「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor memory in which read-out fault caused by overshoot of a data signal can be prevented even if a reference signal giving reference when a logic value of a data signal from a memory cell is discriminated is constantly generated.例文帳に追加

メモリセルからのデータ信号の論理値を判定する際の基準を与える参照信号を定常的に発生させておいても、データ信号のオーバーシュートによる読み出し障害を回避することが可能な半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A storage state of the selecting cell is discriminated by comparing a count value of the counter in the second read-out, a count value at the time of the first read-out stored in the read-out value register, and a reference value stored in a reference value register 7.例文帳に追加

第２の読み出しにおけるカウンタのカウント値と、読み出し値レジスタに記憶されている第１の読み出し時のカウント値と、基準値レジスタ７に記憶されている基準値とを比較することによって、選択セルの記憶状態が判別される。 - 特許庁

A data read-out current Is flows in a current path passing through a selection memory cell formed through a data bus DB, a column selection gate CSG, a bit line BL and a reference voltage wiring SL installed between a data read- out circuit 52a and a read-out reference voltage Vss terminal.例文帳に追加

データ読出電流Ｉｓは、データ読出回路５２ａから読出基準電圧Ｖｓｓの間に、データバスＤＢ、コラム選択ゲートＣＳＧ、ビット線ＢＬ、基準電圧配線ＳＬを介して形成される、選択メモリセルを通過する電流経路を流れる。 - 特許庁

For example, one of the bit lines 13 laid in a column direction is made a reference bit line RBL in the memory cell array 10 with anti-fuse elements 11 arranged in a grid pattern.例文帳に追加

たとえば、アンチヒューズ素子１１が格子状に配置されたメモリセルアレイ１０の、列方向に敷設されたビット線１３のうちの１本を参照ビット線ＲＢＬとする。 - 特許庁

To solve a problem that the long-term reliability of a conventional semiconductor memory device is reduced due to early deterioration of an FET included in a reference cell therein.例文帳に追加

従来の半導体記憶装置においては、リファレンスセルを構成するＦＥＴの劣化が早くなり、当該半導体記憶装置の長期信頼性が低下してしまう。 - 特許庁

Rib structures 12 for reinforcement, with reference to a base 4, which supports the fixation end of a load cell 2 as a weight detection part, are formed on the rear surface of the base 4.例文帳に追加

重量検出部としてのロードセル２の固定端を支持する基台４に対する補強用のリブ構造体１２を、当該基台４の下面側に形成する。 - 特許庁

To provide a programming and erasing method for a reference cell of a NROM array, which improve reduction of durability of a product, increase in loss of electric charges, and reduction of yield.例文帳に追加

製品の耐久性の低下、電荷損失の増大および歩留りの低下を改善する、ＮＲＯＭアレイの基準セルのプログラミングおよび消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide an operation method of a nonvolatile memory device, which increases a reference voltage for a verifying operation and performs verification after a specific period to prevent an under program cell.例文帳に追加

アンダープログラムセル防止のために一定時点の後、検証動作の基準電圧を上昇させて検証する不揮発性メモリ装置の動作方法を提供すること。 - 特許庁

If the time T from the starting of NOx sensor warm-up to the inflection point is longer than a reference value Tth, the oxygen pump cell is determined to be deteriorated (step 124).例文帳に追加

ＮＯｘセンサ暖機開始から変曲点までの時間Ｔが基準値Ｔｔｈよりも長い場合には、酸素ポンプセルが劣化していると判定する（ステップ１２４）。 - 特許庁

Levels of expression of one or more sequences (termed TSCX sequences) are then compared to the levels of expression of the corresponding nucleic acids in a reference cell population.例文帳に追加

次いで、１つ以上の配列（ＴＳＣＸ配列と呼ばれる）の発現のレベルは、参照の細胞集団における対応する核酸の発現のレベルと比較される。 - 特許庁

To provide the evaluation method of a direct fuel cell making polarization separation of an anode and a cathode possible without previously installing a reference electrode, and safe and economical.例文帳に追加

参照極などをあらかじめ設けなくても、アノード、およびカソードの分極分離が可能で、安全で経済的な直接型燃料電池の評価方法を提供すること。 - 特許庁

To perform a synchronization channel with little system overhead and high detection characteristics, and cell search by using it, when a GCL sequence is mapped to a reference signal sequence.例文帳に追加

ＧＣＬシーケンスをリファレンス信号シーケンスにマッピングした場合、少ないシステムオーバーヘッド、高い検出特性を持つ同期チャネルおよびこれを用いたセルサーチを行なう。 - 特許庁

In a 1T1C type ferroelectric memory, a reference level is adjusted by a potential generating circuit 1 at the testing time, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃ型強誘電体メモリーでは、テスト時にリファレンスレベルを電位発生回路１により調整し、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

In the data readout, the two cell units CU0, CU1 are connected in parallel between the bit line BL and ground voltage Vss for transmitting a readout reference voltage Vref.例文帳に追加

データ読出時において、２個のセルユニットＣＵ０，ＣＵ１が、読出参照電圧Ｖｒｅｆを伝達するためのビット線ＢＬと接地電圧Ｖｓｓとの間に並列に接続される。 - 特許庁

A liquid crystal cell (a panel to be cleaned) 20a mounted on a processing stage 1 is made to be coaxially rotated in synchronization with a reference panel 5 mounted on a rotating stage 4.例文帳に追加

処理ステージ１上に設置された液晶セル（被洗浄パネル）２０ａは、回転ステージ４上に設置された基準パネル５と同期して同軸回転される。 - 特許庁

Then, the reference piece data and the respective pieces of the temporary master data are compared and the piece which is not a correction object not provided with even one non-matching cell is turned to established master data as it is.例文帳に追加

そして，基準ピースデータと仮マスタデータの各ピースとを対比し，不一致セルを１つも有しない修正対象外ピースはそのまま確定マスタデータとする。 - 特許庁

Therefore, the total number of fuses in the unit current cell group can be reduced, in comparison with a case where a reference control signal is generated for each of unit current cells.例文帳に追加

従って、個々の単位電流セルでそれぞれ基準の制御信号を生成する場合に比べて、単位電流セル群におけるヒューズの総数を削減することができる。 - 特許庁

During the operation of the loom, the presence or absence of the abnormal warp tension is detected by comparing the warp tension detected by the load cell 19 with the abnormal warp tension reference value.例文帳に追加

織機の稼動運転中はロードセル１９が検出する経糸張力を異常張力基準値と比較し、経糸の異常張力の有無を検出する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of generating a reference current having both characteristic fluctuation matching a memory cell and precision of a constant current source.例文帳に追加

メモリセルに一致する特性変動と定電流源の精度を併せ持つ参照電流を生成することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Open circuit abnormalities of the cells are detected by lowering a charging voltage and comparing the lowered voltage of each cell with a reference voltage, based on a right/wrong check command.例文帳に追加

正否チェック指令に基づいて、充電電圧を低下させ、低下した各セルの電圧を基準電圧と比較することにより、セルの開放異常を検出する。 - 特許庁

The word line RWL0 for reference cell is a word line activated when a memory array normal word line MWL being not a redundant line of a memory array MA is selected.例文帳に追加

リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０は、メモリアレイＭＡの冗長でないメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁

To provide a battery pack having battery cell pack, consisting of battery cells requiring charging voltage of a prescribed reference value or lower, which can be charged using charging technology of high versatility.例文帳に追加

所定の基準電圧値以下の電圧での充電を要する電池セルを有する組電池を充電することができる汎用性の高い充電技術を提供する。 - 特許庁

A trimming value is calculated inside the chip and stored in a nonvolatile memory, trimming data are taken out as necessary, and the Vt level of a reference cell and the frequency of an oscillator are adjusted.例文帳に追加

チップ内部でトリミング値を算出して不揮発性メモリに記憶し、必要に応じてトリミングデータを取り出して、リファレンスセルのＶｔレベルやオシレータの周波数を調整する。 - 特許庁

The compensation part outputs a second signal representing the variation ratio of gray level corresponding to the discharge cell when the time corresponding to the first signal is greater than a reference time.例文帳に追加

補償部は、第１信号に該当する時間が基準時間を超える場合、放電セルに該当する階調値の変化率を表す第２信号を出力する。 - 特許庁

To provide an asynchronous transfer mode ATM cell switching unit that can simply be realized and cope with a required number of input channels and a required number of virtual path identifier/virtual channel identifier (VPI /VCI) reference bits.例文帳に追加

簡易に実現可能とし、所要の入力回線数並びにＶＰＩ／ＶＣＩ参照ビット数に対応可能なＡＴＭセルスイッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a programmable reference used to identify a state of an array cell in a multi-density or low voltage supply flash EEPROM memory array.例文帳に追加

多密度または低電圧源一括消去型ＥＥＰＲＯＭメモリアレイにおけるアレイセルの状態を認識するのに用いられるプログラム可能基準を提供する。 - 特許庁

The current In flowing in the transistor 12 is designed so as to balance with the constant current Ip in a state in which the reference current and the memory cell current are balanced.例文帳に追加

トランジスタＱＮ１２を流れる電流Ｉｎは、基準電流とメモリセル電流とが均衡する状態において、一定電流Ｉｐと均衡するように設計される。 - 特許庁

A sense amplifier 7B compares the discharge potential of a bit line BL connected with one electrode of a memory cell resistance Rcell with a reference potential Vr to read information.例文帳に追加

センスアンプ７Ｂは、メモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌの一方の電極が接続されたビット線ＢＬの放電電位を参照電位Ｖｒと比較して情報を読み出す。 - 特許庁

The selection control section 110a makes the power selection section 111 perform such switching if a voltage of the power to the organic EL cell 10 is larger than a first reference value.例文帳に追加

選択制御部１１０ａは、有機ＥＬセル１０への電力の電圧が第１基準値より大きい場合に、電力選択部１１１に前記切り替えを行わせる。 - 特許庁

In a timing mechanism, the need for a phase locked loop (PLL) macro cell for providing a timing reference and a timing signal in an IC is removed.例文帳に追加

本発明におけるタイミングメカニズムは、ＩＣにおけるタイミング基準及びタイミング信号を提供するためにフェーズロックループ（ＰＬＬ）マクロセルに対する必要性を取除いている。 - 特許庁

Since an active carbon electrode is used as a reference electrode 110 in a three-pole cell, characteristics can be evaluated separately for a positive electrode 20 and a negative electrode 10.例文帳に追加

三極式セルにおいて、活性炭電極を参照極１１０に用いたので、正極２０、負極１０を切り分けて特性を評価することが可能となった。 - 特許庁

To provide a method for setting a threshold voltage for a reference cell in a core array, for the optimum readout allowance and for performing the best memory operation.例文帳に追加

本発明は、最適な読み出しマージン及び最良のメモリ動作を行うための、コアアレイ内の基準セルの電圧閾値を設定する手法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In data read-out processing, each of voltage of the bit lines BL1-BLn is compared with the read-out reference line RL, and data of a memory cell is read out.例文帳に追加

データ読み出し処理においては、ビット線ＢＬ１〜ビット線ＢＬｎの電圧と読み出し参照線ＲＬの電圧とが比較されて、メモリセルのデータが読み出される。 - 特許庁

When the dV/dt is below a prescribed voltage change rate α and the fuel cell temperature is a reference temperature T0 or less, the power generation condition of the warm-up power generation is changed.例文帳に追加

ｄＶ／ｄｔが所定の電圧変化率αを下回り、かつ燃料電池温度が基準温度Ｔ0 以下の場合、暖機発電の発電条件を変更する。 - 特許庁

To eliminate the need to subject a memory cell to high temperatures during the manufacturing of magnetic memory cells, and reduce the influence of a demagnetization field from a reference layer on a sense layer.例文帳に追加

磁気メモリセルの製造時にメモリセルを高温にさらす必要性をなくすとともに、基準層から発生する消磁界がセンス層に与える影響を低減すること。 - 特許庁

As for germ cell mutagenicity, the substances shall be classified in accordance with the flow of the determination theory of the GHS system with reference to the GHS text and the following technical guideline.例文帳に追加

生殖細胞変異原性については、ＧＨＳ本文及び下記の技術上の指針を参照し、GHS システムの判定理論 3.5.1 のフローに従って分類すること。 - 経済産業省

When the liquid crystal display cell 10 is built into the device case of an electronic apparatus by such reference marks 11 to 14, the adequate arranging state of the liquid crystal display cell can be easily obtained in such a manner that the characters, pictures, etc., displayed in the display area do not incline with the screen frame which is the display region of the liquid crystal display cell.例文帳に追加

この基準マーク１１〜１４により、液晶表示セル１０を電子機器の装置ケースに組み込む場合に、液晶表示セルの表示領域であるスクリーン枠に対し、表示エリアに表示した文字、絵等が傾かないように、液晶表示セルの適正な配置状態を容易に得ることができる。 - 特許庁

In the cell voltage measuring method and its device of a battery pack, voltage of each unit cell constituting the battery pack is measured at first, the measured voltage every unit cell is compared with specified grouping reference values, and the unit cells are grouped into an abnormal group and a normal group.例文帳に追加

フライングキャパシタ方式を利用した組電池１のセル電圧測定方法及びその装置において、まず、組電池を構成する各単位セルの電圧を測定し、各単位セル毎の測定電圧を所定のグループ分け基準値と比較することにより、各単位セルを異常グループ又は正常グループのいずれかのグループに分ける。 - 特許庁

The memory cell 111 is provided with a floating gate 103, a control gate 105 and a select gate 107 and the reference voltage generation circuit 1' comprises a pseudo cell 1 which is not equipped with the floating gate 103 and the control gate 105 of the memory cell 111 and is equipped with a gate 13 corresponding to the select gate 107.例文帳に追加

メモリセル１１１は、浮遊ゲート１０３と制御ゲート１０５とセレクトゲート１０７とを備え、前記基準電圧発生回路１′は、前記メモリセル１１１における前記浮遊ゲート１０３および制御ゲート１０５は備えず、前記セレクトゲート１０７に相当するゲート１３を備えた疑似セル１から成る。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor memory 10 which can write, erase, and read information electrically, deterioration of a memory cell 11 is detected by comparing a erasing time Te required to erase information of the memory cell 11 with a reference erasing time Ti stored previously in a reference erasing time memory 15, and progress of deterioration is suppressed.例文帳に追加

本発明は、電気的に情報の書き込み、消去、読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置１０において、メモリセル１１の情報消去に要した消去時間Ｔ_eと、予め基準消去時間メモリ１５に記憶された基準消去時間Ｔ_iとを比較することでメモリセル１１の劣化を検出し、該劣化の進行を抑制する構成である。 - 特許庁

The control method also has a target air amount calculation routine (target air amount calculation means) ongoingly executed during the normal operation of the fuel cell 3 in a second process for obtaining a reference combustion air amount Vs for a power generation amount of the fuel cell 3, and calculating a target air amount Vr by correcting the reference combustion air amount Vs by the air correction amount Vd.例文帳に追加

第２工程において、燃料電池３の定常運転中に継続して実行され、燃料電池３の発電量に対する基準燃焼エア量Ｖｓを求め、基準燃焼エア量Ｖｓをエア補正量Ｖｄにより補正して目標エア量Ｖｒを計算する目標エア量計算ルーチン（目標エア量計算手段）を有する。 - 特許庁

For example, a control unit sets the number of times of sustain discharge of each sub-field to the standard number of times for a reference cell group as one of cell groups by colors constituting pixels based upon a display mode wherein the tint of the color image is set.例文帳に追加

例えば、制御部は、カラー画像の色合いを設定する表示モードに基づいて、画素を構成する色別のセル群の少なくとも１つである基準セル群では、各サブフィールドのサステイン放電の回数を標準回数に設定する。 - 特許庁

A grayscale property corresponding to cell gap thickness and an I/V property of a transistor is measured beforehand, and compensation values are determined so that the grayscale data can be compensated to proper grayscale data from the cell gap, the I/V property of the transistor, and reference grayscale data.例文帳に追加

セルギャップの厚さやトランジスタのＩ／Ｖ特性に対応する階調特性を予め測定しておき、セルギャップやトランジスタのＩ／Ｖ特性と基準となる階調データから適切な階調データに補正できるように補正値を定める。 - 特許庁

When the temperature of the fuel cell 12 is detected as below-zero and equal or less than a reference temperature, electric power is supplied to an electric heater 42, a cooling medium is heated, and the power generation cell 14 is heated via this heated cooling medium.例文帳に追加

燃料電池１２の温度が氷点下で且つ基準温度以下であることが検出された際、電気ヒータ４２に電力が供給されて冷却媒体が加熱され、この加熱された冷却媒体を介して各発電セル１４が加熱される。 - 特許庁

A first deterioration detecting circuit detects deterioration of the characteristic of the real memory cell when the number of erasing pulses impressed until the time the data of the real memory cell are erased is equal to or smaller than a preset first reference frequency, and outputs a first detection signal.例文帳に追加

第１劣化検出回路は、リアルメモリセルのデータが消去されるまでに印加された消去パルスの数が予め設定された第１基準回数以下のときに、リアルメモリセルの特性の劣化を検出し、第１検出信号を出力する。 - 特許庁