「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

On the substrate 1, two areas are formed, that is, a record area 3 and a reaction area 4, concentrically formed in the radial direction.例文帳に追加

基板１は、半径方向に同心円状に形成された記録領域３及び反応領域４の２つの領域が形成されている。 - 特許庁

To grow a thin film single crystal having good quality by enabling heating of only a colored substrate, improving reaction efficiency and also enabling uniform heating, in the production.例文帳に追加

着色基板のみの加熱を可能とし、反応効率を向上させ、また、均質加熱を可能として良質な薄膜単結晶を育成する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a composite film forming apparatus capable of accurately setting a substrate in a reaction chamber for forming a film.例文帳に追加

基板を反応室内に精度よくセットして成膜を行うことができる成膜装置及び複合成膜装置を提供する。 - 特許庁

To control gas activated with plasma to reach a substrate provided within a reaction chamber as much as possible under the active condition.例文帳に追加

プラズマにより活性化されたガスを活性な状態のまま、より多く反応管内の基板に到達させることを可能とする。 - 特許庁

To cause enzyme reaction in a cell by uptaking a substrate of enzyme into Escherichia coli without using cells treated by a surfactant or an organic solvent, etc.例文帳に追加

界面活性剤や有機溶媒等で細胞を用いることなく大腸菌内に酵素の基質を取り込ませて該細胞内で酵素反応を生じさせる。 - 特許庁

A reaction layer 4 of nickel silicide is formed between the SiC substrate 1 and the nickel film 3 at the opening part 2a of the barrier film 2.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１とニッケル膜３との間においては、バリア膜２の開口部２ａの部分に、ニッケルシリサイドの反応層４が形成されている。 - 特許庁

The steam accelerates a reaction between silicon in the HMDS hydrophobic treatment gas and oxygen on the substrate surface, by which high hydrophobicity is stably achieved.例文帳に追加

前記水蒸気により、ＨＭＤＳ疎水化処理ガスのケイ素と、基板表面の酸素との反応が促進され、安定して高い疎水性が得られる。 - 特許庁

To provide an improved gas supply system used in a reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に用いられる反応チャンバーで用いられるガス供給システムの改良に関する。 - 特許庁

A gas decomposition product of the electrically negative insulating gas reacts on copper remaining on the DBC substrate, and the reaction product is identified as a defect of etching.例文帳に追加

電気負性絶縁ガスのガス分解生成物がDBC基板に残存した銅と反応した生成物を、エッチングの欠陥として判別する。 - 特許庁

In the downstream of the substrate 122, a convection preventing member 150 shields at least the outside of the interior of the reaction tube 110.例文帳に追加

基板１２２の下流で反応管１１０の内部の少なくとも外側を対流防止部材１５０が遮蔽している。 - 特許庁

To perform surface treatment of the second surface of a treated substrate on the reverse side of the first surface with reaction gas while limiting or preventing surface treatment of the first surface.例文帳に追加

被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。 - 特許庁

To make the configuration of a reaction chamber axially symmetric, to make uniform the flow of gas, to improve the in-face uniformity of the temperature of a substrate, and to simplify the mechanism.例文帳に追加

反応室の構成を軸対称とし、ガスの流れを均一化し、基板の温度の面内均一性を向上させると共に機構を簡単にする。 - 特許庁

A heater 2 is disposed between the inner wall of the reaction tube 5 and the substrate 1 and 1, and a heat insulating material 7 is disposed so that it encloses the heater 2.例文帳に追加

基材１，１と反応管５の内壁との間にヒータ２を配置し、ヒータ２を包囲するように断熱材７を配置する。 - 特許庁

A copper heat transmission plate 204 is bonded onto the lower surface of the bottom wall 106 of the reaction chamber 104 of a substrate 102.例文帳に追加

基板１０２内の反応チャンバ１０４の底壁１０６の下面に、銅の熱伝導板２０４が接合される。 - 特許庁

At first, the nucleic acid-amplifying substrate 10 is sandwiched by the first heat blocks 55 at the temperature regulated so as to be nearly the temperature for carrying out the first reaction.例文帳に追加

最初に核酸増幅基板１０を第一反応を行う温度近傍に温調された第一ヒートブロック５５で挟む。 - 特許庁

The liquid raw material is gasified by a vaporizer 13 so as to be fed into a reaction chamber 24, and a substrate W is treated.例文帳に追加

液体原料は気化器１３で気化して反応室２４内に供給して基板Ｗを処理する。 - 特許庁

Thus, a reaction product 5 is deposited on the region of the substrate 1 to be irradiated with the corpuscular beam 2 by an interaction between the gas 4 and the corpuscular beam 2.例文帳に追加

すると、基板１の粒子線２が照射される領域には、気体４と粒子線２との相互作用により、反応生成物５が付着する。 - 特許庁

The resultant nucleic acid-amplifying substrate 10 is sandwiched by the second heat blocks 57 at the temperature regulated so as to be nearly the temperature for carrying out the second reaction.例文帳に追加

続いて核酸増幅基板１０を第二反応を行う温度の近傍に温調された第二ヒートブロック５７で挟む。 - 特許庁

Inside the reaction tube 1 for treating a substrate, the insert tube 2 to insert various types of sensors is arranged.例文帳に追加

基板を処理する反応管１の内部には、各種センサを挿入するための挿入管２が配管されている。 - 特許庁

The reaction layer provided on an electrode surface is limited into the sample liquid supply path so that no regions are sandwiched between a cover member and the substrate.例文帳に追加

電極表面に設ける反応層は、カバー部材と基板の間に挟み込まれる領域がないように、試料液供給路内に限定する。 - 特許庁

As source gases, TaF_5 and SiH_4 are alternately fed to cause reaction on a substrate, thus generating a thin film of TaSi_x.例文帳に追加

原料ガスとしてＴａＦ_５とＳｉＨ_４とを交互に供給しながら基板上で反応させてＴａＳｉ_ｘの薄膜を生成する。 - 特許庁

To provide a resist separating technique which bas a high reaction rate, is clean, and causes less damage to a substrate.例文帳に追加

反応レートが高く、しかも、クリーンで基板へのダメージが少ないレジスト剥離技術を提供する。 - 特許庁

To make the density of a plasma in a reaction chamber uniform, as well as the thickness of a film formed on a substrate to be uniform.例文帳に追加

反応室内のプラズマ密度の均一化を図り、基板上に形成する膜厚の均一化を実現する。 - 特許庁

To provide a treatment method for planarizing the surface of an SiC substrate which gives a smooth surface, under the condition in a reaction chamber with the supply of carbon being suppressed.例文帳に追加

カーボンの供給を抑えた反応室内条件での平滑な表面を与えるＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for progressing the fluorination reaction of a substrate safely and efficiently within a short time under gentle conditions.例文帳に追加

基質に対するフッ素化反応を、穏やかな条件下に短時間で安全かつ効率的に進行させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, in which the gas mixture ratio of a reaction gas will not change, even if the gas is introduced from the central side of a rotation and which obtains the desired film quality and desired film formation rate.例文帳に追加

回転中心側からガスを導入しても、反応ガスのガス混合比率が変ることがなく、所望の膜質、成膜速度を得る。 - 特許庁

METHOD OF IDENTIFYING POSITIONAL INFORMATION OR THE LIKE IN REACTION REGION BLOCK, AND METHOD RELATED TO SUBSTRATE FOR BIOASSAY USING THE SAME例文帳に追加

反応領域ブロックの位置情報等識別方法と該方法を用いたバイオアッセイ用基板に係わる方法。 - 特許庁

To reduce a concentration of an oxygen to be mixed in a film formed on a substrate to be treated by decreasing an adhesion of a moisture to the surface of a wall of a reaction chamber.例文帳に追加

反応室壁面への水分付着を低減することにより、被処理基板に形成される成膜中に混入する酸素濃度を低減する。 - 特許庁

Over the entire process, the substrate is held in the same plasma reaction chamber, and the plasma is continuously retained in the process for making the side wall protecting attachment thinner.例文帳に追加

基板は、全プロセス中、同じプラズマ反応室チャンバ内に保持され、プラズマは薄化工程中、連続して保持される。 - 特許庁

A substrate 1 to be treated is set on a stage 2 in a reaction chamber 3 and the stage 2 is rotated at a prescribed rotating speed.例文帳に追加

被処理基板１は反応室３内のステージ２にセットされ、ステージ２は所定の回転数で回転される。 - 特許庁

On a lower electrode 102 in a reaction chamber 101, a focus ring 107 is arranged in such a manner as to surround a substrate to be processed 150.例文帳に追加

反応室１０１内の下部電極１０２上に被処理基板１５０を囲むようにフォーカスリング１０７が配置されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which a chemical reaction of a silicon substrate with a ferroelectric element is suppressed.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体との間の化学反応が抑制された強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The tank 11 is used for the dip type substrate treatment equipment, and prescribed treatment such as cleaning, etching and substitution at the time of reaction is performed.例文帳に追加

このような貯留槽１１を浸漬式基板処理装置に利用し、所定の処理、例えば洗浄、エッチング、反応の際の置換などを行う。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method capable of effectively removing a reaction product, while reducing the amount of removal liquid use.例文帳に追加

除去液の使用量を抑制しながらも良好に反応生成物の除去を行うことが可能な基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

Further a definite amount of the substrate surface is removed while recovering materials deposited by the chemical reaction from in the liquid chemical 17.例文帳に追加

又、化学反応によって析出する物質を薬液１７中から回収しながら、基板の表面を一定量除去する。 - 特許庁

When the removing liquid is supplied to the surface of the substrate W to remove the reaction product, exhaustion is weakened by an exhaust amount regulating valve 60.例文帳に追加

基板Ｗの表面に除去液を供給して反応生成物を除去する際には、排気量調整弁６０により、排気が弱められる。 - 特許庁

Thereby, XeF_2 is absorbed onto the Si substrate and an chemical reaction is caused, so that SiF_4 and Xe are produced.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ基板にＸｅＦ_2が吸着して化学反応が起こり、ＳｉＦ_4及びＸｅが生成される。 - 特許庁

A pressure inside a reaction chamber 2 to which a substrate 10 to be processed is carried in is turned to the pressure lower than a deposition pressure first.例文帳に追加

まず、被処理基板１０が搬入された反応室２内の圧力を、成膜圧力よりも低い圧力にする。 - 特許庁

This manufacturing method includes a forming process in which the fuel electrode substrate, the solid electrolyte layer, and the anti-reaction layer are baked together.例文帳に追加

本製造方法は、燃料極基板と固体電解質層と反応防止層とを一体に焼成して得る工程を備える。 - 特許庁

In the resin pattern 8 part, the rays of light irradiated to the back face of the substrate are absorbed or shielded so that any optical CVD reaction can be prevented from being generated.例文帳に追加

樹脂パターン８部においては、基板背面から照射された光が吸収または遮光されるので、光ＣＶＤ反応は起こらない。 - 特許庁

To provide a method for highly selectively, efficiently and safely advancing the fluorination reaction of a desired substrate.例文帳に追加

所望する基質のフッ素化反応を高選択的、効率的、かつ安全に進行させる方法を提供する。 - 特許庁

A CVD (chemical vapor deposition) reactor is provided with a reaction chamber, a gas tube heater, a substrate holder, a holder heater, a plurality of hot filaments, an electric field generator, and a magnetic field generator.例文帳に追加

主にチャンバー、気体管路加熱器、基材キャリア、キャリア加熱器、複数のホットフィラメント、電場装置、磁場装置を含む。 - 特許庁

The substrate processor has a vertical-type reaction furnace 40 for processing wafers W mounted on a boat 41.例文帳に追加

基板処理装置は、ボート４１に搭載されたウェハＷを処理する縦型の反応炉４０を備える。 - 特許庁

The deposition-film-forming apparatus 120 generates plasma in a reaction vessel 100 and layers the deposition films on a substrate 105 to be film-formed.例文帳に追加

堆積膜形成装置１２０は、反応容器１００内にプラズマを発生させ被成膜基体１０５に堆積膜を積層する装置である。 - 特許庁

A first reaction layer is formed in a discharge device 20f in the first substrate carried with the belt conveyer BC1.例文帳に追加

次に、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｆにおいて第１の反応層を形成する。 - 特許庁