「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

For example, p-tolyl-bis(6-methoxy-2-naphthyl)amine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize p-tolyl-bis(6-hydroxy-3-naphthyl)amine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce p-tolyl-bis(6-acryloxy-2-naphthyl)amine.例文帳に追加

例えば、p-トリル-ビス（6-メトキシ-2-ナフチル）アミンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してp-トリル-ビス（6-ヒドロキシ-2-ナフチル）アミンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてp-トリル-ビス（6-アクリロキシ-2-ナフチル）アミンを製造する。 - 特許庁

In this case, the p electrode 3 is made of metal and provided with a reflecting function.例文帳に追加

ここで、ｐ電極３は、金属からなり反射機能を有してるいる。 - 特許庁

A deposit center 1 gives encryption keys e, d, p, to a master terminal 3.例文帳に追加

供託センター１は暗号鍵ｅ,ｄ,ｐを親端末機３へ与える。 - 特許庁

The upper nuts 3 are opposed with a clearance g1 to the outer periphery of the pipe P.例文帳に追加

上ナット３は、配管Ｐの外周に間隙ｇ１を置いて対向する。 - 特許庁

A P-I converting 3 converts the 1440p signal into a 1440i signal.例文帳に追加

Ｐ−Ｉ変換部３は１４４０ｐの信号を１４４０ｉに変換する。 - 特許庁

A P-I converting part 3 converts the 1440p signal into a 1440i signal.例文帳に追加

Ｐ−Ｉ変換部３は１４４０ｐの信号を１４４０ｉに変換する。 - 特許庁

Etching apertures 4 are disposed around the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

ｐ型半導体層３の周囲には、エッチング開口部４が設けられている。 - 特許庁

The line-and- space pattern P which constitutes the slit 3 is formed in stripes.例文帳に追加

スリット３を構成するラインアンドスペースパターンＰは縞模様に形成している。 - 特許庁

The p--region 6 may not necessarily come into contact with the n+-region 3.例文帳に追加

このｐ^- 領域５は必ずしも、ｎ^+ 領域３には接しなくてもよい。 - 特許庁

Nitrogen ions N+ are implanted into the surface layer part of a p type base region 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の表層部に窒素（Ｎ^+ ）をイオン注入する。 - 特許庁

The length of the poly-p- phenylene terephthalamide fiber is preferably 3-6 mm.例文帳に追加

ポリ−ｐ−フェニレンテレフタラミド繊維の繊維長は、好ましくは３〜６mmとする。 - 特許庁

A heel plate 3 is fixed to the rear part of the base surfaces of the paired pillars P.例文帳に追加

踵プレート３は、１対のピラーＰのベース面の後部に固定される。 - 特許庁

On the TFT substrate 3, a plurality of pixel areas P are formed.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板３には、複数の画素領域Ｐが形成されている。 - 特許庁

The (p) or (n) type thermoelectric material 3 is molded using a silicon pattern 51.例文帳に追加

ｐ型またはｎ型の熱電材３はシリコン型５１により成型される。 - 特許庁

A semiconductor device 1 has a photodiode 103 on a P type substrate 3.例文帳に追加

半導体装置１は、Ｐ型基板３上にフォトダイオード１０３を備える。 - 特許庁

A P well 5 containing B is formed in the layer 3 to be closer to the semiconductor board 2.例文帳に追加

層３の基板２側には、Ｂを含むＰウェル５が設けられている。 - 特許庁

A conveyor 2 carries in a product P under a lying state onto a rotating plate 3.例文帳に追加

コンベア２は製品Ｐを寝かせた状態で回動板３に搬入する。 - 特許庁

Then, the stator core 3 is constituted so that a slot opening (d) and a slot pitch (p)at the internal perimeter of the stator core 3 satisfies 0.1≤d/p≤0.3.例文帳に追加

そして、ステータコア３は、スロットオープニング（ｄ）とステータコア３の内周面におけるスロットピッチ（ｐ）とが、０．１≦ｄ／ｐ≦０．３を満足するように構成されている。 - 特許庁

The N+ channel stop layers 6 are formed between the adjacent P+ diffusion layers 3 and 4, and shaped like a grid so that the P+ diffusion layers 3 and 4 can be separated.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層６は隣り合うＰ^+拡散層３，４の間に設けられており、Ｐ^+拡散層３，４を分離するように格子形状を呈している。 - 特許庁

And then, a caustification rection is carried out under a given addition rate of the green solution and temperature while stirring the stirrer with the stirring power of 0.1 kw/m^3 or more of P/V value during the reaction.例文帳に追加

つづいて反応中のP/V値が0.1 kw/m^3以上となる攪拌力で攪拌しながら所定の緑液添加速度、温度で苛性化反応を行う。 - 特許庁

This electroconductive elastomer composition uses a paraffinic oil P and polybutene B combinedly in a range of mass ratio P/B=3/7 to 7/3 as the softener.例文帳に追加

導電性熱可塑性エラストマ組成物は、軟化剤として、パラフィン系オイルＰとポリブテンＢとを質量比Ｐ／Ｂ＝３／７〜７／３の範囲で併用した。 - 特許庁

A p^+ impurity area 4 is formed in the n^- semiconductor layer 3 from the surface of the n^- semiconductor layer 3 to the interface of the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の表面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｎ^-半導体層３内部に形成されている。 - 特許庁

By the length measurement part 3, the length of the rubber test piece P is measured during the transfer of the rubber test piece P by the transfer part 2.例文帳に追加

また、長さ測定部３は、移送部２によるゴム試験片Ｐの移送中にゴム試験片Ｐの長さを測定する。 - 特許庁

The resin feeder 5 conveys the resin pellets P and supplies the resin pellets P to the injection molding machine 3.例文帳に追加

樹脂供給装置５は、樹脂ペレットＰを搬送し射出成形機３に供給する樹脂供給装置である。 - 特許庁

Using a photo resist 5 as the mask, P-type dopants are implanted into a P-type implantation region of the polysilicon film 3 (Fig. 1 (b)).例文帳に追加

フォトレジスト５をマスクとしてポリシリコン膜３のＰ型注入領域にＰ型不純物を注入する（図１（ｂ））。 - 特許庁

Since the P-type semiconductors region 3 is set deep and the P^+-semiconductor region 4 is set shallow, breakdown voltage is easy to secure.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体領域３を深くＰ^＋半導体領域４を浅くしたため、耐圧を確保しやすい。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

The n-type semiconductor thin film (11) is in contact with the p-type semiconductor substrate (3) in p-n manner, thus forming a protective diode.例文帳に追加

ｎ型半導体薄膜（１１）はｐ型半導体基板（３）にｐｎ接触して保護ダイオードを形成している。 - 特許庁

An MPS 3 part is begun to be reproduced from a reproduction start position P' traced back to earlier than an instructed reproduction start position P.例文帳に追加

ＭＰ３パートは、指示された再生開始位置Ｐよりも前に遡った再生開始位置Ｐ’から再生され始める。 - 特許庁

Thus areas of the p-type active layers 2a between the p-type electrode 3 and the n-type electrodes 4 become light- emitting regions 6.例文帳に追加

ｐ電極３とｎ電極４との間におけるｐ型活性層２ａの領域が発光領域６になる。 - 特許庁

The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than 1×10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.例文帳に追加

第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０^20／ｃｍ^3 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。 - 特許庁

Formulas (1) to (3) are: 0.8≤L/M (mole ratio)≤1.8 (1), 0.05≤T/C (weight ratio)≤0.50 (2) and 0.5≤M/P (mole ratio)≤3.0 (3).例文帳に追加

０．８≦Ｌ／Ｍ（モル比）≦１．８ （１） ０．０５≦Ｔ／Ｃ（重量比）≦０．５０ （２） ０．５≦Ｍ／Ｐ（モル比）≦３．０ （３） - 特許庁

Carrier concentration of the p-type GaAs contact layer 17 is specified to be 1.0×10^19 cm^-3.例文帳に追加

このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０^19ｃｍ^-3に設定されている。 - 特許庁

The cross sectional shape perpendicular to an axis P passing through the hinge part 6 is almost the same between the camera part 3 and the grip part 4, the camera part 3 and the grip part 4 are turned around the axis P and overlapped with each other with respect to a direction along the axis P.例文帳に追加

カメラ部３とグリップ部４とは、ヒンジ部６を通る軸Ｐに垂直な断面形状がほぼ同一であって、軸Ｐを中心として回動し、軸Ｐに沿う方向に関して重なる。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a p-type semiconductor substrate 1, an n-type drift region 3 provided in the p-type semiconductor substrate 1, and a p-type body region 4 provided in the n-type drift region 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。 - 特許庁

The center apparatus 3 is connected to a P-wave detection sensor which detects the P-wave of an earthquake (P-wave information on an earthquake) or an external server provided with a P-wave detection sensor through the network 2.例文帳に追加

センタ装置３には、地震のＰ波（地震のＰ波情報）を検知するＰ波検知センサや、あるいはＰ波検知センサを有する外部のサーバ等がネットワーク２を介して接続されている。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

The weather resistance of the welding material is improved by satisfying [Ni+]+3[Mo]≥1.2 and the selective corrosion in the welded part is prevented by satisfying ([Ni]+3[Mo])/([Ni]p+-3[Mo]p)≥1.05.例文帳に追加

溶接材料の耐候性を〔Ｎｉ〕＋３〔Ｍｏ〕≧１．２％となるようにし向上させ、溶接部の選択腐食を(〔Ｎｉ〕＋３〔Ｍｏ〕)／(〔Ｎｉ〕_p＋３〔Ｍｏ〕_p) ≧１．０５となるようにし、防止する。 - 特許庁

The X-ray imaging apparatus 0 is equipped with the X-ray generator 2 for irradiating a subject P with X rays and the FPD 3 for obtaining image data in accordance with the incident dose of the X rays transmitting the subject P, and the FPD 3 is not mechanically supported by a main body 1.例文帳に追加

本発明のＸ線撮像装置0は、被検体PにＸ線を照射するＸ線発生器2と、被検体Pを透過したＸ線の入射線量に応じた画像データを取得する平面検出器（FPD）3とを備え、このFPD3が本体1に機構的に支持されていない。 - 特許庁

(3) At the request of the applicant, the Hungarian Patent Office as a designated Office shall carry out the review provided for in Article 25 of the Treaty, with regard to the provisions of Article 84/P(3) as well, by applying the provisions of this Act mutatis mutandis.例文帳に追加

(3) 指定官庁としてのハンガリー特許庁は，出願人の請求により，第84/P条(3)の規定も考慮に入れて，本法の規定を準用して特許協力条約第25条に規定する再審理を行う。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

The recording paper P is fed to a space between the roll 1 and the belt 3.例文帳に追加

記録紙Ｐは、定着ロール１と無端ベルト３との間に送り込まれる。 - 特許庁