「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The detecting electrochemical flow cell 3 comprises a carbon electrode 3, a reference electrode 4 and a counter electrode 5.例文帳に追加

検出用電気化学フローセル３は、カーボン電極３と参照電極４と対向電極５とから構成されている。 - 特許庁

This execution method for program verification operation or erasion verification operation has a step in which a reference memory cell is programmed, a step in which a memory cell is programmed, a step in which a set signal is generated using the contents of the reference memory cell, and a step in which program verification operation or erasion verification operation of a memory cell is started by using the set signal.例文帳に追加

基準メモリセルをプログラムするステップと、メモリセルをプログラムするステップと、基準メモリセルの内容を用いてセット信号を生成するステップと、セット信号を用いて、メモリセルのプログラム検証動作または消去検証動作を開始するステップとを有するプログラム検証動作または消去検証動作の実施方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of different signal transition time constraints 125-128 are set at the input terminal of each reference logical element (master cell), and the signal transition time constraints 125-128 corresponding to the specifications of the reference element (master cell) are set at the input terminal of each logical element (instance cell) so that the driving capability of the logical element (instance cell) is adjusted.例文帳に追加

各基準論理素子（マスタセル）の入力端子に複数の異なる信号遷移時間制約１２５〜１２８を設定できるようになっており、その基準論理素子（マスタセル）の仕様に対応した信号遷移時間制約１２５〜１２８を、それぞれの論理素子（インスタンスセル）の入力端子に設定して、それらの論理素子（インスタンスセル）の駆動能力を調整する。 - 特許庁

Each reference smell is introduced into a sensor cell 4, and each detection signal is acquired by smell sensors 5 to the number of m, and evaluation reference axes to the number of n corresponding to each reference smell are generated in an m-dimensional space formed from the detection output.例文帳に追加

この基準においをセンサセル４に導入し、ｍ個のにおいセンサ５で検出信号を得て、その検出出力により形成されるｍ次元空間内に各基準においに対応するｎ本の評価基準軸を作成する。 - 特許庁

In another memory cell 2, reference information equivalent to an information read reference potential is stored, and this reference information is inputted through a bit line bit 7 to the other input terminals of the respective sense amplifiers SA1 to SA5 in common.例文帳に追加

他のメモリセル２には、情報読み出しの基準電位に相当する基準情報が記憶され、この基準情報はビット線ｂｉｔ７を経て前記センスアンプＳＡ１〜５の各他方の入力端子に共通して入力される。 - 特許庁

To provide a reference circuit for a ferroelectric memory constituted to stabilize a reference level and to decrease the area of a layout by making it possible to share reference capacitors with cell array blocks adjacent to each other and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

参照レベルを安定させ、且つ、参照キャパシタを隣り合うセルアレイブロックで共有できるようにしてレイアウトの面積を減らせるようにした強誘電体メモリの参照回路及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The power supply wiring group includes: an interruption power supply line for connecting the power supply switch cell and the power interruption object cell through first layer metal wiring; and a reference potential supply line for connecting the power supply switch cell and the constantly energized cell through second layer metal wiring.例文帳に追加

電源配線群は、第１層メタル配線を介して電源スイッチセルと電源遮断対象セルを接続する遮断用電源供給線と、第２層メタル配線を介して電源スイッチセルと常時通電セルを接続する基準電位供給線とを含む。 - 特許庁

More specifically, the partition wall 4 separates the cell 3 for measurement from the cell 2 for pumping, thus preventing a voltage source 8 of the cell 2 for pumping from being affected by the electromotive force of the cell 3 for measurement and eliminating the mechanical leakage of the reference gas by glass seals 12 and 13.例文帳に追加

すなわち、隔壁部４は測定用セル３とポンピング用セル２とを隔離することにより、ポンピング用セル２の電圧源８が測定用セル３の起電力に影響することを阻止しかつガラスシール１２、１３によって基準ガスの機械的漏れを無くしている。 - 特許庁

This voltage equalizer detects the voltage Vb(k) of each unit cell (step S100), and charges or discharges a cell where a voltage difference from a voltage (reference voltage Vbst) to become a reference is at or over a threshold Vr among detected voltages thereby equalizing the voltage.例文帳に追加

各単電池の電圧Ｖｂ(k)を検出し（ステップＳ１００）、その検出された電圧のうち基準となる電圧（基準電圧Ｖｂｓｔ）との電圧差が閾値Ｖｒ以上の単電池を充電し又は放電させて電圧の均等化を図る。 - 特許庁

NOR type flash memory (nonvolatile semiconductor storage device) 1 includes: a memory cell array 11; a dummy memory cell array (reference circuit) 12; a sense amplifier 13; load circuits 14 and 15; pre-charge circuits 16 and 17; and a reference voltage generation circuit 20.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ（不揮発性半導体記憶装置）１は、メモリセルアレイ１１と、ダミーメモリセルアレイ（リファレンス回路）１２と、センスアンプ１３と、負荷回路１４及び１５と、プリチャージ回路１６及び１７と、基準電圧発生回路２０とを備えている。 - 特許庁

The plurality of sensor cells 3 include a main sensor cell 31 and a subsensor cell 32, and these include measuring electrodes 311, 321 exposed to the to-be-measured gas chamber 2 and reference electrodes 312, 322 exposed to a reference gas atmosphere.例文帳に追加

複数のセンサセル３は、メインセンサセル３１とサブセンサセル３２とからなるとともに、それぞれ、被測定ガス室２に面するように配設される測定電極３１１、３２１と、基準ガス雰囲気に面するよう配設される基準電極３１２、３２２とを有する。 - 特許庁

More concretely, a memory signal of the selected memory cell is read out first, then the reference signal corresponding to the almost non-polarization state is generated using the memory cell, and a memory state is determined by comparing the memory signal with the reference signal.例文帳に追加

より具体的には、まず選択したメモリセルの記憶信号を読み出し、次に該メモリセルを用いて略無分極状態に相当する参照信号を生成し、該記憶信号と該参照信号を比較することで記憶状態を判定する。 - 特許庁

The initial stage differential amplifier 4 differentially amplifiers input cell voltages using an electrical potential of a minimum electric potential end of a cell set 1 as a reference, and a latter stage differential amplifiers an output voltage of the initial differential amplifier using a vehicle body electric potential as a reference.例文帳に追加

初段差動増幅器４は、組電池１の最低電位端の電位を基準として入力単電池電圧の差動増幅を行い、後段差動増幅器は、初段差動増幅器４の出力電圧を車体電位を基準として増幅する。 - 特許庁

The ferroelectric storage device controls so that "L" data write time (4) of the reference cell, "H" data write time (5) of the reference cell, or data read time (6) becomes shorter than the "L" data write time (1) of the normal cells, "H" data write time (2) or the data read time (6), respectively.例文帳に追加

ノーマルセルの“Ｌ”データ書き込み時間（１）、“Ｈ”データ書き込み時間（２）又はデータ読み出し時間（３）に対して、各々、リファレンスセルの“Ｌ”データ書き込み時間（４）、“Ｈ”データ書き込み時間（５）又はデータ読み出し時間（６）が短くなるように制御する。 - 特許庁

This device is provided with a memory cell array 1 in which memory cells storing fuse data are arranged, a register 8 for fuse storing fuse data read out from the memory cell and a reference voltage circuit 9 consisting of a differential amplifier for generating reference voltage.例文帳に追加

ヒューズデータが記憶されているメモリセルが配置されているメモリセルアレイ１と、メモリセルから読み出したヒューズデータを格納するヒューズ用レジスタ８と、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路９とを具備する。 - 特許庁

Especially, the reading circuit 32 relating to the minimum reference current IR3 amplifies a cell current of other reading circuits 30, 31 or more until reaching respective reference current 33c.例文帳に追加

特に、最小基準電流（Ｉ_R3）に関係される読み取り回路（３２）はそれぞれの基準電流（３３ｃ）に至るまで他の読み取り回路（３０、３１）以上のセル電流を増幅する。 - 特許庁

The first reference current is configured such that the first read current is lower than the first reference current when the selected PCM cell is in a rest state, and is otherwise greater.例文帳に追加

第１基準電流は、選択されたＰＣＭセルがリセット状態にあるときは第１読み取り電流が第１基準電流より低く、さもなければ、それより高いというものである。 - 特許庁

To set a threshold level of its reference cell in a short time in a semiconductor memory apparatus using variable threshold value nonvolatile memory cells as a reference current/potential generating means.例文帳に追加

本発明は、リファレンス電流／電位発生手段として、閾値変化型不揮発メモリーセルを用いた半導体記憶装置において、そのリファレンスセルの閾値を短時間で設定することを目的とする。 - 特許庁

A reference memory cell block 2 is provided with 4 strings having memory cells of 4 different thresholds, and reference bitl lines REF1 to REF4 connected to the strings.例文帳に追加

参照メモリセルブロック２には、異なった４種のしきい値のメモリセルを個々に有する４本のストリングと、各ストリングの個々に接続された参照ビット線ＲＥＦ１〜ＲＥＦ４を設ける。 - 特許庁

A GPS reference station positioned in the position same to a phone cell site, and the GPS reference station tracks GPS satellites observed from a local area thereof to estimate a Doppler value of the each GPS satellite.例文帳に追加

電話セルサイトと同じ場所にあるＧＰＳ基準局を備え、ＧＰＳ基準局はそのローカルエリアから見えるＧＰＳ衛星を追跡し、各ＧＰＳ衛星のドップラー値を推定する。 - 特許庁

The nonvolatile memory in which data is stored depending of a difference in threshold voltage has the core-side cell transistor C-MC to which an electric charge is injected depending on stored data and the reference-side cell transistors RA-MC and RB-MC supplying a reference level when reading data from the core-side cell transistor.例文帳に追加

閾値電圧の違いによりデータが記憶される不揮発性メモリにおいて、記憶データに依存して電荷が注入されるコア側のセルトランジスタＣ−ＭＣと、コア側のセルトランジスタからデータを読み出すときに基準レベルを供給するレファレンス側のセルトランジスタＲＡ−ＭＣ、ＲＢ−ＭＣとを有する。 - 特許庁

The DA converter is provided with: the plurality of current cell arrays; a plurality of current sources for generating a reference current applied to each current cell array; and a rotation circuit for rotating the current source for generating the reference current applied to each current cell array among the plurality of current sources by each prescribed time.例文帳に追加

本発明のＤＡコンバータは、複数の電流セルアレイと、各々の電流セルアレイに供給する基準電流を発生する複数の電流源と、各々の電流セルアレイに供給する基準電流を発生する電流源を、複数の電流源の間で所定時間毎にローテーションするローテーション回路とを備える。 - 特許庁

To provide a solar cell module capable of enhancing reliability of a fitting structure of a solar cell to a base for installation without reference to a material of a back-side sealing member of the solar cell and a material of the base for installation.例文帳に追加

太陽電池セルの裏面側封止部材の材料及び設置用基材の材料によらずに、設置用基材に対する太陽電池セルの取付構造の信頼性を高くすることができる太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

To enable a ferroelectric memory device to reduce a cell area more than that of a 2T2C type cell and unnecessitate a reference potential, a cell plate drive line and its drive circuit.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリ装置において、２Ｔ２Ｃ型セルよりもセル面積を小さくできるとともに、リファレンス電位やセルプレート駆動線とその駆動回路を不要にできるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

A cell charging circuit CC may charge a cell 2 of minimum charge amount selected by the cell selecting circuit CS and a module discharge circuit MD may discharge battery modules 3 where voltage differences exceed the reference value.例文帳に追加

セル充電回路ＣＣが、セル選択回路ＣＳの選択した最小充電量のセル２の充電を行い、モジュール放電回路ＭＤが、電圧差が基準値を上回った電池モジュール３に対して放電を行ってもよい。 - 特許庁

The electronic timepiece with the solar cell in which the beltlike solar cell 1 is arranged nearly vertically with reference to the dial 4 comprises connecting members 9 which connects electrodes 1b, 1c of the solar cell 1 to the circuit board 10.例文帳に追加

帯状のソーラーセル１を文字板４に対して略垂直に配置したソーラーセル付電子時計において、ソーラーセル１の電極１ｂ、１ｃと回路基板１０とを接続する接続部材９を有することを特徴とする。 - 特許庁

For the non-matching cell, when the kind of non-matching is 'excess', the reference piece data within the adjacent range are referred to and the master data of the non-matching cell are eliminated only in the case that the cell of 'master data present' is not present at all.例文帳に追加

不一致セルについては，不一致の種類が「過剰」であれば，その隣接範囲内における基準ピースデータを参照し，「マスタデータあり」のセルが１つも存在しない場合に限り，当該不一致セルのマスタデータを削除する（＃７０７）。 - 特許庁

The determination part 7 compares the voltage drop rate with a reference value and determines the degradation of the secondary cell on the basis of results of comparison.例文帳に追加

判定部７によって、電圧降下率と基準値とを比較し、比較結果に基づいて二次電池の劣化を判定する。 - 特許庁

After this voltage is stored again in the reference cell, a SH2 signal is made 'high', and the bit lines are pre-charged sufficiently to a ground level.例文帳に追加

この電圧が基準セルに再記憶された後、ＳＨ２信号が「ハイ」となり、ビット線は接地レベルに十分プリチャージされる。 - 特許庁

A correct reference image loop is automatically retrieved from an image memory according to which cell in a stress protocol is active.例文帳に追加

正しい参照画像ループを、ストレス・プロトコル内のどのセルがアクティブであるかに基づいて画像フレーム・メモリから自動的に検索する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of read errors even in a memory cell storing multiple values by highly accurately generating a reference voltage.例文帳に追加

高精度に参照電圧を発生させて、多値が記憶されたメモリセルにおいても誤読み出しが発生することを防止する。 - 特許庁

To provide a DRAM in which an appropriate bit line reference potential can be set by using a dummy cell of a capacity coupling type.例文帳に追加

容量結合型のダミーセルを用いて適切なビット線の参照電位を設定することを可能としたＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A Luggin capillary 6 is vertically inserted in the center of the electrolytic cell 2 and a reference electrode 7 made of silver is inserted therein.例文帳に追加

電解槽２の中心には、ルギン管６が垂直に挿入され、その中に銀製の参照電極７が挿入されている。 - 特許庁

A dummy cell (a reference potential generating circuit) DC is provided with a paraelectric capacitor DCC1 and a ferroelectric capacitor DCC2.例文帳に追加

ダミーセル（参照電位発生回路）ＤＣは、常誘電体キャパシタＤＣＣ１及び強誘電体キャパシタＤＣＣ２を有する。 - 特許庁

The magnetic storage cell includes a reference layer 54 constituted to minimize the active layer 50 and the disturbance to the magnetization in the active layer 50.例文帳に追加

活性層５０と、活性層５０中の磁化への混乱を最小にするように構成された基準層５４とを含む。 - 特許庁

A reference position detection continuation judgment part 28 judges whether a cell has been fitted or not according to the detection signal of a cell fitment sensor 20 that is transmitted via a signal-processing circuit 26.例文帳に追加

基準位置検出続行判断部２８により、信号処理回路２６を介して送られるセル装着センサ２０の検出信号から、セルが装着されているか否かを判定する。 - 特許庁

A controller 11 corrects the level of an A/D value Y' (i, j) of each cell 13 based on the A/D value Y' (i, j) thereof to the level of the A/D value of the cell 13 in the row used as the reference.例文帳に追加

コントローラ１１は、各セル１３のＡ／Ｄ値Ｙ’（ｉ，ｊ）に基づき同Ａ／Ｄ値Ｙ’（ｉ，ｊ）のレベルを基準となる行のセル１３のＡ／Ｄ値のレベルに補正する。 - 特許庁

In the absorbancy measuring part A, a sample measuring cell 10 and a reference measuring cell 11 are irradiated with the light of a light source 12 and the transmitted light is measured by photodetectors 13 and 14 to measure absorbancy.例文帳に追加

吸光度測定部Ａは、試料測定セル１０と基準測定セル１１に光源１２の光を照射し受光器１３、１４で透過光を測定し吸光度を測定する。 - 特許庁

Infrared rays emitted from light sources 10, 11 to be applied to a capacitor microphone type detector 14 through a reference cell 12 and a sample cell 13 are modulated by a rotary impeller 16.例文帳に追加

光源１０、１１から放射されてリファンレンスセル１２およびサンプルセル１３を介してコンデンサマイクロフォン型検出器１４に与えられる赤外線を、回転する羽根体１６で変調する。 - 特許庁

Then, when the fuel cell 12 interior temperature has reached the reference temperature, the electric heater 42 stops heating, and the fuel cell 12 is heated by only its own generated electric power.例文帳に追加

そして、燃料電池１２の内部温度が基準温度に達した際、電気ヒータ４２による加熱を停止して、前記燃料電池１２の発電のみにより該燃料電池１２を加熱する。 - 特許庁

The state of the memory cell M4 is sensed by comparing the potential of the bit line MBL0 connected to the drain of the memory cell 4 with a generated reference potential by a differential sense amplifier 16.例文帳に追加

メモリセルＭ４のドレインに接続されたビット線ＭＢＬ０の電位と、生成されたリファレンス電位とを差動センスアンプ１６で比較することにより、メモリセルＭ４の状態をセンスする。 - 特許庁

The amplifier 70 detects variation of the current and voltage relating to the selected memory cell R_M, and compares these variation with the variation of current and voltage relating to the reference cell R_R.例文帳に追加

アンプ70は、選択されたメモリセルＲ_Ｍに関連する電流及び電圧の変化を検知して、それらを基準セルＲ_Ｒに関連する電流及び電圧の変化と比較する。 - 特許庁

A bit line potential selecting means for applying a write-in potential to the bit line of an electric charges accumulating side and applying a ground potential to the bit line of the other side is provided on a memory cell being adjacent to the reference cell.例文帳に追加

レファレンスセルに隣接するメモリセルに対して、電荷蓄積側のビット線に書込み電位、他方のビット線に接地電位を印加するためのビット線電位選択手段を設ける。 - 特許庁

To make easily readable data by reducing a reference current value that is compared with the cell current in a semiconductor storage device where each memory cell is composed of two kinds of transistors with mutually different in resistance and threshold, and a selected memory cell allows a cell current corresponding to read data to flow.例文帳に追加

オン抵抗及び閾値が異なる２種類のトランジスタで各メモリセルが構成され、選択されたメモリセルが読出しデータに対応するセル電流を流す半導体記憶装置において、そのセル電流と対比する参照電流の値を下げてデータ読出しを容易にする。 - 特許庁

In one memory cell group, capacity of a memory cell is varied by reducing a reference voltage value referred at the time of write-in or read-out of data for one part of the memory cell, the sum of capacity of cells of a whole memory cell group is made integral multiple of integral power of 2 bits.例文帳に追加

１個のメモリセルグループにおいて、データの書き込みまたは読み出し時に参照する基準電圧値を、一部のメモリセルに対して少なくすることによりメモリセルの容量を変え、メモリセルグループ全体のメモリセルの容量の和が２の整数乗ビットの整数倍になるようにする。 - 特許庁