「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The third sense amplifier 30 compares the cell current Ic with a third reference current Iref3 which is smaller than the first reference current Iref1.例文帳に追加

また、第３のセンスアンプ３０では、第１の基準電流Ireｆ1よりも小さい第３の基準電流Iref3とを比較する。 - 特許庁

The second sense amplifier 20 compares the cell current Ic with a second reference current Iref2 which is larger than a first reference current Iref1.例文帳に追加

第２のセンスアンプ２０は、セル電流Icと第１の基準電流Iref1よりも大きい第２の基準電流Iref2とを比較する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of simply and easily controlling the setting of a reference memory cell when a value stored in a core memory cell is determined based on the reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを基にコアメモリセルに記憶されている値を判定する際に、リファレンスメモリセルの設定の制御を簡単かつ容易にすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of memory cells MC storing data of two bits per one cell; and a first reference cell RC1 and a second reference cell RC2 shared by the plurality of memory cells MC.例文帳に追加

本発明は、１セルあたり２ビットのデータを記憶する複数のメモリセルＭＣと、複数のメモリセルＭＣにより共有される第１リファレンスセルＲＣ１及び第２リファレンスセルＲＣ２を備える。 - 特許庁

The array cells are read by applying an identical voltage to gates of a reference cell and the array cell and comparing outputs to determine the array cell state.例文帳に追加

アレイセルはアレイセルと基準セルとのゲートに同一の電圧を与え、出力を比較してアレイセルの状態を判断することによって読出される。 - 特許庁

To provide a device for calculating a cell quality ranking reference for a measured cell.例文帳に追加

測定されたセルに対するセル品質順位付け基準を計算するように構成されているデバイスを提供すること。 - 特許庁

At operation stopping of the fuel cell system, temperature T of the fuel cell is compared with a first reference temperature T1.例文帳に追加

燃料電池システムの運転停止時において、燃料電池の温度Ｔを第１の基準温度Ｔ_１と比較する。 - 特許庁

When data of a memory cell MC are read to a bit line (a selecting bit line) BL1, a reference potential is supplied to a bit line (a reference bit line) BL2 from the cell DC.例文帳に追加

メモリセルＭＣのデータがビット線（選択ビット線）ＢＬ１に読み出されるとき、ビット線（参照ビット線）ＢＬ２には、ダミーセルＤＣから参照電位が供給される。 - 特許庁

Charge is accumulated in a charge accumulation area of one reference cell between two reference cells so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the minimum current.例文帳に追加

２つのリファレンスセルのうちの一方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が少ないメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。 - 特許庁

Thus, the stress applied to the reference cell is reduced, and the device is improved in reliability, and is also shortened in rewrite time of the reference cell and speeded up.例文帳に追加

これにより、リファレンスセルに印加されるストレスが低減されて、信頼性が向上すると共に、リファレンスセルの再書き込み時間が短縮されて高速化が図られる。 - 特許庁

To reinforce a signal which is obtained during a readout operation with reference to a magnetic memory cell.例文帳に追加

磁気メモリ・セルに対する読み取り操作中に得られる信号を増強する。 - 特許庁

Thus, an optimum reference voltage suitable for a storage memory cell 11 can be generated.例文帳に追加

したがって、記憶用メモリセル１１に応じた最適な基準電圧を発生できる。 - 特許庁

The reference potential is generated by the SRAM cell, so that the deterioration of the reference memory cell is hardly generated, and the reliability of read data and element life are improved.例文帳に追加

参照電位をＳＲＡＭセルで生成するので、参照用メモリセルの劣化が生じ難く、したがって、読み出しデータの信頼性や素子寿命が向上する。 - 特許庁

Then, the reference voltage Vref is generated by utilizing the threshold voltage of a reference cell REFC which is provided with the same structure as the fuse cell FC.例文帳に追加

そして、参照電圧Ｖref を、ヒューズセルＦＣと同一構造を有した基準セルＲＥＦＣのしきい値電圧を利用して発生させることを特徴としている。 - 特許庁

The voltage across each reference resistor 34 is equal to the average voltage of the cell.例文帳に追加

各基準抵抗３４の両端電圧は、単電池の平均電圧に等しい。 - 特許庁

A cell coefficient setting unit sets a cell coefficient for correcting the zero-percent reference value in accordance with information representing a degree of deterioration of the secondary battery to the zero-percent reference value.例文帳に追加

セル係数設定部は、０％基準値に対する二次電池の劣化度合いを示す情報に応じて、０％基準値を補正するためのセル係数を設定する。 - 特許庁

When the reference current is smaller than the memory cell current, the bit line voltage decreases.例文帳に追加

基準電流がメモリセル電流よりも小さい場合、ビット線電圧は低下する。 - 特許庁

A working electrode 2, a counter electrode 3 and a reference electrode 4 are disposed in an electrolytic cell 1.例文帳に追加

電解セル１の中に、作用極２、対極３、参照極４を配置する。 - 特許庁

When the second and subsequent data are read from the normal cell of the other address, as the reference cell is in a reset state, the reference levels are equal in the first and the subsequent reading.例文帳に追加

他のアドレスのノーマルセルから２回目以降のデータを読み出す際には、リファレンスセルがリセット状態にあるので、最初と第２回目以降とではリファレンスレベルは同一である。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a reference cell 21 and a detection circuit 5.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、リファレンスセル２１と検出回路５とを具備する。 - 特許庁

When the reference current is larger than a memory cell current, a bit line voltage increases.例文帳に追加

基準電流がメモリセル電流よりも大きい場合、ビット線電圧は増大する。 - 特許庁

To suppress the reduction of yield of the semiconductor memory caused by a defective reference cell.例文帳に追加

リファレンスセル不良による半導体記憶装置の歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

MRAM REFERENCE CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM ARRAY, MRAM CELL SUB-ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING DEVICE, AND MRAM CELL SUB-ARRAY WRITING METHOD例文帳に追加

ＭＲＡＭリファレンスセルサブアレイおよびその製造方法、ＭＲＡＭアレイ、ＭＲＡＭセルサブアレイおよびその製造方法、ＭＲＡＭセルサブアレイ書込装置、ＭＲＡＭセルサブアレイの書込方法 - 特許庁

To greatly improve data retention characteristics of a second cell (reference cell, redundancy memory cell, OTP area or the like) having a process and a structure almost similar to those of a first cell (memory cell) without unnecessarily increasing the number of steps.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

To substantially improve data retention characteristics of a second cell (a reference cell, a redundancy memory cell, an OTP region, etc.), comprising substantially the same steps and same structure as those of a first cell (memory cell), without increasing the number of steps needlessly.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、第１のセル（メモリセル）とほぼ同一工程・同一構造によりなる第２のセル（リファレンスセル、冗長メモリセル、ＯＴＰ領域等）のデータリテンション特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

Impedance (Rpvs) between both porous electrodes 45, 47 of a reference cell 33 is measured at the same timing with measurement of impedance of a pump cell 31 during an operation of the fuel cell system 1, and the impedance of the pump cell 31 and the impedance of the reference cell 33 are compared with each other.例文帳に追加

燃料電池システム１の運転中に、ポンプセル３１のインピーダンス測定とほぼ同様なタイミングで、参照セル３３の両多孔質電極４５、４７間のインピーダンス（Ｒｐｖｓ）を測定し、ポンプセル３１のインピーダンスと参照セル３３のインピーダンスとを比較する。 - 特許庁

The read-out time of the data to the first memory cell MCO is so set as to be made shorter than the read-out time of the reference potential to the first reference cell RMCO or the write time of the data to the first memory cell is so set as to be made shorter than the write time of the reference potential to the first reference cell RMCO.例文帳に追加

第１のメモリセルＭＣ０に対するデータの読み出し時間は、第１のリファレンスセルＲＭＣ０に対する参照電位の読み出し時間よりも短いか、又は第１のメモリセルに対するデータの書き込み時間は、第１のリファレンスセルＲＭＣ０に対する参照電位の書き込み時間よりも短くなるように設定されている。 - 特許庁

To make reliability of read-out data high and to make life time of elements long without increasing the number of memory cells for reference (reference cell).例文帳に追加

参照用メモリセル（リファレンスセル）数を増大させることなしに、読み出しデータの信頼性が高く且つ素子寿命を長くする。 - 特許庁

To provide a memory capable of determining a reference cell for supplying an optimal reference current in a short time and at low cost.例文帳に追加

最適な参照電流を供給する参照セルを短時間かつ低コストで判定することができるメモリを提供する。 - 特許庁

Each switch circuit is turned on when receiving the selection signal, and connects a drain of the reference memory cell to a reference global bit line.例文帳に追加

スイッチ回路は、選択信号をそれぞれ受けてオンし、リファレンスメモリセルのドレインをリファレンスグローバルビット線にそれぞれ接続する。 - 特許庁

The reference circuit 1 outputs a reference voltage Vref to be compared with a bit line signal output from a memory cell array 4.例文帳に追加

リファレンス回路１は、メモリセルアレイ４から出力されるビット線信号と比較されるリファレンス電圧Ｖｒｅｆを出力する。 - 特許庁

A pump 12 is operated to introduce a background smell as reference gas from the reference gas supplying part 2 to the sensor cell 8.例文帳に追加

ポンプ１２を作動させて、参照ガス供給部２からバックグランドのにおいを参照ガスとしてセンサセル８に導入する。 - 特許庁

The concentration cell has a reference electrode arranged in a reference gas chamber and a measuring electrode arranged in the measuring gas chamber.例文帳に追加

濃度セルは、参照ガス室内に配置された参照電極と、測定ガス室内に配置された測定電極を有する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device where fluctuations of reference potential in a reference memory cell system can be reduced.例文帳に追加

リファレンスメモリセル方式における基準電位のばらつきを、より一層少なく出来る強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

The reference transistor RT generates the reference current Iref used for sensing data stored in the memory cell transistor MC.例文帳に追加

リファレンストランジスタＲＴは、メモリセルトランジスタＭＣに記憶されたデータのセンスに用いられる基準電流Ｉｒｅｆを生成する。 - 特許庁

The memory cell (50) includes a magnetic data storage layer (60), a magnetic reference layer (62), and an insulating layer (64) between the magnetic data storage layer (60) and the reference layer (62).例文帳に追加

メモリセル(50)は、磁気データ記憶層(60)と、磁気基準層(62)と、データ記憶層(60)と基準層(62)との間の絶縁層(64)とを含む。 - 特許庁

When a solar cell, especially a multi-junction solar cell other than a silicon crystal based solar cell, is measured, a reference cell device 2 is constituted by applying a protective device 4 consisting of a shading member 41 such as a shutter, and its open/close mechanism 42 onto a reference cell 3 if the reference cell 3 consists of a pseudo-cell where an optical filter 32 is stuck onto a stable silicon sensor 31.例文帳に追加

前記太陽電池として、シリコン結晶系以外の特に多接合型の太陽電池を測定するにあたって、前記基準セル３が、安定なシリコンセンサ３１の上に光学フィルタ３２を貼り付けた擬似セルで構成される場合に、該基準セル３上に、シャッタなどの遮光部材４１と、その開閉機構４２とを備えて構成される保護装置４を被せて基準セル装置２を構成する。 - 特許庁

The reference cell RC can take a first and a second states, the number of reference cells of the first state can be different from the number of reference cells of the second state.例文帳に追加

レファレンスセルＲＣは、第１及び第２状態をとることができ、第１状態のレファレンスセルの数と第２状態のレファレンスセルの数は、異なっていてもよい。 - 特許庁

To provide equipment for producing electrolytic water which can feed reference water in a flow cell in a short time by using a little amount of reference water, measure a reference level and be used for a correction.例文帳に追加

少量のブランク水を用いて短時間にフローセル内に導入し、ブランクレベルの測定を行い、校正することができる電解水製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology which does not require the initial setting of a reference cell in an MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおけるリファレンスセルの初期設定が不要となる技術を提供すること。 - 特許庁

In one embodiment, a memory cell device has a conductive magnetic reference layer and data layer.例文帳に追加

１実施態様では、メモリセル装置は、導電性の磁気基準層及びデータ層を有する。 - 特許庁

To transmit a PRS (Positioning Reference Signal) while minimizing reduction of cell throughput in a downlink.例文帳に追加

下りリンクにおけるセルスループットの低下を最小限に抑えてＰＲＳを送信する。 - 特許庁

To improve a read margin by increasing the degree of freedom of selection of a reference cell.例文帳に追加

参照セルの選択の自由度を向上させることで、読み出しマージンを向上する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (RAM) with a reference cell more stably magnetized.例文帳に追加

磁化状態がより安定している参照セルを有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To restrain a noise width and base line fluctuation in a reference cell within a measuring time.例文帳に追加

測定時間内における参照セルのノイズ幅、及びベースライン変動を抑制すること。 - 特許庁