「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electrode assembly for a plasma reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極アセンブリを提供する。 - 特許庁

NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR, SUBSTRATE USED FOR NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR AND REACTION METHOD FOR AMPLIFYING NUCLEIC ACID例文帳に追加

核酸増幅反応装置、当該核酸増幅反応装置に用いる基板、及び核酸増幅反応方法 - 特許庁

NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR, SUBSTRATE USED FOR NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR AND REACTION METHOD FOR AMPLIFYING NUCLEIC ACID例文帳に追加

核酸増幅反応装置、核酸増幅反応装置に用いる基板、及び核酸増幅反応方法 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus that heats a gas nozzle without installing a heater in a reaction pipe.例文帳に追加

ヒータを反応管内に設置せずにガスノズルを加熱することができる基板処理装置の提供。 - 特許庁

METHOD FOR CATCHING AND DETECTING TARGET BASE SEQUENCE BY ISOTHERMAL AMPLIFICATION REACTION ON SUBSTRATE例文帳に追加

基板上での等温増幅反応による標的塩基配列の捕捉及び検出方法 - 特許庁

Surface of the glass substrate A is subjected to film deposition processing or etching processing in a reaction chamber 2.例文帳に追加

反応室２でガラス基板Ａの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする。 - 特許庁

The heater 6 heats a substrate 4 to be processed using the reactive gas inside the reaction chamber 3.例文帳に追加

ヒータ６は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される基板４を加熱する。 - 特許庁

To provide a substrate for bioassay having high accuracy of a hybridization reaction.例文帳に追加

ハイブリダイゼーション反応の精度が高いバイオアッセイ用基板を提供すること。 - 特許庁

To develop a catalytic oxygenation reaction of an organic substrate using water as an oxygen source.例文帳に追加

水を酸素源とする有機系基質の触媒的酸素化反応を開発すること - 特許庁

In succession, the substrate 10 is dipped into chlorobenzene for 60 seconds to form a developing reaction delay layer.例文帳に追加

引き続きクロロベンゼン中に６０秒浸漬させ現像反応遅延層を形成する。 - 特許庁

Next, the discharged reaction mixture is applied to a substrate and cured to form a polyurethane foam.例文帳に追加

次に反応混合物を基材へ適用して、硬化させてポリウレタンフォームを形成する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus comprises a heater 206 provided outside a reaction container for processing substrates.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。 - 特許庁

A leak rate in a reaction chamber is measured before a semiconductor substrate is etched.例文帳に追加

まず、半導体基板をエッチングする前に、反応室のリークレートを測定する。 - 特許庁

REACTION PROMOTER, METHOD FOR PROMOTING DECOMPOSITION OF HYDROPHOBIC SUBSTRATE AND METHOD FOR DECOMPOSING HARDLY DECOMPOSABLE SUBSTANCE例文帳に追加

反応促進剤、疎水性基質の分解促進方法、難分解性物質の分解方法 - 特許庁

Furthermore, crosslinking reaction is caused on the substrate material to be coated with the coating material to give high antifouling resistance to scribblings.例文帳に追加

さらに、被塗工基材上で架橋反応を起こさせることで高い落書き防汚性を与える。 - 特許庁

After forming the columnar structure of the reaction product 5, a light shielding film 6 is formed on the substrate 1 (c).例文帳に追加

反応生成物５の柱状構造を形成後、基板１に遮光膜６を成膜する（ｃ）。 - 特許庁

SUBSTRATE GROUP FOR DETECTING PHOSPHORYLATION-DEPHOSPHORYLATION REACTION, AND METHOD OF DETECTION USING THE SAME例文帳に追加

リン酸化−脱リン酸化反応検出用基質群およびそれを用いた検出方法 - 特許庁

A substrate processor is equipped with a heater 206 provided outside a reaction container for processing substrates.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。 - 特許庁

FIN MEMBER FOR HEAT EXCHANGER HAVING NON-CHROMATE REACTION TYPE SUBSTRATE LAYER AND HEAT EXCHANGER EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

ノンクロメート反応型下地層を有する熱交換器用フィン材およびそれを備えた熱交換器 - 特許庁

An opening 27 is formed between the pyrometer 25 and the substrate 14 in the reaction pipe 12.例文帳に追加

反応管１２には、パイロメータ２５と基板１４との間に位置して開口部２７が形成されている。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR CHEMICAL REACTION, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND HYBRIDIZATION METHOD例文帳に追加

化学反応用基板及びその製造方法並びにハイブリダイゼーション方法 - 特許庁

In the reaction furnace, the pressure is adjusted to a normal pressure and the substrate 11 is heated to elevate the temperature with a heater 4.例文帳に追加

反応炉内は常圧とし、ヒータ４により基板１１を加熱、昇温させる。 - 特許庁

To provide a substrate for a biochip capable of surely recognizing the coloring reaction, using transmitted light.例文帳に追加

透過光で発色反応を確認できるバイオチップ用基板を提供する。 - 特許庁

A substrate mounting base 30 to mount a wafer 200 thereon is disposed in a reaction chamber 1.例文帳に追加

ウェハ２００を載せる基板載置台３０が反応室１内に設けられる。 - 特許庁

A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film.例文帳に追加

ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。 - 特許庁

REFORMER FOR FUEL CELL SYSTEM AND MANUFACTURING METHOD FOR REACTION SUBSTRATE USED FOR IT例文帳に追加

燃料電池システム用改質装置及びこれに使用される反応基板の製造方法 - 特許庁

A treated substrate 9 is conveyed along a conveyance path 3 by conveyance means 2 and carried in a reaction chamber 10.例文帳に追加

搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。 - 特許庁

METHOD OF ACCELERATING REACTION FOR FORMING COATING FILM ON SURFACE OF SUBSTRATE, AND APPARATUS USED IN THE SAME例文帳に追加

基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置 - 特許庁

MEASURING SUBSTRATE OF BIO-SAMPLE USING HYBRIDIZATION REACTION AND MEASURING METHOD例文帳に追加

ハイブリダイゼーション反応を用いた生体試料の測定用基板および測定方法 - 特許庁

A substrate bonded to a carrier is reacted with an enzyme, the reaction liquid is separated from the carrier and optionally the reaction product and the enzyme are separated from the reaction liquid.例文帳に追加

担体と結合した基質に酵素を反応させた後、反応液と担体を分離し、必要に応じて反応液中の反応生成物と酵素を分離する製造法。 - 特許庁

To provide a composition curable by a metathesis reaction upon mixing its components and comprising an olefin-containing substrate, a metathesis catalyst, and a reaction control agent for slowing the progress of the metathesis reaction.例文帳に追加

その成分の混合後のメタセシス反応によって硬化可能な組成物であって、オレフィン含有基剤、メタセシス触媒、およびメタセシス反応の進行を遅延させるための反応制御剤を含む組成物を提供する。 - 特許庁

The device is provided with an upstream reaction tube introducing material gas; and a center reaction tube which makes material gas introduced from the upstream reaction tube react with the substrate held toward an inner part, and which ejects reacted materials gas.例文帳に追加

原料ガスを導入する上流部反応管と、上流部反応管から導入された原料ガスとその内部に向かって保持された基板とを反応させ、反応した原料ガスを排出する中央部反応管とを有している。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR BIOCHEMICAL REACTION DETECTION CHIP AND ITS MANUFACTURING METHOD, BIOCHEMICAL REACTION DETECTION CHIP, APPARATUS AND METHOD FOR EXECUTING BIOCHEMICAL REACTION, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

生化学反応検出チップ用基板およびその製造方法、生化学反応検出チップ、生化学反応を行うための装置および方法、ならびに記録媒体 - 特許庁

By bringing the reaction gas into contact with the two equal sides of the heat-resistant material 22, the reaction gas is decomposed, a reaction active seeds is formed, and a film is formed on the substrate 15.例文帳に追加

この耐熱材２２の二等辺に反応ガスを接触させることで反応ガスを分解させ、反応活性種を形成し、基板１５上に成膜させる。 - 特許庁

A reactor assembly 70 includes: the reaction chamber 2 containing a porous metal substrate; two membrane assemblies; a fuel supply line 207; a reaction fuel supply line 205; a tail gas supply line 209; and a reaction product line 210.例文帳に追加

反応器アセンブリ７０は、多孔性金属支持体を含む反応室２、二つの膜アセンブリ、燃料供給ライン２０７、反応燃料供給ライン２０５、排ガス供給ライン２０９、及び反応生成物ライン２１０を具える。 - 特許庁

To provide a reactor which is capable of reducing the thickness of a substrate to form a reaction vessel while maintaining the strength of the reaction vessel in the structure to form the reaction vessel.例文帳に追加

反応容器を形成する構成において、反応容器の強度を維持しながら、反応容器を形成する基板の厚さを低減することができる反応装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which increases strength in a part penetrating a reaction tube on a gas nozzle for leading the process gas into the reaction tube, and which prevents breakage of the gas nozzle due to external force as well as breakage of the reaction tube caused by breakage of the gas nozzle.例文帳に追加

反応管内に処理ガスを導入するガスノズルの反応管貫通部での強度を増大し、外力によるガスノズルの破損、更にガスノズルの破損に起因する反応管の破損の防止しようとする。 - 特許庁

As the etching reaction advances, the concentration of the fluorine radical decreases, and in due course, an atmosphere in the reaction vessel is replaced by the thin-film formation process gas, a deposition reaction is started, and a film grows on the thin-film formation surface of the substrate.例文帳に追加

エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 - 特許庁

To provide a method for retaining the effect of the surface treatment such as corona treatment, plasma treatment, or the like for a substrate to be used for chemical reaction, biochemical reaction, and biological reaction.例文帳に追加

化学反応、生化学反応、生物反応などに用いる基板において、コロナ処理、プラズマ処理などの表面処理の効果を持続させる方法を提供するものである。 - 特許庁

In this reaction container constituted by providing the well-shaped reaction part to a substrate, the contact angle of the inner surface of the well-shaped reaction part with pure water is 100° or above.例文帳に追加

基板に、ウェル状反応部を有する反応容器において、前記ウェル状反応部の内面の、純水との接触角が１００°以上であることを特徴とする反応容器とする。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has a reaction tube 4 for storing and processing a substrate, a heating means provided around the reaction tube, a gas nozzle 14 for supplying the process gas into the reaction tube, and an air exhaust means for exhausting atmospheric air in the reaction tube, wherein at least a part penetrating the reaction tube on the gas nozzle has radial thickness.例文帳に追加

基板を収納し、処理する反応管４と、該反応管の周囲に設けられる加熱手段と、前記反応管内に処理ガスを供給するガスノズル１４と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気手段とを具備し、前記ガスノズルの少なくとも前記反応管を貫通する部分を厚肉とした。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device manufactures a semiconductor device, by using a substrate treatment device, having passed through a process of supplying the whole of a reaction gas used in processing a substrate to a reaction vessel for removing an element contained in the cleaning gas supplied, into the reaction vessel, after a process of supplying the cleaning gas into the reaction vessel to clean the inside of the reaction vessel.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 - 特許庁

During a second reaction gas continuous feeding process S12 of continuously feeding a second reaction gas into a chamber, a process cycle including a first reaction gas feeding process S13a of feeding a first reaction gas into the chamber and a first reaction gas purge process S13b of purging the first reaction gas that is not adhered onto a substrate in the chamber is repeatedly performed.例文帳に追加

チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａとチャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。 - 特許庁

The reaction vessel of minute volume, in which temperature in a plurality of reaction regions contained in one reaction vessel is controlled, is equipped with reaction regions not less than 3 series paralleled on the same plane of a substrate and with temperature controlling means arranged at every series of the reaction regions and the above series are equipped with two or more reaction regions.例文帳に追加

１の反応容器に含まれる複数の反応領域の温度を制御する微小量反応容器であって、基体の同一平面上に並列する３系列以上の反応領域と、この反応領域の各系列毎配置された温度制御手段とを具備し、且つ前記系列が２以上の反応領域を具備することを特徴とする微小量反応容器。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing equipment where an internal reaction pipe 6 is provided inside an external reaction pipe 1 for demarcating an airtight reaction chamber, a reaction gas is introduced into a reaction chamber 17, and a substrate 26 to be treated is heated for film-forming treatment, a height adjustment means 52 is provided at the part between the internal and external reaction pipes.例文帳に追加

外部反応管１の内部に内部反応管６が設けられて気密な反応室が画成され、該反応室１７へ反応ガスが導入され、被処理基板２６が加熱されて成膜処理される半導体製造装置に於いて、前記内部反応管と外部反応管とに掛渡って、高さ調整手段５２を設けた。 - 特許庁