「polycrystalline structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INERT GAS TREATMENT STRUCTURE, SILICON CASTING APPARATUS HAVING STRUCTURE THEREOF, SILICON CASTING METHOD, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT USING METHOD THEREOF, AND POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

不活性ガス処理構造及びこれを有するシリコン鋳造装置、シリコン鋳造方法及びこれを用いた多結晶シリコンインゴット並びに多結晶シリコン基板 - 特許庁

To obtain a polycrystalline semiconductor element of an optimized structure in a semiconductor element using a polycrystalline semiconductor as an active layer.例文帳に追加

活性層に多結晶半導体を用いた半導体素子において、最適化された構造の多結晶半導体素子を得る。 - 特許庁

Polycrystalline silicon which is crystallized by a metal is used for the structure layer.例文帳に追加

構造層には金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを用いる。 - 特許庁

The bipolar transistor in made to have a structure where a polycrystalline silicon doped with an impurity of a second conduction type is buried in an external base polycrystalline silicon in the vicinity of an emitter at a position of the lower part of the external base polycrystalline silicon adjacent to an epitaxial base layer.例文帳に追加

エミッタ近傍の外部ベース多結晶シリコンの下部のエピタキシャルベース層と接する位置に、第２導電型不純物をドープした多結晶シリコを埋め込んだ構造とする。 - 特許庁

The polycrystalline structure film 32 has a seed layer 35 and a multilayered crystal layer 36.例文帳に追加

多結晶構造膜３２は、シード層３５と多層結晶層３６とを備える。 - 特許庁

To form a uniform texture structure on a solar cell wafer comprising polycrystalline silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンからなる太陽電池ウエハに均一なテクスチャー構造を形成する。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE MEMORY STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING IT例文帳に追加

多結晶メモリ構造およびその製造方法、これを用いた半導体メモリデバイス - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR OF AMORPHOUS AND POLYCRYSTALLINE STRUCTURE例文帳に追加

非晶質と多結晶の構造の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁

LAMINATED STRUCTURE, THIN-FILM POLYCRYSTALLINE SOLAR CELL USING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

積層構造およびそれを用いた薄膜多結晶太陽電池ならびに薄膜トランジスタ - 特許庁

The target is a sintered compound of polycrystalline oxide showing crystal structure of homologous phase.例文帳に追加

このターゲットは、ホモロガス相の結晶構造を示す多結晶酸化物焼結体である。 - 特許庁

This polycrystalline silicon is different from general polycrystalline silicon, the covalent binding is not broken in a crystalline grain boundary, the fracture strength is high, and it is suitable for the structure layer.例文帳に追加

この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。 - 特許庁

The polycrystalline semiconductor film includes a texture structure self-organizedly formed on a surface of the polycrystalline semiconductor film, and the root-mean square roughness of the surface is ≥4 nm.例文帳に追加

多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 - 特許庁

At this time, a gate in the trench has a lamination structure of a polycrystalline silicon film 6 and a metal silicide 9.例文帳に追加

このとき、トレンチ内のゲートを多結晶シリコン膜6と金属シリサイド9との積層構造とする。 - 特許庁

A polycrystalline memory structure is described for improving reliability and yield of devices employing polycrystalline memory materials comprising a polycrystalline memory layer, which has crystal grain boundaries forming gaps between adjacent crystallites overlying a substrate.例文帳に追加

基板上の隣接する晶子間にギャップを形成する結晶粒界を有する、多結晶メモリ層を備える、多結晶メモリ材料を用いたデバイスの信頼性および歩留りを改善する多結晶メモリ構造を記載する。 - 特許庁

In the capacitor of the SIM structure, an upper electrode is formed as a multilayer structure made of polycrystalline group IV semiconductor materials.例文帳に追加

ＳＩＭ構造のキャパシタにおいて、上部電極は、多結晶の４族半導体物質の多層構造として形成される。 - 特許庁

To form a polycrystalline semiconductor thin film that maintains an ideal MOS structure interface and at the same time, has a large particle size, and to manufacture a high-performance thin-film transistor by the polycrystalline semiconductor thin film.例文帳に追加

理想的なＭＯＳ構造界面を保ちつつ、大粒径の多結晶半導体薄膜を形成し、これを用いて高性能の薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

To form a lens with resolution suited for an optical device by using a polycrystalline structure translucent ceramics.例文帳に追加

多結晶構造の透光性セラミックスを用い、光学機器に適した分解能を有するレンズとする。 - 特許庁

To provide an orientation polycrystalline material which is a polycrystalline material composed of an aggregate of single-crystal particles, especially the polycrystalline material having each single-crystal particle of cubic crystal structure, and has uniform crystal orientation of each single-crystal particle.例文帳に追加

単結晶粒子の集合体よりなる多結晶材料、特に各単結晶粒子が立方晶系の結晶構造を有する多結晶材料であって、各単結晶粒子の結晶方位が揃った配向多結晶材料を提供する。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON FILM STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MAFANUCTURING METHOD OF TFT USING THE SAME例文帳に追加

多結晶シリコン薄膜構造体及びその製造方法、並びにそれを用いるＴＦＴの製造方法 - 特許庁

Flat shapes of a polycrystalline silicon layer 4 and an amorphous silicon layer 5 have substantially identical shape, and the amorphous silicon layer 5 has a smaller area than the polycrystalline silicone layer 4 in a first thin-film transistor TFT1, where a channel region has a laminated structure of polycrystalline and amorphous silicones and has a reverse staggered structure.例文帳に追加

チャネル領域が多結晶及び非晶質シリコンの積層構造でかつ逆スタガ構造の第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１の前記多結晶シリコン層４と前記非晶質シリコン層５の平面形状を略相似形状とし、かつ前記非晶質シリコン層５を前記多結晶シリコン層４より小面積とした。 - 特許庁

2. Integrated circuits that do not possess multilayered structure (excluding those in which both the number of polycrystalline silicon layers and the number of metal layers are three or less) 例文帳に追加

（二）　多層構造（多結晶シリコン層及び金属層がいずれも三層以下のものを除く。）を有しないもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To transfer a polycrystalline carbon lump to a crystalline structure by applying an IR laser beam to a crystal grain boundary surface.例文帳に追加

赤外レーザービームを結晶粒界境界面に当てて多結晶質炭素塊を異なる結晶組織に転移させる。 - 特許庁

HIGH-DENSITY POLYCRYSTALLINE SINTERED COMPACT OF LEAD- CONTAINING TITANIC ACID COMPLEX OXIDE HAVING PEROVSKITE TYPE STRUCTURE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ペロブスカイト型構造を有する鉛含有チタン酸複合酸化物高密度多結晶焼結体とその製造方法 - 特許庁

A cell plate, having a polycide structure composed of a polycrystalline Si film and a WSiX film, is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に多結晶Ｓｉ膜とＷＳｉ_x 膜とのポリサイド構造を有するセルプレート１５を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 17A of a first MOSFET 20A in the light receiving part 10A has a single layer structure of polycrystalline silicon.例文帳に追加

受光部１０Ａの第１のＭＯＳＦＥＴ２０Ａのゲート電極１７Ａは多結晶シリコンの単層構造である。 - 特許庁

A base that is a polycrystalline sintering body that uses Perovskite type crystal structure as a main crystal phase and has light transmission properties is provided.例文帳に追加

ペロブスカイト型結晶構造を主結晶相とする、透光性を備えた多結晶焼結体である基材を設ける。 - 特許庁

An NMOS transistor QN has a structure in which the gate insulation film 5 and the polycrystalline polysilicon layer 63 are formed in this sequence.例文帳に追加

またＮＭＯＳトランジスタＱＮは、ゲート絶縁膜５、多結晶ポリシリコン６３が当該順に形成された構成を有する。 - 特許庁

The upper electrode 15 is formed of a laminate structure of a silicon film 14 and a polycrystalline silicon film 13 protecting the silicon nitride film 12.例文帳に追加

上部電極１５は、シリコン窒化膜１２を保護する多結晶シリコン膜１３とシリコン膜１４の積層構造から成る。 - 特許庁

COBALT-ALUMINUM-CARBON BASED ALLOY COMPOSED OF POLYCRYSTALLINE STRUCTURE OR MONOCRYSTALLINE STRUCTURE OF SINGLE PHASE HAVING COMPOSITION CLOSE TO E21 TYPE INTERMETALLIC COMPOUND Co3AlC, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｅ２１型金属間化合物Ｃｏ３ＡｌＣに近似する組成の単相の多結晶組織と単結晶からなるコバルト−アルミニウム−炭素系合金及びその製造方法 - 特許庁

To obtain a laminated structure in which the fine thin film of silicon having arranged crystal orientation is formed, a thin-film polycrystalline solar cell using the laminated structure and a thin film transistor.例文帳に追加

結晶方位の揃った良質のシリコン薄膜が形成された積層構造およびそれを用いた薄膜多結晶太陽電池ならびに薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

This base leading-out electrode 13 has a bilayer structure in which a p-type polycrystalline silicon film 13b in which boron is doped in a medium concentration is laminated on a p-type polycrystalline silicon film 13a in which boron is doped in a high concentration.例文帳に追加

ベース引き出し電極１３は、高濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ａの上に中濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ｂを積層した２層構造になっている。 - 特許庁

A microcrystal structure nitride semiconductor electronic element employs a polycrystalline or microcrystal structure nitride semiconductor (hereinafter, simply referred to polycrystalline nitride semiconductor) having crystal planes (facets) different from each other as a substrate, wherein the fact that the facets of crystal particles become random is utilized, or its structure is controlled.例文帳に追加

それぞれ異なる結晶面（ファセット）を有する結晶粒から成る多結晶もしくは微結晶窒化物半導体（以後単に多結晶窒化物半導体）を基体としており、各結晶粒のファセットがランダムになることを利用した、もしくはその構造を制御することを特徴とした半導体電子素子とする。 - 特許庁

As a result, the polycrystalline silicon film 15 and the Al (aluminum) film 15 constitute a bimorph structure across the hinge section 13 consisting of silicon nitride.例文帳に追加

これにより、多結晶シリコン膜１５とアルミニウム膜１６とが窒化シリコンからなるヒンジ部１３を挟んでバイモルフ構造を構成している。 - 特許庁

DOPANT USING CONTROLLED CRYSTAL STRUCTURE, POLYCRYSTALLINE SILICON FILM USING MULTI-LAYER SILICON FILM, AND ADJUSTMENT OF STRESS OF AMBIENT LAYER例文帳に追加

制御された結晶構造を用いた、ドーパント及び多層シリコン膜の使用による多結晶シリコン膜及び周囲層の応力の調節 - 特許庁

The drift layer 6 has an oxide layer of a dense SiO2 structure or a structure near to it obtained by heat-treating the porous polycrystalline silicon layer 4 formed by oxidizing the polycrystalline silicon layer 3 with the anode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、多結晶シリコン層３に陽極酸化処理を施すことにより形成された多孔質多結晶シリコン層４に熱処理を行った後、酸化されており、水素の混入が少なく緻密なＳｉＯ_2の構造若しくはＳｉＯ_2の構造に近い酸化膜を有する。 - 特許庁

To provide a battery voltage detecting circuit which can securely detect a battery voltage by eliminating parasitic capacitance caused by the structure between an on-structure polycrystalline silicon film resistor and a semiconductor substrate.例文帳に追加

構造上多結晶シリコン膜抵抗体と半導体基板間に構成される寄生容量を無くし、電池電圧の確実な検出を可能なバッテリー電圧検出回路を提供する。 - 特許庁

After an isolation insulating film 1 is formed, a gate electrode constituted of a lamination structure of a first silicon oxide film 3, a first polycrystalline silicon film 4, an ONO film 5, a second polycrystalline silicon film 6 and a second silicon oxide film 7 is formed.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１を形成後、第１のシリコン酸化膜３、第１の多結晶シリコン膜４、ＯＮＯ膜５、第２の多結晶シリコン膜６、第２のシリコン酸化膜７の積層構造からなるゲート電極部を形成する。 - 特許庁

To improve the performance of a thin film transistor by magnifying the size of the crystal obtained by laser annealing, in a bottom gate structure of polycrystalline thin film transistor.例文帳に追加

ボトムゲート構造の多結晶薄膜トランジスタにおいて、レーザアニールで得られる結晶サイズを拡大化して薄膜トランジスタの高性能化を図る。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is element-isolated at element isolation parts 2 to have a gate-like structure having a thin insulating film 30 and a polycrystalline silicon film 7.例文帳に追加

シリコン基板１に素子分離２を形成した後、薄い絶縁膜３０と多結晶シリコン膜７からなるゲート状構造を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for a solar cell having a texture structure attaining low reflectance regardless of use of a polycrystalline or amorphous material.例文帳に追加

多結晶又はアモルファスの材料を用いた場合でも、低反射率を達成できるテクスチャ構造を有する太陽電池用基板を提供する。 - 特許庁

A stacked body 100 is a polycrystalline structure formed of a monocrystal layer (crystal gain 110) including a C-surface standing up along a thickness direction of the layer.例文帳に追加

積層体１００は、Ｃ面が層の厚さ方向に沿って起立した単結晶（結晶粒１１０）の層からなる多結晶構造である。 - 特許庁

A polycrystalline underlayer composed of Ru or an alloy consisting essentially of Ru and having hexagonal closest packing structure is disposed on a substrate.例文帳に追加

基板の上に、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕからなる多結晶の下地層が配置されている。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor device having a gate electrode which has a laminated structure of a polycrystalline silicon film and a tungsten silicide film.例文帳に追加

多結晶シリコン膜およびタングステンシリサイド膜の積層構造を有するゲート電極を備えた半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

Dielectric films 45 and polycrystalline silicon films 46 are formed on the separated island shaped lower electrodes 48, to form a stacked capacitor cell structure.例文帳に追加

分離された島状の下部電極４８上に誘電体膜４５、多結晶シリコン膜４６を形成して、スタックトキャパシタセル構造を形成する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline structure film that can contribute to the micro size of magnetic particles formed in a crystalline layer and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

結晶層内に形成される磁性粒の微小化に大いに貢献することができる多結晶構造膜、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁