「pn- junctions」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加

ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁

The floating grid transistor is electrically isolated from the control grid by PN junctions that are inversely polarized.例文帳に追加

フローティング・グリッド・トランジスタは、逆方向に分極されるＰＮ接合によってコントロールグリッドから電気的に絶縁される。 - 特許庁

The pn junctions of the drift semiconductor regions 32 and 33 are located between the source semiconductor section 61 and the drain semiconductor section 2.例文帳に追加

ドリフト半導体領域３２，３３のｐｎ接合は、ソース半導体部６１とドレイン半導体部２との間に位置する。 - 特許庁

Consequently, the charges generated by the light made incident to the scribe will not reach the P-N junctions which constitute the pixels of the sensor.例文帳に追加

このため、スクライブに入射した光により発生する電荷が光センサの画素を構成するPN接合に至ることはない。 - 特許庁

Subsequently, pn junctions on Fig. 6(a)-6(c) are formed using this zinc oxide thin film, thus obtaining a light-emitting element and a light-receiving element at low raw material cost and production cost with high yield.例文帳に追加

次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図６(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。 - 特許庁

A distance between the rings 5 of the adjacent PN junctions 4 is set at about 70 μm, and a P+ type isolation 6 is provided in between the adjacent zones 2.例文帳に追加

隣接するＰＮ接合のガードリング間の距離は７０μｍ程度とし、隣接するＮ^+ 領域間にはＰ^+ 型のアイソレーションを設けた。 - 特許庁

The stretching parts 11 are stretched in length by the heat generated by the electrical heating parts 12 of semiconductor pn-junctions and vary the shape of the mirror 10.例文帳に追加

伸長部１１は半導体のｐｎ接合からなる電気的加熱部１２で発生した熱により長さが伸びてミラー１０の形状を変化させる。 - 特許庁

A p-type ESD surge recovery layer 20 is provided at a region deeper than a region where the drift layers 11, 12 are provided, and the layer 20 forms pn junctions with the layers 11, 12.例文帳に追加

Ｐ型のＥＳＤサージ回収層２０はドリフト層１１，１２よりも深い領域に設けられ両層１１，１２とＰＮ接合を成している。 - 特許庁

When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加

半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁

A backside of a P type silicon substrate 1 is used as a common anode, and a plurality of N+ type zones 2 for formation of PN junctions 4 are formed in parallel in the vicinity of a main surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板の裏面を共通のアノードとして、シリコン基板の主面付近にＰＮ接合を形成するＮ^+ 型領域を複数並列して設けた。 - 特許庁

By means of the pn-junctions (115, 215, 315, and 415), the biases applied to the light emitting element 120 and to the photodetector 110 are made independent electrically.例文帳に追加

ｐｎ接合（１１５、２１５、３１５、４１５）の存在によって、発光素子（１２０）及び光検出器（１１０）に加えるためのバイアスを電気的に独立させることが可能になる。 - 特許庁

By performing an operation for detected currents by the plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3, there is formed on the semiconductor substrate 1 the arithmetic circuit for detecting light at wavelengths corresponding to the pn junctions of the different depths.例文帳に追加

そして、複数個の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３の検出電流を演算することにより異なる深さのｐｎ接合に対応する波長の光を検出する演算回路が半導体基板１上に形成されている。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of restraining a junction leak from occurring in a PN junction on the side of a chip and reducing the occurrence of dust when a semiconductor device equipped with PN junctions on the side of the chip is manufactured.例文帳に追加

チップの側面にｐｎ接合部を有する半導体装置を製造する際に、チップの側面のｐｎ接合部によるジャンクションリークの発生を抑えることができると共に、ダストの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell (14) includes a first main surface (31) of a semiconductor body (27) and a second main surface (32) facing the first main surface (31), and a topmost pn-junction (1) of all pn-junctions (1, 2, 3) stacked on top of each other is adjacent to the first main surface (31).例文帳に追加

太陽電池（１４）が、半導体本体（２７）の第１主表面（３１）と、第１主表面（３１）と対向する第２主表面（３２）とを備え、互いの上部上に積層されたｐｎ−接合（１，２，３）の全体の中で最上端のｐｎ−接合（１）が、第１主表面（３１）と隣接する。 - 特許庁

To provide an insulated-gate field effect transistor equipped with extensions which are provided with pn junctions stable and sharp in shapes, and where practical junction depths can be made small enough with high accuracy to the surface of a substrate where channels are formed.例文帳に追加

エクステンション部に関し、その形状が安定で急峻なＰＮ接合を有し、かつ、チャネルが形成される基板面に対して実効的な接合深さを精度よく十分に小さくする。 - 特許庁

When a semiconductor device equipped with PN junctions J on the side of a chip 10 is manufactured, a semiconductor wafer is divided into the chips 10 by annealing their sides 13 with a laser beam 12.例文帳に追加

チップ１０の側面にｐｎ接合Ｊを有する半導体装置を製造する際に、レーザ１２によりチップ１０の側面１３をアニールしながら半導体ウエハをチップ１０に割断する工程を行う。 - 特許庁

A diode temperature sensor element and a temperature measuring device using the same are provided in which one PN junction is short-circuited and two terminals can be taken outside in a semiconductor chip where a bipolar transistor is handled as a diode by short-circuiting one PN junction among two PN junctions and the diode is used as a temperature sensor to form a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの2個のｐｎ接合のうち、一方のｐｎ接合を短絡してダイオードとして取り扱い、このダイオードをダイオード温度センサとして用い、バイポーラトランジスタを形成している半導体チップ内で、一方のｐｎ接合を短絡してあり、外部には、二端子として取り出すようにしたダイオード温度センサ素子と、これを用いた温度計測装置を提供する。 - 特許庁

The pn-junctions of the n-regions 3 and the p-well region 2 function as optical sensors, and an effective light receiving region 14 is moved by combining the n-regions 3a-3e by an electric signal, so that the aligning displacement can be corrected.例文帳に追加

ｎ領域３とｐウエル領域２のｐｎ接合が光センサの働きし、ｎ領域３ａ〜３ｅを電気信号で組み合わせることで、受光有効領域１４を移動させ、合わせ位置ずれを補正する。 - 特許庁

In a photoelectric conversion element which has PN junctions in a semiconductor substrate 1 and a P side current collecting electrode 9 and an N side current collecting electrode 10 on the rear of the substrate 1, the peripheral part of the substrate 1 has the PN junction deeper than that in the center part of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１にＰＮ接合が形成され、基板１の裏面にＰ側電流収集電極９およびＮ側電流収集電極１０が形成された光電変換素子において、半導体基板１の中心部より周囲部の方が深いＰＮ接合を有することを特徴とする。 - 特許庁

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another.例文帳に追加

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してｎ型及びｐ型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のｐｎ接合及び前記ｎ型及びｐ型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第１及び第２電極を含み、前記複数のｐｎ接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。 - 特許庁

The light emitting element 120 and the light emitting element 120 are formed in a monolithic integration technique in a way the photodetector 110 is overlapped on the light emitting element 120, and pn- junctions (115, 215, 315, and 415) are formed at an interface part between them.例文帳に追加

発光素子（１２０）及び発光素子（１２０）はモノリシック集積化技術によって光検出器（１１０）が発光素子（１２０）上に重なるように形成され、両者の境界部分にはｐｎ接合（１１５、２１５、３１５、４１５）が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of stably securing the concentration of impurities in a diffusion layer at the side of a gate electrode and capable of stabilizing a distance between PN junctions capable of obtaining a semiconductor device having stable element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極脇の拡散層における不純物濃度を安定的に確保でき、またＰＮ接合間距離を安定化させることが可能で、これにより安定な素子特性を有する半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

An ESD surge current applied to an electrode 81 flows in the layer 41, is introduced to the layer 20 by avalanche breakdown at the pn junctions constituted by the layer 11 and the layer 20, and is recovered to an electrode 83 through the layer 30.例文帳に追加

電極８１へ印加されたＥＳＤサージ電流は、ドレイン層４１へ流れ、ドリフト層１１とＥＳＤサージ回収層２０とが成す上記ＰＮ接合でのアバランシェブレークダウンによってＥＳＤサージ回収層２０へ導かれ、トップコンタクト層３０を介して電極８３へ回収される。 - 特許庁

For forming a plurality of semiconductor elements over an insulating surface, in one continuous semiconductor layer, an element region serving as a semiconductor element and an element isolation region having a function to electrically isolate element regions from each other by repetition of PN junctions are formed.例文帳に追加

絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した一つの半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、ＰＮ接合の繰り返しにより素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a compound semiconductor board having pn junctions using an epitaxial growth method including a selective growth process, which method enables manufacturing of a compound semiconductor board providing compound semiconductor elements having electrical characteristics higher than that of conventional one.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を、選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により製造する方法において、従来より高い電気的特性を有する化合物半導体素子を与える化合物半導体基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.例文帳に追加

チャネル層２ａ，２ｂは、所定の導電型を有し、ゲート電極７下における各チャネル層２ａ，２ｂとｐｎ接合をそれぞれ形成する少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂが形成され、少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂは、接続層５により電気的に接続されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the compound semiconductor board having the pn junctions using the epitaxial growth method including the selective growth process, the maximum temperature of the epitaxial growth processes after the selective growth process is made lower than that of the entire epitaxial growth processes before the selective growth process.例文帳に追加

選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により、ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を製造する方法において、選択成長工程より前のすべてのエピタキシャル成長工程における最高温度より、該エピタキシャル成長工程より後の工程における最高温度を低くすることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 - 特許庁

The device 31 is desirably provided with a light emitting and receiving means 10 provided with a switch means which switches a light receiving state in which photovoltaic force is generated in the direction of biasing the PN junctions when the light emitting diodes receive light by at least one control signal and a light emitting state in which a forward voltage is applied to the light emitting diodes to make the light emitting diodes emit light.例文帳に追加

そして、発光ダイオードに少なくとも一つの制御信号によって、光を受光した場合にＰＮ接合をバイアスする向きに光起電力を生じさせる受光状態と、発光ダイオードに対して順方向電圧を加え発光させる発光状態とに切り替える切り替え手段を備えた発光兼受光手段１０を設けるのが好ましい。 - 特許庁