「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A redundant area detection part 22 detects a redundant area in a cell arrangement area in reference to layout data after automatic arrangement and wiring stored in an automatic arrangement and wiring data storage part 21.例文帳に追加

冗長領域検出部２２は、自動配置配線データ格納部２１に格納される自動配置配線後のレイアウトデータを参照して、セル配置領域内の冗長領域を検出する。 - 特許庁

It is assumed that the satellite Doppler value observed from the GPS reference station has no substantial difference with respect to a true GPS Doppler value observed by other GPS receiver operated within a service area of the cell site.例文帳に追加

ＧＰＳ基準局が見る衛星ドップラー値は、セルサイトのサービスエリア内で動作している他のＧＰＳ受信機によって観測される真のドップラー値に対して実質的な差がないと仮定する。 - 特許庁

The reference light is cast to the desired hologram cell 17 by putting one of a plurality of micromirrors 31 constituting servo mirror arrays 30 in a linear array form in the Y-axis direction into an ON state.例文帳に追加

参照光は、Ｙ軸方向直線アレイ状のサーボミラーアレイ３０を構成する複数のマイクロミラー３１の１つをＯＮ状態とすることによって、参照光を目的のホログラムセル１７に照射する。 - 特許庁

When the voltage of the battery 1 exceeds the voltage from a reference power supply 14 during auxiliary charge in the daytime, a protective relay 7 is turned off to interrupt power from the solar cell 8 thus ending auxiliary charge.例文帳に追加

そして、昼間の補充電時の蓄電池1の電圧が基準電源14からの電圧を超えた場合には、保護リレー7をＯＦＦにし、太陽電池8からの電力を遮断して補充電を終了する。 - 特許庁

By utilizing difference in a deviation state from the reference according to the kind of abnormal states in the fuel cell 1, the diagnosis of at least two abnormal states is preferably conducted continuously.例文帳に追加

燃料電池１における異常状態の種別に応じてリファレンスからの乖離具合が異なることを利用して少なくとも２種の異常状態の診断を引き続き実行することも好ましい。 - 特許庁

The detection circuit 5 detects that the voltage of the reference bit line RBL is equal to or less than a set voltage to output a control signal for driving the sense amplifier 9 of the memory cell 11 during a reading operation.例文帳に追加

検出回路５は、読み出し動作時に、リファレンスビット線ＲＢＬの電圧が設定電圧以下になったことを検出して、メモリセル１１のセンスアンプ９駆動用の制御信号を出力する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of reducing the density of hydrogen in the exhaust gas below a reference value without using a regulation valve to make a constant flow rate of the anode purge gas discharged from the anode to the purging gas piping.例文帳に追加

アノードからパージガス用配管に排出されたアノードパージガスの流量が一定となるように調整する調整弁を必要とせずに、排気ガス中の水素濃度を基準値以下にする。 - 特許庁

The reference voltage generating circuit 72, the voltage drop circuit 73, and the VPP generating circuit 76 including the thick MOS transistors are arranged in units corresponding to the arranged positions of memory cell arrays 10A, 10B.例文帳に追加

厚膜ＭＯＳトランジスタを含む基準電圧発生回路７２、電圧降圧回路７３およびＶＰＰ発生回路７６は、メモリセルアレイ１０Ａ，１０Ｂの配置位置に対応してユニット配置される。 - 特許庁

In the case where "1" data are being stored in a memory cell MC, a bit line BL is driven to "H" level (control line driving potential VBL) and a bit line/BL is driven to "L" level (reference potential) when a sensing operation is completed.例文帳に追加

メモリセルＭＣに「１」データが記憶されている場合には、センス動作が完了すると、ビット線ＢＬは「Ｈ」レベル（制御線駆動電位ＶＢＬ）、ビット線／ＢＬは「Ｌ」レベル（基準電位）に駆動される。 - 特許庁

The skin barrier function increasing action of the substance is also evaluated using an increasing action of increasing a layering degree of a horny layer cell of myriocin, and/or an increasing action of increasing an appearance degree of subcorneal desmosome structure thereof, as a reference.例文帳に追加

また、マイリオシンの角層細胞の重層度合いの増大作用及び／又は角層におけるデスモソーム構造の出現度合いを基準として、被験物質の皮膚バリア機能向上作用を評価する。 - 特許庁

Two sets of memory cell arrays U and L are provided, reference cells RCELLU and RCELLL discharging respective bit lines, when they are selected are connected to respective bit lines BITUn and BITLn.例文帳に追加

２組のメモリセルアレイＵ・Ｌが設けられ、それぞれのビット線ＢＩＴＵｎ・ＢＩＴＬｎには、選択されたときに各ビット線をディスチャージするリファレンスセルＲＣＥＬＬＵ・ＲＣＥＬＬＬが接続されている。 - 特許庁

Each magnetic memory cell (302) features at least one ferromagnetic data layer (304) of a first size, an intermediate layer (306) that contacts the data layer (304), and at least one ferromagnetic reference layer (308) of a second size.例文帳に追加

各磁気メモリセル(302)は、第１のサイズの少なくとも１つの強磁性データ層(304)と、データ層(304)に接触する中間層(306)と、第２のサイズの少なくとも１つの強磁性基準層(308)を提供する。 - 特許庁

The charge amount in the capacitor is recognized by changing the potential of the readout word line; when the charge amount is smaller than the reference, the memory cell is refreshed.例文帳に追加

そして、容量素子に蓄えられた電荷量を、読み出しワード線の電位を変化させることにより確認し、基準以上に電荷量が減少している場合にはメモリセルのリフレッシュをおこなう。 - 特許庁

The simulated battery cell body 11 is constituted of the positive electrodes 15A, 15B, negative electrodes 16A, 16B, and two electrode support bodies 14A, 14B which respectively support the reference electrodes 17A, 17B.例文帳に追加

擬似電池セル本体１１は、正電極１５Ａ，１５Ｂ、負電極１６Ａ，１６Ｂ、及び基準電極１７Ａ，１７Ｂをそれぞれ支持する２つの電極支持体１４Ａ，１４Ｂから構成される。 - 特許庁

Read-word lines RWL are arranged corresponding respectively to rows of a memory cell MC arranged in matrix, and bit lines BL and a reference voltage wiring SL are arranged corresponding respectively to columns.例文帳に追加

行列状に配置されたメモリセルＭＣの行にそれぞれ対応して、リードワード線ＲＷＬが配置され、列にそれぞれ対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁

To provide technology capable of suppressing excessive increase of fluctuation of the standard potential of a reference electrode while suppressing excessive complication of the structure of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の構成が過度に複雑化することを抑制しつつ、参照電極の基準電位の変動が過度に大きくなることを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

In normal reading and reading for verification, the reading is executed based on a series of reference cells for tracking changes in a memory cell to adjust them with respect to a series of threshold levels.例文帳に追加

通常の読み出しおよびベリファイ用の読み出しにおいて、一連のしきい値レベルに対して、メモリセルにより生じる変化をトラッキングし調整する一連の参照セルによって読み出しを行う。 - 特許庁

In the high frequency oscillator, with which a reference oscillator is connected to a phase frequency detector for frequency control, having the reference oscillator, the phase frequency detector, a charge pump, a ring oscillator and a phase-locked loop circuit provided with a frequency divider, the ring oscillator is made a symmetric delay cell oscillator having two delay cell amplifiers (A1 and A2).例文帳に追加

基準発振器と、位相周波数検出器、チャージポンプ、リング発振器および分周器を備えた位相同期ループ回路とを有し、前記基準発振器は、前記位相周波数検出器に周波数制御のために接続されている形式の高周波発振器において、前記リング発振器を、２つの遅延セル増幅器（Ａ１，Ａ２）を有する対称型の遅延セル発振器にすることで解決される。 - 特許庁

If the temperature of the fuel cell 10 is lower than a given warming-up reference temperature, as a warming-up operation, the hydrogen tank 3 supplies hydrogen to the hydrogen storage alloy tank 2, which in turn stores the hydrogen in the hydrogen storage alloy to generate heat and transfers the generated heat to the fuel cell 10 via a heat exchanger medium to increase the temperature of the fuel cell 10.例文帳に追加

燃料電池１０の温度が所定の暖機基準温度よりも低い場合には，水素タンク３から水素吸蔵合金タンク２へ水素を供給し，水素吸蔵合金タンク２において水素吸蔵合金に水素を吸蔵させて熱を発生させ，発生した熱を熱交換媒体によって燃料電池１０に伝達して燃料電池１０の温度を上昇させる暖機作業を行う。 - 特許庁

A variation ΔZ of a resistance component caused by dryness inside an electrochemical cell 10 is calculated from an alternating current impedance Zo at the set reference frequency fo, and an alternating current impedance in a lower frequency band than the reference frequency fo is corrected based on the calculated variation ΔZ of a resistance component.例文帳に追加

そして、設定した基準周波数ｆｏにおける交流インピーダンスＺｏから電気化学セル１０の内部の乾燥に起因する抵抗成分の変化量ΔＺを算出し、算出した抵抗成分の変化量ΔＺに基づいて、基準周波数ｆｏよりも低い低周波帯域における交流インピーダンスを補正する。 - 特許庁

When the fuel residual amount is smaller than a prescribed fuel reference value F, the microcomputer 11 makes the display 18 display that the fuel is insufficient, and when the fuel residual amount is larger than the prescribed fuel reference value F, an oxidizer concentration detecting part 15 is made to detect the oxidizer concentration of the fuel cell 12.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１１は、燃料残量が所定の燃料基準値Ｆより小さい場合、表示部１８に燃料が不足であることを表示させ、燃料残量が所定の燃料基準値Ｆより大きい場合、酸化剤濃度検出部１５に燃料電池１２の酸化剤濃度を検出させる。 - 特許庁

Measured data stored in the measured data memory 120b_1 is corrected based on reference data stored in the reference data memory 120b_2, stored in a corrected data memory 120b_3, and the remaining capacity of the fuel cell is obtained from output of the corrected data memory 120b_3 and output of the measured data memory 120b_1.例文帳に追加

そして、基準データ記憶部１２０ｂ_2 に記憶された基準データに基づいて、測定データ記憶部１２０ｂ_1 に記憶された測定データが補正されて補正データ記憶部１２０ｂ_3 に記憶され、その出力と上記測定データ記憶部１２０ｂ_1 の出力から燃料電池の残容量が求められる。 - 特許庁

In the sequence group, cell repetition is applied to the sequence used for the reference signal transmitted by a 1-resource unit and sequence hopping using the different sequences in continuous sub frames is applied to the sequence used for the reference signal transmitted by a frequency band width wider than the 1-resource unit.例文帳に追加

系列群では、１リソースユニットにより送信されるリファレンスシグナルに使用される系列に対してはセル繰り返し、１リソースユニットよりも広い周波数帯域幅で送信されるリファレンスシグナルに使用される系列に対しては、連続するサブフレームで異なる系列を使用する系列ホッピングが適用される。 - 特許庁

The circuit unit 30 for a control for driving and controlling an NOx gas sensor 10, comprises specific wiring connecting between a heater circuit 11 and a heater terminals 21, and a reference potential section 25, that is arranged between an Ip2 cell detection circuit 13 and the specific wiring and becomes a predetermined reference potential.例文帳に追加

ＮＯｘガスセンサ素子１０を駆動制御する制御用回路ユニット３０は、ヒータ回路１１およびヒータ端子部２１を接続する特定配線と、Ｉｐ２セル検出回路１３および特定配線の間に配置され、予め設定された基準電位となる基準電位部２５と、を備えている。 - 特許庁

Bit line pre-charge circuits PCt, PCb pre-charging bit lines BLt, /BLt to ground voltage GND are arranged, and reference word lines RWLo, RWLe and a reference memory cell RMC are arranged so that potential difference is caused surely between bit lines BLt and /BLt when a word line WL is activated.例文帳に追加

ビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔを接地電圧ＧＮＤにプリチャージするビット線プリチャージ回路ＰＣｔ，ＰＣｂを設け、ワード線ＷＬが活性化されたときビット線ＢＬｔ，／ＢＬｔ間に必ず電位差が生じるように参照ワード線ＲＷＬｏ，ＲＷＬｅ及び参照メモリセルＲＭＣを設ける。 - 特許庁

A plurality of reference cells (RMC1-RMC5) are connected to the same bit line (/BL), and the capacitance of each ferroelectric capacitor (RCF1-RCF5) in the plurality of reference cells is set so as to be 2^n (wherein n is an integral multiple) times the capacitance of the ferroelectric capacitor (CF1) of the main body memory cell (MC1).例文帳に追加

リファレンスセル（ＲＭＣ１〜ＲＭＣ５）は同一のビット線（／ＢＬ）に複数個接続され、複数個のリファレンスセルの各強誘電体キャパシタ（ＲＣＦ１〜ＲＣＦ５）の容量は本体メモリセル（ＭＣ１）の強誘電体キャパシタ（ＣＦ１）の容量の２^n倍（ｎは整数倍）の値を有するように設定される。 - 特許庁

A controller 50 performs absolute wavelength calibration for matching the detection reference wavelength of a beam monitor mechanism 164 with the absolute wavelength of an absorption cell 165 and set wavelength calibration for matching the detection reference wavelength with a set wavelength based on the temperature dependency map.例文帳に追加

そして、制御装置５０では、吸収セル１６５の絶対波長に対してビームモニタ機構１６４の検出基準波長をほぼ一致させる絶対波長キャリブレーションを行うとともに、温度依存性マップに基づいて検出基準波長を設定波長に一致させる設定波長キャリブレーションを行う。 - 特許庁

The controller 8 adjusts currents Ip to be transmitted to a first cell 11 of the sensor according to the instantaneous difference of the rates of oxygen which exists in both the diffusion chamber and reference chamber of the sensor 2 by the mutual action with the operating unit 10.例文帳に追加

コントローラ８は作動ユニット１０との相互作用により、センサ２の拡散室と基準室とに存在する酸素の割合の瞬時差に応じてセンサの第１セル１１に送られる電流Ｉｐを調整する。 - 特許庁

Then, a list specifying a top level net to connect the cell block is generated (305) and according to any one among these top level nets exceeding a maximum signal transmission reference (such as RC interconnection limit, for example), the position is specified (325).例文帳に追加

そして、セルブロックを接続するトップレベルネットを特定するリストが生成され(305)、これらのトップレベルネットのうちで最大信号伝送基準(例えば、RC相互接続制約)を越えるものにしたがって位置が特定される(325)。 - 特許庁

A reference current operating part 4 defines solar radiation energy as 1 kW/m^2 and a solar cell temperature as 25°C and calculates an I-V curve in the case of calculating electric power generation at each temperature when the solar radiation energy is 1 kW/m^2.例文帳に追加

基準電流演算部４は、日射エネルギーが１kＷ／ｍ^2のときの各温度における発電量を求める場合、日射エネルギーを１kＷ／ｍ^2とし、太陽電池温度を２５℃としてI-Vカーブを求める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which wasteful charging and discharging currents can be prevented from being made to flow to the bit line of a reference potential side while a sense amplifier senses and when shift is made from precharging in a memory cell to data reading.例文帳に追加

センスアンプによるセンス中や、メモリセルにおけるプリチャージからデータの読み出しに移る際に、参照電位側のビット線に無駄な充放電電流が流れるのを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The controlling device 2 calculates the abnormal tension reference value based on the maximum value of the warp tension on the test operation of a new fabric, which is output from a load cell 19 during the operation.例文帳に追加

制御装置２は試し運転中にロードセル１９から出力される新しい織物の試し運転時経糸張力の最大値を基に経糸の異常張力基準値を算出し、記憶部に設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film solar cell for increasing a power generation area as compared with prior methods by forming a non-conductive surface region having reference width on each side of a square substrate.例文帳に追加

四角形基板の各辺に基準幅の非導電性表面領域を形成することにより、従来に比べて発電面積を増加させることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供すること - 特許庁

A semiconductor memory device 100A is provided with memory cell arrays 10A, 10B, a data bus 40, a reference voltage generating circuit 72, a voltage drop circuit 73, a VPP generating circuit 76, a circuit group 77, and a test circuit 80.例文帳に追加

半導体記憶装置１００Ａは、メモリセルアレイ１０Ａ，１０Ｂと、データバス４０と、基準電圧発生回路７２と、電圧降圧回路７３と、ＶＰＰ発生回路７６と、回路群７７と、テスト回路８０とを備える。 - 特許庁

By reading the positioning pattern in reading, certain detection of a presence range thereof and specification of the data display color that is a reference can be performed, so that the color of each of the cell of a data area can be certainly decided.例文帳に追加

読取時には、位置決めパターンを読み取ることで、その存在範囲の確実な検出と基準となるデータ表示色の特定をすることができ、データ領域の各セルの色を確実に判定することができる。 - 特許庁

When an ATM communication unit receives a request of referencing an operating state of an ATM communication unit 30 from a maintenance operation device 50, the ATM communication unit 10 transmits an OAM (operation administration and maintenance) cell to request reference to the ATM communication unit 30 via a B-ISDN.例文帳に追加

ATM通信装置１０は、保守操作用装置５０からATM通信装置３０の運用状態の参照を要求されると、参照を要求するOAMセルをB- ISDNを介してATM通信装置３０に送信する。 - 特許庁

The determination unit 24 of the abnormality determination device 30 can determine abnormality of the solar cell 13 by comparing the reference current voltage characteristics thus calculated with the current voltage characteristics measured actually.例文帳に追加

そして、太陽電池異常判定装置３０の判定部２４は、太陽電池１３の異常を、算出した基準電流電圧特性と実測した電流電圧特性とを比較することによって判定することができる。 - 特許庁

When user equipment (UE) receives the MBMS session start signal and it contains a preferred frequency, the Radio Resource Control (RRC) layer of the UE stores the frequency of the serving cell for later reference.例文帳に追加

ユーザ装置（ＵＥ）は、ＭＢＭＳセッション開始信号を受信し、それに好ましい周波数が含まれているとき、ＵＥの無線資源制御（ＲＲＣ）層は、後で参照するため、使用中セルの周波数を保存する。 - 特許庁

When the hydrogen concentration Dh becomes lower than an opening value reference concentration Dhrefo, and an anode exhaust gas shutoff valve 62 is opened, the hydrogen concentration in the buffer 50 quickly increases, and recovers to the level at the beginning of the operation of the fuel cell 20.例文帳に追加

水素濃度Ｄhが開弁基準濃度Ｄhrefo未満となり、アノード排ガス遮断弁６２が開弁されると、バッファ５０内の水素濃度は急速に増加し、燃料電池２０の運転当初のレベルまで回復する。 - 特許庁

At first, when the anode electric potential obtained from the reference electrode 38 and the anode side electrode 30 is determined to be exceeding a prescribed value, this anode electric potential is compared with another anode electric potential detected at another fuel cell 12.例文帳に追加

先ず、参照電極３８とアノード側電極３０とから得られるアノード電位が、規定値を超えると判断されると、このアノード電位が他の燃料電池１２で検出された他のアノード電位と比較される。 - 特許庁

The cell (10) comprises the ferromagnetic data layer (11), an intermediate layer (13) formed on the layer (11), and a soft ferromagnetic reference layer (17) on the intermediate layer (13) which is not pinned and which comprises a magnetization direction (M1).例文帳に追加

磁気メモリセル(10)は強磁性データ層(11)、その強磁性データ層(11)上に形成された中間層(13)、及び中間層(13)上に形成されたピン留めされない磁化の向き(M1)を有する軟らかい強磁性リファレンス層(17)を含む。 - 特許庁

In the process of injecting any impurity, the impurity is injected into the dummy cells 61_1 to 61_8 such that the impurity oozes from the dummy cells 61_1 to 61_8 to the reference cell 41_2.例文帳に追加

ここで、不純物を注入する工程においては、リファレンスセル４１_２にダミーセル６１_１〜６１_８から上記不純物が染み出すように、ダミーセル６１_１〜６１_８に上記不純物を注入することを特徴とする。 - 特許庁

A gas sensor controller 190 stops oxygen pump-out and pump-in operations by a first pump cell 111 when the oxygen partial pressure (oxygen concentration) of gas to be measured is a reference value (20%) for state determination.例文帳に追加

ガスセンサ制御装置１９０は、測定対象ガスの酸素分圧（酸素濃度）が状態判定用基準値（２０％）であるときに、第１ポンプセル１１１による酸素の汲み出しおよび汲み入れ動作を停止させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which can execute an adequate comparison operation between reference circuits and respective blocks in a configuration in which memory cell arrays are divided into a plurality of blocks.例文帳に追加

本発明は、メモリセルアレイを複数のブロックに分割した構成においてレファレンス回路と各ブロックとの間で適切な比較動作が実行可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To extend tolerance level of reference voltage and to extend degree of flexibility of a manufacturing process used, in the case of manufacturing current cell type digital/analog D/A converters as a semiconductor integrated circuit, while ensuring the required characteristics as a D/A converter.例文帳に追加

Ｄ／Ａコンバータとして必要な特性を確保しながら、リファレンス電圧の許容範囲の拡大や、半導体集積回路として製造する場合に用いる製造プロセスの自由度の拡大を図る。 - 特許庁