「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On a gate of read selection switch SW of the reference cell, a read word line RWL(ref) is connected.例文帳に追加

レファレンスセルのリード選択スイッチＳＷのゲートには、リードワード線ＲＷＬ（ｒｅｆ）が接続される。 - 特許庁

In a magnetic memory cell 40, a data storage layer 50 is provided, a reference layer 54 is provided, and a tunnel barrier 52 is provided.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、データ記憶層５０、基準層５４およびトンネル・バリヤ５２を備えている。 - 特許庁

The micro-needle is integrated with one of the working electrode and the reference electrode of the electrochemical cell.例文帳に追加

微細針は電気化学的セルの作用電極および参照電極の一方に一体化されている。 - 特許庁

A pixel standard deviation calculation part 130 calculates a pixel standard deviation 103 of the reference cell 101b.例文帳に追加

画素標準偏差算出部１３０はレファレンスセル１０１ｂの画素標準偏差１０３を算出する。 - 特許庁

FUEL BATTERY CELL IN WHICH REFERENCE ELECTRODE FOR ELECTRODE OVERVOLTAGE SEPARATION MEASUREMENT IS INSTALLED, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電極過電圧分離測定用の参照極を設けた燃料電池セルおよびその製造方法 - 特許庁

The semiconductor storage comprises: a memory cell array 4; a R/W control circuit 5; and a reference resistance circuit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルアレイ４と、Ｒ／Ｗ制御回路５と、基準抵抗回路とを備える。 - 特許庁

A decoding section outputs one selection signal corresponding to the selected reference memory cell according to the information stored in the storage section when a real memory cell is accessed, and outputs a plurality of selection signals corresponding to a plurality of reference memory cells when setting threshold voltages of a plurality of reference cell transistors.例文帳に追加

デコード部は、リアルメモリセルがアクセスされるときに、記憶部に記憶されている情報に応じて選択リファレンスメモリセルに対応する１つの選択信号を出力し、複数のリファレンスセルトランジスタの閾値電圧を設定するときに、複数のリファレンスメモリセルにそれぞれ対応する複数の選択信号を出力する。 - 特許庁

The reference current generation circuit 22 has a plurality of current mirror circuits CMC1-CMC3 in which mirror ratio is different, and generates a plurality of reference current based on a current flowing in a reference memory cell RMC.例文帳に追加

基準電流生成回路２２は、ミラー比が異なる複数のカレントミラー回路ＣＭＣ１−ＣＭＣ３を有し、前記基準メモリセルＲＭＣに流れる電流に基づき複数の基準電流を生成する。 - 特許庁

The reference image includes an image of a sample surface acquired by an image acquiring section 4; an image from a cell reference image producing section 301; and an image from a CAD data reference image producing section 302.例文帳に追加

参照画像には、画像取得部４によって得られた試料表面の画像、セル参照画像生成部３０１からの画像、ＣＡＤデータ参照画像生成部３０２からの画像が含まれる。 - 特許庁

A determination part determines one of the plurality of reference cells as an optimum reference cell used in an actual data reading operation on the basis of N_H and N_L for each of the plurality of reference cells.例文帳に追加

判定部は、複数の参照セルのそれぞれのＮ_ＨおよびＮ_Ｌに基づいて、該複数の参照セルのうち実際のデータ読出し動作において用いられる最適参照セルを判定する。 - 特許庁

The voltage of a reference bit line RBL1 is changed through an NMOS transistor connected between the reference bit line RBL1 and a reference virtual ground line RVGL2 in a second reference memory cell 30-2 and the voltage of a dummy bit line DBL is changed through a transistor in a second dummy memory cell 30-3.例文帳に追加

第２基準メモリーセル３０−２の基準ビットラインＲＢＬ１と基準仮想接地ラインＲＶＧＬ２との間に連結されているＮＭＯＳトランジスタを通じて基準ビットラインＲＢＬ１の電圧を変化させ、第２ダミーメモリーセル３０−３のトランジスターを通じてダミービットラインＤＢＬの電圧を変化させる。 - 特許庁

Also, when data verification is performed in data rewriting processing, reference voltage generated by a reference voltage generating section 15 is compared with voltage of bit lines BL1-BLn and a read-out reference line RL, data of the memory cell and the dummy cell are read out.例文帳に追加

また、データ書き換え処理においてデータ照合を行なう場合には、参照電圧生成部１５が生成する参照電圧と、ビット線ＢＬ１〜ビット線ＢＬｎおよび読み出し参照線ＲＬの電圧が比較されて、メモリセルおよびダミーセルのデータが読み出される。 - 特許庁

Common word lines WL1 to WL4 are connected to the memory cells of the strings of the data memory cell block 1 and the reference memory cell block 2.例文帳に追加

データメモリセルブロック１の各ストリングのメモリセルと参照メモリセルブロック２の各ストリングのメモリセルには共通のワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を接続する。 - 特許庁

In this method (400), a value of an input side of the cell (210) is compared to the reference value the input side of the memory cell provides an indication that writing operation is completed.例文帳に追加

方法(400)は、セル(210)の入力側の値を基準値と比較し、メモリセル(210)の入力側は、書き込み動作が完了したという指示を提供する。 - 特許庁

The cell where the registered numeral data does not reach to a reference value is merged with the adjacent cell to be compressed as shown in the right side in the Fig.例文帳に追加

ここで登録された数値データが基準値に達しないセルについては、隣接するセルとのマージが行われ、右に示したマトリックスのように圧縮される。 - 特許庁

The determination part 7 compares each voltage drop rate for each cell block with the reference value and determines the degradation of the secondary cell, on the basis of results of each comparison.例文帳に追加

また、判定部７によって、電池ブロック毎の電圧降下率それぞれと基準値とを比較し、各比較結果に基づいて二次電池の劣化を判定する。 - 特許庁

The handover destination selects a target cell having a good effect in lowering interference such as a cell with large reference signal received power acquired from a terminal.例文帳に追加

ハンドオーバ先は、例えば端末から取得した参照信号受信電力が大きいセルなど、干渉量低減効果が得られるターゲットセルを選択する。 - 特許庁

To provide a vibration type densitometer capable of compensating the effect of a drift after a cell temperature is altered to shorten the standby time required in measurement without using a reference cell.例文帳に追加

リファレンスセルを用いることなく、セル温度変更後のドリフトの影響を補償し、測定に必要な待ち時間を短縮できる振動式密度計。 - 特許庁

Thus, bit line currents simultaneously flow in a memory cell array MCA and a reference memory cell array RMCA and a high speed sensing operation is conducted.例文帳に追加

そのため、メモリセルアレイＭＣＡとリファレンスメモリセルアレイＲＭＣＡとにおいて同時にビット線電流が流れ、高速なセンス動作を行なうことが可能となる。 - 特許庁

The sense amplifier compares a voltage of the bit line of the main cell array with a voltage of the bit line of the reference cell array and generates an output signal according to a result of the comparison.例文帳に追加

感知増幅器は、メインセルアレイのビットラインの電圧と基準セルアレイのビットラインの電圧とを比較し、その結果による出力信号を発生させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of FeRAM in which area of a memory cell is reduced and a dummy cell and reference voltage are not required in read data.例文帳に追加

メモリセルの面積を小さくしながら、データの読出しにおいてダミーセルやリファレンス電圧を不要にしたＦｅＲＡＭの半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a cell from being brought into an overcharged state, even if the reference voltage that calculates the threshold voltage for adjusting a capacity of the cell is increased.例文帳に追加

セルの容量調整を行うためのしきい値電圧を算出する基準電圧が上昇しても、セルが過充電状態となることを防ぐ。 - 特許庁

An adjustable current mode differential sense amplifier 70 is arranged so as to contact a selected memory cell R_M and a reference cell R_R having a prescribed value.例文帳に追加

調整可能な電流モード差動センスアンプ70は、選択されたメモリセルＲ_Ｍ及び所定値を有する基準セルＲ_Ｒに連絡するように配置される。 - 特許庁

Erasure is performed simultaneously by sharing a memory cell array 4 for protecting data and a reference cell for read-verify.例文帳に追加

データ保護情報を記録するためのデータ保護用メモリセルアレイ４と、リード／ベリファイ用リファレンスセル３の消去用の回路を共通にし、同時に消去を行う。 - 特許庁

The comparator compares a respective cell voltage with a first reference signal to determine whether a fault condition occurs on a respective battery cell.例文帳に追加

比較器は、それぞれのセル電圧を第1の基準信号と比較することにより、それぞれのバッテリセルにおいて故障状態が発生しているか否かを確定する。 - 特許庁

The injection charge amplifier (30) determines whether a sensed memory cell is in a first or second resistive state as compared to a reference cell.例文帳に追加

注入電荷増幅器(30)は、センシングされたメモリセルが基準セルと比較して第1の抵抗状態であるか、又は第2の抵抗状態であるかを判定する。 - 特許庁

This oxygen sensor 10 is provided with a measurement cell including a measurement cell main body 21, a measuring electrode 21b1, and a reference electrode 21a1 and a pump cell including a pump cell main body 23, a pump anode 23b1, and a pump cathode 23a1.例文帳に追加

酸素センサ１０は、測定セル本体２１と測定電極２１ｂ１と基準電極２１ａ１とを含む測定セルと、ポンプセル本体２３とポンプ陽極２３ｂ１とポンプ陰極２３ａ１とを含むポンプセルとを備えている。 - 特許庁

At an initial write-in operation, of which data are written into the main memory cell array 10, the first area SP1 is selected as the data writing end, and the reference cell 12 for main memory is selected as the reference data writing end.例文帳に追加

メインメモリセルアレイ１０にデータが書き込まれる初回の書込み動作時には、データ書込み先として第１領域ＳＰ１が選択され、リファレンスデータの書込み先としてメインメモリ用リファレンスセル１２が選択される。 - 特許庁

The number of twin memory cells for reference in the reference cell array 600 and arrangement coincide with the number of twin memory cells 100 arranged in the small blocks 215 being the minimum unit on manufacturing process of a cell array and arrangement.例文帳に追加

リファレンスセルアレイ６００中のリファレンス用ツインメモリセルの個数及び配列は、セルアレイの製造工程上の最小単位のであるスモールブロック２１５に配置されたツインメモリセル１００の個数及び配列と一致している。 - 特許庁

This invention provides an NVM readout structure using reference memory cells, to distinguish threshold voltage difference between a reference memory cell M_rf and a readout NVM cell M_C with appropriate detection speed and excellent accuracy.例文帳に追加

本発明は、参照メモリセルを利用したＮＶＭ読取構造を提供して、適切な検出速度及び良好な正確度により参照メモリセルM_rf及び読取ＮＶＭセルM_Cの両者間のしきい電圧差を識別する。 - 特許庁

A semiconductor storage device in an embodiment includes a first reference cell RC arranged in a first cell array 10-1 and a plurality of first fuse cells FC which are arranged in the first cell array 10-1 and which are arranged in the same row or column as the row or column in which the first reference cell RC is arranged.例文帳に追加

実施形態による半導体記憶装置は、第１セルアレイ１０−１内に配置された第１参照セルＲＣと、第１セルアレイ１０−１内に配置され、第１参照セルＲＣが配置されたロウ又はカラムと同一のロウ又はカラムに並べられた複数の第１フューズセルＦＣと、を具備する。 - 特許庁

For example, it can be determined whether or not abnormality occurs on the pump cell 31 by comparing a ratio of both impedance when both the pump cell 31 and the reference cell 33 are normal by picking up its ratio H (=Rpvp/Rpvs).例文帳に追加

例えばその比Ｈ（＝Ｒｐｖｐ／Ｒｐｖｓ）を取り、ポンプセル３１と参照セル３３の正常な場合の両インピーダンスの比Ｈとを比べることにより、ポンプセル３１に異常が発生したか否かを判定できる。 - 特許庁

In response to the fact that a data cell matched to the data trace start condition has been identified in a data cell stream, data trace including a plurality of time order reference data cells associated with the data cell stream is generated.例文帳に追加

データセルストリーム中の、データトレース開始条件に合致するデータセルを識別したことに応答して、データセルストリームと関連する複数の時間順参照データセルを含むデータトレースを生成する。 - 特許庁

The segmented area SA is composed of a cell as a base and has information of the cell and information of a reference area including a partial design pattern of other cells adjacent to the periphery of the cell.例文帳に追加

この分割領域ＳＡは、セルを基本として構成されており、セルの情報と、そのセルの周辺に隣接する他のセルの一部の設計パターンを含む参照領域の情報とを有している。 - 特許庁

In a fuel cell system 1, fluctuation of a voltage from a cell stack 5 for fluctuation of fuel utilization is obtained, and the degradation of the cell stack 5 is detected by comparing a value of the voltage and a reference value.例文帳に追加

燃料電池システム１では、燃料利用率の変動に対するセルスタック５からの電圧の変動を取得し、電圧の値と基準値との比較によってセルスタック５の劣化を検出する。 - 特許庁

The bit line total current of a cell current and an adjusting current flows in the bit line BL, and a reference line total current of a reference current and the adjusting current flows in the reference line, the current adjusting circuit makes an adjusting current flow in accordance with a reference current value so that current flowing in the reference line RL becomes the same even when the reference current value is varied.例文帳に追加

電流調整回路はリファレンス電流値に応じて、ビット線ＢＬにセル電流と調整電流のビット線合計電流、リファレンス線にリファレンス電流と調整電流のリファレンス線合計電流値が、リファレンス電流値を変えてもリファレンス線ＲＬに流れる電流が同じになるように調整電流を流す。 - 特許庁

The deteriorated cell checker 170 compares the first stored information and the reference value Iref and calculates them to obtain a difference.例文帳に追加

劣化セル検査部１７０は、第１の記憶情報と基準値Ｉｒｅｆとを比較して差分を算出する。 - 特許庁

To provide an EEPROM enabling reading data at high speed without using a reference cell transistor.例文帳に追加

基準セルトランジスタを用いることなく、高速でのデータの読み出しを可能とするＥＥＰＲＯＭを提供すること。 - 特許庁

In the case the temperature T1 is the first reference temperature T1 or less, a radiation rate v of the fuel cell is obtained.例文帳に追加

温度Ｔが第１の基準温度Ｔ_１以下である場合には、燃料電池の放熱速度ｖを取得する。 - 特許庁

Source lines SL1 to SLn, and SLd0 and SLd1 with high electrical resistance are arranged in the same direction as that of the reference cell RMC.例文帳に追加

電気抵抗の高いソース線ＳＬ１〜ＳＬｎ，ＳＬｄ０，ＳＬｄ１は、リファレンスセルＲＭＣと同一方向に沿って配置される。 - 特許庁

Each memory cell 104 also has at least one ferromagnetic soft-reference layer 206 with the non-pinned orientation of magnetization.例文帳に追加

各メモリセル104は、磁化の向きがピン止めされていない少なくとも１つの強磁性軟基準層206をさらに有する。 - 特許庁

The self-reference sense circuit 21 generates read data of the test object cell based on the first and the second values.例文帳に追加

そしてセルフリファレンスセンス回路２１は、第１および第２の値に基づいてテスト対象セルの読出データを生成する。 - 特許庁

A sense amplifier S/A compares a voltage generated by a current flowing through a selected memory cell MC with a reference voltage.例文帳に追加

センスアンプＳ／Ａは、選択メモリセルＭＣに流れる電流により生じる電圧を参照電圧と比較する。 - 特許庁

A memory cell array block in the memory apparatus which is divided basing a twist bitline as reference is addressed in a block address.例文帳に追加

ツイストビットラインを基準に分けられるメモリ装置内のメモリセルアレイブロックがブロックアドレスによりアドレッシングされる。 - 特許庁

Accordingly, when the number of the first reference cells increases, the time for threshold adjustment can be largely reduced than in the conventional example which adjusts the first reference cell threshold after reading the first reference cells.例文帳に追加

したがって、第１のリファレンスセルの個数が増加した場合に、第１のリファレンスセルを読み出して第１のリファレンスセルのしきい値を調整する従来例に比べて、しきい値調整時間を大幅に低減できる。 - 特許庁