「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

This reaction container having a heating portion and having reaction portions for thermal reactions and reagent-receiving portions in an identical substrate is characterized in that the shortest distance between the heating portion of the reaction portions and the reagent-receiving portions is ≥15 mm.例文帳に追加

同一基板に、加熱領域を有し加熱反応を行う反応部および試薬収容部を有してなる反応容器であって、反応部の加熱部と試薬収容部の最短の距離が１５ｍｍ以上であることを特徴とする反応容器とする。 - 特許庁

To provide a method for separating a reaction product and a catalyst, by which the reaction product and the catalyst and/or its changed product can simply and efficiently be separated from the reaction mixture using an imide compound such as N-hydroxyphthalimide as the catalyst and a hydrocarbon or the like as a substrate.例文帳に追加

Ｎ−ヒドロキシフタルイミドなどのイミド化合物を触媒とし炭化水素類などを基質として用いた反応混合物から、反応生成物と触媒及び／又は該触媒の変質体とを簡単な操作で効率よく分離できる方法を提供する。 - 特許庁

The liquid-phase epitaxial growth device 1 is provided with an assembled body 1k to which a plurality of solution reservoirs 31, 32, 33 for respectively reserving reaction solutions S1, S2, S3 different in their components are fixed around a reaction vessel 2 which contains a substrate W and a reaction solution S.例文帳に追加

本発明の液相エピタキシャル成長装置１は、基板Ｗと反応溶液Ｓとを収容する反応容器２の周囲に、成分のそれぞれ異なる反応溶液Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を個別に収容した複数の溶液溜容器３１，３２，３３を取り付けた組立体１ｋを備える。 - 特許庁

The heat treatment apparatus includes: a reaction chamber 31 for executing the heat treatment of a surface of a metal component to be used in a treatment chamber for treating a substrate; a gas feeding apparatus 32 for feeding gas to the reaction chamber 31; an exhaust apparatus 33 for decompression and exhaust of the reaction chamber 31; and a holding body 34 for holding the metal component.例文帳に追加

基板を処理室する処理室に用いられる金属部品の表面を熱処理する反応室３１と、この反応室３１にガスを供給するガス供給装置３２と、反応室３１を減圧排気する排気装置３３と、金属部品を保持する保持体３４とを備える。 - 特許庁

A gas constituting a main raw material, a gas constituting an auxiliary raw material, a gas constituting a carrying medium, etc., are allowed to flow into a reaction chamber 10 from a raw material feeder 23, and the chemical reaction is generated between the gases in the reaction chamber 10 to form a film (a metal copper layer) on a surface of a substrate W.例文帳に追加

反応室１０内に原料供給装置２３から主原料となる気体、補助原料となる気体、搬送媒体となる気体等を流入し、反応室１０内で気体間に化学反応を起こし、基板Ｗ表面に膜（金属銅層）を形成する。 - 特許庁

In addition, an reaction gas supply tube 3, in which a reaction gas supply passage 5 is formed to supply to a clearance between the rotary electrode 1 and substrate S a reaction gas for generating a plasma by a voltage applied from a high-frequency power supply 2, is provided in the cavity 1d of the rotary electrode 1.例文帳に追加

そして、この回転電極１の空洞部１ｄには、高周波電源２から印加される電圧によってプラズマを発生させる反応ガスを、回転電極１と基板Ｓとの間隙に供給する反応ガス供給路５が形成された反応ガス供給管３が設けられている - 特許庁

After a semiconductor film is grown on a substrate by setting a reaction furnace 2 in a decompression state, only parts V3, V4 of a plurality of vacuum exhaust valves V2 to V4 are closed, thereby lowering the exhaust speed of a vacuum pump 5 to exhaust the reaction furnace 2 and simultaneously return the reaction furnace 2 to have normal pressure.例文帳に追加

反応炉２を減圧状態として基板上に半導体膜を成長した後、複数の真空排気バルブＶ２〜Ｖ４のうちの一部Ｖ３、Ｖ４だけを閉じることにより、真空ポンプ５の排気速度を下げて反応炉２を排気しながら反応炉２を常圧に戻す。 - 特許庁

CVD equipment comprises a reaction vessel (1), a material gas supply member (2) for supplying a material gas for growing a semiconductor crystal into the reaction vessel (1), a susceptor (3) which is installed inside the reaction vessel (1) and holds a substrate (10) on a holding surface (3a), and an exhausting means (6).例文帳に追加

本発明によるＣＶＤ装置は、反応容器（１）と、半導体結晶の原料ガスを反応容器（１）の内部に供給する原料ガス供給部材（２）と、反応容器（１）の内部に設けられ、保持面（３ａ）において基板（１０）を保持するサセプター（３）と排気手段（６）とを備えている。 - 特許庁

Then, while reducing the flow rate of the inert gas to be supplied to the reaction chamber 2, a raw material gas is supplied into the reaction chamber 2 while increasing the flow rate, and the film is formed on the substrate 10 to be processed while maintaining the pressure inside the reaction chamber 2 at the deposition pressure.例文帳に追加

次に、反応室２に供給される不活性ガスの流量を減少させつつ、反応室２内に流量を増加させながら原料ガスを供給して、反応室２内の圧力を成膜圧力に維持しつつ被処理基板１０に膜を形成する。 - 特許庁

An evacuation channel for evacuating reaction gas from each reaction gas process area is provided separately, and a separation area is provided between these reaction gas process areas, and a flow rate of the gas evacuated through each evacuation channel and a pressure in the vacuum chamber are controlled so that a gas flow rate to a substrate is kept constant.例文帳に追加

夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 - 特許庁

In an evacuating reaction vessel 101, a holder 106 with a substrate 105 installed therein is connected to a rotating device 114 outside the reaction vessel 101, and rotatably supported by a rotary shaft 107 extended penetrating a bottom part of the reaction vessel 101.例文帳に追加

減圧可能な反応容器１０１内には、基板１０５が設置されるホルダー１０６が、反応容器１０１外の回転駆動装置１１４に接続され、反応容器１０１の底部を貫通して延びる回転軸シャフト１０７によって回転可能に支持されている。 - 特許庁

A cover means which is made of a material shielding the weld zone from the gas chemical reaction and having resistance to the reaction and which shields the weld zone from the gas chemical reaction is additionally provided in the substrate treating equipment to prevent production and sticking of particles onto a wafer at low cost including running cost.例文帳に追加

溶接部を、ガス化学反応から遮蔽する、その反応に耐性を有する素材からなる、溶接部をガス化学反応から遮蔽するカバー手段を、基板処理装置内に付設することで、運用コストを含め低コストにそのパーティクル発生およびウエハへの付着を防ぐ。 - 特許庁

For example, a reaction inhibitor is supplied from the independent chemical substance supply port 50 and an enzyme and a substrate corresponding to the enzyme are supplied from the common chemical substance supply port 60, a reaction is performed in the flow channels 40 to screen a plurality of reaction inhibitors.例文帳に追加

独立化学物質供給口５０からは例えば反応阻害剤を、共通化学物質強供給口６０からは酵素とそれに合わせた基質とを供給し、流路４０内で反応させることにより、複数の反応阻害剤のスクリーニングを行う。 - 特許庁

An MOCVD apparatus 10 includes a chamber 11; a reaction pipe 12 where a processing space 50 is located with a substrate 14 positioned, and which is located in the chamber 11; and a pyrometer 25 which is located outside the reaction pipe 12, and observes the inside of the reaction pipe 12.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置１０は、チャンバ１１と、基板１４が設置される処理空間５０を規定し、チャンバ１１内に配置される反応管１２と、反応管１２の外側に設けられ、反応管１２内を観測するパイロメータ２５とを備える。 - 特許庁

In addition, they have a process for introducing the reaction gas into the discharge space and a process for activating the reaction gas by supplying the pulse or the rectangular wave modulated high-frequency power into the discharge space and are characterized in that the ashing treatment is performed on the surface of the substrate with the activated reaction gas.例文帳に追加

また放電空間に反応ガスを導入する工程と、前記放電空間にパルスもしくは矩形波変調された高周波電力を供給して前記反応ガスを活性化する工程と、を有し、前記活性化された反応ガスが基体の表面にアッシング処理をすることを特徴とする。 - 特許庁

An optical transparent window 42 is provided to an upper surface of a reaction chamber 20, a lamp heating device 50 is disposed in the outside of the reaction chamber corresponding to the optical transparent window, light of the lamp heating device 50 is let into the reaction chamber 20 through the optical transparent window 42, and a treatment substrate 6 is subjected to optical irradiation heating.例文帳に追加

反応室２０の上面に光透過性窓４２を設け、その光透過性窓に対応する反応室外側にランプ加熱装置５０を配置し、ランプ加熱装置５０の光を光透過性窓４２を通して反応室２０内に入れ、被処理基板６を光照射加熱する。 - 特許庁

The sensor is a sensor containing the back gate type field-effect transistor and characterized in that the gate electrode, which surrounds a reaction region, is fixed on the insulating film of a semiconductor substrate and the thickness of the insulating film of the reaction region is less than the thickness of the insulating film in the periphery of the reaction region.例文帳に追加

本発明のセンサは、バックゲート型の電界効果トランジスタを含むセンサであって、反応領域を囲むゲート電極が半導体基板の絶縁膜上に固定されていること、および反応領域の絶縁膜の厚さがその周囲の絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

The reaction chip 1 has a well-type reaction detector 3 on a substrate 2, wherein the well-type reaction detector 3 comprises a bottom part of a planar shape and a side part 7 directing to an opening part 4 from the bottom, and has at the bottom center a holding part having higher surface roughness than that of surroundings.例文帳に追加

基板２に、ウェル状反応検出部３を有する反応チップ１において、ウェル状反応検出部３は、平面形状を成す底部と、この底部から開口部４へと向かう側部７とで構成され、底部には、その底面の中央部に表面粗さが周囲よりも高い保持部が設けられている。 - 特許庁

This allows the probe 12 to be adsorbed and fixed to the substrate 11 in a natural reaction without any chemical reaction upon fixing the probe 12, thereby making it possible to restrict the probe 12 from being modified with change in pH and temperature in a chemical reaction.例文帳に追加

これにより、プローブ１２が固定化する際に、化学反応を伴うことがなくプローブ１２を自然反応的に基板１１に吸着し固定することができるため、化学反応におけるｐＨや温度の変化に伴ったプローブ１２の変性を抑制することが可能となる。 - 特許庁

This method is characterized by including at least one kind of radical-trapping agent in an oxidation reaction system in producing at least one kind of oxidation reaction product by reacting at least one kind of reaction substrate with an oxidizing agent in the presence of a metal-containing solid catalyst.例文帳に追加

少なくとも１種の反応基質を、金属含有固体触媒の存在下、酸化剤により酸化反応させ、少なくとも１種の酸化反応生成物を製造する方法において、酸化反応系中に、少なくとも１種類のラジカルトラップ剤を存在させることを特徴とする。 - 特許庁

The reaction region 12 of the substrate 1 for bioassay (DNA chip or the like), which is provided with at least a reaction region 12 becoming the interaction field between the detecting substance and the target substance, is irradiated with microwaves to regulate the temperature of the reaction region 12.例文帳に追加

検出用物質と標的物質との間の相互作用の場となる反応領域１２が少なくとも設けられたバイオアッセイ用基板１（ＤＮＡチップ等）の反応領域１２に対して、マイクロ波照射を行うことにより、反応領域１２の温度を調節する。 - 特許庁

This device for producing a porous preform by accumulating on an accumulation substrate the glass particles produced by a flame hydrolysis reaction or an oxidation reaction using a burner, characterized in that a reaction vessel 1 used for forming the porous preform comprises a metal member 2 on whose surface a glass layer is formed.例文帳に追加

バーナを用いて火炎加水分解反応あるいは酸化反応により生成したガラス微粒子を堆積基材上に堆積させて多孔質母材を形成する装置において、多孔質母材の形成に用いる反応容器１が、表面にガラス層が形成された金属部材２からなっている。 - 特許庁

This allows the probe to be adsorbed and fixed to the substrate in a natural reaction without any chemical reaction upon fixing the probe, thereby making it possible to restrict the probe from being modified with change in pH and temperature in a chemical reaction.例文帳に追加

これにより、プローブが固定化する際に、化学反応を伴うことがなくプローブを自然反応的に基板に吸着し固定することができるため、化学反応におけるｐＨや温度の変化に伴ったプローブの変性を抑制することが可能となる。 - 特許庁

This substrate processor is provided with a gas inlet space 3 inside a reaction chamber, reaction gas flowing in from a gas supply pipe 2 to the gas inlet space 3 is supplied from the gas distribution hole 4a of a gas distribution plate 4 to the reaction chamber and a wafer is processed.例文帳に追加

基板処理装置は、反応室内にガス導入空間３を有し、このガス導入空間３にガス供給管２から流入した反応ガスを、ガス分散板４のガス分散孔４ａから反応室に供給してウェハを処理する。 - 特許庁

The generated GaCl_3 gas is supplied to the second reaction unit 30 through a group III halide supply pipe 50 connected to the first reaction unit 20 and reacts with the NH_3 gas to vapor-phase grow the GaN film on the substrate 35 provided in the second reaction unit 30.例文帳に追加

生成したGaCl_3ガスは、第１の反応部２０に接続されたIII族ハロゲン化物供給管５０を通じて、第２の反応部３０に供給され、NH_3ガスと反応することにより、第２の反応部３０に設けられた基板３５の上にGaN膜が気相成長する。 - 特許庁

In this way, the generation of unintended side reaction (cutting reaction and cross-linking reaction) by the light irradiation of the light source 15 on the raw material monomer 21 or the high polymer film on the substrate W can be effectively prevented, and an organic thin film, e.g., with a three-dimensional structure can be deposited at high quality and high precision.例文帳に追加

これにより、原料モノマー２１あるいは基板Ｗ上の高分子膜に光源１５の光照射による意図しない副反応（切断反応や架橋反応）が生じるのを効果的に防止でき、例えば３次元構造の有機薄膜を良質かつ高精度に形成することが可能となる。 - 特許庁

This semiconductor manufacturing apparatus, having a susceptor holding a substrate in a reaction furnace and a substrate heating heater for heating the substrate and constituted to grow a semiconductor crystal on the substrate while feeding a raw material gas and a diluting gas, comprises an impurity removing heater in the reaction furnace, so that impurities are removed by the impurity removal heater and the substrate-heating heater.例文帳に追加

反応炉内に基板を保持するサセプタと前記基板を加熱する基板加熱用ヒータとを具備し、前記基板上に原料ガス及び希釈用ガスを供給しながら半導体結晶を成長するように構成して成る半導体製造装置において、前記反応炉内に不純物除去用ヒータを具備し、該不純物除去用ヒータと前記基板加熱用ヒータとにより不純物を除去するように構成したことにある。 - 特許庁

The thermal CVD system 20 prevents the gaseous raw material introduced into a reaction chamber 22 from attaining a growth temperature before the gas arrives at the substrate and achieves the mitigation of the growth rate on the substrate by using a heating lamp 23, such as an IR lamp, as a heating source of the substrate W, and operating the substrate W in the reaction chamber 22 to locally heat the substrate.例文帳に追加

本発明の熱ＣＶＤ装置２０は、基板Ｗの加熱源に赤外線ランプ等の加熱ランプ２３を用い、反応室２２内の基板Ｗを局所的に加熱操作することで、反応室２２に導入された原料ガスが基板に到達する前に成長温度に達することを防止し、基板上における成長速度の緩和を図る。 - 特許庁

The composition curable by the metathesis reaction comprises a resin containing a polyether-based substrate with at least two cycloolefin groups per molecule curable by the metathesis reaction with a metathesis catalyst.例文帳に追加

本組成物は、メタセシス触媒を用いたメタセシス反応により硬化可能なシクロオレフィン基を１分子当たり少なくとも２個含むポリエーテルをベースにした基質を含有する樹脂を含む。 - 特許庁

The reaction of the nitrogen ions 17 with the carbon ions 38 is increased to form a nitrided carbon film with sufficient reaction of both ions on the substrate 4.例文帳に追加

これにより、窒素イオン１７と炭素イオン３８との反応を高め、基板４上に双方のイオンが十分に反応した窒化炭素膜を形成することができる。 - 特許庁

The components derived from the hop coexists in the reaction system for creating the cyclodextrin by the reaction of cyclodextrin glucanotransferase and substrate.例文帳に追加

シクロデキストリングルカノトランスフェラーゼと基質との反応によりシクロデキストリンを産生する反応系内に、ホップ由来成分を共存させる。 - 特許庁

This method for promoting decomposition of a hydrophobic substrate comprises using the reaction promoter together with a reaction mediator under action of oxidase and decomposing preferentially a colored substance lignin.例文帳に追加

この反応促進剤を酸化酵素の作用下に反応メディエータと共に用い、着色物質リグニンを優先的に分解する疎水性基質の分解促進方法。 - 特許庁

It is estimated that the unsaturated bond of the allyl group captures hydrogen chloride dissociated/generated by heating, whereby a side reaction wherein the hydrogen chloride acts as a catalyst or a reaction substrate, is suppressed.例文帳に追加

アリル基の不飽和結合が、加熱により脱離して生じる塩化水素を捕捉することによって、該塩化水素が触媒又は反応基質として作用する副反応が抑制されるものと推測される。 - 特許庁

To provide a process for preparing an optically active piperidine derivative which is highly enantio-selective by the asymmetric aza-Diels-Alder reaction using an aliphatic imine as a reaction substrate and an optically active niobium catalyst.例文帳に追加

脂肪族イミンを反応基質とし、光学活性ニオブ触媒を用いた不斉アザディールス−アルダー反応による高エナンチオ選択的な光学活性ピペリジン誘導体の製造法の提供。 - 特許庁

The method for producing the carbonyl compound by an oxidation reaction using a catalyst includes using a hydrocarbon compound as a substrate of the oxidation reaction, and a mononuclear vanadium complex represented by formula (1) as the catalyst.例文帳に追加

触媒を用いた酸化反応によるカルボニル化合物の製造方法であって、前記酸化反応の基質として、炭化水素化合物を用い、前記触媒は、下記式（１）： - 特許庁

The reaction layer is formed by blowing a solution of a reagent composing the reaction layer onto the electrode system on the electric insulating substrate or in the vicinity thereof by electrospray method.例文帳に追加

そして、この反応層は、これを構成する試薬の溶液をエレクトロスプレー法によって、電気絶縁性の基板上の電極系上またはその近傍に、吹き付けて形成する。 - 特許庁

Gaseous chloride of plural metals and/or semimetals is introduced into a reaction chamber 42 and is brought into reaction with hydrogen at high temperature under the excitation of plasma to deposit a fine crystal or amorphous alloy film on a cooled substrate 46.例文帳に追加

複数の金属及び／又は半金属の塩化物ガスを反応室４２に導入して、高温、プラズマ励起下で水素と反応させて、冷却した基板４６上に微細結晶又はアモルファスの合金膜を生成させる。 - 特許庁

A silicon substrate (Sub) formed with carbon nanotube is mounted on a susceptor 110 having a micro heater in a reaction tank 100 and the reaction tank 100 is filled with supercritical CO_2 of 100°C.例文帳に追加

反応槽１００内のマイクロヒータを有するサセプタ１１０にカーボンナノチューブを形成したシリコン基板を載置し、反応槽１００内を１００℃の超臨界ＣＯ_2で満たした。 - 特許庁

To provide an organic electrolytic synthesis method and an organic electrolytic synthesis device in which an objective product can be obtained by the organic electrolytic reaction of a reaction substrate without using a supporting electrolyte.例文帳に追加

支持電解質を用いずに反応基質の有機電解反応によって目的生成物を得ることができる有機電解合成方法および有機電解合成装置を提供する。 - 特許庁

This method for producing lactic acid comprises performing an enzyme reaction process of hydrolyzing papermaking sludge and a fermentation process of using glucose produced by the enzyme reaction process as a substrate and converting it to lactic acid at the same time.例文帳に追加

乳酸を生産する方法は、製紙スラッジを加水分解する酵素反応工程と、酵素反応工程で生成されたグルコースを基質に使用して乳酸に変換させる発酵工程とを同時に行なうことに関するものである。 - 特許庁

When a desired film is formed on a substrate contained in the reaction tube 203, first processing gas and second processing gas are supplied into the reaction tube 203 through nozzles 233, 249.例文帳に追加

反応管２０３に収容される基板に所望の膜を形成するときは、ノズル２３３，２４９から第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応管２０３内に供給する。 - 特許庁

Thereby the first part of the second reaction material chemically reacts with the chemically adsorbed first part of the first reaction material, to form a solid material containing silicon on the substrate.例文帳に追加

これにより、第２反応物質の第１部分が第１反応物質の化学吸着された第１部分と化学的に反応することにより、基板上にシリコン含有固体物質が形成される。 - 特許庁

To lower the thermal energy loss in a chemical reaction apparatus in which thermal energy is supplied to a reaction catalyst bed formed in a minute passage formed on one face of a substrate.例文帳に追加

基板の一面に形成された微小な流路内に設けられた反応触媒層に熱エネルギーを供給する化学反応装置において、熱エネルギーの損失を低減する。 - 特許庁

A biochemical reaction of a specimen is generated inside a biochemical reaction cartridge 1, and resultantly a sample of a fluorescent material or the like adhering to a DNA microarray 12 of a substrate 33 is detected optically.例文帳に追加

生化学反応カートリッジ１の内部で検体の生化学反応を行わせ、その結果、基板３３のＤＮＡマイクロアレイ１２に付着した蛍光物質等のサンプルを光学的に検出する。 - 特許庁

Reactant gas is supplied to the reaction chamber by allowing the chamber to be in a depressurized state by operating the vacuum pump after arranging a semiconductor substrate in the reaction chamber.例文帳に追加

反応室内に半導体基板を配置した後に真空ポンプを動作させて、反応室を減圧状態にして反応ガスを反応室に供給する。 - 特許庁