「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A two-dimensional code reading apparatus includes: an imaging means for imaging a two-dimensional code including a color reference pattern; and a color decision means for determining the display color of each cell image based on color information to be obtained from each cell image and color information to be obtained from the image of the color reference pattern.例文帳に追加

二次元コード読取装置は、色参照パターンを含んだ二次元コードを撮像する撮像手段と、各セル画像の表示色を、各セル画像から得られる色情報と色参照パターンの画像から得られる色情報とに基づいてそれぞれ判別する色判別手段とを備えている。 - 特許庁

The method includes the steps of programming the first reference cell to a first voltage threshold level that is centered within a data bit '1' distribution of the core cells, and programming the second reference cell to a second voltage threshold level that is centered within a data bit '0' distribution of the core cells.例文帳に追加

本方法は、前記第１基準セルを、前記コアセルのデータビット“１”分布にて中央にある第１電圧閾値レベルにプログラミングするステップ、及び前記第２基準セルを、前記コアセルのデータビット“０”分布にて中央にある第２電圧閾値レベルにプログラミングするステップより成る。 - 特許庁

Out of a wiring group which forms a first current path that passes through the selected memory cell RMC# and a second current path that passes a selected reference cell RMC# upon data reading, wirings (ground wirings GL1 and GL2, and bit lines BL and /BL) arranged along a different direction from a reference cell RMC are formed with metal wirings having low resistance.例文帳に追加

データ読出時に選択メモリセルＲＭＣ♯を通過する第１の電流経路および選択リファレンスセルＲＭＣ＃を通過する第２の電流経路を形成する配線群のうち、リファレンスセルＲＭＣと異なる方向に沿って配置される配線（接地配線ＧＬ１，ＧＬ２およびビット線ＢＬ，／ＢＬ）は、低抵抗の金属配線で形成される。 - 特許庁

The semiconductor storage device has a reference voltage source connected to the capacitor of a cell included in a memory; a buffer circuit which holds data to be written in the cell; and a counter noise generation circuit which outputs a counter noise current canceling the noise current occurring when rewriting the data held in the cell to the reference voltage source according to data held by the buffer circuit.例文帳に追加

メモリが有するセルのキャパシタに接続される基準電圧源と、セルに書き込まれるデータを保持するバッファ回路と、前記バッファ回路の保持するデータに応じて、セルのデータの書き換え時に生じるノイズ電流を打ち消すカウンターノイズ電流を前記基準電圧源へ出力するカウンターノイズ発生回路を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a memory cell, a comparison unit comparing a first level in accordance with a state stored by the memory cell with a reference level, and a dummy cell supplying a second level discriminating as that it is not set in the prescribed range when the comparison unit is compared with the reference level to the comparison unit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルと、メモリセルが記憶する状態に応じた第１のレベルを参照レベルと比較して第１のレベルが所定範囲に設定されているか否かを検出する比較ユニットと、比較ユニットが参照レベルと比較したときに所定範囲に設定されていないと判断する第２のレベルを比較ユニットに供給するダミーセルを含む。 - 特許庁

This cell is a content addressable memory (CAM cell), this CAM cell comprises a memory cell connected between a first node and a second node, a first data line transmitting a first data signal, a second data line transmitting a second data signal, and first and second switching devices connected between a match line and reference voltage in series and successively.例文帳に追加

コンテント・アドレッセブル・メモリ（ＣＡＭセル）であって、このＣＡＭセルは、第１及び第２ノードの間に連結されたメモリセル、第１データ信号を伝達する第１データライン、第２データ信号を伝達する第２データライン、そしてマッチラインと基準電圧との間に直列に順次に連結された第１及び第２スイッチングデバイスを含む。 - 特許庁

For every control period (T_AMBR), the available data amount (D_available) for each user in a cell is updated to a data amount (min((D_available+D_ref), D_ref) which is equal to or less than a reference data amount.例文帳に追加

制御周期（T_AMBR）毎に、セル内のユーザ各々の利用可能データ量（D_available）は、基準データ量以下のデータ量（min（（D_available＋D_ref），D_ref）に更新される。 - 特許庁

Each battery cell 10 has a constant voltage control circuit 12 whose reference voltages (20, 21) are made swichable.例文帳に追加

各バッテリセル１０毎に定電圧制御回路１２を持ち、かつ定電圧制御回路の基準電圧（２０，２１）を切り替えることができる構成とした。 - 特許庁

The sense amplifier compares a voltage of the bitline with a reference voltage by means of the boosted voltage, and reads data from the memory cell.例文帳に追加

前記センスアンプは、前記昇圧電圧を用いて前記ビットラインの電圧と基準電圧とを比較し、前記メモリセルに保持されたデータを読み出す。 - 特許庁

The cooling liquid flow-rate determination part 50 obtains a voltage drop amount by deducting the output voltage value of the fuel cell 10 from a reference voltage value.例文帳に追加

冷却液流量決定部５０は、基準電圧値から燃料電池１０の出力電圧値を減じて電圧低下量を求める。 - 特許庁

The second inverting circuit includes an input terminal connected with the bit line of the reference cell array and an output terminal connected with another end of the second load element.例文帳に追加

第２反転回路は、前記基準セルアレイのビットラインに入力端が連結され、第２負荷素子の他端に出力端が連結される。 - 特許庁

It is then determined whether the selected PCM cell is in the reset state based on comparing the first read current with the first reference current.例文帳に追加

第１読み取り電流と第１基準電流との比較に基づきその選択されたＰＣＭセルがリセット状態にあるかどうか決定する。 - 特許庁

the processing means 15 detects the output of the UV sensor 7 at predetermined time intervals in a state wherein the reference gas is fed into the cell 5.例文帳に追加

処理手段１５は、リファレンスガスをセル内に導入した状態で所定時間の間隔をおいて紫外線センサの出力を検出する。 - 特許庁

The electrochemical measuring cell includes a solid electrolyte tubule closed at one end, and a reference material and an electrode are accommodated at the closed end.例文帳に追加

電気化学測定セルは、一端が閉鎖した固体電解質細管を含み、その閉鎖端に基準材料と電極を収納している。 - 特許庁

In the reference cell 27r, information only stored in the memory function member 27r of one side of the gate electrode is referred to by a sense amplifier 22.例文帳に追加

一方、リファレンスセル２７ｒは、ゲート電極の片側のメモリ機能体２７ｒｌに記憶された情報のみがセンスアンプ２２で参照される。 - 特許庁

To increase the speed to measure the cell signal volume distribution by shortening the external reference voltage charging time on the bit lines in the test mode.例文帳に追加

テストモードにおいて、外部リファレンス電圧のビット線への充電時間を短縮することにより、セル信号量分布測定を高速化する。 - 特許庁

A measurement circuit 202 includes a reference current generator 212, the memory cell 114, a bit line precharge circuit 218, and comparison/latch circuits 220, 222.例文帳に追加

測定回路２０２は、基準電流発生器２１２と、メモリセル１１４と、ビット線プリチャージ回路２１８と、比較／ラッチ回路２２０、２２２とを含む。 - 特許庁

Memory states of a multi-bit memory cell are demarcated, by generating read-out reference signals having levels that constitute boundaries of the memory state.例文帳に追加

記憶状態の境界を構成するレベルの読出し基準信号を発生することにより、複数ビットメモリセルの記憶状態を分界する。 - 特許庁

A chaotic noise modulator has: a master cell which generates a control voltage in response to an un-modulated reference signal; and the slave cell which has a chaotic signal generator to generate a random noise signal and is coupled with the master cell to generate a modulated output signal in response to the control voltage.例文帳に追加

カオスノイズ変調器は、非変調基準信号に応じて制御電圧を生成するマスターセルと、ランダムノイズ信号を生成するカオス信号生成器を有し、マスターセルと連結され制御電圧に応じて変調出力信号を生成するスレーブセルとを備える。 - 特許庁

When the divided signal Vp is larger than the reference signal Vm, namely the cell voltage VCi is larger than the average cell voltage Vave, a control signal Si from a comparator CM becomes a high level, turns a transistor Td of a discharge circuit Di on and discharges the unit cell Ci.例文帳に追加

分圧信号Ｖｐが基準信号Ｖｍより大きい場合、即ちセル電圧ＶＣｉが平均セル電圧Ｖave より大きい場合に、コンパレータＣＭからの制御信号Ｓｉはハイレベルとなり、放電回路ＤｉのトランジスタＴｄをオンさせ、単位セルＣｉを放電する。 - 特許庁

When detecting the exhaust-gas temperature, the voltage applied to the pump cell section is controlled such that the voltage of the Nernst cell section becomes a lean side target voltage Es1 lower than the reference target voltage Es0, and the exhaust-gas temperature is presumed based on a resistance value of the Nernst cell section under this condition.例文帳に追加

排気温度測定時には、ネルンストセル部の電圧が基準目標電圧Ｅｓ０よりも低いリーン側目標電圧Ｅｓ１となるように、ポンプセル部の印加電圧を制御し、この状況でのネルンストセル部の抵抗値に基づいて排気温度を推定する。 - 特許庁

ATM terminal equipment 11 and 13 reproduce data streams from the divided frames while ignoring additional bits to a (down) ATM cell and with the reception timing of that (down) ATM cell as a reference, an (up) ATM cell is generated and outputted to the radio terminal equipment 12 and 14.例文帳に追加

ＡＴＭ端末機１１及び１３は、分割フレームから付加ビットを無視したデータ列をＡＴＭセル（下り）に再生し、そのＡＴＭセル（下り）の受信タイミングを基準としてＡＴＭセル（上り）を生成して無線端末機１２及び１４に出力する。 - 特許庁

To solve such a problem that it is required for a dummy cell to gener ate a reference potential for every read-out of each data cell connected to the same cell array, deterioration of dummy cells of which the number of times of read-out is more than that of data cells is aggravated, and an intermediate potential cannot be generated correctly.例文帳に追加

同一のセルアレイに接続された各データセルを読み出す毎にダミーセルは参照電位を発生させる必要があり、データセルと比較して読み出し回数の多いダミーセルのみ劣化が進み、正しく中間電位を発生させることができなくなる。 - 特許庁

To allow a reference voltage generator of a FeRAM to provide high data integrity over a long period of time by periodically calibrating reference voltage so as to track the changes in a memory cell due to a factor such as temperature and aging.例文帳に追加

FeRAMの基準電圧発生器は、周期的に温度及び老化のような要因によるメモリセルの変化を追跡するように基準電圧を校正することによって、長期にわたって、高いデータの完全性を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory cell comprises a data layer (110), the soft reference layer (130) having lower magnetic energy than the data layer (110) has, and a spacer layer (120) disposed between the data layer (110) and reference layer (130).例文帳に追加

データ層（１１０）と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層（１３０）と、前記データ層（１１０）と前記軟らかい基準層（１３０）の間に配置されたスペーサ層（１２０）とを含む磁気メモリセル。 - 特許庁

In this semiconductor memory, a refresh logic circuit (8) is started in the case of detecting a prescribed minimum deviation at the time of comparing the feature amount of at least one reference memory cell (10) with a reference value (VREF).例文帳に追加

半導体メモリ装置では、少なくとも１つの基準メモリセル（１０）の特徴量と基準値（ＶＲＥＦ）との比較の際、所定の最小偏差が検出された場合に、リフレッシュ論理回路（８）が開始される。 - 特許庁

Calibration of the reference voltage can be performed dynamically during normal operation of the FeRAM so that the reference voltage tracks changes in FeRAM cell performance that may be associated with temperature or aging (or secular change) effects.例文帳に追加

基準電圧の校正は、温度又は老化（又は経年変化）の影響に関連する可能性のあるFeRAMセルのパフォーマンスの変化を基準電圧が追跡するように、FeRAMの通常動作中に動的に実行できる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device which can be easily manufactured and which can easily generate a reference electric potential at a proper value, in the ferroelectric storage device generating the reference potential using a dummy cell.例文帳に追加

ダミーセルを用いて参照電位を発生する強誘電体記憶装置において、製造が容易であり、かつ適切な値の参照電位を容易に発生させることが可能な強誘電体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The channel identification circuit 8 detects the reference channel among the 4 channel signals based on it that the HEC byte of the PLOAM cell is inverted and identifies all the channels based on each phase difference from the reference channel.例文帳に追加

チャネル識別回路８はＰＬＯＡＭセルのＨＥＣバイトが反転されていることに基づいて、４つのチャネル信号の中から基準チャネルを検出し、基準チャネルとの位相差から全てのチャネルを識別する。 - 特許庁

To read data out from a memory cell while the voltage of an input terminal is kept at a reference voltage without gain reduction even under the condition that the voltage of the power supply is in a lower level, alternatively the reference voltage of the input terminal is in a higher level.例文帳に追加

利得低下がなく入力端を基準電圧に保ってメモリセルからデータを読み出すことを、電源電圧がより低い又は入力端の基準電圧がより高い条件でも実現する。 - 特許庁

Thus, programming margin is secured, by the dependence of the read-out reference signals on the programming reference signals, while programming of the memory cell can be performed, without reading out its memory states during programming process.例文帳に追加

したがって、プログラミング基準信号への読出し基準信号の依存性によりプログラミングマージンが確保されるとともに、プログラミング処理中にその記憶状態を読み出さずにメモリセルのプログラミングが行なえる。 - 特許庁

Using data of short-circuit current, open voltage and a maximum power operating point of a solar cell with temperature and solar radiation intensity in a reference state, a parameter value for determining characteristics in a reference state is calculated.例文帳に追加

温度と日射強度が基準状態における太陽電池の短絡電流、開放電圧、最大電力動作点のデータを用いて、基準状態における特性を決定するパラメータ値を算出する。 - 特許庁

A reference cell sub-array 200 having: a plurality of reference cells 205 arranged in rows and columns; a bit lines couple consisting of bit lines 207, 208; and a connection section 270 connecting the bit lines 207, 208 each other, is included.例文帳に追加

行方向および列方向に並んだ複数のリファレンスセル２０５と、ビット線２０７，２０８からなるビット線対と、ビット線２０７，２０８同士を繋ぐ連結部２７０とを有するリファレンスセルサブアレイ２００を備える。 - 特許庁

In addition, when the coefficient value Si of the scanning intervals reaches a reference value, the reference value St of the scanning intervals is increased by ten times and even after a portable terminal leaves the cell, the reference value St of the scanning intervals is associated with a base station identification number and held in a scanning management table.例文帳に追加

また、上記スキャン間隔の係数値Ｓｉが基準値に達した場合にスキャン間隔の基準値Ｓｔを１０倍に増加させ、このスキャン間隔の基準値Ｓｔを携帯端末がセルを退出した後も基地局識別番号に対応付けてスキャン管理テーブルに保持する。 - 特許庁

This device is provided with a fuse cell circuit 4 provided with the fuse cell FC, a fuse cell control circuit 3 for reading data stored in the fuse cell FC, a booster circuit 1 for generating a boosted voltage VDDP and a voltage conversion circuit 2 for using a reference voltage Vref and converting the boosted voltage VDDP into the read voltage VDDR to be used at reading the data from the fuse cell FC.例文帳に追加

ヒューズセルＦＣを含むヒューズセル回路４と、ヒューズセルＦＣに記憶されたデータを読み出すヒューズセル制御回路３と、昇圧電圧ＶＤＤＰを発生する昇圧回路１と、参照電圧Ｖref を使用して、昇圧電圧ＶＤＤＰをヒューズセルＦＣからデータを読み出すときに使用される読み出し電圧ＶＤＤＲに変換する電圧変換回路２とを具備する。 - 特許庁

In the semiconductor memory constituted so that a data signal from a memory cell and a reference signal from a reference cell are compared by a differential sense amplifier 150A-0 and data is read out, the memory provided with a feedback circuit 200A-0 having a function limiting relative variation between a reference signal VREF and a data signal VDA-0 inputted to the differential sense amplifier 150A-0.例文帳に追加

メモリセルからのデータ信号とリファレンスセルからの参照信号とを差動型センスアンプ１５０Ａ−０で比較してデータを読み出すように構成された半導体記憶装置において、差動型センスアンプ１５０Ａ−０に入力される参照信号ＶＲＥＦとデータ信号ＶＤＡ−０との間の相対的変化を制限する機能を有する帰還回路２００Ａ−０を備える。 - 特許庁

This symbol is composed of a plurality of cutting marks for each indicating a reference coordinate position, one or more data cell groups for each indicating data, and one or more function cell groups for each indicating control information.例文帳に追加

このシンボルは、基準座標位置を表す複数の切り出しマークと、データを表す１個又はそれ以上のデータセル群と、制御情報を表す１個は又はそれ以上のファンクションセル群と、から構成されている。 - 特許庁

When the second bit of the double-bit core cell is read, not only a source terminal and a drain terminal of a core cell are swapped, but also the source and drain terminals of corresponding double-bit reference cells are swapped.例文帳に追加

本発明のシステムは、２ビット型コアセルの第２のビットを読み出す際に、コアセルのソース端子とドレイン端子を入れ替えるだけではなく、対応した２ビット型リファレンスセルのソース端子とドレイン端子を入れ替える。 - 特許庁

To provide a flexible solar cell panel which can be installed on an arch type cover installed in water/sewage-work facilities or a soundproof wall of a highway without reference to whether the flexible solar cell panel is newly installed or already installed and in a corrosive atmosphere.例文帳に追加

上下水道処理施設に設置されるアーチ型覆蓋、或は高速道路の防音壁に対し、新設・既設及び腐食性雰囲気を問わず設置可能なフレキシブル太陽電池パネルを提供する。 - 特許庁

The fuel cell system FCS carries out suppression of operation of a fuel cell module FCM when the temperature of exhaust gas becomes a reference temperature or more, thereby, the exhaust gas temperature can be lowered to a safe temperature.例文帳に追加

この燃料電池システムＦＣＳは、排出ガス温度が基準温度以上となる場合に、燃料電池モジュールＦＣＭの運転抑制を行うので、排出ガス温度を安全な温度まで下げることができる。 - 特許庁

Thus, a power level to be supplied from the battery cell 10 to a transmitting part 13 can becomes smaller than the reference power level, and the consumption of the capacity of the battery cell 10 can be reduced.例文帳に追加

これに応じて、電池セル１０から送信部１３に供給される電力レベルは、基準電力レベルよりも減少することになり、その分、電池セル１０の容量の消耗を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a calculation method for reproducing highly precise solar cell characteristics, using data of short-circuit current, open voltage and a maximum power operating point of a solar cell with temperature and solar radiation intensity in a reference state.例文帳に追加

温度と日射強度が基準状態における太陽電池の短絡電流、開放電圧、最大電力動作点のデータを用いて、高精度な太陽電池特性を再現する演算方法を提供する。 - 特許庁

A read word line RWL and a write word line WWL are arranged corresponding to a row of an MTJ memory cell, and a bit line BL and a reference voltage wiring SL are arranged corresponding to a column of the MTJ memory cell.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルの行に対応してリードワード線ＲＷＬおよびライトワード線ＷＷＬが配置され、ＭＴＪメモリセルの列に対応してビット線ＢＬおよび基準電圧配線ＳＬが配置される。 - 特許庁

The measurement control unit 12 of a solar simulator 1 covers the reference cell 3 with the shading member 41 when the photoelectric conversion characteristics of a solar cell is measured, and retracts the shading member 41 when the solar simulator 1 is calibrated.例文帳に追加

そして、ソーラシミュレータ１の測定制御部１２は、太陽電池の光電変換特性の測定時には基準セル３を遮光部材４１で覆い、該ソーラシミュレータ１の校正時には遮光部材４１を退避させる。 - 特許庁

A sense amplifier 7 detects memory information by comparing a discharge potential (Vo) of a bit line BL, to which one side of an electrode of a memory cell resistance Rcell in a memory cell MC is connected, with a reference potential (/Vo).例文帳に追加

センスアンプ７は、メモリセルＭＣ内のメモリセル抵抗Ｒｃｅｌｌの一方の電極が接続されたビット線ＢＬの放電電位（Ｖｏ）を参照電位（／Ｖｏ）と比較することにより、記憶情報を検出する。 - 特許庁