「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

As to the thermal catalyst 3, if the diameter of a virtual cylindrical surface formed by the coil is set to be R, and the width of an adjacent wire is set to be p, p/R is ≤5.例文帳に追加

熱触媒体３は、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下である、 - 特許庁

Th optical fiber strand holding tool puts the optical fiber strand P between a strand holding member 2 and a press cover 3 and holds the optical fiber strand P.例文帳に追加

素線保持部材２と押え蓋３との間に光ファイバ素線Ｐを挟み、光ファイバ素線Ｐを保持する光ファイバ素線保持具である。 - 特許庁

The TV 9 includes an S/P DIF terminal 97 to transmit the updating data from the recorder 8 to the AV amplifier 2 through the S/P DIF line 3.例文帳に追加

ＴＶ９は、レコーダ８からの更新データをＳ／ＰＤＩＦライン３によりＡＶアンプ２に伝送するＳ／ＰＤＩＦ端子９７を備える。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

To improve an accuracy of measuring temperature of a molten resin P by keeping a sufficient contact length with the molten resin P in a barrel 3.例文帳に追加

バレル３内の溶融樹脂Ｐに対する接触長さを十分に大きくとれるようにして、溶融樹脂Ｐの測温精度を向上する。 - 特許庁

The p-side pad electrode 32 of an infrared semiconductor laser device 3 is bonded onto the p-side pad electrode 14 with the corresponding solder film H sandwiched therebetween.例文帳に追加

また、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４上に接合されている。 - 特許庁

The board 1 includes a p-type semiconductor board 2 containing B, and an n-type epitaxial growth layer 3 containing P, which is formed on the semiconductor board 2.例文帳に追加

基板１は、Ｂを含むＰ型半導体基板２および基板２上に設けられているリンを含むＮ型エピタキシャル成長層３からなる。 - 特許庁

In the semiconductor device having parallel p-n layers with n-type drift regions 2 and p-type partition regions 3, the drift region 2 and the partition region 3 being alternately arranged, a second trench 4 into which a gate electrode 7 is to be embedded is formed above the n-type drift region 2 or the p-type partition region 3.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域３とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｎ型ドリフト領域２またはｐ型仕切領域３の上部に、ゲート電極７を埋め込むための第２トレンチ４が設けられている。 - 特許庁

This cosmetic masking agent remover 1 is provided with a remover body 2 attached with a magnet 3 in its upper end, and a cap 4 fittedly covering the remover body 2 for covering the magnet 3; and attracts the magnetic-substance-containing cosmetic masking agent P to the surface of a top wall part 41 of the cap by the magnetic force of the magnet 3.例文帳に追加

パック剤除去器1は、上端部に磁石3が取り付けられた除去器本体2と、磁石3を覆うように除去器本体2に嵌め被せられるキャップ4とを備え、肌に塗布された磁性体配合パック剤Pを磁石3の磁力によってキャップ4の頂壁部41表面に吸着させるものである。 - 特許庁

Then, the pressure of the inside of the washing tank 3 is decreased to transfer the precipitate P in a rinsing tank 8 to the washing tank 3.例文帳に追加

次に、洗浄槽３内の圧力を減少させて、リンス槽８内の沈殿物Ｐを、洗浄槽３内に移送する。 - 特許庁

The formulae (1) to (3) are represented F_E=a(C+kE)/W+b (1), α=CaO/(SiO_2+Al_2O_3) (2), and k=lC+m(C/E)+nα+o(1/R^2)+p(1/R)+q (3).例文帳に追加

Ｆ_Ｅ＝ａ（Ｃ＋ｋＥ）／Ｗ＋ｂ … 式１ α＝ＣａＯ／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３） ・・・ 式２ ｋ＝ｌＣ＋ｍ（Ｃ／Ｅ）＋ｎα＋ｏ（１／Ｒ^２）＋ｐ（１／Ｒ）＋ｑ … 式３ - 特許庁

In the formula II, A is a 1-20C r-valent hydrocarbon combining group, (r) is an integer of 3-20 and (p) is an integer of 2-3.例文帳に追加

Ａは、炭素数１〜２０のｒ価の炭化水素連結基を示し、ｒは３〜２０の整数を、ｐは２〜３の整数を示す。 - 特許庁

Then, a hollow mullion 3 is arranged in the wire screen P, and an appropriate chemical solution 4 having the noxious insect repellent effect is poured into the hollow mullion 3.例文帳に追加

又、この網戸Ｐに、中空な中柱３を取り付けて害虫忌避効果を有する適宜の薬液４を注入する。 - 特許庁

Carrier density of the diffraction grating 50 and the p-InP buried layer 52 is adjusted to 1×10^18 [cm^-3].例文帳に追加

回折格子５０及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層５２のキャリア密度は、１×１０^18〔ｃｍ^-3〕になるように調節されている。 - 特許庁

Described is the apparatus for the processing of at least one strip 3 of filter material in the tobacco industry comprising, along a path P for advancing and processing of the strip 3, two terminal units for stretching the strip 3 between which is fitted at least one intermediate unit for additional stretching or relaxation of the strip 3.例文帳に追加

タバコ産業において少なくとも1本のストリップ状フィルタ材料を処理するため、そのストリップ（3）を前進させて処理するための経路（P）に沿って、そのストリップ（3）を引き伸ばすための2つのターミナル・ユニットを備えていて、その両者の間に、そのストリップ（3）の引き伸ばしまたは弛緩のための追加の少なくとも1つの中間ユニットが設けられた装置が配置されている。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

A p^--type silicon support substrate 2 is provided, a p^+-type silicon layer 3 is provided on the support substrate 2, and n^+-type silicon layers 4 and p^+-silicon layers 12 are alternately formed thereon.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁

The comfort effectiveness evaluation device 8 calculates a comfort index P with P=1.0-|PMV|/3 and the comfort index is weighted according to the in-room human numbers N at the time of acquiring the comfort index P.例文帳に追加

快適実効性評価装置８は、Ｐ＝１．０−｜ＰＭＶ｜／３として快適指標Ｐを求め、この快適指標Ｐにその快適指標Ｐの取得時の在室者数Ｎに応じた重み付けを施す。 - 特許庁

The p^+-type body layer 6 is equipped, thereby preventing punch through due to a depletion layer spreading from between the p-type base region 3 (p^+-type body layer 6) and an n^--type drift layer 2, and withstand voltage can be improved.例文帳に追加

ｐ^+型ボデー層６を備えることによって、ｐ型ベース領域３（ｐ^+型ボデー層６）とｎ^-型ドリフト層２の間より広がる空乏層により、パンチスルーしないようにでき、耐圧を向上できる。 - 特許庁

In the element forming part 2, a p-type epitaxial layer PEpi1 and an interlayer insulating film 3 are formed, and on the surface of the p-type epitaxial layer PEpi1, an n-well NW and a p-well PW are formed.例文帳に追加

素子形成部２には、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１及び層間絶縁膜３を設け、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１の表面にはＮウエルＮＷ及びＰウエルＰＷを形成する。 - 特許庁

A chairman terminal 2 calculates preparation information C1 (=gk mod p) and designation information X1 (=(y3×y4)k mod p) and X2 (=(y5×y6)k mod p) and communicates the result simultaneously to the whole terminals with designated terminal numbers 3 to 6.例文帳に追加

議長端末２は、準備情報Ｃ1(＝ｇ^k modｐ)と指定情報Ｘ_1(＝(ｙ_3×ｙ__4)^k modｐ)，Ｘ_2(＝(ｙ_5×ｙ_6)^k modｐ)を計算し、指定端末番号３〜６とともに全端末に同報通信する。 - 特許庁

P-type collector layers 7 extending from the surface of N-type layers 5b to the inside thereof are formed in each of the N-type layers 5b composed of the N-type epitaxial layer 5 surrounded by the P-type drain isolation layer 6 and a P-type element isolation layer 3.例文帳に追加

Ｐ型ドレイン分離層６とＰ型素子分離層３に囲まれたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ｂにその表面から内部に延在するＰ型コレクタ層７を形成する。 - 特許庁

(3) The concentration Ti (ppm) of titanium metal element of a titanium compound soluble in a polyester and the concentration P (ppm) of phosphorus element of the phosphorus compound satisfy 0.65≤P/Ti≤5 and 10≤Ti+P≤200.例文帳に追加

］（３）その際、ポリエステルに可溶なチタン化合物のチタン金属元素濃度Ｔｉ（ｐｐｍ）とリン化合物のリン元素濃度Ｐ（ｐｐｍ）とが、０．６５≦Ｐ／Ｔｉ≦５，１０≦Ｔｉ+Ｐ≦２００を満足する。 - 特許庁

A p-type base layer 4 is formed on the surface of an n-type base layer 3 on the side opposite to the p-type emitter layer 1 and the collector electrode 2, and an n-type source layer 5 is formed on the surface of the p-type base layer 4.例文帳に追加

ｎ型ベース層３のｐ型エミッタ層１、コレクタ電極２とは反対側の表面にｐ型ベース層４が形成され、ｐ型ベース層４の表面にｎ型ソース層５が形成されている。 - 特許庁

When the edge part of the plate P is pushed in between the upper clamping part 3 and the lower clamping part 4, the nonskid member 7 is abutted to the surface of the plate P and the leaf spring 11 is brought into the press contact with the lower surface of the plate P.例文帳に追加

皿Ｐの縁部を上方挟持部３と下方挟持部４の間に押し込むと、滑り止め部材７が皿Ｐの表面に当接し、板ばね１１が皿Ｐの下面に圧接する。 - 特許庁

The P-ON microcomputer 2 receives a remote control signal from a remote controller to output it to the main IC 3.例文帳に追加

Ｐ−ＯＮマイコン２は、リモコンからリモコン信号を受信し、メインＩＣ３に出力する。 - 特許庁

A pinch roller 3 for pinching the paper P together with the belt 14 between it and the platen chamber 5 is provided.例文帳に追加

プラテンチャンバ５との間でベルト１４と共に紙Ｐを挟持するピンチローラ３を設ける。 - 特許庁

A P-type embedded region 2 divided into plurality is formed inside an extension drain region 3.例文帳に追加

延長ドレイン領域３の内部に複数に分割したＰ型埋込領域２を形成する。 - 特許庁

The laminate 40 comprises a p-type clad layer 1', an active layer 2', and an n-type clad layer 3'.例文帳に追加

積層体４０は、ｐ型クラッド層１’、活性層２’およびｎ型クラッド層３’から成っている。 - 特許庁

An n^- type SiC layer 2 or a p^- type SiC layer 4 is insulated separated in an insulation separating layer 3.例文帳に追加

絶縁分離層３にてｎ^-型ＳｉＣ層２やｐ^-型ＳｉＣ層４を絶縁分離する。 - 特許庁

The operation result obtained by this inner product operation unit 3 is stored in a P register 15 in a word form.例文帳に追加

この内積演算ユニット３による演算結果は、ワード形式でＰレジスタ１５に格納される。 - 特許庁

The scanner part 3 acquires the dark signal level Vd before moving the image sensor to the home position P.例文帳に追加

そして，スキャナ部３は，ホームポジションＰへの移動に先立って，暗信号レベルＶｄを取得する。 - 特許庁

A helmet body 1 is provided with speakers 2 and 3 in positions corresponding to ears of a user P.例文帳に追加

ヘルメット帽体１には使用者Ｐの耳元に対応する位置にスピーカ２，３が設けられている。 - 特許庁

The resin pillar trim 3 is mounted between a pillar part P and it so as to cover an airbag Ab.例文帳に追加

ピラー部Ｐとの間にエアバッグＡｂを覆うように樹脂製ピラートリム３が取り付けられている。 - 特許庁

The inner diameter P of the suction guide pipe 3 is formed larger than the inner diameter R of the discharge port 12.例文帳に追加

吸込ガイド管３の内径Ｐは吐出口１２の内径Ｒよりも大径とされている。 - 特許庁

The input parts (3, 6, 8, 9) input electromagnetic wave for generating plasma (P) into the container (1).例文帳に追加

投入部（３、６、８、９）は、容器（１）内にプラズマ（Ｐ）を発生するための電磁波を投入する。 - 特許庁

The substrate P can be speedily carried to the plate 3 without any contact using static electricity force.例文帳に追加

基板Ｐは、静電気力により、プレート３に対して非接触状態で高速に搬送される。 - 特許庁

For the cell 3, an aperture diameter on the holding face P side is formed to be smaller than an aperture diameter on the back face S side.例文帳に追加

セル３は、保持面Ｐ側の孔径が裏面Ｓ側の孔径より小さく形成されている。 - 特許庁

The N-type element 5 and a P-type element 3 are connected to each other in two points so as to constituted a circuit.例文帳に追加

Ｎ形素子５とＰ形素子３は互いに２点で接合させて回路を構成する。 - 特許庁

The n-layer 3 can be formed on the p-layer at a low temperature, resulting in preventing the interface from deteriorating.例文帳に追加

ｎ層３を低温にてｐ層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。 - 特許庁

The second gap 62 has a second distance T2 along the axis P of the operating shaft 3.例文帳に追加

第２の隙間６２は操作軸３の軸線Ｐに沿った第２の距離Ｔ２を有している。 - 特許庁

The first gap 61 has a first distance T1 along an axis P of the operating shaft 3.例文帳に追加

第１の隙間６１は操作軸３の軸線Ｐに沿った第１の距離Ｔ１を有している。 - 特許庁

Then, an arm member 3 is adjusted so that the imaging head 2 is positioned directly above the document P.例文帳に追加

次に、撮像ヘッド２が原稿Ｐの真上に位置するようにアーム部材３を調節する。 - 特許庁

The grain size of the particles is 1-3 nm and the particles contain 2-50 atom% of P.例文帳に追加

前記粒子の粒径は１ｎｍ〜３ｎｍであり、Ｐを２原子％〜５０原子％含有する。 - 特許庁