「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To make applicable to battery packs of various specifications only by replacing data related to a unit cell or the battery pack, and to efficiently estimate the battery residual capacity, in a short time using only a small quantity of reference data.例文帳に追加

素電池あるいは電池パックに関するデータを入れ替えるだけで、種々の仕様の電池パックに対応可能とするとともに、動作能力の劣るデータ処理手段を使用しても、少ない参照データを利用して短時間で効率よく電池残量の推測できる様にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which configures a DLL circuit having a few jitter, also prevents an absolute reference potential in an initial-stage circuit of a clock input or a core of a memory cell array or the like, and materializes a stable operation in a high-speed clock signal, too.例文帳に追加

ジッタの少ないＤＬＬ回路を構成すると共に、クロック入力の初段回路やメモリセルアレイ等のコア部分における絶対的なリファレンス電位が変動してしまうことを防ぎ、高速なクロック信号でも安定した動作を実現する半導体装置を提供する。 - 特許庁

R×M pieces of sequence specified by a ZC sequence number r(r=1 to R) and a cyclic shift sequence number m (m=1 to M) are classified into a plurality of sequence groups X (X=1 to R) in accordance with the transmission bandwidth of a reference signal, so that the ZC sequence is allocated to each cell in each sequence group unit.例文帳に追加

ＺＣ系列番号ｒ（ｒ＝１〜Ｒ）と巡回シフト系列番号ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）とで特定されるＲ×Ｍ個の系列をリファレンス信号の送信帯域幅に応じて複数の系列グループＸ（Ｘ＝１〜Ｒ）に分類し、各系列グループ単位でＺＣ系列を各セルに割り当てる。 - 特許庁

The path length correction section 49 corrects the propagation path length by multiplying a default value of the propagation path length by a correction coefficient represented by 1+K*ΔTc using a variation amount ΔTc from a predetermined reference temperature of the acoustic cell and a predetermined thermal expansion coefficient K.例文帳に追加

経路長補正部４９は、伝播経路長のデフォルト値に、音響セルの温度の所定の基準温度からの変化量ΔＴｃおよび所定の熱膨張係数Ｋを用いて１＋Ｋ・ΔＴｃで表される補正係数を乗じることにより伝播経路長を補正する。 - 特許庁

To provide a mobile communication system and a base station device which can reduce effects of interferences of cell-specific reference signals with data symbol signals when plural base stations perform cooperative transmission to a mobile station therebetween under LTE-standard resource element arrangement.例文帳に追加

ＬＴＥ標準のリソースエレメント配置のもとで複数の基地局間で移動局に対する協調伝送を行うときにデータシンボルの信号に対するセル固有参照信号の干渉の影響を軽減することができる移動通信システム及び基地局装置を提供する。 - 特許庁

A program sense latch circuit PSL compares a threshold of a memory cell transistor detected through a bit line BL with a reference potential VR in verify-operation, changes a potential of the node NN3 in accordance with that a threshold becomes a value corresponding to multi value data, and indicates outputting a write blocking potential.例文帳に追加

一方、プログラムセンスラッチ回路ＰＳＬは、ベリファイ動作において、ビット線ＢＬを介して検知されるメモリセルトランジスタのしきい値と、参照電位ＶＲとを比較し、しきい値が多値データに対応する値となるのに応じて、ノードＮＮ３の電位を変更して、書込み阻止電位の出力を指示する。 - 特許庁

To provide a residual chlorine meter capable of sharply reducing the electrodeposition of metal ions to the surface of a cathode caused by the oxidation reaction of an anode without requiring polishing or the like, capable of extending the life of the anode and capable of always keeping a stable reference potential in the case of a galvanic cell type.例文帳に追加

研磨等を要することなく、アノード電極の酸化反応による金属イオンのカソード電極面への電着を大幅に低減できるとともに、アノード電極の長寿命化が図れ、また、ガルバニ電池式の場合、常に安定した基準電位を維持できるようにする。 - 特許庁

When data stored in a memory cell is read out, this feedback circuit 200A-0 feeds back an output of the differential sense amplifier 150A-0 to an input node NIN of the differential sense amplifier 150A-0 temporarily, and equalizes a data signal VDA-0 to a reference signal VREF temporarily.例文帳に追加

この帰還回路２００Ａ−０は、メモリセルに記憶されたデータを読み出す際に、差動型センスアンプ１５０Ａ−０の入力ノードＮＩＮに差動型センスアンプ１５０Ａ−０の出力を一時的に帰還させ、データ信号ＶＤＡ−０を参照信号ＶＲＥＦと一時的に等しくする。 - 特許庁

In the case that power supply from a dry cell 61 is temporarily stopped and the supply is restarted, the time information T stored in the flash memory 80 is supplied to the RTC 87 and the updating of the time information T is newly started with the supplied time information T as the reference.例文帳に追加

乾電池６１からの電力供給が一旦停止し、再び供給が開始された場合、フラッシュメモリ８０に記憶されている時刻情報Ｔが、RTC８７に供給され、その供給された時刻情報Ｔを基準として新たに時刻情報Ｔの更新が開始される。 - 特許庁

To solve the following problem of a conventional measuring cell configuration by a QCM sensor device: because it is necessary to separately provide a reference electrode and a counter electrode and to control positions thereof, it becomes costly and its size is increased, and an adhesive between a crystal substrate and a support substrate is dissolved out according to a sample when exposing the crystal substrate to the sample.例文帳に追加

ＱＣＭセンサデバイスによる測定セル構成は、参照電極及び対極電極を別途に設けてその位置制御が必要になり、高価で大型化を招くと共に、水晶基板を試料に晒したとき、試料によっては水晶基板と支持基板との接着剤が溶け出る。 - 特許庁

The device (100) generates a reference signal which can be used for deciding a resistance state of each memory cell in an array independently of fluctuation of a resistance value caused by the other factors such as errors in manufacturing, temperature gradient, electromagnetic interference, and secular change.例文帳に追加

該デバイス(100)は、製造誤差やアレイ全体にわたる温度勾配、電磁干渉、及び経時変化といった他の因子に起因する抵抗値の変動にもかかわらず、アレイ中の各メモリセルの抵抗状態を決定するために使用することが可能な基準信号を生成する。 - 特許庁

When the conductivity of the pure water is lower than the starting reference value, the fuel cell 1 starts power generation and the pure water is circulated at least between the area B and the area C by driving the pump 7 to reduce the conductivity of the pure water with the ion filter 10.例文帳に追加

そして、純水の導電率が起動時基準値を下回った場合には、燃料電池１の発電を開始し、循環ポンプ７を駆動して、少なくとも領域Ｂ及び領域Ｃで純水を循環させて、イオンフィルタ１０により領域Ｂに存在する純水の導電率を低下させる。 - 特許庁

In an absorption cell 23 of a wavelength reference light source 21, a plurality of kinds of gases G1, G2-Gn exhibiting absorption lines in different wavelength areas are sealed, and a signal processing part 34 finds a plurality of specific rotation angles corresponding to specific wavelengths individually.例文帳に追加

波長基準光源２１の吸収セル２３には、吸収線の存在する波長領域がそれぞれ異なる複数種類のガスＧ１、Ｇ２、…、Ｇｎが封入されており、信号処理部３４は、特定波長にそれぞれ対応する複数の特定回転角を求めるように構成されている。 - 特許庁

The semiconductor cell comprises a NAND circuit 5 having a combination of MOS transistors each having a low threshold voltage, and the switch unit 13 having a combination of MOS transistors each having a high threshold voltage and interposed between the NAND circuit 5 and a power source V_dd line, a reference power source V_ss line.例文帳に追加

閾値電圧の低いＭＯＳトランジスタの組み合わせで構成したＮＡＮＤ回路５と、ＮＡＮＤ回路５と電源Ｖｄｄ線および基準電源Ｖｓｓ線の間に介在する閾値電圧の高いＭＯＳトランジスタの組み合わせで構成したスイッチ部１３を分離して配置する。 - 特許庁

A current sense circuit 62 is used for a read amplifier circuit 20 reading data from a memory cell, further, an amplitude limiting section 61 receiving a reference potential Vref is used for the read amplifier circuit 20 to suppress amplitude of a pair of global I/O lines GIOR, /GIOR of which parasitic capacity and parasitic resistance are large.例文帳に追加

電流センス回路６２をメモリセルからデータを読出すリードアンプ回路２０に用い、さらに、寄生容量および寄生抵抗の大きいグローバルＩＯ線対ＧＩＯＲ，／ＧＩＯＲの振幅を抑えるために参照電位Ｖｒｅｆを受ける振幅制限部６１をリードアンプ回路２０に用いる。 - 特許庁

In a circuit in which normal read-out and write-in for verifying or read-out during erasing are improved, read-out is performed for a series of threshold levels by a series of reference cells tracking closely to variation caused by a memory cell, adjusting, and corresponding.例文帳に追加

通常の読み出しおよびベリファイ用の書込みもしくは消去間の読み出しの改良された回路において、一連のしきい値レベルに対して、メモリセルにより生じる変化を密接にトラッキングし調整する対応する一連の参照セルによって、読み出しを行う。 - 特許庁

An output section 7 of a current output type source driver of an organic EL display device 1 includes a reference current source 11, an output control circuit 12, a transistor cell array section 13, a switch SW1 to SW13, a Miller transistor NTK for distribution, and a output terminal OUT.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１の電流出力型ソースドライバの出力部７には、基準電流源１１、出力コントロール回路１２、トランジスタセルアレイ部１３、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３１、分配用ミラートランジスタＮＴＫ、及び出力端子ＯＵＴが設けられている。 - 特許庁

Since the display for grasping the variation of length in the cell stacking direction (direction producing creep) of the stack body 3 is installed in the fixed position, a reference for measuring length is always made constant different from attaching a rule along the stack body 3 every diagnosis like a conventional method.例文帳に追加

スタック本体３のセル積層方向（クリープが生じる方向）に沿う長さの変化を把握するための表示が定位置に設けられているので、従来のように診断の度にスタック本体３に定規を添わせるのとは異なり、長さを計測するための基準が常に一定になる。 - 特許庁

An operation part 16 extracts the reference output power to the detected output current from the data memory part 12 and seeks the output power at the time of the decision of deterioration, by utilizing the detected output current and output voltage of the cell stack.例文帳に追加

演算部１６は検出されたセルスタックの出力電流に対する基準出力電力をデータ記憶部１２から抽出するとともに、検出されたセルスタックの出力電流と出力電圧とを利用して劣化判定時におけるセルスタックの判定時出力電力を求める。 - 特許庁

In the case of receiving a packet/a cell, the hold circuit 4 holds an output voltage from the preamplifier circuit 2 by using a sampling pulse, an output from the latch circuit 4 is given to an inverting terminal of the output differential amplifier 3 as reference voltage Vref for data identification and the amplifier 3 identifies and outputs data at an optimum identification level.例文帳に追加

パケット／セルを受信する際、サンプリングパルスによってプリアンプ回路２の出力電圧を保持回路４において保持し、保持回路４の出力をデータ識別のリファレンス電圧Ｖref として出力差動アンプ３の逆相入力し、データを最適識別レベルで識別し出力する。 - 特許庁

The comparison parts 43 and 44 compare the voltage 51 of each unit cell 21 with a plurality of different reference voltages 50-1 thru 50-2 set previously, and as the result from comparison, emit comparison signals 52 and 53.例文帳に追加

複数の比較部４３、４４は、燃料電池セル２１のセル電圧５１と、予め設定された互いに異なる複数の基準電圧５０−１〜２とに基づいて、セル電圧５１と複数の基準電圧５０−１、５０−２の各々との比較結果としての複数の比較信号５２、５３を出力する。 - 特許庁

In an associative memory cell shown in figure 2, magnetoresistive elements TR101-TR104 are a TMR film used for a MRAM, and have a resistance value on accordance with a magnetizing direction by current magnetic fields of a pair of bit line (BL, /BL), an uncoincidence detecting line ML, and a reference current output line MSL.例文帳に追加

図２に示す連想メモリセルにおいて磁気抵抗素子ＴＲ１０１〜ＴＲ１０４はＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜であり、ビット線対（ＢＬ，／ＢＬ）、不一致検出線ＭＬおよび基準電流出力線ＭＳＬの電流磁界による磁化方向に応じた抵抗値を有する。 - 特許庁

The R/W control circuit 5 performs control so that voltages Vout_B0, Vout_B1 applied to the reference resistance circuit are increased when the value of resistance in the magnetoresistive element is the maximum resistance value Rmax when reading data from the memory cell array 4, and reduces voltages Vout0, Vout1 applied to the magnetoresistive element.例文帳に追加

Ｒ／Ｗ制御回路５は、メモリセルアレイ４からデータを読み出すとき、磁気抵抗素子の抵抗値が最大抵抗値Ｒｍａｘであるとき、基準抵抗回路に印加される電圧Ｖｏｕｔ＿Ｂ０，Ｖｏｕｔ＿Ｂ１を高くするように制御することにより、磁気抵抗素子に印加される電圧Ｖｏｕｔ０，Ｖｏｕｔ１を低下させる。 - 特許庁

The cell 2 has solid electrolyte having the accommodation chamber 30 whose one end is closed, and an accommodation object 4 setting a powder-like or granular compound containing the reference substance being subjected to the thermal decomposition in an usage environment temperature region accommodated into the accommodation chamber 30 to be the base.例文帳に追加

セル２は、一端部が閉鎖された収容室３０をもつ固体電解質と、収容室３０に収容された使用環境温度領域で熱分解する基準物質を含む粉末状または粒状の化合物を基材とする収容物４とを有している。 - 特許庁

The fuel cell system 1 is provided with an exhaust channel 18 exhausting the oxidant gas exhausted from the relief valve 6 to the oxidant offgas flow channel 14, and a connection channel 26 connecting the reference pressure room 4b provided at the fuel gas pressure regulating valve 4 to the oxidant offgas flow channel 14.例文帳に追加

燃料電池システム１は、リリーフ弁６から排出された前記酸化剤ガスを、酸化剤オフガス流路１４へ排出する排出路１８と、燃料ガス調圧弁４に設けた基準圧室４ｂを酸化剤オフガス流路１４に接続する接続路２６と、を備えている。 - 特許庁

When performing reading operation in which the bit lines of a memory cell array 100 are discharged by a bit line charge/discharge part 101, a counter performs counting of a count value representing a conducting period for a bit line potential to turn into a predetermined potential based on a result of the comparison by a comparator for comparing the bit line potential with a reference potential.例文帳に追加

ビット線充放電部１０１によりメモリセルアレイ１００のビット線の放電を行う読み出し動作時に、ビット線の電位と基準電位とを比較する比較器の比較結果に基づいて、カウンタは、ビット線の電位が所定の電位になる放電期間を表すカウント値を計数する。 - 特許庁

A layout device for the semiconductor integrated circuit includes: a first storage area for storing an optimization library which includes possibility of short circuit and association between a cell frame and an overlapping distance by combination of cells placed in adjacency; and a first optimization means for overlapping the cell frame with the combination of cells which can be short-circuited and placing them with reference to the optimization library stored in the first storage area in the cell placement satisfying a design rule.例文帳に追加

上記課題は、隣接して配置されるセルの組み合せ毎にショート可否とセル枠のオーバーラップ可能な距離との対応付けを含む最適化ライブラリを格納する第一記憶領域と、デザインルールを満たすセル配置において、前記第一記憶領域に格納されている前記最適化ライブラリを参照することによって、前記ショート可能なセルの組み合せに対して前記セル枠をオーバーラップさせて配置する第一最適化手段とを有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト装置により達成される。 - 特許庁

A pixel group generation part 22b selects pixels from the converted object image data until the total of gradation values by pixels exceeds a specified threshold to generate a pixel group, and a data imparting part 22d imparts specified gradation data for forming dots at specified pixels in a cell determined by a reference point determination part 22c.例文帳に追加

そして変換した対象画像データについて、画素群生成部２２ｂは画素ごとの階調値の総和が所定の閾値以上となるまで画素を選択して画素群を生成し、データ付与部２２ｄは、基準点決定部２２ｃが決定したセル内の所定の画素にドットを形成するための所定の階調データを付与する。 - 特許庁

Current to be outputted from a transistor Q16 of a constant current circuit 12 is supplied to a band gap cell circuit 14 as bias current through a current mirror circuit 26 and a constant voltage line 23 from which reference voltage VBG is outputted, folded by the current mirror circuit 26 and becomes bias current of an operational amplifier 15.例文帳に追加

定電流回路１２のトランジスタＱ１６から出力される電流は、カレントミラー回路２６と基準電圧ＶBGが出力される定電圧線２３とを通してバンドギャップセル回路１４にバイアス電流として供給されるとともに、カレントミラー回路２６で折り返されてオペアンプ１５のバイアス電流となる。 - 特許庁

A constant current ICONST is applied to an electromotive force cell 24 being pinched between a diffusion chamber 20 in a fixed atmosphere and an oxygen reference chamber 26 in fixed oxygen concentration to measure a resistance value, thus accurately measuring the resistance value regardless of the oxygen concentration in the measurement atmosphere of an oxygen sensor element 10.例文帳に追加

一定の雰囲気である拡散室２０と一定酸素濃度である酸素基準室２６とに挟まれた起電力セル２４に一定電流ＩCONST を印加して抵抗値を測定するため、酸素センサ素子１０の測定定雰囲気中の酸素濃度とは無関係に、抵抗値を正確に測定することができる。 - 特許庁

A variable delay circuit 7 provided in the local control circuit 3 is configured by connecting unit delay circuits whose delay value is controlled by a digital value in multi-stages, and produces various control signals supplied to a memory cell array 1 in timing by delaying the reference signal by a prescribed delay value denoted by the digital value of the delay control signal.例文帳に追加

ローカル制御回路３に設けた可変遅延回路７は、遅延値がディジタル値で制御される単位遅延回路を多段に接続して構成され、メモリセルアレイ１に供給する各種の制御信号を、前記基準信号を前記遅延制御信号のディジタル値が示す所定の遅延値だけ遅延したタイミングで生成する。 - 特許庁

The battery device 51 is provided with the battery cell 52 which is charged by the charging current Ic, and a battery protection circuit 53 that cuts off a path in which the charging current Ic flows, in the battery device 51 when informed from the charging control circuit 3 and reference voltage circuit 5 that the charging is limited.例文帳に追加

電池装置５１には、充電電流Ｉｃによって充電される電池セル５２と、充電制御回路３及び基準電圧回路５から充電を制限する旨が通知されると、電池装置５１において充電電流Ｉｃが流れる経路を遮断する電池保護回路５３とが設けられている。 - 特許庁

The I/O cell includes a pull-up transistor connected between an I/O power supply voltage and a pad, a differential amplifier for differentially amplifying a voltage of the PD and a reference voltage according to a corresponding standard, and a logic gate for selectively bringing the pull-up transistor into ON state for an output signal of the differential amplifier and an output control signal.例文帳に追加

Ｉ／Ｏセルは、Ｉ／Ｏ電源電圧とパッドの間に接続されるプルアップトランジスタと、該パッドの電圧と対応の規格に応じた基準電圧とを差動増幅する差動増幅器と、差動増幅器の出力信号と出力制御信号とにプルアップトランジスタを選択的にオン状態とするロジックゲートを備える。 - 特許庁

SRAM includes a memory cell 100, a voltage dropping circuit 15 generating pre-charge voltage VBP in accordance with reference voltage VREF generated by resistance-voltage-dividing power source voltage Vcc, and a pre-charge circuit 11 controlling supply of pre-charge voltage VBP for bit lines BL0.例文帳に追加

本発明によるＳＲＡＭは、メモリセル１００と、電源電圧Ｖｃｃを抵抗分圧することで生成された参照電圧ＶＲＥＦに応じてプリチャージ電圧ＶＢＰを生成する降圧回路１５と、ビット線ＢＬ０に対するプリチャージ電圧ＶＢＰの供給を制御するプリチャージ回路１１とを具備する。 - 特許庁

A sense amplifier (38), in read-out operation, receives a read-out signal transmitted to the common bit line, compares a potential of the main bit line connected to the common bit line with the reference potential Vref, detects whether a current is made to flow between a drain D and a source SC of the nonvolatile memory cell to be read or not.例文帳に追加

センスアンプ（３８）は、読出し動作において、共通ビット線に伝達された読出し信号を入力し、共通ビット線に接続された主ビット線の電位と基準電位Ｖｒｅｆを比較して、読出し対象となる不揮発性メモリセルのドレインＤＲとソースＳＣ間に電流が流れたか否かを検出する。 - 特許庁

The peptide substantially unreacting with immunoglobulin E antibody specific to cedar pollen allergen and activating the T cell specific to cedar pollen allergen when compared with negative reference in examination using a method to determine based on taking in of ^3H-thymidine is provided, and the immunotherapeutic agent comprising the peptide is also provided.例文帳に追加

スギ花粉アレルゲンに特異的なイムノグロブリンＥ抗体に実質的に反応せず、^3Ｈ−チミジンの取込みにより判定する方法で試験すると、陰性対照と比較して、スギ花粉アレルゲンに特異的なＴ細胞を有意に活性化するペプチドと、そのペプチドを有効成分として含んでなる免疫療法剤を構成とする。 - 特許庁

A cell phone terminal 1 determines an imaging timing of the imaging section 8 from the moving direction and the moving amount of the finger 10 detected by the jog dial 6, and registers the vein image of the inside of the finger 10, which is imaged by the imaging section 8 at the imaging timing as a reference image, when registering for authenticating the vein.例文帳に追加

携帯電話端末１は、静脈認証のための登録時には、ジョグダイヤル６にて検出された指１０の移動方向と移動量に基づいて、撮像部８の撮影タイミングを決定し、その撮影タイミングで撮像部８により撮影した指１０内部の静脈画像を参照用画像として登録する。 - 特許庁

The fuel cell system executes cooling water temperature control of a cooling device 13 at a control device 26 to lower the temperature of the cooling water to a temperature which is set in accordance with a detected atmospheric pressure, when the detected atmospheric pressure detected by an atmosphere pressure detection means 25 is lower than an atmospheric pressure reference value.例文帳に追加

大気圧検出手段２５で検出された大気圧検出値が大気圧基準値より低い場合に、制御装置２６において冷却装置１３の冷却水温度制御を実行して、冷却水の温度を前記検出された大気圧検出値に応じて設定される温度に低下させるようにした。 - 特許庁

By generating an electroosmotic flow from a reservoir 5 to a reservoir 7, a specimen in a reservoir 9, a reference sample in a reservoir 11 and a reagent in a reservoir 13 are introduced into the reaction cell 15 through a passage 21, passage 23 and passage 25, respectively, to synthesize a labelled cDNA based on the base sequence of the specimen.例文帳に追加

リザーバー５からリザーバー７へ向かって流れる電気浸透流を発生させ、流路２１，２３，２５を介して、リザーバー９から検体を、リザーバー１１から参照試料を、リザーバー１３から試薬を反応部１５に導入し、反応部１５で検体の塩基配列に基づく標識ｃＤＮＡを合成する。 - 特許庁

A pad 32 externally applied with a control potential Vex and a plate lime driving circuit 33 are provided, and concerning each memory cell, a reference potential Vref is varied variously by varying the control potential Vex variously, storage data is read out, and margin of a potential of a bit line in the case that storage data is outputted to a bit line is tested.例文帳に追加

外部から制御電位Ｖexを印加するパッド３２及びプレート線駆動回路３３を設け、各メモリセルについて、制御電位Ｖexを種々変化させることにより、基準電位Ｖrefを種々変化させて、記憶データの読出しを行い、ビット線に記憶データが出力された場合におけるビット線の電位のマージンを試験する。 - 特許庁

This device includes: the fuel cell 10 in which the plurality of battery modules 12 are stacked; and means for detecting each spacing between adjacent battery modules 12 (spacing between cells); and determination means for determining abnormality of the battery modules 12 when a spacing between the cells is not within a predetermined reference range.例文帳に追加

複数の単位電池１２が積層されてなる燃料電池１０と、隣接する各単位電池１２間の距離（セル間距離）をそれぞれ検出するセル間距離検出手段と、セル間距離が所定の基準範囲にない場合に、当該単位電池１２の異常を判定する判定手段と、を備える。 - 特許庁

When SLM 16 is irradiated with the phase-coded HOE object light 44, it emits amplitude-coded and phase-coded HMC(holographic memory cell) object light 44, and this HMC object light 44 interferes with HMC reference light 64 in HOE 50, and a hologram of the HMC object light 44 is stored in the HOE 50.例文帳に追加

ＳＬＭ１６は、位相符号化されたＨＯＥ物体光４４によって照射されると、振幅符号化され位相符号化されたＨＭＣ物体光４４を放出し、このＨＭＣ物体光４４は、ＨＯＥ５０でＨＭＣ参照光６４と干渉して、ＨＯＥ５０にＨＭＣ物体光４４のホログラムを記憶させる。 - 特許庁

When the cell has been fitted, an operation for detecting a zero-point position by a reference position detection part 32 continues, and the zero-point position of grating is detected based on an electrical signal from a photosensor 14 and a pulse signal for drive being sent to a motor 16 for driving grating and is stored at a storage part 34.例文帳に追加

セルが装着されている場合、基準位置検出部３２による原点位置を検出する動作を続行し、光センサ１４からの電気信号及びグレーティング駆動用モータ１６に送る駆動用パルス信号に基づいてグレーティング１０の原点位置を検出し、記憶部３４に記憶する。 - 特許庁

To handle a bed device 1 formed as a bet mat out of, for example, a closed cell foaming material with reliability by providing a support surface 9 for supporting an examination object examined by computed tomography and a recessed part 7 capable of inserting a reference body 6 on the lower side.例文帳に追加

コンピュータ断層撮影により検査される検査対象物を支持する支持面（９）とその下側において基準体（６）を挿入可能である凹部（７）とを備え、例えば独立気泡発泡材により寝台マットとして形成された寝台装置（１）を信頼性をもって取り扱うことができるように形成する。 - 特許庁

A short-circuiting means 25 constituted of metal pipes 21 and 23 and a conductor 24 makes a short-circuit electrically between a running-in port 20 and a running-out port 22 of the cooling device 10, and a conductor 31 makes a short-circuit electrically between the short-circuiting means 25 and a reference electrode 5 side of the grounded fuel cell 1.例文帳に追加

冷却装置１０の流入部位２０と流出部位２２の間を金属製の管体２１，２３と導体２４により構成した短絡手段２５で電気的に短絡するとともに、前記短絡手段２５と接地された燃料電池１の基準電極５側の間を導体３１で電気的に短絡する。 - 特許庁