「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Even if the surfaces of the arc contact 3 and an arc contact 4 are rubbed against each other to generate fine metal particles p and they flow into a neighboring space 19 near the movable arc contact 3, the metal particles p are carried away by a gas flow D flowing through the communication hole 16 and discharged to the interior of the movable arc contact 3.例文帳に追加

アーク接触子３、４の表面が擦れ合って微小な金属粒子ｐが発生し、これが可動アーク接触子３の近傍スペース１９に流れ込んだとしても、金属粒子ｐは連通穴１６を抜けるガス流Ｄに乗って可動アーク接触子３の内側に排出される。 - 特許庁

A paper discharge guide plate 3 is curved in the orthogonal direction to the direction of conveyance of a sheet P when approaching a discharge port 7 side, and the sheet P is curved so that it protrudes upward for a sheet loading part 6 in order to give the stiffness of the sheet P and discharge it.例文帳に追加

排紙ガイド板３は、排出口７側へ向かうに連れてシートＰの搬送方向と直交方向に湾曲し、シート積載部６に対して上方に凸となるようにシートＰを湾曲させてコシを持たせて排出できる。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2, an InGaN multi-quantum well active layer 3, a p-type AlGaN electronic barrier layer 4, a p-type AlGaN/GaN strain superlatticed layer 5 and a p-type GaN contact layer 6 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１の上にｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層４、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ歪超格子層５及びｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次形成されている。 - 特許庁

When the leading end of a transfer material P passes through the fixing section 2, the velocity V at which a transfer material P is conveyed through the fixing section 2 is controlled by a control section 3 so as to be a velocity V1 higher than the velocity Vo at which the transfer material P is conveyed through the transfer section 1.例文帳に追加

制御部３により、定着部２における転写材Ｐの搬送速度Ｖは、転写材Ｐの先端部が定着部２を通過する際、転写部１における転写材Ｐの搬送速度Ｖｏより速い速度Ｖ１に制御される。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

To reduce the series resistance of a differential voltage controlled variable capacitor, a p-type electrode embedded on an n-type semiconductor 25 is divided into a first p-type electrode 3 and a second p-type electrode 9 and they are made compact.例文帳に追加

差動型電圧制御可変容量の直列抵抗を低減するため、Ｎ形半導体２５上に埋め込まれたＰ型電極を、第１Ｐ型電極３と第２Ｐ型電極９として複数個に分割して形成し、かつ小型化する。 - 特許庁

A silicon oxide layer 5 and a trapezoidal projection p-type GaN layer 6' are formed on an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4, and a transparent electrode layer 7 and a reflecting electrode layer 8 are formed on the silicon oxide layer 5 and the trapezoidal projection p-type GaN layer 6'.例文帳に追加

ｎ型GaN層２、活性層３、ｐ型GaN層４上に酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’を設け、酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’上に透明電極層７及び反射電極層８を設ける。 - 特許庁

The surface layer of an n^--type drift layer located below a recess 20 in a p-type RESURF layer 21 is connected, by migration of SiC, to a part formed on the surface layer of a p-type base region 3 in the p-type RESURF layer 21.例文帳に追加

ＳｉＣのマイグレーションによってｐ型リサーフ層２１のうち凹部２０の下方に位置するｎ^-型ドリフト層２の表層部と、ｐ型リサーフ層２１のうちｐ型ベース領域３の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。 - 特許庁

Crushed pieces P charged in a treatment tank 3 are stirred by a rotary member 7 to be raised in temp. by the mutual friction or collision of the crushed pieces P or the friction and collision of the crushed pieces with the inner wall of the treatment tank to peel the coating films on the surfaces of the crushed pieces P.例文帳に追加

処理槽３内に投入された粉砕片Ｐを回転部材７にて撹拌して、粉砕片Ｐ，Ｐ同士もしくは槽内壁との摩擦や衝突によって昇温させて、粉砕片Ｐの表面の塗膜を剥離させる。 - 特許庁

A plug inspection/changing line 6 for inspecting the plug P and changing the plug P as necessary is interposed between a cooling line 5 and a first conveying line 3 for conveying the core bar M on which the plug P after cooling is mounted to the piercing/rolling line 2.例文帳に追加

冷却ライン５と、冷却後のプラグＰを装着した芯金Ｍを穿孔圧延ライン２迄搬送する第１の搬送ライン３の間に、プラグＰの点検と必要時にプラグＰの交換を行うプラグ点検・交換ライン６を介在させる。 - 特許庁

A parasitic pnp transistor is arranged where p-type emitters 27 and 28 are formed in the n-type well 12 at a position near the ends of the p-type well 13, the n-type well 12 is set to be a base, and the p-type well 13 to be the collector and the base is connected to the Vdd terminal 3.例文帳に追加

ｐ型ウェル１３の端部に近い位置でｎ型ウェル１２内にｐ型エミッタ２７，２８が形成され、ｎ型ウェル１２をベース、ｐ型ウェル１３をコレクタとし、ベースがＶｄｄ端子３に接続された寄生ｐｎｐトランジスタが設けられる。 - 特許庁

The action of placing the substance P to be treated on the vacant placement position in condition that at least one placement position is vacant, and next, taking out the substance P to be treated at the point of time when the treatment time has passed out of the substances P to be treated placed on the support 3 is repeated.例文帳に追加

少なくとも１つの載置位置が空である状態において、空の載置位置に被処理物Ｐを載置し、次に支持台３に載置されている被処理物Ｐのうち処理時間が経過した時点で被処理物Ｐを取り出すことを繰り返す。 - 特許庁

In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a.例文帳に追加

ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。 - 特許庁

Breakdown voltage can be enhanced by forming a heavily doped P type guard ring region 5 having a depth of 2 μm and an impurity concentration of 1×10^16/cm^3-6×10^17/cm^3 in a lightly doped N type epitaxial layer 2.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピタキシャル層２に、深さ２μｍ、不純物濃度１×１０^16／ｃｍ^3〜６×１０^17／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型ガードリング領域５を形成することにより、耐圧を高くすることが可能となる。 - 特許庁

Here, the impurity concentration of the P silicon substrate 3 is 1×10^16 cm^-3 or more (specific resistance is 1.5 Ω-cm or lower) when fixed to a ground electric potential while 1×10^15 cm^-3 or less (specific resistance is 15 Ω-cm or higher) in a floating state.例文帳に追加

ここで、Ｐシリコン基板３の不純物濃度は、グランド電位に固定されるときは１×１０^16ｃｍ^-3以上（比抵抗１．５Ω−ｃｍ以下）、フローティング状態にされるときは１×１０^15ｃｍ^-3以下（比抵抗１５Ω−ｃｍ以上）とする。 - 特許庁

In the recording medium P the surface on which images are formed is covered by the lamination LM consisting of the surface protective layer 3.例文帳に追加

記録媒体Ｐは、画像形成した表面が、表面保護層３からなるラミネートＬＭによって被覆される。 - 特許庁

A first electrode 6 is electrically connected to each of the p-type region 4 and the second n-type region 3.例文帳に追加

第１の電極６は、ｐ型領域４と第２のｎ型領域３との各々に電気的に接続されている。 - 特許庁

The void part 33 is arranged on an inner side than an intermediate position P in a thickness direction of the outer peripheral wall part 3.例文帳に追加

空隙部３３は、外周壁部３における厚み方向の中間位置Ｐよりも内側に設けられている。 - 特許庁

This linear material latching tool is provided with a fixed part 2 to be fixed to a flag staff P, and a pair of wedge parts 3 connected to the fixed part 2.例文帳に追加

旗竿Ｐへの固定部分である固定部２と、固定部２に連設された一対のくさび部３とを備える。 - 特許庁

The silicide layer 4 is formed on the top surfaces of the n-type and p-type polysilicons 2, 3 wherefrom their peripheral edges are excluded.例文帳に追加

シリサイド層４は、ｎ型及びｐ型のポリシリコン２，３上面における周縁部を除く部位に形成されている。 - 特許庁

Cartridge holding means 6, 7 are provided for holding the cartridges 3, 4 supported by a punch frame 5 and located at a press position P.例文帳に追加

パンチフレーム５に支持されプレス位置Ｐに位置するカートリッジ３，４を保持するカートリッジ保持手段６，７を設ける。 - 特許庁

A polarizing prism 3 separates low coherence light generated in a broadband luminous source 7 into p-polarized light and s-polarized light.例文帳に追加

広帯域光源７にて発生した低コヒーレンス光は、偏光プリズム３にてｐ偏光とｓ偏光に分離される。 - 特許庁

Then, a P-type body layer 6 is formed in every other line in the N-type well layer 2 held between the plurality of trenches 3.例文帳に追加

次に前記複数のトレンチ３に挟まれたＮ型ウエル層２に１列おきにＰ型ボディ層６を形成する。 - 特許庁

The slit 3 is composed of a line-and-space pattern P having a pitch smaller than the resolution limit of the reducing stepper.例文帳に追加

スリット３を、縮小投影露光装置の解像限界以下のピッチを有するラインアンドスペースパターンＰにより構成する。 - 特許庁

The direction of major axis of outgoing light of the LD4 is formed in major axis direction P of effective diameter 3x of the cap 3.例文帳に追加

ＬＤ４の出射光の長軸方向は、キャップ３の有効径３ｘの長軸方向Ｐに形成されている。 - 特許庁

A generator G is connected to an operating member 3 connected to the brake operating element P, through a speed increase transmission means 12.例文帳に追加

ブレーキ操作子Ｐに連結される作動部材３に、増速伝達手段１２を介して発電機Ｇが連結される。 - 特許庁

First, the pressure in a precipitation vessel 4 is decreased to convey a precipitate P in a cleaning vessel 3 to the precipitation vessel 4.例文帳に追加

まず、沈殿槽４内の圧力を減少させて、洗浄槽３内の沈殿物Ｐを、沈殿槽４内に移送する。 - 特許庁

P-well regions 3 and n^+ source regions 4 are selectively provided in a surface layer of an n^- drift region 2.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域２の表面層には、ｐウェル領域３およびｎ^+ソース領域４が選択的に設けられている。 - 特許庁

Paper sheets P stacked in a right tray 1 are fed to an image forming part 4 one by one using a paper sheet feeding part 3.例文帳に追加

右トレイ１に積載されている用紙Ｐを給紙部３によって一枚ずつ画像形成部４に給紙する。 - 特許庁

In the printing part 3, a target part to be exposed in the printing paper P is irradiated with a light so as to form the image.例文帳に追加

焼付処理部３は、画像を形成するために印画紙Ｐの露光ターゲット部分に対して光を照射する。 - 特許庁

This agent contains 1-(p-chlorobenzoyl)-5-methoxy-2- methylindole-3-acetic acid as an active ingredient.例文帳に追加

１−（ｐ−クロロベンゾイル）−５−メトキシ−２−メチルインドール−３−酢酸を有効成分として含有する乾癬治療剤。 - 特許庁

The first header 3 is provided with a partitioning wall for partitioning the inside in the tube arrangement direction to define a plurality of sections P.例文帳に追加

第一ヘッダ３には、その内部をチューブ配列方向に仕切って複数の区画Ｐを形成する仕切壁を設ける。 - 特許庁

The translucent substrate 3 has a lead (conductive part) 21 connected with p-type and n-type electrodes of the light-emitting devices 2.例文帳に追加

透光性基板３が有したリード（導電部）21に発光素子２のｐ側電極及びｎ側電極を接続する。 - 特許庁

The spacer is moved when the connection bolt P in the through hole 3 is along an inclination of the locking bolt 4.例文帳に追加

挿通孔３内の連結ボルトＰが係止突起４の傾斜に沿ったときにスペーサーが移動するように設ける。 - 特許庁

The camera body 3 is capable of turning around a rotary axis P approximately vertically crossing the rotational symmetry axis C.例文帳に追加

カメラ本体３は、回転対称軸Ｃとほぼ垂直に交わる回転軸Ｐを中心として回動可能である。 - 特許庁

A soft synthetic resin film bag body P is formed which has a front side face 1, a back side face 2 and a bottom 3.例文帳に追加

前側面１と後側面２と底部３とを有する柔軟な合成樹脂製フィルムの袋体Ｐを形成する。 - 特許庁

An energizing path for cooling is formed between an among the N-type pattern 3, the discharge electrode 6 and the P-type pattern 4.例文帳に追加

そして、Ｎ型パターン３、放電電極６及びＰ型パターン４の間に、冷却用の通電経路を設ける。 - 特許庁

The small window has a holder 2 engagingly fitted to a fitting hole 1 of a door panel P and a window plate 3 supported in the holder 2.例文帳に追加

ドアパネルＰの装着穴１に係合装着されるホルダー２と、ホルダー２に支持される窓板３とを有する。 - 特許庁

A polarization beam splitter 3 allows a P polarization component of the incident laser beams to transmit and an S polarization component thereof to reflect.例文帳に追加

偏光ビームスプリッタ３が、入射するレーザビームのＰ偏光成分を透過させ、Ｓ偏光成分を反射する。 - 特許庁

An n^+ impurity region 3 and a p^+ impurity region 4 are interconnected and connected to a peripheral circuit 50.例文帳に追加

ｎ^+不純物領域３及びｐ^+不純物領域４は互いに接続され、かつ周辺回路５０に接続されている。 - 特許庁

Particles are sputtered from targets 21a, 21b, and a p-layer 3 consisting of a Cu_2O film is deposited on the substrate 1.例文帳に追加

これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。 - 特許庁

Further, a PTFE content in the Ni-P plated layer is preferably 3% or more.例文帳に追加

さらに、前記めっき層は、Ｎｉ−Ｐめっき層の中におけるＰＴＦＥの含有率が３％以上であることが好ましい。 - 特許庁

The radio device 3 transmits the interference power I_j and the signal-to-noise and interference ratio SINR^P to the radio device 5.例文帳に追加

無線装置３は、干渉パワーＩ_ｊおよび信号対雑音干渉比ＳＩＮＲ^Ｐを無線装置５へ送信する。 - 特許庁

A control voltage VT whose potential is higher than the potentials of the p^+ diffusion regions 2 and 3 is applied to the n well 1.例文帳に追加

ｎウェル１に，ｐ^+ 拡散領域２，３の電位より高電位な制御電圧ＶＴが印加されるようにする。 - 特許庁

The irradiating direction is the width direction (axial direction) orthogonal to the carrying direction of the recording medium P of the fixing roller 3.例文帳に追加

照射方向は記録媒体Ｐの搬送方向と直交する定着ローラ３の幅方向（軸方向）とする。 - 特許庁