「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A magnetic memory cell 40 has a data storage layer 50 for storing a variable magnetic field, a reference layer 54 in which a magnetization direction is pinned, and a tunnel barrier 52.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層５０と、磁化方向がピン留めされた基準層５４と、トンネル障壁５２とを有する。 - 特許庁

A cell assembly formed by stacking a plurality of cells is fixed to the inside of a body casing 1 inclinable against a reference plane H.例文帳に追加

基準平面Ｈに対して傾斜自在である本体ケーシング１の中に、複数セルが積層されたセル集合体が固定的に配置されている。 - 特許庁

A positioning apparatus includes a positioning table 10 on which a flexible solar cell 1 is placed, a reference point A provided at the positioning table 10 for positioning the flexible solar cell 1, and table inclination means inclining the positioning table 10 relative to an X axis and/or a Y axis and moving the flexible solar cell 1 toward the reference point A.例文帳に追加

この位置決め装置は、フレキシブル太陽電池セル１が載置される位置決めテーブル１０と、該位置決めテーブル１０に設けられた、前記フレキシブル太陽電池セル１の位置決めを行うための基準点Ａと、前記位置決めテーブル１０をＸ軸及び／又はＹ軸に対して傾斜させて、前記フレキシブル太陽電池１を前記基準点Ａに向けて移動させるテーブル傾斜手段とを備えている。 - 特許庁

The display device has a plurality of display cells 21 having display circuits 210, a photodetecting cell 22 including a photodetector 221, a reference cell 23 having constitution equivalent to that of the photodetector and where light incident on a photodetector 221 is cut off, and a photodetecting signal processing circuit 6 which performs difference signal processing on the output signal of the photodetector 22 and the output signal of the reference cell 23.例文帳に追加

表示回路２１０を有する複数の表示セル２１と、受光素子２２１を含む受光セル２２と、受光セルと等価な構成を有し、受光素子２２１への光の入射が遮断されている参照セル２３と、受光セル２２の出力信号と参照セル２３の出力信号との差分信号処理を行う受光信号処理回路６とを有する。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

The controlling circuit selects a second memory cell in which a reading current flowing after the selection transistor is turned on becomes a maximum value as a second reference cell from a second cell array under a state that the same first logic causing the resistance value to increase is stored in all of a plurality of second memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第２のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第２のメモリセルを第２の参照セルとして第２のセルアレイから選定する。 - 特許庁

A phase comparator 353 calculates as basic information the number of stages p of a unit cell in a delay cell 348, which is necessary for delaying a reference clock signal REF_CLK 1 by one cycle without a selector 351 and a delay part q of a selector 351 converted into the number of stages of the unit cell.例文帳に追加

位相比較器３５３で、セレクタ３５１なしに基準クロック信号ＲＥＦ＿ＣＬＫ１を１周期遅延させるのに必要な遅延セル３４８内のユニットセルの段数ｐと、ユニットセルの段数に換算したセレクタ３５１の遅延分ｑとを、基本情報として算出する。 - 特許庁

When the memory cell array U is accessed, the reference cell RCELLL is selected; when the potential of the bit line BITLn is reduced to an L level, a pre-charge signal PCGU becomes the L level, a read operation from the memory cell array U is stopped, and the next precharging is performed.例文帳に追加

メモリセルアレイＵがアクセスされるときには、リファレンスセルＲＣＥＬＬＬが選択され、ビット線ＢＩＴＬｎの電位がＬレベルに低下すると、プリチャージパルス信号ＰＣＧＵがＬレベルになり、メモリセルアレイＵからの読み出し動作が停止するとともに次のプリチャージが行われる。 - 特許庁

Althrough NOMS 1 and DMOS (depression-type NMOS) 2 being connected to a data cell row 30A in series as a memory cell allow a cell current Icell to flow, the NMOS 1 and DMOS 2 are alternately connected to current paths 30-1 and 30-2 for generating a reference current Iref.例文帳に追加

データセル列３０Ａに直列にメモリセルとして接続されたＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ（デプレッション型のＮＭ０Ｓ）２は、セル電流Ｉcellを流すが、参照電流Ｉref を生成する電流パス３０−１及び３０−２には、ＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ２が交互に接続されている。 - 特許庁

A plurality of solar cell modules having same or different maximum output values are selected and the selected solar cell modules are combined, so that the average value of the maximum output values of the combined solar cell modules can be made an approximately same value to a reference value.例文帳に追加

同じまたは異なる最大出力値を有する複数の太陽電池モジュールを選択し、その選択された各太陽電池モジュールを組合わせることによって、組合わされた太陽電池モジュールの最大出力値の平均値を、基準値とほぼ等しい値にすることができる。 - 特許庁

The pixel sensor cell including a column circuit, a design structure for fabricating the pixel sensor cell including the column circuit and a method for operating the pixel sensor cell including the column circuit are predicated upon the measurement of multiple reference data point and signal data point pairs from a floating diffusion at a variable capacitance.例文帳に追加

列（カラム）回路を含む画素センサ・セル、列回路を含む画素センサ・セルを製造するための設計構造体、及び列回路を含む画素センサ・セルを動作させるための方法は、可変キャパシタンスでの浮遊拡散部からの複数の参照データ・ポイントと信号データ・ポイントとのペアの測定に基づく。 - 特許庁

A controlling circuit selects a first memory cell in which a reading current flowing after a selection transistor is turned on becomes a maximum value as a first reference cell from a first cell array under a state that the same first logic causing a resistance value to increase is stored in all of a plurality of first memory cells.例文帳に追加

制御回路は、複数の第１のメモリセルの全てに抵抗値が大きくなる同じ第１の論理を記憶させた状態で、選択トランジスタをオンして流れる読み出し電流が一番大きくなる第１のメモリセルを第１の参照セルとして第１のセルアレイから選定する。 - 特許庁

To provide a method for writing data in a semiconductor memory device and a semiconductor memory device which suppress a variation in a reading current in a sub-memory region that becomes a reference cell of a memory cell of a semiconductor memory device, and can reduce an erroneous determination when determining the reading current of the memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルの参照セルとなる副記憶領域の読出し電流の変動を抑制して、メモリセルの読出し電流の判定時における誤判定を低減することができる半導体記憶装置へのデータの書込み方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When detecting an air-fuel ratio, a voltage applied to a pump cell section is controlled such that an output voltage of a Nernst cell section becomes a reference target voltage Es0 corresponding to a theoretical air-fuel ratio, and the air-fuel ratio of exhaust gas in an exhaust-gas channel is detected based on a value IP of current flowing in the pump cell.例文帳に追加

空燃比検出時には、ネルンストセル部の出力電圧が理論空燃比に相当する基準目標電圧Ｅｓ０となるように、ポンプセル部の印加電圧を制御し、このポンプセル部を流れる電流値Ｉｐに基づいて、排気通路中の排気の空燃比を検出する。 - 特許庁

A usual weight w is calculated (S9) when a cell temperature is higher than a reference value or when the cell temperature is the reference value or less but not under a power generating condition, the remaining capacity SOCc due to the current integration is composed weightedly together with the remaining capacity SOCv based on estimation of the release voltage to calculate the remaining capacity SOC.例文帳に追加

セル温度が基準値より高い場合或いはセル温度が基準値以下でも発電状態でない場合には、通常のウェイトｗを算出し（Ｓ９）、電流積算による残存容量ＳＯＣｃと開放電圧の推定による残存容量ＳＯＣｖとを重み付け合成して残存容量ＳＯＣを算出する。 - 特許庁

The test and evaluation method for irritation estimates the irritation property with reference to a living body tissue, in such a way that the specimen is added to the surface of the three-dimensional tissue cell culture, and that when the irritation property of the specimen is evaluated, the irritation property with reference to a time-dependently changed cell is analyzed kinetically.例文帳に追加

３次元的組織細胞培養物の表面に被験物を添加し、その被験物の刺激性を評価するに際して、時間依存的に推移する細胞に対する刺激性を速度論的に解析することによって、生体組織に対する刺激性を予測する刺激性試験評価方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for reducing current consumption in sense amplifier over driver scheme in which current quantity consumed needlessly at discharge operation can be reduced by making reference voltage of a cell power source voltage discharge section differ from reference voltage of a cell power source voltage generating section in a portion of a discharging period.例文帳に追加

放電区間の一部でセル電源電圧放電部の基準電圧とセル電源電圧発生部の基準電圧を異にすることによって、放電動作時不要に消耗される電流量を低減し得るセンスアンプオーバドライバスキームにおける消耗電流の減少のための半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The slave base station, when data symbols, in cooperative MIMO transmission, are arranged following the same mapping rule as in the master base station, moves a data symbol equivalent to an RE which should be set for cell-specific reference signal transmission or null at the local station to the same RE as the one in which a cell-specific reference signal is inserted at the master base station before transmitting it.例文帳に追加

スレーブ基地局は、協調MIMO送信においてマスター基地局と同じマッピングルールでデータシンボルを配置させたときに、自局においてセル固有参照信号の送信又はヌルとすべきREに当たるデータシンボルを、マスター基地局においてセル固有信号が挿入されるREと同じREに移動させて送信する。 - 特許庁

The cell size of the font to be displayed is changed in such a manner that the glyph size of the glyph frame 27 to be displayed of the font to be displayed is approximated to the glyph size of the reference glyph frame 226 of the computed reference font (S9 to S14).例文帳に追加

そして、演算された基準フォントの基準グリフ枠２２６のグリフサイズに表示対象フォントの表示対象グリフ枠２２７のグリフサイズが近づくように、表示対象フォントのセルサイズを変更する（Ｓ９〜Ｓ１４）。 - 特許庁

This device is provided with NMOS transistors M1 to Mk connecting a VPR line and a VCP line being supply lines of reference voltage VPR, VCP from a reference voltage generating circuit 104 for each cell block B1 to BK.例文帳に追加

基準電圧発生回路１０４からの基準電圧ＶＰＲ、ＶＣＰの供給線であるＶＰＲ線、ＶＣＰ線について、各セルブロックＢ１乃至Ｂｋ毎に両線を接続するＮＭＯＳトランジスタＭ１乃至Ｍｋを備える。 - 特許庁

The reference voltage (B) can be set surely to an intermediate voltage with the signal voltage (A or C) by repeating read- out operation (HD1-HD4) of a direction, in which polarization inversion is conducted for the reference memory cell (DMC1) plural times.例文帳に追加

リファレンスメモリセルＤＭＣ１に対して分極反転を伴う方向の読み出し動作（ＨＤ１〜ＨＤ４）を複数回繰り返すことで、リファレンス電圧（Ｂ）は確実に信号電圧（ＡまたはＣ）の中間電圧にできる。 - 特許庁

To read the stored data of a memory cell transistor 10 having a floating gate, this device is provided with a single gate-type reference transistor 20, a differential sense amplifier 30, and a gate voltage generating circuit 40 for generating the gate voltage of the reference transistor 20.例文帳に追加

浮遊ゲートを有するメモリセルトランジスタ１０の記憶データをリードするために、シングルゲート型のリファレンストランジスタ２０と、差動センスアンプ３０と、リファレンストランジスタ２０のゲート電圧を生成するためのゲート電圧発生回路４０とを設ける。 - 特許庁

When the detected thickness T1 of the actually laminated layer exceeds the thickness T2 of a predetermined reference laminated layer, the thickness T1 of the actually laminated layer is modified to the thickness T2 of the reference laminated layer by pressing the fuel battery cell 11 by a hand section 55.例文帳に追加

検出した実積層厚さＴ１が、予め設定された基準積層厚さＴ２を超えた場合に、燃料電池セル１１をハンド部５５で押圧して実積層厚さＴ１を基準積層厚さＴ２に修正する。 - 特許庁

The read circuit 30 has a sense amplifier circuit 40 to detect a data value stored in a memory cell transistor 10 based on a current Icell flowing in the memory cell transistor 10 and a reference current Iref flowing in a dummy cell transistor 20, and a voltage control circuit 60 to supply a 1st voltage V1 to the gate of the dummy cell transistor 20.例文帳に追加

読み出し回路３０は、メモリセルトランジスタ１０に流れる電流Ｉｃｅｌｌとダミーセルトランジスタ２０に流れる基準電流Ｉｒｅｆとに基づいて、メモリセルトランジスタ１０に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路４０と、ダミーセルトランジスタ２０のゲートに第１電圧Ｖ１を供給する電圧制御回路６０とを備える。 - 特許庁

The gas sensor measures electromotive force occurring between the reference substance in contact with one-surface side of a cell 2 and an object to be measured in contact with the other-surface side of the cell 2, thus measuring gas concentration in the object to be measured.例文帳に追加

ガスセンサは、セル２の一面側に接触する基準物質とセル２の他面側に接触する測定対象物との間に発生する起電力を測定することにより、測定対象物のガス濃度を測定する。 - 特許庁

In normal data reading, one of word lines WL0, WL1,... is selected and one of dummy word lines DWL0, DWL1 is selected, and data is read by a selected normal memory cell 20 and access to a reference cell 21.例文帳に追加

通常のデータ読出では、ワード線ＷＬ０、ＷＬ１，…のうちの１本とダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１の一方とが選択されて、選択された正規メモリセル２０およびリファレンスセル２１へのアクセスによってデータを読出す。 - 特許庁

A power supply device 15 stops an auxiliary machine 40 of a fuel cell 60, such as a fuel gas supply unit, an oxygen containing gas supply unit, and the like of a fuel cell system 22 when a capacitor voltage is higher than a first reference voltage.例文帳に追加

電源装置１５では、キャパシタ電圧が第１の基準電圧よりも大きいときには、燃料電池システム２２の燃料ガス供給装置、酸素含有ガス供給装置など燃料電池６０の補機４０を停止する。 - 特許庁

And luciferases genes are transfected to each cell simultaneously with a DNA originated from HIV, a rough protein liquid extracted from each cell with the luciferases genes as a reference is diluted, and the amount of generation of p24 is measured in each weak diluted solution.例文帳に追加

また、ルシフェラーゼ遺伝子をＨＩＶ由来ＤＮＡと同時に各細胞にトランスフェクションさせ、ルシフェラーゼ活性を基準に各細胞から抽出した粗タンパク液を希釈し、各希釈液においてｐ２４の生成量を測定する。 - 特許庁

In a digital/analog converter, a fuse circuit including six fuses 12a-12f for generating current value adjusting control signals Sa-Sf, is provided in a specific reference unit current cell 10R among a plurality of unit current cells in a unit current cell group.例文帳に追加

単位電流セル群の複数の単位電流セルの内で特定の基準単位電流セル１０Ｒに、電流値調整用の制御信号Ｓａ〜Ｓｆを生成する６個のヒューズ１２ａ〜１２を有するヒューズ回路を設ける。 - 特許庁

When stopping power generation by a fuel cell stack 3, a motor-operated valve B11 is controlled to a closed state and when the voltage value of the fuel cell stack 3 has dropped to a reference voltage value or less, a motor-operated valve B12 is controlled to a closed state.例文帳に追加

燃料電池スタック３による発電を停止させる場合に、電動弁Ｂ１１を閉状態に制御し、燃料電池スタック３の電圧値が基準電圧値以下に低下したときに、電動弁Ｂ１２を閉状態に制御する。 - 特許庁

In the program operation of injecting electric charges depending on the stored data, the core-side cell transistor is impressed with first drain voltage and the reference-side cell transistors are impressed with second a drain voltage lower than the first drain voltage.例文帳に追加

そして、記憶データに依存して電荷を注入するプログラム動作時において、コア側のセルトランジスタには第１のドレイン電圧が印加され、レファレンス側のセルトランジスタには、第１のドレイン電圧よりも低い第２のドレイン電圧が印加される。 - 特許庁

If the power generation amount of the fuel cell main part 10 measured with a voltage measuring device 22 is less than a reference value, the valve V2 is opened, and hydrogen gas is supplied from a hydrogen gas tank 30 to the fuel cell main part 10.例文帳に追加

電圧測定装置２２で測定された燃料電池本体部１０の発電量が基準値未満である場合、バルブＶ２が開けられて水素ガスタンク３０から水素ガスが燃料電池本体部１０に供給される。 - 特許庁

Thus, the reference potential section 25 isolates between the Ip2 cell detection circuit 13 and specific wirings, which prevents noise due to the current flowing in the specific wirings from infiltrating the Ip2 cell detection circuit.例文帳に追加

従って、基準電位部２５がＩｐ２セル検出回路１３と特定配線とを電気的に隔てるので、特定配線を流れる電流によるノイズがＩｐ２セル検出回路１３に侵入することを防止することができる。 - 特許庁

THe gas sensor element 1 is provided with chambers 121 and 122 for gases to be measured; a reference gas chamber 160; a pump cell 2 for introducing and extracting oxygen to and from the chambers 121 and 122 for the gases to be measured; and a sensor cell 4 for measuring the concentration of specific gases in the gases to be measured.例文帳に追加

被測定ガス室１２１，１２２と，基準ガス室１６０と，被測定ガス室１２１，１２２に対し酸素を出し入れするポンプセル２と，被測定ガス中の特定ガス濃度を測定するセンサセル４とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁

Also, a reference level is fixed and a pulse potential given to a plate line PL is adjusted by a potential generating circuit 2 at the testing time, and the quantity of read-out electric charges from a memory cell is reduced, so that the read-out margin of a memory cell is reduced intentionally.例文帳に追加

または、リファレンスレベルを固定して、テスト時に電位発生回路２によりプレート線ＰＬに与えるパルス電位を調整し、メモリーセルからの読み出し電荷量を小さくして、メモリーセルの読み出しマージンを意図的に少なくする。 - 特許庁

This method controls set pulse width by monitoring the status of a memory component with a method for comparing a bit line voltage with a reference voltage during a programming action and the method for comparing the cell resistance with the cell resistance of the set status.例文帳に追加

本発明は、プログラミング動作の間、ビットライン電圧を基準電圧と比較する方法や、セル抵抗をセット状態のセル抵抗と比較する方法によってメモリ素子の状態をモニタリングすることにより、セットパルス幅を制御する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of diluting exhaust gas so as to set the concentration of hydrogen in the exhaust gas below a reference value to discharge the exhaust gas to the outside at proper timing without degrading power generation capability by a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池による発電能力を低下させることなく、排気ガス中の水素濃度が基準値以下となるように希釈し、適切なタイミングで排気ガスを外部に排出することのできる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

A calibration processing section 21a automatically adjusts the magnification of an amplifier for calibration so that the output of the load cell 18 becomes the reference testing force, and then calculates the measurement value from the output of the load cell 18, based on this automatically adjusted value.例文帳に追加

校正処理部２１ａでは、ロードセル１８の出力が基準試験力となるように校正用アンプの倍率を自動調整し、以降、この自動調整した値に基づきロードセル１８の出力から計測値を算出する。 - 特許庁

The power supply device 15 stops an auxiliary machine 40 of the fuel cell 60, such as a fuel gas supply unit, an oxygen containing gas supply unit or the like of a fuel cell system 22 when a capacitor voltage is larger than a first reference voltage.例文帳に追加

電源装置１５では、キャパシタ電圧が第１の基準電圧よりも大きいときには、燃料電池システム２２の燃料ガス供給装置、酸素含有ガス供給装置など燃料電池６０の補機４０を停止する。 - 特許庁

Therefor with differences in structure, size, fixing and wiring methods, and temperature between the sample cell and the reference cell, it is possible to substantially heighten the effects of removing the noise components of the conventional absorption detecting device and improve detection sensitivity.例文帳に追加

したがって試料セルと比較セルの構造・寸法の差、固定・配線方法の差、温度差などがあっても、従来の赤外吸収検出装置のノイズ成分の除去の効果を一段と高め、検出感度が向上する。 - 特許庁

Setting of predetermined wiring width and via number is performed to a net connected to an output terminal of each cell in reference to a table describing, for each cell, the wiring width and via number requiring no readjustment (step S106).例文帳に追加

また、セル毎に再調整の必要のない配線幅及びビア数を記述したテーブルを参照して、各セルの出力端子に接続されたネットに対して、所定の配線幅及びビア数の設定を行う（ステップＳ１０６）。 - 特許庁

Further, the detection circuit 40n-1 receives the voltage V32n from the fuel battery cell 32n, and detects abnormal voltage fall of the fuel battery cell 32n when the voltage 32n received is below a reference voltage Vstd2.例文帳に追加

また、検出回路４０ｎ−１は、燃料電池セル３２ｎから電圧Ｖ３２ｎを受け、その受けた電圧Ｖ３２ｎが基準電圧Ｖｓｔｄ２以下であるとき、燃料電池セル３２ｎの異常な電圧低下を検出する。 - 特許庁

The memory device includes: a memory cell MC configured by connecting a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive control unit (a reference voltage generation control circuit 14 is a principal part); and the sense amplifier 7.例文帳に追加

可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴをプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルＭＣと、駆動制御部（参照電圧発生制御回路１４が要部）と、センスアンプ７とを有する。 - 特許庁

To provide a mounting structure of a solar cell module, which can enhance power generation efficiency by enabling the solar cell module to be mounted in the state of being directed in an optimum direction, without reference to the direction of a flat roof (deck roof).例文帳に追加

フラット屋根（陸屋根）の方位にかかわらず、太陽電池モジュールを最適な方向へ向けて取付けられることができ、発電効率の向上を図ることのできる太陽電池モジュールの取付構造を提供すること。 - 特許庁

A switching power supply circuit 11 is operated in a constant current control mode to control an output current value of a fuel cell 101 constant so as to match the output current value of the fuel cell 101 with a reference current value Iref'1.例文帳に追加

スイッチング電源回路１１は、燃料電池１０１の出力電流値が基準電流値Iref’1に一致するように燃料電池１０１の出力電流値を一定に制御するという定電流制御モードで動作する。 - 特許庁