「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A P^+-type body region 4 is formed at the surface layer section of an N-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３の表層部には、Ｐ^＋型のボディ領域４が形成されている。 - 特許庁

An N+-type emitter region 5 is formed on the surface of the substrate within the P-type base region 3.例文帳に追加

Ｐ型ベース領域３内の基板表面にＮ^+型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

Permanent magnets 20 are pinched by magnetic plates 1, 3 in the direction parallel to the axis of rotation P.例文帳に追加

回転軸Ｐに平行な方向で永久磁石２０は磁性板１，３に狭持されている。 - 特許庁

In the example of N=4 and (p=2, q=3, r=1), an orbit having the cycle of 2^4 exists (Figure A).例文帳に追加

Ｎ＝４で（ｐ＝２，ｑ＝３，ｒ＝１）の例では、２^4の周期を持つ軌道が存在する（図１Ａ）。 - 特許庁

A shifter 4 transfers the product P under the standing state from the rotating plate 3 to the inside of a container 1.例文帳に追加

シフター４は起立状態の製品Ｐを回動板３からコンテナ１の内側に移送する。 - 特許庁

Thus, a radio wave propagation path P between the base station 3 and a mobile station 4 is changed temporally.例文帳に追加

これにより基地局３と移動局４間の電波伝搬路Ｐは時間的に変化する。 - 特許庁

Cooling water in a cooling tower 1 is circulated in an absorption refrigerator 3 by a pump P.例文帳に追加

冷却塔１内の冷却水は、ポンプＰにより、吸収式冷凍機３に循環される。 - 特許庁

The on-vehicle device 1 presents the retrieval result received from the information analysis server 3 to the user P.例文帳に追加

車載装置１は、情報解析サーバ３から受信した検索結果をユーザＰへ提示する。 - 特許庁

OPTICALLY ACTIVE 1-(P-MENTH-3'-YL) ETHANOL AND PERFUME CONTAINING THE SAME AS ACTIVE INGREDIENT例文帳に追加

光学活性な１−（ｐ−メンタ−３’−イル）エタノール及びそれを有効成分とする香料 - 特許庁

A p^+ isolation layer 3 is formed to isolate the epitaxial layer 2 into a plurality of island regions.例文帳に追加

エピタキシャル層２を複数の島領域に分離するためのＰ＋分離層３が形成されている。 - 特許庁

A rear belt B2 is provided on the heel cup H, the rear parts of the paired pillars P or the heel plate 3.例文帳に追加

後ベルトＢ２は、ヒールカップＨ、１対のピラーＰの後部または踵プレート３に設けられる。 - 特許庁

A semiconductor layer 3 is formed on a P^+-type silicon substrate 2 forming a drain region.例文帳に追加

ドレイン領域をなすＰ^+型のシリコン基板２の上には、半導体層３が形成されている。 - 特許庁

A p^- type active layer 3 has a thick portion and a thin portion.例文帳に追加

ｐ−型活性層３は、厚さの大きい肉厚部分と厚さの小さい肉薄部分とを有する。 - 特許庁

An integrated sensor P is pressure-welded to a bearing cover 3 by fitting and tightening with nuts.例文帳に追加

この一体化したセンサＰを嵌合とともにナット締めでベアリングカバー３に圧接して取付ける。 - 特許庁

In a semiconductor laser, a stripe-like contact layer 3 is provided on a p-type compound semiconductor substrate 1 or a p-type semiconductor layer 2, and a light-emitting layer forming section 12 is provided on the contact layer 3, so that a p-type clad layer 4 comes into contact with the section 12.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板１上またはｐ形半導体層２上にストライプ状のコンタクト層３が設けられ、ストライプ状のコンタクト層３上にｐ形クラッド層４が接するように発光層形成部１２が設けられている。 - 特許庁

A main circuit wiring 4 comprises a P-side wiring 41 for connection between the P terminal of a rectifier 3 and the P-terminal of an inverter 6, and an N-side wiring 42 for connection between the N-terminal of the rectifier 3 and the N terminal of the inverter 6.例文帳に追加

主回路配線４は、順変換器３のＰ端子と逆変換器６のＰ端子とを接続するＰ側配線４１、および、順変換器３のＮ端子と逆変換器６のＮ端子とを接続するＮ側配線４２からなる。 - 特許庁

The P-type of input protective circuit forming part 3 is provided in an N-type of well 216 formed in the silicon substrate 1, and the P-type of input protective circuit forming part 3 is PN-separated from the P-type of input circuit forming part 2.例文帳に追加

そして、Ｐ型入力保護回路形成部３を、シリコン基板１に形成されたＮ型ウェル２１６内に設け、Ｐ型入力保護回路形成部３を、Ｐ型入力回路形成部２からＰＮ分離したことを特徴としている。 - 特許庁

The new pipe P is moved axially in the sheath pipe P' by rotating the above sphere 3 and a new pipe channel is created in the sheathe pipe P' by connecting an insertion nozzle of the new pipe P with a socket nozzle of a preceding new pipe one by one.例文帳に追加

前記新管Ｐをさや管Ｐ’内で前記球体３の回転により軸方向に移動させ、新管Ｐの挿し口１を先行する新管Ｐの受け口２に挿入して順次つなぎ合わせて、さや管Ｐ’内に管路を新設する。 - 特許庁

The packet transmission apparatus 1 includes: a plurality of communication ports P#0-P#n; a switch 3 for switching packets; a storage unit 20 which stores a plurality of queues for respectively holding packets to be output from the plurality of communication ports P#0-P#n; and a stop signal generating unit 26.例文帳に追加

パケット伝送装置１は、複数の通信ポートＰ＃０〜Ｐ＃ｎと、パケットを交換するスイッチ３と、複数の通信ポートＰ＃０〜Ｐ＃ｎから出力するパケットをそれぞれ保持する複数のキューが記憶される記憶部２０と、停止信号生成部２６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

A second n-type region 3 is provided on the p-type regions 2, 4 spaced apart from the first n-type region 1 by the p-type regions 2, 4.例文帳に追加

第２のｎ型領域３は、ｐ型領域２、４によって第１のｎ型領域１と隔てられ、ｐ型領域２、４上に設けられている。 - 特許庁

The pitch P, by which the super-abrasive grain wire saw 10 is wound around the outer peripheral face 2 between the one end 3 and the other end 4, satisfies the relation of D<P<2D.例文帳に追加

超砥粒ワイヤソー１０が一方端３と他方端４との間で外周面２に巻き付けられるピッチＰは、Ｄ＜Ｐ＜２Ｄの関係を満たす。 - 特許庁

Although p-type carrier concentration becomes low by low temperature thermal diffusion, the p-type carrier concentration is raised to 4×10^18cm^-3 or more by the heat treatment.例文帳に追加

低温の熱拡散でｐ型キャリヤ濃度は低くなるが、熱処理をするのでｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上に上がる。 - 特許庁

Consequently, a recess having a low potential for the holes is formed in the P type carrier blocking layer 4 between the P type base layer 5 and the N- type base layer 3.例文帳に追加

これによりＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間のＰ型キャリア阻止層４に正孔に対して電位の低い窪み部を形成する。 - 特許庁

A refrigerant delivered to the high pressure chamber P is led out from a delivery pipe 3 having a suction port 3a on a bottom surface part of the high pressure chamber P toward a compressor outer system.例文帳に追加

高圧室Ｐに吐出された冷媒は、高圧室Ｐの底面部に吸込口３ａを有する吐出管３から圧縮機外部システムに導出される。 - 特許庁

A light-emitting device 1 comprises p(p is an integer of 3 or more) semiconductor laser elements T provided in parallel with each other, and a control power supply 9.例文帳に追加

互いに並列に設けられたｐ個（ｐは３以上の整数）の半導体レーザ素子Ｔと、制御電源部９とを備えた発光装置１が提供される。 - 特許庁

When the print head 1 moves toward a platen that supports the printing paper sheet P, the ceramic plate of the carrier stopper 3 is pressed against the printing paper sheet P.例文帳に追加

印字ヘッド１が印字用紙Ｐを支持するプラテンに向かう方向に移動すると、キャリアストッパ３のセラミック板が印字用紙Ｐに押し付けられる。 - 特許庁

The front surface of the printing paper P is printed by an inkjet head 1 and then, the printing paper P is conveyed to a reversing mechanism 2 by a conveying mechanism 3.例文帳に追加

インクジェットヘッド１により印刷用紙Ｐの表面に印刷を行った後、この印刷用紙Ｐを搬送機構３により反転機構２へ搬送する。 - 特許庁

The diaphragm 10 has a high concentration P-type impurity layer formed on a P-type silicon substrate so that a boron concentration of the substrate does not exceed 1E19(atoms/cm3).例文帳に追加

振動板１０がＰ型シリコン基板に形成された高濃度Ｐ型不純物層を含み、Ｐ型シリコン基板のボロン濃度が１Ｅ１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3）を越えないものとした。 - 特許庁

Furthermore, a silicide layer 5 is formed between the p-type contact layer 4 and an electrode 3 so as to reach a peak position of a concentration profile of the p-type contact layer.例文帳に追加

また、ｐ型コンタクト層４と電極３の間には、ｐ型コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置まで達するシリサイド層５が形成される。 - 特許庁

The saddle P is elevated by an energizing force of the coil spring 2 and the height of the saddle P is adjusted by introducing the oil into the inside of the cylinder 3.例文帳に追加

コイルスプリング２の付勢力にてサドルＰを上昇させ、シリンダー３内部にオイルを導入してサドルＰの高さを調整するように設ける。 - 特許庁

A high-concentration P-type impurity diffusion layer 3 is formed over the whole surface by the diffusion of the P-type impurity in the bottom face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-型シリコン基板１の底面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、高濃度のＰ型不純物拡散層３が全面的に形成されている。 - 特許庁

A paper cassette 3 that stores a plurality of sheets of recording paper P in a stacked state includes edge guides 8, 9 for regulating the side edge of the recording paper P.例文帳に追加

複数枚の記録用紙Ｐを積層状態で収容する用紙カセット３には、記録用紙Ｐのサイドエッジを規制するエッジガイド８、９が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, an N-channel transistor 1, a P-channel transistor 2, and a MOS type varactor element 3 are provided on a P-type substrate PSub.例文帳に追加

半導体集積回路装置において、Ｐ型基板ＰＳｕｂの表面にＮチャネルトランジスタ１、Ｐチャネルトランジスタ２及びＭＯＳ型バラクタ素子３を設ける。 - 特許庁

A source electrode 8 is formed over the n+ type source region 3 and the p+ type base contact region 9 in the p type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ^+形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

A P-MOSFET M1 is always conductive by its bias voltage and a current Icc corresponding to a current flowing to the P-MOSFET M1 is supplied to an amplifier 3.例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴＭ１は、バイアス電圧により常にオンし、これに流れる電流に対応した電流Ｉｃｃを増幅器３に供給する。 - 特許庁

The p-side ohmic electrode 6 is provided between the conductive adhesive layer 3 and semiconductor layers 7 to 12, and is electrically connected to the p-type contact layer 7.例文帳に追加

ｐ側オーミック電極６は、導電性接着層３と半導体層７〜１２の間に、ｐ型コンタクト層７と電気的に接続されて設けられている。 - 特許庁

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。 - 特許庁

It is preferable that composite oxide is constituted of alkali metal and stable 3d transfer metal whose number (p) of valency of Mn, Fe and Co is within the range of 3<p<4.例文帳に追加

好ましくは、アルカリ金属とＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏなどの価数（ｐ）が３＜ｐ＜４の範囲で安定な３ｄ遷移金属との複合酸化物である。 - 特許庁

Since the concave 3 of the sheathing section 4 does not touch the wound P, it is possible to prevent the wound protector A from adhering to the wound P.例文帳に追加

被覆部４の凹面３は、創傷Ｐに接触することがないので、創傷プロテクタＡが創傷Ｐに癒着するのを未然に防止することができる。 - 特許庁

The heating device heats the material P to be heated, by transporting the material P while holding it with the nip part N formed by the endless belt 1 wound between the rollers 2 and 3, and a pressing member 4 or a heat member.例文帳に追加

定着装置にあっては、ベルト定着のニップ内やその近傍で発生する種々の画像欠陥や用紙（被記録材）のシワなどを防止する。 - 特許庁

The astronomical observation device is equipped with an envelope structure 2 capable of surrounding the celestial body P, and an observation part 3 which is installed to the envelope structure 2 and performs the observation of the celestial body P.例文帳に追加

天体Ｐを包囲可能な包囲構造体２と、この包囲構造体２に設置されて天体Ｐの観測を行う観測部３を備えている。 - 特許庁

A source electrode 8 is so formed as to bridge between the n+ type source region 3 and a p+ type base contact region 9 in the p-type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

An alphabet/numeral figure conversion part 15 converts the alphabets (A, L, P, I, N, E) to the numeral figures (2, 5, 7, 4, 6, 3) by referring to a conversion table 14.例文帳に追加

アルファベット・数字変換部１５は変換テーブル１４を参照し、音声認識部１３で認識されたアルファベット(A,L,P,I,N,E)を数字(2,5,7,4,6,3)に変換する。 - 特許庁