「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The hydrolysis reaction is promoted by making electrolyzed water exist in the reaction system of the substrate, the hydrolase and a decomposition product from the start point to the end point of the hydrolysis.例文帳に追加

加水分解の開始時点から終了時点まで間、基質、加水分解酵素および分解生成物の反応系に電解生成水を常に存在させることによって、加水分解反応を促進させる。 - 特許庁

Since the introduced reaction gas and radical do not flow between the substrate 15 and the wall face but flows between the substrates 15, etching can be carried out uniformly at high rate of reaction.例文帳に追加

その結果、導入した反応ガスやラジカルが基板１５と壁面の間を流れず、基板１５と基板１５の間を流れるので、反応速度が速く、均一なエッチングを行うことができる。 - 特許庁

To provide an electrode substrate on the whole surface of which a reaction gas spreads, which effectively supplies the reaction gas to a catalyst layer and is capable of preventing a flooding phenomenon in the vicinity of a gas flow path outlet.例文帳に追加

電極基材全面に反応ガスが広がり、触媒層に反応ガスを効率よく供給でき、かつガス流路出口付近のフラッディング現象を防止できる電極基材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The unit 13 removed from the reaction chamber 20 can be put in/out from the reaction chamber 20 in a way similar to a substrate by using a transport mechanism such as a susceptor and tweezers.例文帳に追加

反応室２０から取り外した高温加熱体ユニット１３は、サセプタ、ツィーザなどの搬送機構を使って、基板と同様に反応室２０から出し入れできるように構成する。 - 特許庁

An enclosure (reagent chamber) 102 is arranged on the surface of the region side of the reaction spot 110 of the reaction substrate 101 forming a slab waveguide and the object lens 120 is arranged opposite on the surface of the other side.例文帳に追加

スラブ型導波路を形成する反応基板101の反応スポット110領域側の面にエンクロージャ（試薬室）102を配置し、その反対側の面に対物レンズ120を対向配置する。 - 特許庁

Accordingly, oxidation reaction and decarboxylation reaction are allowed to proceed repeatedly for a given substrate, and a large amount of reduced coenzyme is produced, accompanying the proceeding of the reactions.例文帳に追加

従って、任意の基質に対し、酸化反応と脱炭酸反応を繰り返し進行させることができるため、それに伴い、還元型補酵素を大量に生成することができる。 - 特許庁

In the case that the silicon carbide thin film is grown on the silicon carbide single crystal substrate 5 in an atmosphere free from oxygen in the quartz reaction tube 1, deterioration of the silicon carbide thin film is inhibited, because no oxidation reaction occurs.例文帳に追加

また、石英反応管１内で酸素を含まない雰囲気中で炭化珪素単結晶基板５上に炭化珪素薄膜を成長させる場合には酸化反応がないので、炭化珪素薄膜の劣化が防止される。 - 特許庁

To produce other useful organic compounds through a substrate by utilizing a reverse reaction of an enzyme which could not conventionally actually be used and using a product of a forward reaction thereof as a raw material.例文帳に追加

これまでは実際に利用することができなかった酵素の逆反応を利用して、その正反応の生成物を原料とし、基質を経て他の有用な有機化合物を製造することを目的とする。 - 特許庁

The substrate is selected so that the rate of the cross-metathesis reaction of the second olefinic reactant, k_CM, is greater than or equal to the rate of the ring-opening metathesis reaction, k_RO.例文帳に追加

基質は、第二のオレフィン性反応物のクロス−メタセシス反応の速度ｋ_ＣＭが、開環メタセシス反応の速度ｋ_ＲＯよりも大きいかまたは等しくなるように選択される。 - 特許庁

To prevent a substrate from being shaved off and from dimensional variation due to deposits in a reaction chamber in batch processing which performs a plurality of processes successively in an identical reaction chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。 - 特許庁

To provide a reaction element constituted so that a plurality of molecules parcipitated in reaction are fixed on a substrate at desired positions with high efficiency while the original functions of them are easily developed.例文帳に追加

基体上の所望の位置に複数の反応関与分子が、本来の機能を発揮し易い状態で高効率に固定化された反応素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The microreactor array 10 is reversed so as to view an outward transparent substrate 103 from the rotation axis, and delivers the reaction liquid within the reaction liquid introducing flow path 105 to the waste liquid accommodating section 106 by the centrifugal force.例文帳に追加

次に、マイクロリアクターアレイ１０を回転軸から見て透明基板１０３が外側になるように反転し、遠心力により反応液導入用流路１０５内の反応液を廃液収容部１０６に送出する。 - 特許庁

In a process of manufacturing a semiconductor device by forming a structure film on a substrate in the reaction tank of a manufacturing device, the inside of the reaction bath is cleaned.例文帳に追加

製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。 - 特許庁

A lens 5 forms each image of the plurality of reaction faces 10a-10c of a reaction face substrate 10 loaded on a loading part 1, on each color measuring region corresponding to each reactive face.例文帳に追加

レンズ５は、搭載部１に搭載された反応面基板１０の複数の反応面１０ａ〜１０ｃの各像を、反応面に対応する色測定領域に形成する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 10 includes a reaction tube 52 having a downward opening 54 and a lower vessel 56 for occuluding the opening 54 while supporting the reaction tube 52 from a lower side in the direction of gravity.例文帳に追加

基板処理装置１０は、下向きの開放部５４か形成された反応管５２と、この反応管５２を重力方向下側から支持しつつ、開放部５４を塞ぐ下側容器５６とを有する。 - 特許庁

A reactor 40 has the reaction tube 42 for receiving a substrate carrier 30, and a heater 46 having heater sections 46a-46e is formed around the reaction tube 42.例文帳に追加

反応炉４０は、基板支持具３０を収容する反応管４２を有し、反応管４２の周囲にはヒータ部４６ａ〜４６ｅを有するヒータ４６が形成される。 - 特許庁

In this way, reaction gas can be diffused in the plasma generating vacuum vessel 4, by which the imadiation of radicals and ions in the plasma driven by the flow-down of the reaction gas on the substrate 1 to be treated can be relaxed.例文帳に追加

これにより、反応ガスをプラズマ発生真空容器４内で拡散させることができるので、この反応ガスの流下によって運ばれるプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板１への照射を緩和できる。 - 特許庁

In the method for forming a film having a low relative dielectric constant on a semiconductor substrate through a plasma reaction within a reactor, a residence time Rt of a reaction gas within the reactor is made long so as to satisfy a relation 100 msec≤Rt.例文帳に追加

リアクタ内でプラズマ反応によって半導体基板上に低い比誘電率を有する膜を形成するための方法において、リアクタ内での反応ガスの滞留時間Rtを100msec≦Rtとなるよう延長することを特徴とする。 - 特許庁

PH_3 as a raw material of phosphorus is supplied to a reaction furnace 3 from a raw material gas cylinder 2 and in the reaction furnace 3, a raw material gas is thermally decomposed and a crystal containing phosphorus is epitaxially grown on a substrate being not figured.例文帳に追加

燐の原料としてのＰＨ_3が原料ガスボンベ２から反応炉３に供給され、反応炉３において、原料ガスが熱分解され、図示しない基板上に燐を含む結晶のエピタキシャル成長が行われる。 - 特許庁

When performing the gas cleaning inside a reaction chamber 14, a dummy substrate 24 is placed on a susceptor 18 to clog a hole 18a, thus it is made impossible to pass a cleaning gas 26 introduced into the reaction chamber 14 through the hole 18a.例文帳に追加

反応室１４内のガスクリーニングの際に、サセプタ１８にダミー基板２４を載置することにより穴１８ａを塞ぎ、反応室１４内に導入されるクリーニングガス２６の穴１８ａの通過を不可能とする。 - 特許庁

In the device for a plasma process by arranging a cylindrical substrate 109 in a reaction container that forms a decompressible plasma processing space 106, an electrode 103 for introducing a discharging electric power is disposed outside the reaction container.例文帳に追加

減圧可能なプラズマ処理空間１０６を形成する反応容器内に円筒状基体１０９を配置しプラズマ処理を行う装置において、その反応容器外に、放電電力を導入するため電極１０３が配置されている。 - 特許庁

The crosslinking density measuring sheet shows crosslinking reaction by the lamination treatment and is not adhered to both of the transparent substrate and the back material by crosslinking reaction.例文帳に追加

架橋密度測定用シートはラミネート処理によって架橋反応を呈し、架橋反応によって透明基板、及び裏面材のいずれとも接着が生じない。 - 特許庁

A vapor growth device comprises a reaction chamber group 18X and a reaction chamber group 18Y in which a substrate 20 is arranged, a gas supply member 30, and a gas flow regulating member 40.例文帳に追加

気相成長装置は、基板２０が配置される反応室群１８Ｘおよび反応室群１８Ｙと、ガス供給部材３０と、ガス流れ規制部材４０とを備える。 - 特許庁

An MRSA detecting device detecting the presence/absence of the MRSA promptly is obtained by measuring a possible reaction through the enzyme in this state, i.e., a reaction where substrate 6 changes into product 7 in an electrochemical manner.例文帳に追加

この状態で酵素を介して起こりうる反応、すなわち基質６が生成物７に変化する反応を電気化学的に計測することで、迅速にＭＲＳＡの存在の有無を検知することができるＭＲＳＡ検知装置を得られる。 - 特許庁

The high-temperature electrical heating element 16 is provided between a gas shower 14 and a substrate 15, for equally supplying a reaction gas into a reaction chamber 12, and is covered with a heat-resistant material 22.例文帳に追加

反応室１２内に反応ガスを均等に供給するガスシャワー１４と基板１５との間に高温発熱体１６を設けて、この高温発熱体１６を耐熱材２２で覆う。 - 特許庁

This equipment has a reaction furnace 2, a stage 3 provided inside the reaction furnace 2, film-forming gas supply systems 13, 14, plasma generation apparatus (9, 10, 12), and a substrate-heating heater 4A provided inside the stage 3.例文帳に追加

反応炉２と、この反応炉２内に配設されたステージ３と、成膜用ガス供給系１３，１４と、プラズマ発生装置（９，１０，１２）と、ステージ３の内部に配設された基板加熱ヒータ４Ａとを有したプラズマCVD装置１である。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which can prevent a reaction gas from contacting a member such as a liner and the like around a substrate thereby preventing adhesion of a reaction product.例文帳に追加

反応ガスがライナ等の基板周囲の部材に接触することを防止し、反応生成物が付着するのを防ぐことができる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

By this method, the leaving of dust adhering to component parts in the reaction vessel 103 and its re-adhesion to the substrate to be treated in the reaction vessel 103 can be prevented.例文帳に追加

これにより、反応容器１０３内の構成部品に付着しているダストが離脱して反応容器１０３内の被処理基体に付着するということが防止される。 - 特許庁

To provide a reactor and a method that provides a uniform distribution of a reaction gas over the entire processing surface of a substrate carrier and can avoid turbulent flow caused by the speeds of the reaction gas being different.例文帳に追加

基板キャリアの処理面の全体にわたって、反応ガスの均一な分布をもたらし、反応ガスの速度が異なることによって引き起こされる乱流を回避することができる反応器及び方法を提供する。 - 特許庁

In the detection chip having a well-like reaction part 3 on a substrate, the well-like reaction part 3 comprises a bottom 9 having a plane shape and a side part 10 tapered from the bottom 9 toward an opening part 6.例文帳に追加

基板に、ウェル状反応部３を有する検出チップにおいて、ウェル状反応部３は、平面形状を成す底部９と、この底部９から開口部６に向かってテーパ状を成す側部１０とで構成されている。 - 特許庁

The resist 2 coated side of a substrate is cooled by bringing a cooling plate 1a cooled to a temperature at which the reaction of the resist 2 stops or below near to the resist 2 coated side to quickly stop the reaction of the resist 2.例文帳に追加

基板のレジスト２塗布面側にレジスト２の反応の停止する温度以下まで冷却した冷却プレート１ａを近接させて冷却することで、急速にレジスト２の反応を停止させる。 - 特許庁

To suppress outside air from infiltrating into a reaction chamber and a vapor phase from backflow, while the reaction chamber is opened to the outside via a substrate-inserting/ejecting opening.例文帳に追加

反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間、反応容器の内部への外気の侵入と気相の逆流とを抑制することができるようにする。 - 特許庁

When the reaction vessel 103 in which a substrate to be treated is held is moved toward the exhaust section 102, vibration to the reaction vessel 103 is absorbed by the vibration proof mechanism 105.例文帳に追加

被処理基体を収容した反応容器１０３を排気部１０２に向けて移動させる際に、反応容器１０３への振動が防振機構１０５によって吸収される。 - 特許庁

Meanwhile, the upper part of the substrate holder 107 is electrically connected to the upper cover of the reaction vessel via the connector 201, and the sliding part 206 is separated from the internal space of the reaction vessel by the connection part 202.例文帳に追加

一方、基体ホルダ１０７の上部は接続体２０１を介して反応容器の上蓋に電気的に接続され、摺動部２０６は接続部２０２によって反応容器の内部空間から隔てられる。 - 特許庁

Also, a reaction chamber for treating a substrate, by bringing a reaction gas into contact with the electrical heating element unit 28 for decomposition, is suitably divided to form a plurality of regions 23-27.例文帳に追加

また、発熱体ユニット２８に反応ガスを接触させ分解して基板を処理する反応室を適宜分割して複数の領域２３〜２７を形成する。 - 特許庁

The flow of the material gas inside the reaction tube 3 is set in a direction, parallel to the growth surface of a substrate 14, and the velocity of flow of the material gas inside the reaction tube 3 is set at 2 m/s or less.例文帳に追加

反応管３の内部における原料ガスの流れは基板１４の成長面に対して平行な方向となっており、反応管３の内部における原料ガスの流速は２ｍ／ｓ以下となっている。 - 特許庁

To provide a MOCVD apparatus and a MOCVD method, which can suppress the sticking of reaction products to a gas inlet portion, and at the same time, can improve the uniformity of vapor phase reaction of raw gas in the surface of a substrate.例文帳に追加

ガス導入部への反応生成物の付着を抑制することができるとともに、基板の表面における原料ガスの気相反応の均一性を向上することができるＭＯＣＶＤ装置およびＭＯＣＶＤ法を提供する。 - 特許庁

After disposing a substrate 7 in a reaction vessel 5, a raw material melt 8 is obtained by melting a raw material metal by heating the reaction vessel 5 to a temperature not lower than the melting point of the raw material metal by using a heater 4.例文帳に追加

反応容器５内に基板７を設置した後、加熱装置４を用いて、反応容器５の温度が原料金属の融点以上になるように加熱し、原料金属が融解させ原料液８を得る。 - 特許庁

As one embodiment, the substrate having a surface is supplied to a reaction chamber and a vaporized noble metal precursor is charged pulse in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明の一実施形態によれば、表面を有する基板を反応室内に供給し、気化した貴金属前駆体を反応室内にパルス送入する。 - 特許庁

A mixture of one or more kinds of chemicals for performing chemical reaction causing generation of reaction heat is supplied, as a treatment liquid, to the substrate during the liquid treatment, and supply of some of the chemicals is stopped during the intermediate treatment.例文帳に追加

また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 - 特許庁

The vertical semiconductor manufacturing device has a reaction chamber 1 for treating a number of substrates W loaded to a boat 3, and a transfer chamber 10 having a mechanism for conveying the substrate W where the boat 3 is put in the reaction chamber 1.例文帳に追加

縦型半導体製造装置は、ボート３に積載した多数枚の基板Ｗを処理するための反応室１と、反応室１にボート３に載せた基板Ｗを搬送するための機構を有する移載室１０とを備える。 - 特許庁

To provide a lab-on-a-chip wherein the whole functions are arranged in one substrate by forming on one chip a passage part for carrying out the replication, synthesis, reaction, detection or the like of a nucleic acid, and a circuit part for regulating the reaction at the passage part.例文帳に追加

核酸の複製や合成、反応及び検出等を行う流路部と、流路部における反応を制御する回路部を一つのチップ上に設け、全ての機能が一つの基板上に設けられたラボオンチップの提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a surface-fluorinated substrate by which a fluorination reaction is conducted efficiently at a high enough reaction rate commercially and economically.例文帳に追加

本発明は、工業的または経済的に十分な反応速度で効率よくフッ素化反応を行うことが可能な表面フッ素化基材の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A distance from a site, where the organometallic compound gas containing a group III element and a compound gas containing a group V element are converged in the reaction tube 11, to a substrate fitted in the reaction tube is set in 20 cm or less.例文帳に追加

また、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物ガスとＶ族元素を含む化合物ガスとが反応管１１内で合流する部位から反応管内に設置される基板までの距離を２０ｃｍ以下にする。 - 特許庁

Plasma is generated in a reaction vessel 101 by the high-frequency power introduced from a radiofrequency electrode 102 into the reaction vessel 101 to treat a cylindrical substrate 105 as a material to be treated.例文帳に追加

高周波電極１０２から反応容器１０１に導入された高周波電力によって反応容器１０１内にプラズマを生起させて被処理物としての円筒状基体１０５を処理する。 - 特許庁