の裏面から筒状突起３の筒孔内に押出し部材Ｐを差し込み押出し部材Ｐの上端で表示用ブロック部材７を押し上げてプレート１の筒状突起３から離脱可能に構成してある。 - 特許庁

In such a Schottky diode, each p-type diffusion layer 3 is pinched off by a depletion layer extending from the lower region 3b of each p-type diffusion layer 3 and a field is relaxed in the reverse direction.例文帳に追加

このようなショットキーダイオードにおいては、各ｐ型拡散層３の下部領域３ｂから伸びる空乏層によって各ｐ型拡散層３の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。 - 特許庁

In a first p-type contact layer 106, a light emitting element sample wherein a growth temperature is varied in a range of 780-1,000°C, and a Mg concentration of the first p-type contact layer 106 is varied in a range of 2×10^19-8×10^19/cm^3 is manufactured.例文帳に追加

第１ｐ型コンタクト層１０６について、成長温度を７８０〜１０００℃の範囲、第１ｐ型コンタクト層１０６のＭｇ濃度を２×１０^19〜８×１０^19／ｃｍ^3 の範囲で変化させた発光素子サンプルを作製する。 - 特許庁

An ESD protection element 4 comprising an n channel MOS transistor is formed in the p well 2, and an ESD protection element 14 comprising a p channel MOS transistor is formed in the n well 3.例文帳に追加

また、Ｐウエル２にＮチャネルＭＯＳトランジスタからなるＥＳＤ保護素子４を形成し、Ｎウエル３にＰチャネルＭＯＳトランジスタからなるＥＳＤ保護素子１４を形成する。 - 特許庁

Then an electroless plated low-concentration Ni-P film 30, which contains phosphorus at a rate of 3 wt.% or lower, has a thickness of 0.5-10 μm, and covert the high concentration Ni-P film 30, is provided.例文帳に追加

３重量％以下の濃度でリンを含有し、０．５〜１０μｍの膜厚で無電界高濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜３０を覆う無電界低濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜３２を設ける。 - 特許庁

An image pickup sensor 3 is provided with a plurality of light-receiving elements P which are two-dimensionally arranged, and a filter for transmitting the light of a specific wavelength band is attached on each of the light-receiving elements P.例文帳に追加

撮像センサ３は複数の受光画素Ｐを２次元に配列して備えており、各受光画素Ｐにはそれぞれ、特定の波長帯の光を透過するフィルタが付されている。 - 特許庁

An image pickup camera 3 is fixed at an upper position of the eyes of a worker P so as to include the work position of the worker in an image pickup screen when the worker P is in a posture to see the work position.例文帳に追加

作業者Ｐの目の上方位置に、作業者Ｐが作業位置を見る姿勢を取るとその作業位置が撮像画面内に入るように撮像カメラ３が固定されている。 - 特許庁

This device 2 is provided with a contact layer 5 composed of p-BeTe, a cap layer 4 on the contact layer 5 which layer 4 is composed of p-ZnSe, and an electrode 3 on the cap layer 4.例文帳に追加

この装置２は、ｐ−ＢｅＴｅからなるコンタクト層５と、コンタクト層５上のｐ−ＺｎＳｅからなるキャップ層４と、キャップ層４上の電極３とを備えている。 - 特許庁

Since light emitted by an illuminating device 3 is removed by optical filters of liquid crystal shutter glasses 2 worn by an appreciator P, it is difficult for the appreciator P to recognize this light.例文帳に追加

照明装置３が発する光は、鑑賞者Ｐが装着する液晶シャッター眼鏡２の光学フィルターによって除去されるため、この光は、鑑賞者Ｐに認識されづらい。 - 特許庁

When the film 4 is formed by the P-CVD method and/or the temperature is raised after the formation of the Si_3N_4 insulating film 4, pinholes P are formed through the film 4 from the surface of the film 4 to a GaN layer 3.例文帳に追加

この-CVD法によるSi_3N_4膜４の形成時、および／もしくは、形成後温度上昇をさせた際に、該Si_3N_4膜４にその表面からGaN層３に貫通するピンホールＰが生じる。 - 特許庁

When light radiated from a light source 1 passes a polarizing plate 2, only p-polarized light thereof passes the plate 2, and p-polarized light is condensed by an incidence side lens 3 and enters a prism 4.例文帳に追加

光源１から放射された光は偏光板２を通過すると、ｐ偏光光のみが通過し、このｐ偏光光は入射側レンズ３で集光されてプリズム４に入射される。 - 特許庁

When the video 21 is an interlaced image, the motion adaptive interpolation part 31 of an I/P conversion and scaling part 3 executed I/P conversion by the adaptive motion and executes magnification and contraction processings in addition.例文帳に追加

Ｉ／Ｐ変換・スケーリング部３の動き適応補間部３１は映像２１がインタレース画像の場合、動き適応によるＩ／Ｐ変換を行い、さらに拡大・縮小の処理を行う。 - 特許庁

X_dec=d/p, here, d is distance from the center C of the fuel lattice to the center-of-gravity position G of the spectral shift rod 3, and p is distance between the centers of the fuel rods 1.例文帳に追加

Ｘ_ｄｅｃ＝ｄ／ｐ ここで、ｄは、燃料格子の中心Ｃからスペクトルシフトロッド３の重心位置Ｇまでの距離であり、ｐは燃料棒１の中心間距離である。 - 特許庁

Moreover, the inkjet head 3 has nozzles 23e set to emit a transparent liquid onto the periphery of the printing paper P when the printing paper P is arranged in the region A.例文帳に追加

さらに、このインクジェットヘッド３には、領域Ａに印刷用紙Ｐが配置されているときに、印刷用紙Ｐの周囲に、透明な液体を放出するノズル２３ｅが設けられている。 - 特許庁

An adhesive layer 4, constituted of, for example, a P-SiO film, a P-SiON film or PE-SiO film, is formed between the fluorinated silicate glass film 3 and the silicon nitride film 5.例文帳に追加

そして、フッ素化ケイ酸塩ガラス膜３とシリコン窒化膜５との間に、例えばＰ−ＳｉＯ膜、Ｐ−ＳｉＯＮ膜、またはＰＥ−ＳｉＯ膜からなる接着層４が形成される。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed on the upper surface of a p-type region 2 in the p-type region 2 and an n-type region 3 formed adjacent in a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4.例文帳に追加

シリコン基板１内に隣接して形成されたＰ型領域２とＮ型領域３のうちＰ型領域２の上面に、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極５を形成する。 - 特許庁

The source region 3 has a p- impurity region 3a and an n+ impurity region 3b, and the drain region 4 has a p- impurity region 4a and an n+ impurity region 4b.例文帳に追加

ソース領域３は、ｐ^-不純物領域３ａと、ｎ^+不純物領域３ｂとを有し、ドレイン領域４は、ｐ^-不純物領域４ａと、ｎ^+不純物領域４ｂとを有する。 - 特許庁

Consequently, the p-type RESURF layer 21 can be connected to the p-type base region 3 without requiring oblique ion implantation even if the side wall of the recess 20 is steep.例文帳に追加

これにより、凹部２０の側壁が急峻であったとしても、斜めイオン注入を行うことなく、ｐ型ベース領域３に対してｐ型リサーフ層２１を接続することができる。 - 特許庁

A P-MOS TR 3 acts like a charging current source that is controlled by a charging current control circuit 1 when a level of an input signal is a power supply level, and is turned off when the input signal is at a ground GND level.例文帳に追加

P-MOSトランジスタ３は、入力信号が電源レベルの時、充電電流制御回路１により制御される充電電流源として動作し、GNDレベルの時はオフになる。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 away from the N-type well 3.例文帳に追加

Ｎ型ウエル３とは間隔をもってＰ型半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたＮ型拡散層９及びＰ型拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁

The groove-embedded gate electrode 3 is provided to a substrate equipped with a p-type well layer 2, a p-type channel doped layer 4, and n-type diffusion layers 5 serving as a source region and a drain region.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２と、ｐ型チャネルドープ層４と、ソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散層５とを有する基板に溝埋め込み型のゲート電極３が設けられている。 - 特許庁

The input unit 3 accepts, as a first section data, a group of ultrasonic images corresponding to at least one heart beat of a subject P among ultrasonic image groups corresponding to a plurality of heart beats of the subject P.例文帳に追加

入力部３は、被検体Ｐの複数心拍分の超音波画像群から、少なくとも１心拍分の超音波画像群を第１の部分データとして受け付ける。 - 特許庁

The corresponding location A of the recording medium P is selectively heated in synchronism with the toner 6 having the unfixed image in the width direction orthogonal to the carrying direction of the recording medium P of the fixing roller 3.例文帳に追加

記録媒体Ｐの搬送方向と直交する定着ローラ３の幅方向で未定着画像であるトナー６と同期して記録媒体Ｐの対応部位Ａを選択的に加熱する。 - 特許庁

The 8 boundary points P of the 'original image 3G' and the 'tray image 4G' are detected, and an angle θ of rotation of the original 3 with respect to the original tray 4 is calculated from the coordinates of each boundary point P.例文帳に追加

「原稿画像３Ｇ」と「トレー画像４Ｇ」との８つの境界点Ｐを検出し、各境界点Ｐの座標から原稿３の原稿トレー４に対する回転角θを算出する。 - 特許庁

The fixing device 1 fixes a toner image on the transfer material P by making the transfer material P pass through a nip part N being a press-contact part between a fixing roller 2 and a pressure member 3 which are paired.例文帳に追加

定着装置１は、対をなす定着ローラ２および加圧部材３の圧接部分のニップ部Ｎを通過させることによって、転写材Ｐ上のトナー像を定着させている。 - 特許庁

At the low layer part of a p-type well layer 5, heavily doped p^+ type region 11 is provided at a position deeper than a trench 3 (element isolation part and so as to connect a contact region 10 from a transistor part.例文帳に追加

ｐ型ウェル層５の下層部において、トレンチ３（素子分離部）よりも深い位置で、かつ、トランジスタ部からコンタクト領域１０を繋ぐように高濃度のｐ^+型領域１１を備える。 - 特許庁

A soft magnetic underlayer 3 composed of an Ni-P alloy containing 0.5 to 6wt% P formed by an electroless plating method is formed on the nonmagnetic substrate 1.例文帳に追加

非磁性基体１上に、無電界めっき法により形成した０．５ｗｔ％以上６ｗｔ％以下のＰを含むＮｉ−Ｐ系合金からなる軟磁性下地層を形成する。 - 特許庁

A cover member 4 of this fastener structure is located to cover the open/close part 1, a fastener piece 2 and a slide 3, and is fixed to the member body P with the periphery sewn to the member body P.例文帳に追加

このファスナー構造のカバー部材４は、開閉部１及びファスナー片２，スライダー３を内包するように配置され、周縁部が部材本体Ｐに縫合されて固定されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

Then, the die 1 is lowered by compressing the powder P with an upper punch 2, so that the powder P is compressed by the upper and lower punches 2 and 3 at a given molding pressure.例文帳に追加

次いで、上パンチ２で粉末Ｐを圧縮することによりダイ１の下降を生じさせ、上下のパンチ２、３で粉末Ｐが所定の成形圧力で圧縮されるようにする。 - 特許庁

A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-半導体層の内部には、ｎ^-半導体層２の上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけて、ｎＭＯＳ領域２０２を区分するｐ不純物領域３が設けられている。 - 特許庁

Also, the heating and cooling means 3 are electrothermal converting elements obtained by making P-type Peltier elements and N-type Peltier elements as pairs and are arranged at the positions opposing to the reaction cells 2 in the lattice shape.例文帳に追加

また、加熱・冷却手段３は、P型ペルチェ素子およびN型ペルチェ素子を1対とする電—熱変換素子とし、これを反応セル２に対向する位置に格子状に配置したものである。 - 特許庁

Screen printing is used to form on a passivation film 5, an N electrode 10 which is electrically connected to an N+ layer 4 and a P electrode contact 8 which is electrically connected to a P+ layer 3.例文帳に追加

スクリーン印刷によって、パッシベーション膜５上にＮ＋層４と電気的に接続されるＮ電極１０と、Ｐ＋層３に電気的に接続されるＰ電極コンタクト８が形成される。 - 特許庁

On an n-type semiconductor substrate 1, a first p-type well 3 and a second p-type well 4 electrically separated by an n-type well 2, and an element isolation film 5 are formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１上に、Ｎ型ウェル２で互いに電気的に分離された、第１のＰ型ウェル３と第２のＰ型ウェル４および素子分離膜５が形成されている。 - 特許庁

Since the recording medium P comes into surface contact with the rollers 3, large braking force suppressing the lateral positional shift of the recording medium P in an image forming area is obtained.例文帳に追加

ローラ２１，２１に対して記録媒体Ｐが面接触するので、画像形成領域における記録媒体Ｐの幅方向の位置ずれを抑制する大きな制動力が得られる。 - 特許庁

Since ion energy of the plasma P can be reduced while obtaining high density plasma P, damage on the surface of the susceptor 3 can be minimized while performing a good cleaning.例文帳に追加

これにより、高密度なプラズマＰを得ながらそのプラズマＰのイオンエネルギーを低減させることができるため、良好なクリーニングを行いつつサセプタ３の表面の損傷を抑えることができる。 - 特許庁

Phenol which is particularly effective includes p-chloro-m-xylanol, thymol, triclosan, 4-chloro, 3-methylphenol, pentachlorophenol, hexachlorophene, 2.2-methyl-bis(4-chlorophenol), and p-phenylphenol.例文帳に追加

特に有効であるフェノールとしては、ｐ−クロロ−ｍ−キシラノール、チモール、トリクロサン、４−クロロ，３−メチルフェノール、ペンタクロロフェノール、ヘキサクロロフェン、２，２−メチル−ビス（４−クロロフェノール）およびｐ−フェニルフェノールが挙げられる。 - 特許庁

Specifically, a pump P for circulating bathtub water within the reheating circulation pipe line 3 is arranged in the merged part 7, and the bactericidal metallic ion generator 6 is provided within the pump P.例文帳に追加

具体的には、合流部７に浴槽水を追焚き循環管路３内に循環させるポンプＰが配設され、このポンプＰ内に殺菌性金属イオン発生装置６が設けられる。 - 特許庁

Printing is performed on the second surface of the paper P on the paper delivery/feeding cassette 2 of the opening/closing type cassette base 3 and the paper P is delivered to the paper delivery/feeding cassette 2 on the paper delivery tray 5 again.例文帳に追加

開閉式カセット台３の排・給紙カセット２上の用紙Ｐの第２面に印刷が実行され用紙Ｐは再び排紙トレー５上の排・給紙カセット２に排出される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type 3-5 compound semiconductor wherein contact resistance between a compound semiconductor layer doped with a p-type dopant and an electrode metal is reduced.例文帳に追加

ｐ型ドーパントがドープされた化合物半導体層と電極金属との接触抵抗を低減せしめたｐ型３−５族化合物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polished surface P side of the polyurethane sheet 2 is subjected to buffing so that the total thickness of the polyurethane sheets 2, 5 become uniform, and the foams 3 of the polyurethane sheet 2 are opened on the polished surface P.例文帳に追加

ポリウレタンシート２の研磨面Ｐ側は、ポリウレタンシート２、５の全体の厚さが一様となるようにバフ処理されており、ポリウレタンシート２の発泡３は研磨面Ｐで開口している。 - 特許庁

An anion exchange membrane 5 may be used as a diaphragm P, and chloride ions contained in the wastewater in the cathode side treatment process may be moved to the anode side 3 and reduced.例文帳に追加

前記隔膜Pとしてアニオン交換膜５を用い、陰極側処理工程で排水中に含有される塩化物イオンを陽極側３へと移動させて低減するようにしてもよい。 - 特許庁

(expression 6) is added to the set Z (806).例文帳に追加

Lに含まれる各線分l_i、l_jに関して、l_i⇔_il_jであれば[ρ'(I(l_i,l_j),l_i)=0](式3)をZに加え(803)、l_i⇔_jl_jであれば[ρ'(I(l_i,l_j),l_j)=0](式4)をZに加え(804)、l_i⇔θl_jであれば[θ'(l_i)=θ'(l_j)](式5)をZに加え(805)、l_i><l_jであれば[p'(l_i)・σ≦l'_j(ρ(p(l_i),l_j))・σ](式6)をZに加える(806)。 - 特許庁