「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an improved reference current generation circuit, in which fluctuation of reference current of a detection circuit of a memory for determining a condition of a nonvolatile memory cell is suppressed.例文帳に追加

不揮発性メモリセルの状態を判断するメモリの検出回路の基準電流の変動を抑制した改良された基準電流発生回路を提案する - 特許庁

A CPU 30 calculates a load difference between subject left load and a subject right load from a load cell 11, and a reference load stored in a reference load storage part 31.例文帳に追加

ＣＰＵ３０は、ロードセル１１からの被験者左荷重および被験者右荷重と参考荷重記憶部３１に記憶されている参考荷重との荷重差を算出する。 - 特許庁

To obtain a stable reference current, by suppressing variations in the threshold with time in a reference cell in an electrically rewritable flash memory for integrating MONOS-type transistors.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型トランジスタを集積した電気的に書き換え可能なフラッシュメモリにおいて、リファレンスセルの経時的なしきい値の変動を抑制し、安定した基準電流を得る。 - 特許庁

To eliminate an individual difference while shortening an unnecessary waiting time by automatically performing purge judgment with respect to whether a reference cell is sufficiently replaced with a reference liquid.例文帳に追加

リファレンスセル内が参照液で充分置換されたかどうかのパージ判定を自動的に行なうことにより個人差をなくし、不必要な待機時間を短縮する。 - 特許庁

The oxidized and decomposed reference sample water is transferred to a measuring cell 8, and the absorbance of nitrate ion of the reference sample water of wavelength of 220 nm is measured by an absorbance measuring part 9.例文帳に追加

酸化分解された基準試料水は、測定セル８に移送され、吸光度測定部９で波長２２０ｎｍの基準試料水の硝酸イオンの吸光度が測定される。 - 特許庁

Besides, a cell block to become a target of location and wiring processing is determined and when performing location processing for the unit of the cell blocks, the cell blocks are divided and merged with the signal transition coefficient between cells and power consumption of each cell as an evaluation reference.例文帳に追加

また、配置配線処理の対象となるセルブロックを決定し、そのセルブロック単位で配置処理を行う場合には、各セル間の信号遷移係数および各セルの消費電力を評価基準として、セルブロックの分割・併合を行う。 - 特許庁

In the self-reference sense circuit 21, a first value is read from a test object cell before writing of writing data for the dummy cell of the test object, and a second value is read from the test object cell after writing of writing data for the test object cell.例文帳に追加

セルフリファレンスセンス回路２１は、テスト対象のダミーセルに対する書込データの書込み前にテスト対象セルから第１の値を読出して保持し、テスト対象セルに対する書込データの書込み後にテスト対象セルから第２の値を読出す。 - 特許庁

In this circuit, a reference cell 50, a transistor 51 and an operational amplifier 52 which applie a prescribed voltage to the reference cell 50 and a current mirror circuit which is provided with transistors 53, 54 and which makes a current whose magnitude is the same as that of a current flowing through the cell 50 flow through a magneto-resistance element 11 are provided.例文帳に追加

参照セル５０と、参照セル５０に所定の電圧を印加するトランジスタ５１及び演算増幅器５２と、トランジスタ５３，５４を備え参照セル５０を流れる電流と同じ大きさの電流を磁気抵抗素子１１に流すカレントミラー回路と、を設ける。 - 特許庁

A counter counts a number N_H of the memory cells having a resistance higher than a resistance of each reference cell or a number N_L of the memory cells having a resistance lower than the resistance of each reference cell on the basis of the result of detecting data of the plurality of memory cells storing first logical data using each reference cell storing the first logical data.例文帳に追加

カウンタは、第１の論理データを格納する複数のメモリセルのデータを該第１の論理データを格納する参照セルを用いて検出した結果に基づいて、参照セルの抵抗値よりも高い抵抗値を有するメモリセルの個数Ｎ_Ｈまたは参照セルの抵抗値よりも低い抵抗値を有するメモリセルの個数Ｎ_Ｌをカウントする。 - 特許庁

This circuit is a read-out circuit for a magnetic memory device reading out information recorded in a memory cell having a magneto-resistance element, and has a reference cell connected in series to the magneto-resistance element, and a comparator comparing a potential at a connection point of the magneto-resistance element and the reference cell with the reference potential.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。 - 特許庁

This abnormality detecting method for the fuel cell is such that measured voltage V of cell voltage detected every n cells in a fuel cell stack is compared with the reference voltage VR selected so as to satisfy the following inequality, and when the measured voltage V is lowered than the reference voltage VR it is determined that the abnormality is produced in the cell of the fuel cell stack.例文帳に追加

燃料電池スタックにおいてセルｎ枚毎にセル電圧を検出した実測電圧Ｖと下記の不等式を満たすように選定した監視基準電圧Ｖ_Rとを比較し、実測電圧Ｖが監視基準電圧Ｖ_Rを下回った場合に、該燃料電池スタックに属するセルに異常が発生したものと判断することを特徴とする燃料電池セル異常検出方法。 - 特許庁

The method includes a sep for arranging an input/output cell 12 provided with a controllable input/output impedance; a step for arranging a reference cell 14 comprising a node with a variable voltage; and a step for comparing the node voltage with a reference voltage.例文帳に追加

制御可能な入出力インピーダンスを有する入出力セル１２を設けるステップと、可変電圧を有するノードを含む参照セル１４を設けるステップと、ノードの電圧を参照電圧と比較するステップとを含む。 - 特許庁

These two lines share electric charges with each other and are charged, and an intermediate level (VCC/2, When '1' = VCC and '0' = VSS, VCC/2) is obtained, and as a reference cell word line (XE or XO) is 'high' yet, it is stored again in the reference cell.例文帳に追加

これら２つの線は電荷を分け合って充電されて中間レベル（「１」＝ＶＣＣかつ「０」＝ＶＳＳの場合、ＶＣＣ／２）をもたらし、それは、基準セルワード線（ＸＥまたはＸＯ）が依然「ハイ」であるため、基準セルに再記憶される。 - 特許庁

A reference cell 50, a transistor 51 which has its source connected to the reference cell 50 and to the gate of which a bias voltage V_bias is applied, and a transistor 52 which has its source connected to the magneto- resistance element 11 and to the gate of which the bias voltage V_bias is applied are provided.例文帳に追加

参照セル５０と、参照セル５０にソースが接続されバイアス電圧Ｖ____biasがゲートに印加されるトランジスタ５１と、磁気抵抗素子１１にソースが接続されバイアス電圧Ｖ_biasがゲートに印加されるトランジスタ５２とを設ける。 - 特許庁

These two lines share electric charges, charged, and an intermediate level (VCC/2, When 1=VCC and 0=VSS) is obtained, and as a reference cell word line (XE or XO) is 'high' yet, it is stored again in the reference cell.例文帳に追加

これら２つの線は電荷を分け合って充電されて中間レベル（「１」＝ＶＣＣかつ「０」＝ＶＳＳの場合、ＶＣＣ／２）をもたらし、それは、基準セルワード線（ＸＥまたはＸＯ）が依然「ハイ」であるため、基準セルに再記憶される。 - 特許庁

Reliability of memory programming and read-out is improved, by generating both sets of reference signals by the reference cell tracking vibrations in an operating characteristics of the memory cell with changes in conditions, such as temperature, system voltages.例文帳に追加

温度やシステム電圧などの条件の変化に伴って起きるメモリセルの動作特性の変動を追跡する基準セルによって、両方の基準信号の組を発生することにより、メモリプログラミングおよび読出しの信頼性が向上する。 - 特許庁

Thereby, at read-out, potentials of the word line RWL0 for reference cell (or word line RWL1 for reference cell) and the memory array normal word line MWL (or memory array redundant word line ReWL) are made rise synchronously with each other.例文帳に追加

これによって、データの読み出し時に、リファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０（またはリファレンスセル用ワード線ＲＷＬ１）とメモリアレイ通常ワード線ＭＷＬ（またはメモリアレイ通常ワード線ＲｅＷＬ）との電位が同期して立上がる。 - 特許庁

The NOR flash memory device comprises a memory cell for storing multi-bit data; a reference voltage generating circuit for generating respectively different reference voltages; a sensing amplifier circuit for serially sensing the multi-bit data which is stored in the memory cell, in response to the different reference voltages; and a selecting circuit for selecting the reference voltage to be provided to the sensing amplifier circuit.例文帳に追加

本発明に従うＮＯＲフラッシュメモリ装置は、マルチビットデータを貯蔵するメモリセルと、相異なる基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、相異なる基準電圧に応答してメモリセルに貯蔵されたマルチビットデータをシリアルセンシングする感知増幅回路と、感知増幅回路に提供される基準電圧を選択する選択回路と、を含む。 - 特許庁

The data updating circuit performs erasure operation varying threshold voltage of a memory cell of an object of data update so as to coincide with the prescribed reset reference voltage being one of plural reference voltage and being not any of the maximum value or the minimum value out of plural reference voltage, after that, threshold voltage of the memory cell is varied so as to coincide with reference voltage corresponding to data after update of the memory cell.例文帳に追加

データ更新回路はデータ更新対象のメモリセルの閾電圧を複数の参照電圧の１つであり、上記複数の参照電圧の中の最大値または最小値のいずれでもない所定のリセット参照電圧と一致するように変化させる消去動作を実施し、その後、該メモリセルの閾電圧を該メモリセルの更新後データに対応する参照電圧と一致するように変化させる。 - 特許庁

The operation method includes: a step of implementing a first program operation and a first verifying operation for a memory cell until a cell with a threshold voltage higher than a first reference voltage occurs, and a step of implementing a second program operation and implementing a second verifying operation using a second reference voltage higher than the first reference voltage when the cell with the threshold voltage higher than the first reference voltage occurs.例文帳に追加

閾値電圧が第１基準電圧より高いセルが発生するまでメモリセルの第１プログラム動作及び第１検証動作を遂行する段階と、前記閾値電圧が前記第１基準電圧より高いセルが発生すれば、第２プログラム動作を実施し、前記第１基準電圧より大きい第２基準電圧を利用して第２検証動作を実施する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A resistance values of each resistance element of a resistance array 20 connected to a source of a reference cell RMC is set conforming to an equivalent resistance value of source diffusion resistance of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのソース拡散抵抗の等価抵抗値に従って、リファレンスセルＲＭＣのソースに接続される抵抗アレイ２０の各抵抗素子の抵抗値が設定される。 - 特許庁

The reference signal is produced by multiplying a first series constituted of different non-orthogonal codes between at least a neighbored cell and a self cell by a second series.例文帳に追加

少なくとも隣接セルと自セルの間で異なる非直交な符合系列で構成される第1系列に第２系列を乗算することで、リファレンス信号が生成される。 - 特許庁

In the reference cell 2, characteristics are deviated so as to following deviation of these characteristics when characteristics of the non-volatile memory cell MC00-MC12 are deviated by influence of temperature variation or the like.例文帳に追加

リファレンスセル２は、温度変化などの影響で不揮発性メモリセルＭＣ００〜ＭＣ１２の特性がずれたときに、この特性のずれに追従するように特性がずれる。 - 特許庁

To prevent decrease in a data read margin which is dependent on address selection, in a storage device that reads data based on an electrical resistance difference between a selected memory cell and a reference cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。 - 特許庁

To prevent decrease in a data reading margin depending on address selection in a storage device for reading data on the basis of the electrical resistance difference between a selected memory cell and a reference cell.例文帳に追加

選択メモリセルとリファレンスセルとの電気抵抗差に基づいてデータを読出す記憶装置において、アドレス選択に依存したデータ読出マージンの低下を防止する。 - 特許庁

To protect a reference cell which is used for calibrating a power supply system, that measures the photoelectric conversion characteristics of a solar cell, against deterioration due to exposure to simulator light.例文帳に追加

太陽電池の光電変換特性を測定するための光源システムを校正するために用いられる基準セルにおいて、シミュレータ光の曝露による劣化から保護する。 - 特許庁

A memory cell in which threshold voltage in the non-selection block BLOCK1 is low state is turned on, and a channel layer formed on the memory cell being turned on is made reference voltage 0 V.例文帳に追加

上記非選択ブロックBLOCK1内のしきい値電圧が低い状態のメモリセルがオンして、そのオンしたメモリセルに形成されたチャネル層が基準電圧０Ｖとなるようにする。 - 特許庁

To provide a flash memory device, having stable operation without failures in read-out and having a profitable reference cell circuit, having sufficient margin when a memory cell is read out.例文帳に追加

読出し失敗することなく安定した動作を有し、メモリセルを読出すに際し十分なマージンを持った有利な基準セル回路を有するフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

For example, potentials of plate lines PL0, DPL are made VAA, data of an unit cell UC is read out to a bit line BL0 and data of a reference cell RC is read out to a bit line /BL0.例文帳に追加

たとえば、プレート線ＰＬ０，ＤＰＬの電位をＶＡＡにし、ビット線ＢＬ０にユニットセルＵＣのデータを、ビット線／ＢＬ０にリファレンスセルＲＣのデータを、それぞれ読み出す。 - 特許庁

An output power (an FC permissible power) of a fuel cell provided in a fuel cell system 22 is decided according to a supply gas volume with reference to a memorized output characteristics.例文帳に追加

燃料電池システム２２が備える燃料電池の出力電力（ＦＣ許容電力）は、供給ガス量に基づき、記憶した出力特性を参照して決定する。 - 特許庁

The radiation illuminance of light to be applied is measured or adjusted (S1), the current/voltage characteristics of a reference cell are measured (S2), and the current/voltage characteristics of a sample cell are measured (S3).例文帳に追加

照射される光の放射照度を測定または調整し(S1)、基準セルの電流電圧特性を測定し(S2)、サンプルセルの電流電圧特性を測定する(S3)。 - 特許庁

To provide a fuel cell system of a simple structure capable of reducing the density of hydrogen in the exhaust gas below a reference value without increasing the occupying space of the fuel cell system.例文帳に追加

燃料電池システムの占有スペースを増大することなく、単純な構造によって排気ガス中の水素濃度を基準値以下とすることができるようにする。 - 特許庁

A diagnostic power generation for diagnosing the status of a fuel cell is carried out for a prescribed time at a prescribed reference warm-up power at the time of starting the fuel cell system (S14-S18).例文帳に追加

燃料電池システム起動時に、所定の基準暖機電力で所定の時間、前記燃料電池の状態を診断するための診断発電を行う（Ｓ１４〜Ｓ１８）。 - 特許庁

To provide a method for exactly reading data of a memory cell even when a normal read operation (to set one reference cell) is difficult or impossible.例文帳に追加

通常の読み出し動作（１つのリファレンスセルを設定すること）が困難若しくは不可能な場合においても、メモリセルのデータを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved connecting structure, and a method of increasing the fabricating density of a fuel cell and the ratio of the efficient reaction area with reference to a flat fuel cell assembly.例文帳に追加

改善された接続構造と、平面燃料電池アセンブリに、燃料電池の組立密度と、有効な反応面積の比率を増加させる方法を提供する。 - 特許庁

In a product design step, chip layout data of a product to which the CP pattern (33) is applied is created with reference to the layout of the macro cell of the cell design library (4).例文帳に追加

製品設計段階において、セル設計ライブラリ（４）のマクロ・セルのレイアウトを参照してＣＰパターン（３３）を適用した製品のチップレイアウトデータを作成する。 - 特許庁

When performing correction writing, the control circuit performs correction writing to the selected memory cell when the threshold voltage of the reference memory cell is a threshold voltage at an erasure level.例文帳に追加

制御回路は、補正書き込みに際し、参照メモリセルのしきい値電圧が消去レベルのしきい値電圧である場合に、選択メモリセルへの補正書き込みを行う。 - 特許庁

A memory cell 27m and a reference cell 27r are formed on both sides of a gate electrode, and provided with memory function members having functions of holding charges or polarization.例文帳に追加

メモリセル２７ｍ及びリファレンスセル２７ｒは、共に、ゲート電極の両側に形成されて、電荷または分極を保持する機能を有するメモリ機能体を備える。 - 特許庁

To provide a bias voltage application circuit in which the bias voltage is applied to a memory cell and a reference cell for a semiconductor storage device, and current difference for the both memory cells can be detected at high speed.例文帳に追加

半導体記憶装置のメモリセルとリファレンスセルにバイアス電圧を印加して、両メモリセルの電流差を高速に検知可能なバイアス電圧印加回路を提供する。 - 特許庁

When the voltage difference (ΔV) between the cell voltage Vc and the minimum cell voltage (Vmin) becomes not more than the reference voltage difference Vth (ΔV<Vth) after starting the bypass operation, the charging controller stops the bypass operation for the corresponding cell battery.例文帳に追加

また、バイパス動作の開始後に、セル電圧Ｖｃと最小セル電圧（Ｖｍｉｎ）との電圧差（ΔＶ）が基準電圧差Ｖｔｈ以下（ΔＶ＜Ｖｔｈ）になったときは、このセル電池に対するバイパス動作を停止する。 - 特許庁

A cell controller C/C1 turns off cell voltage detection switches SWa1 to SWa8 at fault diagnosis, and turns on a cell reference voltage source switch SWc and capacity regulating circuit switches SWb1 to SWb8.例文帳に追加

セルコントローラＣ／Ｃ１は、故障診断時にセル電圧検出スイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８をオフ、セル基準電圧源スイッチＳＷｃおよび容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオンする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a function for facilitating discrimination of a resistance value of a resistance element in a reference cell.例文帳に追加

リファレンスセルにおける抵抗素子の抵抗値判別を容易にする機能を持つ半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A DRAM 1 has word lines 10_1 to 10_n, word lines 22 and 24, memory cells 30_1 to 30_n, and a reference cell 40.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、ワード線１０_１〜１０_ｎ、ワード線２２，２４、メモリセル３０_１〜３０_ｎ、およびリファレンスセル４０を備えている。 - 特許庁

The cell size of the character cells 225 of the reference font is computed so as to correspond to the frame size of the display frame 224 (S1 to S7).例文帳に追加

基準フォントの文字セル２２５のセルサイズを表示枠２２４の枠サイズに対応させるように演算する（Ｓ１〜Ｓ７）。 - 特許庁

The spare memory part 19 replaces a defective memory part 9 being the memory part 9 in which defect exists in the first reference cell 5.例文帳に追加

予備記憶部１９は、第１リファレンスセル５に不具合がある記憶部９としての不良記憶部９を置換する。 - 特許庁