「programming type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A program used for PE#0 can refer and change data in a common memory of PE#1, for example, in the MPMD programming based on the distributed common memory type multiprocessor system, but address of those data (position in a memory space) is different at each PE.例文帳に追加

分散共有メモリ型マルチプロセッサ方式を前提とするＭＰＭＤプログラミングでは、たとえばＰＥ＃０用のプログラムがＰＥ＃１の共有メモリ上のデータを参照・変更することがあるが、当該データのアドレス（メモリ空間上での位置）はＰＥごとに異なっている。 - 特許庁

To provide a charge trap type nonvolatile memory device which prevents the phenomenon in which threshold voltage distribution is varied by applying voltage detrapping electric charges shallow-trapped during applying program pulse voltage, and improves reliability of read-out, and also to provide its programming method.例文帳に追加

プログラムパルス電圧の印加時にシャロートラップされた電荷をデトラップ(detrap)させる電圧を印加してしきい値電圧分布が変化する現象を防ぎ、読み出しの信頼性を高めるチャージトラップ型不揮発性メモリ装置とそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The programming of data is executed by the write units which are less than blocks as erasure units, and not less than pages as program units in the flash type EEPROM memories, and the conversion table of a logical address and a physical address by the write units is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

上記フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリには、イレーズ単位であるブロックより小さく、プログラム単位であるページ以上のライト単位でデータのプログラムを行い、上記強誘電体メモリには、上記ライト単位の論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを記憶する。 - 特許庁

A composition for forming an electric field programmable film 1 is a composition comprising a matrix precursor composition or a dielectric matrix material including an organic polymer and/or an inorganic oxide, an electron donor D and an electron acceptor A of a type and in an amount effective for electric field programming.例文帳に追加

電界プログラム可能なフィルム１を形成するための組成物であって、マトリックス前駆体組成物又は有機ポリマー及び／又は無機酸化物を含む誘電性マトリックス材料；及び電界プログラミングのために有効なタイプ及び量の電子供与体Ｄ及び電子受容体Ａを含む組成物。 - 特許庁

In a computer into which a multi-task operating system such as a UNIX is installed, a flow control syntax constituting procedure type high level programming language and a function calling syntax capable of recursive calling are mounted as a shell outside command preserved in a directory with the path of a file system.例文帳に追加

ＵＮＩＸなどのマルチタスクオペレーティングシステムがインストールされたコンピュータにおいて、手続き型高級プログラミング言語を構成するフロー制御構文、並びに、再帰呼び出し可能な関数呼び出し構文を、ファイルシステムのパスの通ったディレクトリ内に保存されたシェル外部コマンドとして実装する。 - 特許庁

The architecture can use any combination of the following: a software scenario independent intermediate representation format, one or more exception handling models capable of supporting a plurality of programming language specific exception handling models, a type system capable of representing the type representations of a plurality of source languages, and a code generator capable of generating a code targeted for a plurality of execution architectures.例文帳に追加

そのアーキテクチャは、以下のもののいかなる組合せも使用可能である：ソフトウェアシナリオ非依存中間表現フォーマット、複数のプログラミング言語固有の例外処理モデルをサポートすることが可能な１または複数の例外処理モデル、複数のソース言語の型表現を表わすことが可能な型システム、および複数の実行アーキテクチャをターゲットとするコードを生成することが可能なコードジェネレータ。 - 特許庁

In a simulating device for simulating the behavior of a system on a time based, a simulation performing part 3 performs simulation of a model described in the constraint type programming language, access an external function while performing the simulation and also changes the movements of the simulation in accordance with a returned value returned from the external function.例文帳に追加

システムの時間軸上の挙動をシミュレートするシミュレーション装置において、シミュレーション実行部３は、制約型プログラミング言語で記述されたモデルのシミュレーションを実行し、当該シミュレーションの実行中に外部関数を呼び出すと共にその外部関数から返される戻り値に応じて当該シミュレーションの動作を変更する。 - 特許庁

Since the power source voltage Vdd is impressed to the n-type semiconductor substrate 11 via an electrode 22, a current easily flows to the leak path due to the rectifying action of diode when an external input is applied and thereby breakdown of the second easy breakdown region 17b for the purpose other than the programming can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１１には電極２２を介して電源電圧Ｖｄｄが印加されているため、外部入力があった場合ダイオードの整流作用からリークパス部を電流が流れやすくなり、プログラミング目的以外で第２易破壊領域１７ｂが破壊されるのを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a method of programming the same, in which program time can be decreased by determining the propriety of program fail through a verification line, without adding a circuit to a page buffer of a nonvolatile memory element, and at the same time, by executing a cache program and intelligence-type verification.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子のページバッファーに回路を追加せずに検証ラインを介してプログラムフェイルの可否を判断し、知能型検証を遂行させることによってキャッシュプログラムと知能型検証を同時に遂行するようにしてプログラム時間を減らすことができる不揮発性メモリ素子及びプログラム方法を提供する。 - 特許庁

In this case, more N type MOS transistors are used as compared with before, the programming operation can be performed without controlling the voltage level of the counter electrode of the anti-fuse element since only voltage levels of word line WLi and bit line BLj are controlled and the counter electrode (second electrode) of the anti-fuse element AF is grounded.例文帳に追加

この場合、従来よりもＮ型ＭＯＳトランジスタが多いが、ワード線ＷＬｉ、ビット線ＢＬｊの電圧レベルだけを制御して、アンチヒューズ素子ＡＦの対極（第２極）は接地されているため、アンチヒューズ素子ＡＦの対極の電圧レベルを制御することなく、プログラム動作を実行することができる。 - 特許庁

A contact type mask ROM including the memory cell array region 10 and a peripheral circuit region, includes a plurality of vias 104A to 104R, and 102R to 102H connecting predetermined wiring layers to each other, wherein the via 102A to 102H of the memory cell array region used for programming, and the vias 104A to 104R in the peripheral circuit region are different in diameter.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域１０と、周辺回路領域を含むコンタクト方式のマスクＲＯＭであって、所定の配線層間を接続する複数のビア１０４Ａ〜Ｒ、１０２Ａ〜Ｈ、を含み、プログラミングに使用されるメモリセルアレイ領域１０のビア１０２Ａ〜Ｈと、前記周辺回路領域のビア１０４Ａ〜Ｒとでは、径の大きさが異なるマスクＲＯＭ。 - 特許庁

The fixed electrode 211 is connected to an active layer 213 via a reverse conductivity-type impurity region 212, having a polarity opposite to that of an impurity region corresponding to source and drain, and removes electric charges which have accumulated in an active layer to cause saturation characteristics deterioration, when the TFT 210 for the current programming is in operation.例文帳に追加

固定電極２１１は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域２１２を介して活性層２１３と接続されており、電流プログラム用ＴＦＴ２１０の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第１電圧を印加する第１過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第２過程と、前記非選択のワードラインには第２電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第３電圧を印加する第３過程とを備える。 - 特許庁