「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A function of setting, in a far distant direction of a target- detecting reference cell, two sets of noise calculation cell areas each constituted of Hall cells of the number not larger than the number of cells corresponding to a transmission pulse width and a plurality of cells is added into a target detector 9.例文帳に追加

目標検出を行うリファレンス・セルの遠距離方向に、送信パルス幅に相当するセル数以下のホール・セルと複数個のセルで構成された２組のノイズ算出用セル領域を設定する機能を目標検出器内に付加する。 - 特許庁

During data reading, the source line potential of the selected row is changed, a differential potential is generated in the pair of a selected bit line (BLa) with which the selected memory cell is connected and a reference bit line (BLb) with which the dummy cell is connected, and the differential potential is detected to read data.例文帳に追加

データ読出時、選択列のソース線電位を変化させ、選択メモリセルが接続する選択ビット線（ＢＬａ）およびダミーセルが接続するリファレンスビット線（ＢＬｂ）の対に差動電位が生じ、この差動電位を検出してデータ読出を行なう。 - 特許庁

To an inverted input terminal of a differential comparator 7, a source of a memory cell to be selected by a Y selector 4 is connected through wiring line 31a, and a source of a reference cell 32 is connected to a non-inverted input terminal through wiring line 31b.例文帳に追加

差動比較器７の反転入力端子には、Ｙセレクタ４によって選択されるメモリセルのソースが配線３１ａを介して接続されており、非反転入力端子には、基準セル３２のソースが配線３１ｂを介して接続されている。 - 特許庁

By amplification outputting a potential difference between the sense lines 50-5n connected to each divided cell current and reference voltages 60-6n supplied by a reference circuit 110, sensing operation can be operated in parallel at a plurality of operation points.例文帳に追加

各分割セル電流に接続されるセンス線５０〜５ｎの電位と、リファレンス回路１１０から供給されるリファレンス電圧６０〜６ｎとの電位差をセンスアンプ４０〜４ｎで増幅出力することにより、複数の動作点で並列にセンス動作を行うことができる。 - 特許庁

In the case where the elapse time is below the reference value, if the output N(α) of the NOx sensor cell after the elapse of a predetermined time α is more than the reference value N1, the inflection point is specified (step 108) and the learning value related to the inflection point is taken in (step 110).例文帳に追加

経過時間が基準値未満である場合には、所定時間α経過後のＮＯｘセンサセル出力Ｎ（α）が基準値Ｎ１以上であれば、変曲点を特定し（ステップ１０８）、変曲点に関する学習値を取り込む（ステップ１１０）。 - 特許庁

The reference marks 11 to 14 are made visible by forming the transparent patterns constituting the reference marks 11 to 14 and subjecting these patterns to a partial plating treatment in a deposition stage for ITO electrode films of a glass plate 15 constituting the liquid crystal display cell 10.例文帳に追加

基準マーク１１〜１４は、液晶表示セル１０を構成するガラス板１５のＩＴＯ電極膜の成膜工程で、基準マーク１１〜１４を構成する透明のパターンを形成し、このパターンに部分的なメッキ処理を施すことで、視認可能としたものである。 - 特許庁

The calibrating reference substance cell 16 has an evaporation chamber 18 housing a calibrating reference substance 19 therein to be hermetically closed and the heater 17 arranged in the vicinity of the evaporation chamber 18 to be capable of controlling the evaporation chamber 18 to at least two kinds of different set temperatures.例文帳に追加

較正用標準物質セル１６は、較正用標準物質１９を内部に収容して密封された蒸発室１８と、蒸発室１８近傍に配置されて少なくとも異なる２種類の設定温度に制御可能なヒータ１７とを有する。 - 特許庁

At the time of read-out operation of data, an access current Iac in accordance with a pass current of a selection memory cell and the prescribed reference current Ir are made to flow respectively in the node Nc and the node Nd by a current transmission circuit 50a and a reference current generation circuit 60.例文帳に追加

データ読出動作時には、電流伝達回路５０ａおよび基準電流発生回路６０によって、選択メモリセルの通過電流に応じたアクセス電流Ｉａｃおよび所定の基準電流Ｉｒが、ノードＮｃおよびＮｄにそれぞれ流される。 - 特許庁

Eight check points are set one cell apart from the center position obtained by calculation in the periphery of the center position, and a brightness pattern of nine points consisting of the calculated center position and eight peripheral check points is compared with nine reference patterns (a) to (i) to find the reference pattern coinciding with the brightness pattern.例文帳に追加

計算にて求めた中心位置の周りに１セル分離れた８つの検査点を設定し、計算中心位置及び周囲の８つの検査点からなる９点の明暗パターンを、９つの参照パターン（ａ）〜（ｉ）と比較して合致するものを見つける。 - 特許庁

An additional load and a current generating circuit are enabled in the first circuit path so that they are driven during a predecoding interval in operation so that voltage discriminated by a sense input of a comparator of the sense circuit is substantially equivalent to voltage of a reference signal established by the reference cell circuit path of a reference input of a comparator of the sense circuit.例文帳に追加

動作において、プリデコード間隔の間、追加の負荷及び電流発生回路が、センス回路の比較器のセンス入力によって判る電圧が前記センス回路の比較器の基準入力上の基準セル回路パスによって確立される基準信号の電圧と実質的に等価であるように駆動されるように、第１の回路パスにおいてイネーブルされる。 - 特許庁

The changing step includes: a step for determining a history read reference level of a group of history cells associated with a group of memory cells of a nonvolatile memory cell array; a step for allowing correct reading of the group of history cells; a step for selecting a memory read reference level according to the first read reference level, and a step for reading the nonvolatile memory array cells.例文帳に追加

変更ステップは、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループと関連付けられた履歴セルのグループの履歴読出し基準レベルを決定する段階と、履歴セルのグループの正確な読出しを可能にする段階と、第１の読出し基準レベルに応じてメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、不揮発性メモリアレイのセルを読出す段階とを含む。 - 特許庁

The sample cell 200 has a reference surface 202 for generating sample light beams passing through the sample 206 and reference light beams not passing through the sample 206 by transmitting a part of the incident light beams and reflecting the residual part, and a reflection surface 204 positioned in parallel with the reference surface 202 across the sample 206.例文帳に追加

試料セル２００は、入射する光ビームの一部を透過するとともに残りを反射することにより、試料２０６を通る試料光ビームと試料２０６を通らない参照光ビームとを作り出す参照面２０２と、試料２０６を間に挟んで参照面２０２に対して平行に位置する反射面２０４とを有している。 - 特許庁

A non-volatile storage 1 comprises a data storage section 2, a reference memory cell section 3, a state detection section 4, and a control circuit section 5 and the configurations and functions of each section are as follows.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１を、データ記憶部２と、参照メモリセル部３と、状態検出部４と、制御回路部５とを備える構成とし、各部の構成及び機能を次のようにする。 - 特許庁

To prevent a carrier frequency error from increasing during the period of no transmission of a known reference signal from a communication opposite station or at the time of cell search when a power supply is turned on.例文帳に追加

通信相手局から既知参照信号が送信されない期間や、電源投入時のセルサーチ時において、キャリア周波数誤差が大きくなってしまうことを防止すること。 - 特許庁

Moreover, the present invention provides a method for predicting the toxic acid comprising measuring an expression level of FABP4 gene in a tissue or a cell sample exposed on the compound and comparing the measured expression level with a reference expression level.例文帳に追加

化合物に暴露された組織または細胞試料中のＦＡＢＰ４遺伝子の発現レベルを測定し、対照の発現レベルと比較し、毒性作用を予測する方法。 - 特許庁

The mesh members 34, 44 are connected to a reference electrode 13 of a fuel cell 10 by a conductive line 48 and earthed by a conductive line 49 at the same time.例文帳に追加

さらに、網目部材３４と網目部材４４とを導電ライン４８により燃料電池１０の基準電極１３に接続すると共に導電ライン４９により接地する。 - 特許庁

Then, the density distribution of the inspection image is compared with that of a reference image obtained by preliminarily imaging a substrate having no irregularity to detect the irregularity 3 of the non-cell region 5 (S4).例文帳に追加

そして、上記検査画像の濃度分布と、ムラを有さない基板を予め撮像して得た参照画像の濃度分布とを比較して、非セル領域５のムラ３を検出する（Ｓ４）。 - 特許庁

A controller 21 for controlling this fuel cell system 1 is provided with a gas supply mismatch detection means 23, a reference current/voltage characteristic storage means 24 and a gas supply control means 25.例文帳に追加

燃料電池システム１を制御するコントローラ２１は、ガス供給不整合検出手段２３，基準電流電圧特性記憶手段２４，ガス供給制御手段２５を備える。 - 特許庁

When data are read out from memory cells (MC1, DMC1), first, read-out operation (HD1-HD4) of a direction, in which polarization inversion is performed for a reference memory cell DMC1 is repeated plural times.例文帳に追加

メモリセル（ＭＣ１，ＤＭＣ１）からデータを読み出す際に、まず、リファレンスメモリセルＤＭＣ１に対して分極反転を伴う方向の読み出し動作（ＨＤ１〜ＨＤ４）を複数回繰り返す。 - 特許庁

In the surface 206 of the cell plate 204, a background image 208 and reverse images of the opening shapes of the part-mounting holes taking the back view as reference are previously printed in the respective designated positions.例文帳に追加

セル板２０４の表面２０６には、背景画像２０８と、各所定位置に、裏面視を基準とした部品取付用孔の開口形状の反転画像が予め印刷されている。 - 特許庁

In one embodiment, a memory device (100) includes a plurality of magnetic data cells (122) and a magnetic reference cell (124) continuously extending along two data cells or more from among a plurality of these magnetic data cells (122).例文帳に追加

一実施形態において、メモリデバイス(100)は、複数の磁気データセル(122)と、それら複数の磁気データセル(122)のうちの２つ以上に沿って連続して延在する磁気基準セル(124)とを含む。 - 特許庁

The reference of performing minimization is a cycle time for completing a given work sequence (52) and it is achieved by deciding the relative positions of peripheral equipment on a work cell floor.例文帳に追加

最小化される基準は、所与の作業シーケンス（５２）を完了するサイクル時間であり、これはワークセルフロア上の周辺機器の相対的位置を決定することで達成される。 - 特許庁

The pixel data of the first frame (reference frame) is stored in a unit A with multiple memory cells in a memory cell array unit 20a arranged in a straight binary form in a direction to which a bit line BL is extending.例文帳に追加

第１のフレーム（参照フレーム）の画素データを、メモリセルアレイ部２０ａの、ビット線ＢＬが延びる方向に並ぶ複数のメモリセルからなるユニットＡに、ストレートバイナリの形式で記憶する。 - 特許庁

A logically synthesizing/physically designing part 20 uses information about the reference cell to perform a design up to a layout design according to circuit information stored in a design specification storing part 10.例文帳に追加

論理合成／物理設計部２０は、設計仕様格納部１０に格納されている回路情報に従い、上記基準セルに関する情報を用いてレイアウト設計までの設計を行う。 - 特許庁

An infrared sensor 4 detects the detection infrared and the reference infrared passing through a measurement cell 1 and a transmission member 3, and outputs sensor outputs for indicating intensity.例文帳に追加

そして、赤外線センサ４は測定セル１を通過して透過部材３を透過した検出用赤外線と参照用赤外線を検出し、その強度を示すセンサ出力を出力する。 - 特許庁

For a pair of first cell groups forming first to j1-th pairs (j1≤N), a determination is made as to whether a first index C1 is equal to or greater than a first reference value TH1.例文帳に追加

第１〜第ｊ１ペア（ｊ１≦Ｎ）のそれぞれを構成する一対の第１セル群について、第１指数Ｃ１が第１基準値ＴＨ１以上であるか否かが判定される。 - 特許庁

Thus, an intrinsic characteristic of the minimum reference current IR3 is near a characteristic of a memory cell distribution IM3 or in the characteristic, possibility of discrimination among different logic levels is reduced.例文帳に追加

そのため、最低基準電流（Ｉ_R3）の固有特性が、直前のメモリセル分布（Ｉ_M3）の特性近く又は特性上にあり、異なる論理レベルの間における識別可能性を低減する。 - 特許庁

When the internal temperature of the fuel cell stack 2 has declined to 1°C or less which is a reference temperature, the actuator 4 is controlled so as to maintain the tightening load to the tightening load at the time of power generation.例文帳に追加

燃料電池スタック２の内部温度が基準温度である１℃以下まで低下した場合には、締結荷重を発電時の締結荷重に維持するようにアクチュエータ４を制御する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.例文帳に追加

本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁

An input terminal of a selector SA1 is connected to a minus electrode of the battery cell B6 so that potential equal to reference potential VSS1 of the low potential measuring LSI chip 20 is applied.例文帳に追加

低電位計測ＬＳＩチップ２０の基準電位ＶＳＳ１に等しい電位が与えられるように、セレクタＳＡ１の入力端子がバッテリセルＢ６のマイナス電極に接続される。 - 特許庁

A feedback resistor 32 is connected across the reversal input terminal and output terminal of an amplifier 30 and a detection cell S is connected across the reversal input terminal of the amplifier and a reference power supply 33.例文帳に追加

増幅器３０の反転入力端及び出力端間に帰還抵抗３２を接続し、増幅器の前記反転入力端及び基準電源３３間に検知セルＳを接続する。 - 特許庁

The electrochemical cell includes the working electrode and the reference electrode arranged with the space in the opposed positions, and a reagent mixture (for example, a redox couple and a coagulation catalyzing factor).例文帳に追加

電気化学的セルは、対向する位置に間隔をおいて配置された作用電極および参照電極と、試薬混合物（例えば、レドックス対および凝固触媒因子）とを含む。 - 特許庁

The nonvolatile memory is provided with a substrate 1, a split-gate memory cell transistor MC formed on the substrate 1, and a reference transistor RT formed on the substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリは、基板１と、基板１上に形成されたスプリットゲート型のメモリセルトランジスタＭＣと、基板１上に形成されたリファレンストランジスタＲＴとを備える。 - 特許庁

A dummy capacitor driving potential VDC is given to one electrode of a dummy capacitor and a reference potential as a standard for judging a data value of a memory cell is generated on the other electrode.例文帳に追加

ダミーキャパシタ駆動電位ＶＤＣは、ダミーキャパシタの一方の電極に与えられ、他方の電極には、メモリセルのデータの値を判定する基準となる参照電位が発生する。 - 特許庁

A reference voltage V2 or V3 for determining abnormality of the cell is input into a comparator C2 included in an abnormality detecting circuit f1, based on an output from the comparator C1.例文帳に追加

異常検出回路ｆ１に含まれるコンパレータＣ２には、コンパレータＣ１の出力に基づいて、セルの異常判定を行うための基準電圧Ｖ２またはＶ３が入力される。 - 特許庁

The first reference voltage Rref1 is set in accordance with the voltage dividing ratio of the resistors R1 and R2 based on the output voltage when the fuel cell 1 generates the power at the maximum power point.例文帳に追加

第１リファレンス電圧Ｖｒｅｆ１は、燃料電池１が最大電力で発電するときの出力電圧に基づき抵抗Ｒ１、Ｒ２の分圧比に対応して設定されている。 - 特許庁

The bit line potential control circuit 7 controls the reference bit line /RBL to a voltage level different from the voltage level of the bit line /BLi during the operation of reading data from the memory cell 21.例文帳に追加

ビット線電位制御回路７は、メモリセル２１からデータを読み出す読み出し動作時に、リファレンスビット線／ＲＢＬをビット線／ＢＬｉの電圧レベルと異なる電圧レベルに制御する。 - 特許庁

In a placement process, a reference electrode 3, a counter electrode 4, and pretreated titanium material 7 serving as a working electrode are placed in an electrolytic solution of a three-electrode mode electrochemical cell.例文帳に追加

設置工程で、参照電極３と対極４と作用電極となる前処理されたチタン材料７とを、３電極方式の電気化学セルの電解液中に設置する。 - 特許庁

To reduce the effect of fringe noise by simple constitution and to also effectively arrange a reference cell in the min. space at the min. cost.例文帳に追加

簡単な構成でフリンジノイズの影響を低減することができ、さらに、リファレンスセルも、最小のコスト、最小のスペースで効果的に設置することができるレーザー分光分析装置を提供する。 - 特許庁

The channel identifier adding circuit 2 of a transmitter 1 adds an intrinsic bit pattern in modulo 2 to the HEC byte part of the ATM cell header of a first channel signal to generate a reference channel signal.例文帳に追加

送信装置１のチャネル識別子付加回路２は第１のチャネル信号のＡＴＭセルヘッダのＨＥＣバイト部分に固有のビットパターンをモジュロ２加算し、基準チャネル信号を生成する。 - 特許庁

The zirconia solid electrolyte 131 and the electrodes 132, 133 work as an Ip2 cell 130 for pumping out oxygen from the second detection chamber 160 into the reference oxygen chamber 170.例文帳に追加

ジルコニア固体電解質体１３１および電極１３２，１３３は、第２検出室１６０から基準酸素室１７０に酸素の汲み出しを行うＩｐ２セル１３０として働く。 - 特許庁

Reading circuits 30, 31, 32 comparing the current flowing in a cell containing plural reference currents are not same mutually, but the compared current is made different and amplified.例文帳に追加

複数の基準電流を備えたセル内を流れる電流を比較する読み取り回路（３０、３１、３２）が相互に同一ではないが、比較された電流を相違させて増幅する。 - 特許庁

The transmission power of the cell-specific reference signals is reduced when this downlink cooperative transmission is performed than when the downlink cooperative transmission is not performed.例文帳に追加

この下りリンクの協調伝送を行うときの前記セル固有参照信号の送信電力を、前記下りリンクの協調伝送を行わないときよりも低減するように制御する。 - 特許庁

Complementary data are written in each reference cell 10a, 10b, and data are each re-written so as to be inverted in the polarity at each erase/write operation of the memory cells 10.例文帳に追加

各基準セル１０ａ，１０ｂには互いに相補なデータが書き込まれ、各データは、メモリセル１０の消去／書き込み動作毎にそれぞれ逆の極性となるように反転して書き換えられる。 - 特許庁

When no cell has been fitted, an operation for detecting the zero-point position is suspended via the reference position detection part 32 and the control part 38 and an error message is displayed on a display part 40.例文帳に追加

セルが装着されていない場合、基準位置検出部３２及び制御部３８を介して、原点位置を検出する動作を中断し、表示部４０にエラーメッセージを表示する。 - 特許庁