「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Plural sub-cell arrays constituted of plural main cells and at least one reference cell are provided and the reference cell of the sub-cell array is operated together with the main cells of the adjacent sub-cell array.例文帳に追加

複数のメインセルと少なくとも一つの参照セルから構成される複数のサブセルアレイを有する。 - 特許庁

The reference cell RC makes the reference by which data of the memory cell MC is decided.例文帳に追加

レファレンスセルＲＣは、メモリセルＭＣのデータを判断する基準を作る。 - 特許庁

REFERENCE CELL AND WRITING METHOD THEREOF例文帳に追加

リファレンスセルおよびその書き込み方法 - 特許庁

A rejection control part 177 passes a reference cell and discards a non-reference cell.例文帳に追加

廃棄制御部１７７は、準拠セルを通過させ、非準拠セルを廃棄する。 - 特許庁

The reference cell is the same as a memory cell of the array and used for generating reference voltage for a reference bit line.例文帳に追加

基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁

A reference cell is the same as a memory cell of an array, and used for generating reference voltage for reference bit line.例文帳に追加

基準セルはアレイのメモリセルと同一で、基準ビット線用基準電圧の生成に用いられる。 - 特許庁

The reference cell 21 has a structure similar to that of a memory cell 11.例文帳に追加

リファレンスセル２１は、メモリセル１１と同じ構造を有する。 - 特許庁

Reference data stored in the reference cell is fixed.例文帳に追加

参照セルに記録されている参照データは固定されている。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL HAVING SOFT REFERENCE LAYER例文帳に追加

軟らかい基準層を有する磁気メモリセル - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REFRESHING REFERENCE CELL例文帳に追加

基準セルをリフレッシュする方法および装置 - 特許庁

The maximum friction value is selected as a cell friction measuring reference of the cell.例文帳に追加

最大摩擦値を、セルのセル摩擦測定基準として選択する。 - 特許庁

METHOD OF DETERMINING CELL FRICTION MEASURING REFERENCE FOR CONTROL CELL IN NUCLEAR REACTOR例文帳に追加

原子炉の制御セルのセル摩擦測定基準を判定する方法 - 特許庁

The memory cell array is constituted of a data cell array 12, a reference cell array 13A and dummy cell arrays 13B, 13C.例文帳に追加

メモリセルアレイは、データセルアレイ１２、レファレンスセルアレイ１３Ａ及びダミーセルアレイ１３Ｂ，１３Ｃから構成される。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR PROCESSING ABSOLUTE CELL REFERENCE OF CELL RANGE REFERENCE OF ELECTRONIC SPREAD SHEET例文帳に追加

電子スプレッドシートにおける絶対セル参照又はセル範囲参照を処理する方法およびシステム - 特許庁

REFERENCE ELECTRODE AND ELECTROLYTIC CELL HAVING THE SAME例文帳に追加

参照電極及びこれを備える電解セル - 特許庁

To improve data read accuracy from a reference cell when whether the reference cell is good or not is determined in an nonvolatile memory device provided with the reference cell and a memory cell.例文帳に追加

参照セルとメモリセルとを備える不揮発性記憶装置において、参照セルの良否を判定する際に参照セルからのデータ読出精度を向上させる。 - 特許庁

The method comprises a step of programming the dynamic reference cell using the fixed reference cell, and a step of programming the two-bit core cell using the dynamic reference cell.例文帳に追加

本方法は、固定リファレンスセルを利用してダイナミックリファレンスセルをプログラミングするステップ、及びそのダイナミックリファレンスセルを利用して２ビットコアセルをプログラミングするステップより成る。 - 特許庁

A first read state is obtained by reading the selected cell with the reference cell biased the reference cell biased to a first value(65).例文帳に追加

第１の値にバイアスされた基準セルにより選択セルを読み出して第１の読み出し状態を取得する（６５）。 - 特許庁

A cell C of a color (e.g., cyan) is used as the reference, and the center of a magenta cell M and the center of a yellow cell Y are arranged at mutually confronting right-angled corners of the reference cyan cell C.例文帳に追加

ある色（例えばシアン）のセルＣを基準として、直角である２つの角にそれぞれ他色のセルＭ、Ｙの中心を置く。 - 特許庁

A reference cell array 12 includes a reference cell bit line RB (RBT or RBN) to which a prescribed number of reference cells 22 are connected.例文帳に追加

リファレンスセルアレイ１２は、所定数のリファレンスセル２２が接続されたリファレンスビット線ＲＢ（ＲＢＴ又はＲＢＮ）を有する。 - 特許庁

The reference memory cell 3 for testing includes a reference selection transistor T1r, and a reference cell transistor T2r connected to the reference selection transistor T1r in series.例文帳に追加

試験用基準メモリセル３は、基準選択トランジスタＴ１ｒと、該基準選択トランジスタＴ１ｒに直列接続された基準セルトランジスタＴ２ｒとを有する。 - 特許庁

A sub-cell of the reference solar cell Rb corresponds to one sub-cell of two or more sub-cells of a multi-junction solar cell.例文帳に追加

基準セルＲｂのサブセルは多接合太陽電池の２つ以上のサブセルの１つのサブセルに対応する。 - 特許庁

A spectral sensitivity of the reference solar cell Rb is measured.例文帳に追加

基準セルＲｂのスペクトル感度が計測される。 - 特許庁

The capacitor 22 and the capacitor 32 are provided in a reference cell 20 and a reference cell 30 respectively.例文帳に追加

キャパシタ２２およびキャパシタ３２は、それぞれリファレンスセル２０およびリファレンスセル３０内に設けられている。 - 特許庁

A portion of the cell arrays forms a memory cell array MA that has the cells as memory cells MC, and another portion of the cell arrays forms a reference cell array RA that has the cells as reference cells RC.例文帳に追加

一部のセルアレイは、セルをメモリセルＭＣとするメモリセルアレイＭＡ、他の一部のセルアレイがセルを参照セルＲＣとする参照セルアレイＲＡとなる。 - 特許庁

Then, the data is read from the normal cell, and then the reference cell is reset.例文帳に追加

その後、そのノーマルセルからデータを読み出し、次いでリファレンスセルをリセットする。 - 特許庁

An operation part 2 executes UPC operation for connection corresponding to an arrival cell and judges whether the cell is a reference cell or a non-reference cell.例文帳に追加

演算部２は、到着セルに対応するコネクションに対してＵＰＣ演算を実行し、そのセルが準拠セルであるか非準拠セルであるかを判断する。 - 特許庁

When data is first read from a normal cell, as a reference cell is in a relaxed state, the reference cell is reset before the data is read from the normal cell.例文帳に追加

最初にノーマルセルからデータを読み出す際には、リファレンスセルがリラクゼーション状態にあるため、そのノーマルセルからデータを読み出す前に、リファレンスセルをリセットする。 - 特許庁

In a memory cell array of MRAM, a regular memory cell stores one bit per one cell by comparing it with a reference memory cell holding a reference value.例文帳に追加

ＭＲＡＭのメモリセルアレイにおいて、正規メモリセルは参照値を保持する参照メモリセルと比較することにより、１セルあたり１ビットを記憶させる。 - 特許庁

A memory cell MC and a reference cell RC are constituted of MTJ elements.例文帳に追加

メモリセルＭＣ及びレファレンスセルＲＣは、ＭＴＪ素子から構成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND METHOD FOR CORRECTING REFERENCE CELL例文帳に追加

半導体記憶装置及びリファレンスセルの補正方法 - 特許庁

DEVICE FOR SELF-REFERENCE FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリセルの自己参照のための装置 - 特許庁

SYSTEM FOR UTILIZING DYNAMIC REFERENCE BY TWO-BIT CELL MEMORY例文帳に追加

２ビットセルメモリにてダイナミックリファレンスを利用するシステム - 特許庁

To provide a semiconductor device which efficiently corrects the state of a reference cell, which prevents the reference cell from deteriorating due to disturbance or the like, and which precisely maintains the value of the reference cell, to solve the problem of deterioration of the reference cell.例文帳に追加

リファレンスセルの劣化問題を解決するために、効率よくリファレンスセルの状態を補正し、ディスターブ等によるリファレンスセルの劣化を防止し、リファレンスセルの値を高精度に保つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The DRAM 1 is configured so as to simultaneously start writing of the reference potential to the reference cell 20 and the reference cell 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１においては、リファレンスセル２０およびリファレンスセル３０への参照電位の書込みが同時に開始されるように構成されている。 - 特許庁

A library 12 and a layout 14 are provided with a reference cell and a P/N ratio change cell obtained by changing a P/N ratio with respect to the reference cell.例文帳に追加

ライブラリ１２やレイアウト１４は、基準セルと、この基準セルに対し、Ｐ／Ｎ比を変更したＰ／Ｎ比変更セルとを備える。 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL例文帳に追加

選択された基準メモリセルを具備する抵抗型メモリ素子 - 特許庁

REFERENCE ELECTRODE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTROCHEMICAL CELL例文帳に追加

参照電極、その製造方法、および電気化学セル - 特許庁

INFORMATION ON REFERENCE SIGNAL STRUCTURE FOR ADJACENT CELL MEASUREMENTS例文帳に追加

隣接セル測定のための基準信号構造の情報 - 特許庁

MAGNETIC RAM ELEMENT HAVING REFERENCE CELL AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

基準セルを有する磁気ラム素子及びその構造体 - 特許庁

The number of reference cells forming the series reference cell group is less than the number of memory cells forming the series memory cell group.例文帳に追加

直列リファレンスセル群をなすリファレンスセルの個数が直列メモリセル群をなすメモリセルの個数よりも少ない。 - 特許庁

The bit line 14 and the bit line 16 are connected respectively with the reference cell 20 and the reference cell 30.例文帳に追加

ビット線１４およびビット線１６には、それぞれリファレンスセル２０およびリファレンスセル３０が接続されている。 - 特許庁

NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REFERENCE CELL ARRAY例文帳に追加

基準セルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置 - 特許庁

The reference memory cell section 3 includes a reference memory cell 3a for detecting the data holding state for a non-operation period.例文帳に追加

参照メモリセル部３は、非動作期間のデータ保持状態を検出するための参照メモリセル３ａを含む。 - 特許庁

Pushes a reference to the object the cell contains on the stack.例文帳に追加

セルが持つオブジェクトへの参照をスタックにプッシュします。 - Python