「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A reference cell 16 in which an object to be measured is sealed is provided in the light path of the laser beam reflected by the photodetection surface 12a of the photodetector 12 and a photodetector 17 measuring the intensity of the laser beam passed through the reference cell 16 is provided.例文帳に追加

また、光検出器１２の受光面１２ａで反射したレーザー光の光路に、測定対象物を封入したリファレンスセル１６を設けるとともに、該リファレンスセル１６を通過したレーザー光の光強度を測定する光検出器１７を設ける。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor memory device comprises a process of forming dummy cells 61_1 to 61_8 so as to be situated next to a reference cell 41_2, and a process of injecting an impurity into the dummy cells 61_1 to 61_8 using a mask for covering the reference cell 41_2.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、リファレンスセル４１_２に隣接するようにダミーセル６１_１〜６１_８を形成する工程と、リファレンスセル４１_２を覆うマスクを用いて、ダミーセル６１_１〜６１_８に不純物を注入する工程と、を含んでいる。 - 特許庁

Control information on a terminal is mapped and transmitted to a first control channel which uses the same transmission port as a cell-specific reference signal which is a reference signal specific to a base station, or a second control channel which uses the same transmission port as a terminal-specific reference signal which is a reference signal specific to the terminal.例文帳に追加

基地局に固有の参照信号であるセル固有参照信号と同じ送信ポートを用いる第１の制御チャネル、または、端末に固有の参照信号である端末固有参照信号と同じ送信ポートを用いる第２の制御チャネルに、前記端末に対する制御情報をマッピングして送信する。 - 特許庁

To provide technique in which the increase in the device area is small and in which a reference potential can be easily obtained, in a ferroelectric storage device generating the reference potential using a dummy cell.例文帳に追加

ダミーセルを用いて参照電位を発生する強誘電体記憶装置において、デバイス面積の増加が少なく、かつ容易に参照電位が得ることを可能とする技術を提供すること。 - 特許庁

Power source voltage of the reference voltage circuit 9 is boosted by a boosting circuit 12 for the reference voltage circuit/the differential amplifier during a read-out operation in which fuse data is read out from the memory cell.例文帳に追加

そして、メモリセルからヒューズデータを読み出す読み出し動作期間中、基準電圧回路・差動増幅器用昇圧回路１２を用いて、基準電圧回路９の電源電圧を昇圧する。 - 特許庁

A delay chain section 1 delays a reference clock signal to output a delayed signal and a sync signal detecting section 2 detects the number of stages of a delay cell for delaying the reference clock signal by one period.例文帳に追加

遅延チェーン部１は、基準クロック信号を遅延させ、遅延信号を出力し、同期信号検出部２は、基準クロック信号の１周期分の遅延を行うディレイセルの段数を検出する。 - 特許庁

The reference current generating circuit G5 outputs a second reference current for reading out second bit data from the memory cell MC in accordance with the first bit data outputted from the latch circuit G4.例文帳に追加

基準電流生成回路Ｇ５は、ラッチ回路Ｇ４から出力される第１のビットデータに応じて、メモリセルＭＣから第２のビットデータを読み出すための第２の基準電流を出力する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time.例文帳に追加

時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。 - 特許庁

The report conditions are met when a transmission source of a down reference signal is the specified cell specified by the base station device, and the content to be reported includes reception quantity of the down reference signal.例文帳に追加

報告条件は、下りリファレンス信号の送信元が、当該基地局装置により指定された特定のセルであった場合に満たされ、報告すべき内容は下りリファレンス信号の受信品質を含む。 - 特許庁

First to third bit line clamping circuits 371 to 373 are respectively coupled to the bit lines and the reference bit lines and pass prescribed currents to the reference bit lines in accordance with selected magnetic memory cell data.例文帳に追加

第１乃至第３ビットラインクランピング回路３７１〜３７３は、ビットラインと基準ビットラインに各々連結され、選択された磁気メモリセルデータに従って所定の電流をビットラインと基準ビットラインに流す。 - 特許庁

The sample cell 200 is arranged so that the reference surface 202 is irradiated vertically with the light beams relative to the convergence optical element 108.例文帳に追加

試料セル２００は、収束光学素子１０８に対して、光ビームが参照面２０２に垂直に照射されるように配置される。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor storage in which a reference cell is arranged in a region near the center of a bit line.例文帳に追加

本発明の目的は、リファレンスセルがビット線の中央付近の領域に配置された半導体記憶装置の縮小化を図ることである。 - 特許庁

Each block B1, B2, ... has a transistor column 100A for giving a reference potential to a source of a cell selected by a row line.例文帳に追加

各ブロック１Ｂ、Ｂ２、…には行線により選択されたセルのソースへ基準電位を与えるためのトランジスタ列１００Ａを有する。 - 特許庁

Alternately, the predetermined value can be determined by application of the system and method to a reference cell having a known logic state.例文帳に追加

代案として、所定の値は、既知の論理状態を有する基準セルに対して本システムと方法を適用することにより、求められ得る。 - 特許庁

Since a reference level can be generated without using a dummy cell, a ferroelectric memory characteristic of high speed and high reliability is implemented.例文帳に追加

ダミーセルを用いることなく、リファレンスレベルを発生できるため、高速かつ信頼性の高い強誘電体メモリ装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in a reference memory cell system, in which standard electric potential is finely controlled for high accuracy screening.例文帳に追加

基準電位を細かく制御し、高精度のスクリーニングを可能にしたリファレンスメモリセル方式の強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A comparator 40 compares an SLC outputted from the operation cell 10 with reference thermal noise and outputs the result of comparison to the selector 50.例文帳に追加

比較器４０は、演算セル１０からのＳＬＣ出力と基準熱雑音とを比較し、比較結果を選択器５０へ出力する。 - 特許庁

The solar cell 35 is disposed between a read window 19 positioned at one side of the original platen 3 and a reference plate 22 for image quality adjustment.例文帳に追加

太陽電池３５は、原稿台３の一側に位置する読取窓１９と画質調整用の基準板２２との間に配置される。 - 特許庁

All crossing points (S) of cell axes (63) of adjacent cells (3b) and a reference plane (64) are on a closed curve in a nearly oval shape.例文帳に追加

すべての隣接電池（３ｂ）の電池軸線（６３）と基準面（６４）との交点（Ｓ）はほぼ楕円形の閉じた曲線上にある。 - 特許庁

This acetate composition of the multiple T-cell epitope polypeptide contains 5-15% acetic acid and has an amino acid sequence represented by a sequence number 1 (reference to the specification).例文帳に追加

酢酸を5〜15%含有する配列番号：１で表されるアミノ酸配列を有する多重T細胞エピトープポリペプチド酢酸塩組成物。 - 特許庁

To reduce occurrence of current consumption when a holding current of a memory cell exceeds a reference current (namely, data error is not caused).例文帳に追加

メモリセルの保持電流が基準電流以上（データの誤りが発生しない）の場合において、消費電流の発生を削減する。 - 特許庁

Then the flow rate calculation means 80a checks again the cell flow rate and the processing above is repeated till the flow rate is less than the prescribed reference flow rate.例文帳に追加

その後、流量計算手段８０ａで再びセル流量をチェックし、所定基準流量以下になるまでこれを繰り返す。 - 特許庁

This sense circuit has a first circuit branch corresponding to an array circuit path and a second circuit branch corresponding to a reference cell circuit path.例文帳に追加

このセンス回路は、アレイ回路パスに相当する第１の回路ブランチと基準セル回路パスに相当する第２の回路ブランチを有する。 - 特許庁

A power supply voltage simulation part 11 simulates the drop of a power supply voltage to a reference voltage in each circuit cell.例文帳に追加

電源電圧シミュレーション部１１において、それぞれの回路セルにおける、基準電圧に対する電源電圧の降下がシミュレーションされる。 - 特許庁

On the other hand, the reference cell RC includes a second reluctance element 150 having a resistance fixed to a third value between the first and second values.例文帳に追加

一方、リファレンスセルＲＣは、抵抗値が第１値と第２値の間の第３値に固定された第２磁気抵抗素子１５０を含む。 - 特許庁

A sense amplifier 230 of a comparator type compares fixed voltage read from an FeRAM cell 110 with sequence of a reference voltage level.例文帳に追加

比較器タイプのセンスアンプ（２３０）は、ＦｅＲＡＭセル（１１０）から読み取られた一定の電圧を基準電圧レベルのシーケンスと比較する。 - 特許庁

A pre-charge level of a data line is VDD, a part of the dummy cells DMC may be used as a memory cell for generating a reference level.例文帳に追加

また、データ線のプリチャージレベルはＶＤＤとし、ダミーセルＤＭＣの一部を参照レベル発生用のメモリセルとして利用しても良い。 - 特許庁

When the measured value becomes a preliminarily calculated reference value or higher, the liquid culture medium 15 is charged in a fuel cell 50 and electricity is produced.例文帳に追加

その測定値が予め求めた基準値以上になったところで、液体培地１５を燃料電池５０に投入して発電させる。 - 特許庁

To give relief to defects caused by short circuit of a bit line and a wiring supplying a reference potential to a memory cell.例文帳に追加

ビット線とメモリセルに基準電位を供給する配線との短絡により発生した不良を救済することができるようにする。 - 特許庁

To improve reception characteristics of even a mobile station apparatus which is not positioned at a cell edge without deteriorating reception characteristics of the mobile station apparatus at the cell edge as to multi-cell MBMS which improves reception characteristics of the mobile station apparatus at the cell edge and is applied with Cell-specific reference signals with GS.例文帳に追加

セルエッジの移動局装置の受信特性を改善するＣｅｌｌ−ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓｉｇｎａｌｓ ｗｉｔｈ ＧＳを適用したマルチセルＭＢＭＳにおいて、セルエッジの移動局装置の受信特性を劣化させることなく、セルエッジに位置しない移動局装置に対しても受信特性の改善を図る。 - 特許庁

To disclose a technology for amplifying the sensing voltage level of cell data by utilizing a CMOS threshold voltage reference especially in a main bit line and deciding the cell data at the time of application of a reference timing strobe on a basis of a time axis, regarding a nonvolatile ferroelectric memory device having a timing reference control function and a method for controlling the same.例文帳に追加

本発明はタイミングレファレンス制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置及びその制御方法に関し、特にメインビットラインにおいてＣＭＯＳしきい値電圧レファレンスを利用してセルデータのセンシング電圧レベルを増幅し、時間軸を基準にレファレンスタイミングストローブの印加時点でセルデータを判定することができるようにする技術を開示する。 - 特許庁

A reference voltage generating circuit generates reference voltage VREFS corresponding to a reference value of memory cell array voltage of this semiconductor memory in accordance with an electric resistance value RS adjusted finely responding to the tuning control signals TSa1-TSa4.例文帳に追加

基準電圧発生回路は、チューニング制御信号ＴＳａ１〜ＴＳａ４に応答して微調整される電気抵抗値ＲＳに応じて、本発明に従う半導体記憶装置のメモリアレイ電圧の基準値に相当する基準電圧ＶＲＥＦＳを生成する。 - 特許庁

A reference liquid S is filled in a cell 12s, the sample liquid X is filled in a cell 12x, and an electric current i is made to flow between electrodes s1, s4 and between electrodes x1, x4 from a current supply part 14.例文帳に追加

セル１２ｓ内に基準液Ｓを満たし、セル１２ｘ内に試料液Ｓを満たし、電極ｓ１，ｓ４間及び電極ｘ１，ｘ４間に電流供給部１４から電流ｉを流す。 - 特許庁

A range ranged by overhead data, indicating the head position of a data block at a low bit rate multiplexed on a fame and a payload SPE is decided to be a cell-assembling range and a top position TOP of the cell- assembling range is decided to be a reference position.例文帳に追加

フレームに多重された低速ビットレートのデータブロックの先頭位置を示すオーバヘッドデータPOTとペイロードSPEを少なくともセル化範囲と定め、セル化範囲の先頭位置TOPを基準位置とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of reducing a chip area or increasing the speed of sense operation by reducing the difference between delay times of outputs from a regular cell (16) and a reference cell (26) to a sense amplifier (30).例文帳に追加

レギュラセル（１６）とレファレンスセル（２６）のセンスアンプ（３０）への出力の遅延時間の差を小さくし、チップ面積の縮小化またはセンス動作を高速化することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The device includes a processor configured to take at least signal quality between a relay node (RN) and an access node into consideration to calculate a cell quality ranking reference for a measured cell.例文帳に追加

リレーノード（ＲＮ）とアクセスノードとの間の少なくとも信号品質を考慮することによって、測定されたセルに対するセル品質順位付け基準を計算するように構成されたプロセッサを含む、デバイス。 - 特許庁

A read circuit 13 includes a current-voltage conversion circuit 20 for converting a cell current Icell of a memory cell MC to voltage data Vdata, and a sense amplifier 30 for comparing the voltage data Vdata and a reference voltage Vref.例文帳に追加

読み出し回路１３は、メモリセルＭＣのセル電流Ｉcellを電圧データＶdataに変換する電流電圧変換回路２０と、電圧データＶdataと基準電圧Ｖrefを比較するセンスアンプ３０を備える。 - 特許庁

The temperature sensor 150 detects the temperature (T) of the memory device 150, uses the data from the temperature sensor 150 and the reference memory cell 160 and updates writing current (Ix_PA, Iy_PA, Ix_AP, Iy_AP, Ix and Iy) used to program the array 100 of the memory cell 130.例文帳に追加

温度センサ(150)は、メモリデバイス(50)の温度(T)を検出し、温度センサ(150)及び基準メモリセル(160)からのデータを用いて、メモリセル(130)のアレイ(100)をプログラムするために使用される書き込み電流（Ix_PA、Iy_PA, Ix_AP, Iy_AP, Ix, Iy)を更新する。 - 特許庁

A signal strength difference D_n between the received signal strength RSCP_REF of a reference cell in connection and the received signal strength RSCP_MSRn of the n-th measurement cell in nonconnection is monitored.例文帳に追加

接続中の基準セルの受信信号強度ＲＳＣＰ_ＲＥＦと非接続中のｎ番目の測定セルの受信信号強度ＲＳＣＰ_ＭＳＲｎとの信号強度差Ｄ_ｎを監視する。 - 特許庁

The slide mechanism 15a moves the analyzing cell 2 and the calibrating reference substance cell 16, and selectively makes one of the gaseous medium flow channel 2a and the evaporation chamber 18 cross the laser beam 5.例文帳に追加

スライド機構１５ａは、分析セル２および較正用標準物質セル１６を移動可能で、気体媒体流路２ａおよび蒸発室１８のうち一方を選択的にレーザ光５と交差させる。 - 特許庁

To provide a method for evaluating catalyst performance of a fuel cell which can evaluate the catalyst performance correctly without preparing a reference electrode in the fuel cell separately, and to provide an evaluation device using the same.例文帳に追加

燃料電池に参照電極を別途設けることなく正確に触媒性能評価することが可能な燃料電池の触媒性能評価方法及びこれを用いた評価装置を実現する。 - 特許庁

The battery managing module in each of the battery modules controls the balance circuit so as that the battery cell is balanced according to the reference signal, and the cell between the battery modules is balanced thereby.例文帳に追加

電池モジュールの各々における電池管理モジュールは、基準信号に従って電池セルのバランスをとるようにバランス回路を制御することができ、それによって、電池モジュール間のセルバランスを実現する。 - 特許庁

In the off-set elimination circuit, a decoupling capacitor preserves the electric charge corresponding to a voltage difference between the reference voltage and the reset voltage that is received from the unit cell, to eliminate the off-set of the unit cell.例文帳に追加

オフセット除去回路は、デカプリングキャパシタが単位セルから受信されたリセット電圧と基準電圧との電圧差に相応する電荷を保存することによって単位セルのオフセットを除去する。 - 特許庁

The channel signal 3a is an ATM cell base flow, given to a channel identifier addition circuit 4, where a HEC (an area to which a CRC arithmetic result in a header of an ATM cell is inserted) byte of a PLOAM (physical layer maintenance management) is inverted and becomes a reference channel signal 3x.例文帳に追加

チャネル信号３ａはＡＴＭセルベースフローであり、チャネル識別子付加回路４に入力してＰＬＯＡＭのＨＥＣバイトを反転され、基準チャネル信号３ｘとなる。 - 特許庁

The first determination part 70 determines, for each of the plurality of twin cells selected by a selection circuit 13, whether a first condition that a threshold voltage of one memory cell is higher than a commonly set reference value and a threshold voltage of the other memory cell is lower than the reference value is established.例文帳に追加

第１の判定部７０は、選択回路１３によって選択された複数のツインセルの各々について、一方のメモリセルの閾値電圧が共通に設定された基準値より高く、他方のメモリセルの閾値電圧が基準値より低いという第１の条件が成立するか否かを判定する。 - 特許庁