「p 3」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

Next, a type P+ type up-diffusing layer 2b that is coupled with the type P+ type embedded contact layer 5 in the P- type epitaxial layer 3 from the P+ type embedded layer 2 is formed.例文帳に追加

次にＰ＋型埋め込み層２からＰ−型エピタキシャル層３内のＰ＋型埋め込みコンタクト層５に連結するＰ＋型這い上がり層２ｂを形成する。 - 特許庁

A map is divided into areas A to P in four sides of a rectangle of 4 to 50 m depending on the precision of the GPS and position information in the areas A to P is registered in advance in a database 2 of a server 3.例文帳に追加

地図上でGPSの精度に応じて４〜５０ｍ四方にてエリアA〜Pを分け、そのエリアA〜Pの位置情報を予めサーバー３のデータベース２に登録する。 - 特許庁

The thickness (t) of the low refractive index layer 142 satisfies 1/3×P≤t≤2×P, where P is the lens pitch of the unit lens 141.例文帳に追加

単位レンズ１４１のレンズピッチをＰとすると、低屈折率層１４２の厚さｔは、１／３×Ｐ≦ｔ≦２×Ｐを満足する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

The light transmitting layer 3 has an Al alloy ratio higher than that of the p-type AlGaAs active layer 4.例文帳に追加

透過層３は，Ａｌ混晶比が，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４よりも高い組成を有している。 - 特許庁

The separation region 3 is formed by connecting a p-type embedded diffusion layer with the p-type diffusion layer.例文帳に追加

分離領域３は、Ｐ型の埋込拡散層とＰ型の拡散層とが連結して形成されている。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

The width W of each photodiode 13 is (3/8)P, whereas that of conventional photodiode is (1/4)P.例文帳に追加

フォトダイオード１３の幅Ｗは、従来のフォトダイオードでは(１/４)Ｐであるのに対し、(３/８)Ｐである。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

Or, the electron transit layer contains an As or P of 1×10^19 to 5×10^20 cm^-3.例文帳に追加

または、前記電子走行層はＡｓまたはＰを１×１０^19ｃｍ^^-3以上、５×１０^20ｃｍ^-3以下含む。 - 特許庁

The GaAs substrate 13 has an n-type carrier concentration of 5×10^16 cm^-3 or higher and 2×10^18 cm^-3 or lower, or a p-type carrier concentration of 5×10^18 cm^-3 or higher and 3×10^19 cm^-3 or lower.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１３は、５×１０^16ｃｍ^-3以上２×１０^18ｃｍ^-3以下のｎ型キャリア濃度または５×１０^18ｃｍ^-3以上３×１０^19ｃｍ^-3以下のｐ型キャリア濃度を有する。 - 特許庁

In this case, formation is made as a p+-InGaAs layer where carrier concentration Na of the p-type semiconductor layer is set within 1.0×1020 cm-3>Na≥5.0×1018 cm-3.例文帳に追加

その場合、ｐ型半導体層のキャリア濃度Ｎａが１．０×１０^20ｃｍ^-3＞Ｎａ≧５．０×１０^18ｃｍ^-3の範囲内の値となるｐ^^+−ＩｎＧａＡｓ層として形成する。 - 特許庁

An N-type well 3 is formed on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＮ型ウエル３が形成されている。 - 特許庁

Trenches 3 are provided so as to penetrate through the P-type anode layer.例文帳に追加

Ｐ型アノード層を貫通するようにトレンチ３が設けられている。 - 特許庁

A ferroelectric layer 19 is formed on the P-type substrate 3.例文帳に追加

強誘電体層１９ｂは、Ｐ型基板３上に形成される。 - 特許庁

A p^+ gate region 4 is formed at the inner wall section of the trench 3.例文帳に追加

トレンチ３の内壁部にｐ^+ゲート領域４が形成されている。 - 特許庁

S_m, 0, S_m, 1, and S_m, 2 are the matrix elements of P×3.例文帳に追加

Ｓ_ｍ，０、Ｓ_ｍ，１、Ｓ_ｍ，２はＰ×３の行列要素である。 - 特許庁

The semiconductor layer 17 contains a p^- region 3 having a specified thickness, and the trench 6 penetrates through the p^- region 3.例文帳に追加

半導体層１７は所定深さ範囲に形成されたＰ^-領域３を含んでおり、トレンチ６はこのＰ^-領域３を貫通している。 - 特許庁

To provide a new 2, 3-disubstituted p-phenylenediamine, a composition for oxidative coloring of keratinic fibers comprising at least one 2, 3-disubstituted p-phenylenediamine as an oxidative base, and an oxidation dyeing method using the composition.例文帳に追加

新規な2,3-ジ置換第一p-フェニレンジアミン、酸化性塩基として、少なくとも1種の2,3-ジ置換第一p-フェニレンジアミンを含む、ケラチン繊維を酸化染色するための組成物、及び該組成物を用いた酸化染色法に係る。 - 特許庁

For example, for a memory cell 3(1, p) of address 1, sources of the NMOS transistors 11(1, p), 12(1, p) of which the gates are connected to the search bus SB(p) or XBP(p) are connected to a match line ML0 of address 0.例文帳に追加

例えば、１番地のメモリセル３（１、ｐ）については、ゲートがサーチバスＳＢ（ｐ）又はＸＳＢ（ｐ）に接続されているＮＭＯＳトランジスタ１１（１、ｐ）、１２（１、ｐ）のソースを０番地のマッチラインＭＬ０に接続する。 - 特許庁

Defined replacement:r→r^3=r^3 modp(where, p=2 mod3) is a bijective map.例文帳に追加

定義される置換：ｒ→ｒ^３＝ｒ^３ｍｏｄｐ（但しｐ＝２ｍｏｄ３）は全単射写像である。 - 特許庁

In the example of (p=2, q=1, r=1), two sets of orbits having the cycle of 2^3 exist (Figure B).例文帳に追加

（ｐ＝２，ｑ＝１，ｒ＝１）の例では、２^3の周期を持つ軌道が２組存在している（図１Ｂ）。 - 特許庁

On top of a p-type clad layer 6, a p-type contact layer 7 which is formed of p-type GaN having a carrier density of 5×10^19/cm^3 by Mg doping and has a thickness of about 120 nm is formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上には、Ｍｇドープによるキャリア濃度５×１０^19／ｃｍ^3 のｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２０ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

Impurity density setting regions in both of the N-type clad layer 4 and the P-type clad layer 2 are set to be the regions having a width of 3 μm or less from the interface between a P-type active layer 3 and the N-type clad layer 4/the P-type clad layer 2.例文帳に追加

また、不純物密度の設定領域を、Ｎ型クラッド層４、Ｐ型クラッド層２共にＰ型活性層３との界面から３μｍ以内の幅の領域とする。 - 特許庁

The corner supporting member 3 includes an orthogonal wall abutting on the outer corner part of a panel P, and a load receiving portion extending horizontally from the orthogonal wall to receive the lower side of a corner part of the panel P.例文帳に追加

コーナー支持部材３は、パネル材Pの外隅角部に当接す直交壁と、この直交壁から水平に延出しパネル材Pの隅部の下面を載せ受ける荷重受け部とを具備する。 - 特許庁

In addition, four photodiodes 13a to 13d in a width of (1/2)P are arranged at a pitch of (3/4)P (at an electrical angle of 270°).例文帳に追加

また、(１/２)Ｐの幅の４つのフォトダイオード１３a〜１３dを、(３/４)Ｐのピッチ(電気角２７０度)で配置する。 - 特許庁

After that, a p-side metal electrode 110 and an n-type metal electrode 111 are formed on the upper surface of the wafer and at the substrate side, respectively (Fig.3 (c)).例文帳に追加

その後、p側金属電極110をウエハ上面へ、n型金属電極111を基板側へ形成する（図３（c））。 - 特許庁

A diode constituted of a p^--region 5, a p^+-region 6, and an n^+-region 7 is formed on an SOI layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ層３には、Ｐ^-領域５、Ｐ^+領域６、Ｎ^+領域７により構成されるダイオードが形成される。 - 特許庁

The positive ion Q+ is represented by (CH3)3(C2H5)X+ (X=N, P or As) or (CH3)4X+ (X=N, P or Sb).例文帳に追加

陽イオンＱ^+ は、(ＣＨ_3）_3(Ｃ__2Ｈ_5）Ｘ^+(Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ）または(ＣＨ_3）_4Ｘ^+(Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）で表される。 - 特許庁

The corner portion of the p-well region 4 opposite to the p-emitter region 3 may have an acute angle of about 30 to 60 degrees.例文帳に追加

ｐエミッタ領域３に対向するｐウェル領域４の角部を３０〜６０度の鋭角としてもよい。 - 特許庁

Furthermore, a p-electrode 3 is formed on the p-type layer 2a, and an n-electrode 4 is formed on the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｐ型層２ａ上にｐ電極３が形成され、ｎ型層２ａ上にｎ電極４が形成される。 - 特許庁

A P type epitaxial layer 3 is entirely provided on a P type bulk substrate 2 in the semiconductor integrated circuit 1.例文帳に追加

半導体集積回路１において、Ｐ型バルク基板２上の全面にＰ型エピタキシャル層３を設ける。 - 特許庁

The p-type impurity density in the p-type body regions 4 is more than or equal to 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域４におけるｐ型不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

A nozzle 3 that is positioned relatively closer to the substrate P is rotated faster than the nozzle 3 far positioned relative to the substrate P.例文帳に追加

基板Ｐに対して相対的に近くに位置するノズル３を基板Ｐに対して相対的に遠くに位置するノズル３よりも速く回動する。 - 特許庁

A diode is formed by the p+ area 2, the n+ area 3, an n- substrate area 1 which is between the p+ area 2 and the n+ area 3.例文帳に追加

このｐ^+ 領域２とｎ^+ 領域３およびｐ^+ 領域２とｎ^+ 領域３に挟まれたｎ^- 基板領域１で、ダイオードが形成される。 - 特許庁

The maximum value (P) of axial residual stress in the glass outermost layer of an optical fiber is determined to be -2.5×10^-3 (GPa)≤P≤1.3×10^-2 (GPa).例文帳に追加

光ファイバのガラス最外層の軸方向の残留応力の最大値（Ｐ）が—２．５×１０^-3（ＧＰａ）≦Ｐ≦１．３×１０^-2（ＧＰａ）である。 - 特許庁

The electric fuel pump P is stored and arranged in the fuel chamber 3.例文帳に追加

電動燃料ポンプＰは、燃料室３内に収納配置される。 - 特許庁

An n^- semiconductor layer 3 is formed on a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上にｎ^-半導体層３が形成されている。 - 特許庁

The anode electrode 9 is formed on the n-layers 3 and the p-layers 5.例文帳に追加

アノード電極９はｎ層３およびｐ層５上に形成される。 - 特許庁

The weather resistance of the welding material is improved by satisfying [Ni]+[Cu]+3[Mo]≥1.2% and the selective corrosion in the welded part is prevented by satisfying ([Ni]+[Cu]+3[Mo])/([Ni]p+[Cu]p+3[Mo]p)≥1.05.例文帳に追加

溶接材料の耐候性を〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕≧１．２％となるようにし向上させ、溶接部の選択腐食を(〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕)／(〔Ｎｉ〕_p＋〔Ｃｕ〕_p＋３〔Ｍｏ〕_p)≧１．０５となるようにし、防止する。 - 特許庁

3. Low-interest loans for SMEs engaging in trial manufacture and development of new products/technologies and development of new markets (fiscal investment and loan program) (Continuation) (See p. 203.) 例文帳に追加

3 ． 新製品・新技術の試作開発や販路開拓等に取り組む中小企業への低利融資【財政投融資】（継続）（p.207参照） - 経済産業省

A P-type well layer 2 is formed on a P-type silicon substrate 1, and a gate finger-type N-channel transistor 3 is formed on the P-type well layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上にＰ型ウェル層２が形成され、Ｐ型ウェル層２上にゲートフィンガー型のＮチャネルトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁